專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，尤其是涉及一種能夠在制造用
作靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM )器件的薄膜晶體管(TFT)溝道的多晶硅層時 利用金屬催化劑來便于非晶硅膜晶化的制造方法。
背景技術(shù)：
隨機存取存儲器(RAM)用于存儲程序或用戶所產(chǎn)生數(shù)據(jù)，它分為SRAM 和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM) 。 SRAM是一種隨機存取存儲器，它具有 以觸發(fā)器(flip-flop)方式工作的存儲單元，并且它通常用于低容量存儲器或 緩存存儲器中，因為只要提供電源，它就能一直保存存儲于其中的內(nèi)容，而 不需要有復(fù)雜的刷新時鐘。SRAM的速度比DRAM的速度快約5倍左右，而 SRAM比DRAM更貴一些。SRAM包含觸發(fā)器存儲單元，該單元由4到6 個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)構(gòu)成，SRAM的工作機制與常規(guī)的 觸發(fā)器的工作機制相同。SRAM的每位的功耗比DRAM的每位的功耗要低。
SRAM根據(jù)單元結(jié)構(gòu)分為全互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)單元、高 阻負(fù)載(high resist load, HRL )單元、和薄膜晶體管(TFT)單元。
全CMOS單元由其主體區(qū)中的六個晶體管形成。全CMOS單元的優(yōu)點 在于，它能夠在低功耗下高速地工作，而它的缺點是，不宜進(jìn)行大規(guī)模集成。
HRL單元由4個晶體管和2個電阻構(gòu)成。HRL單元的優(yōu)點在于，其制造 工藝簡單并且宜于進(jìn)行大規(guī)模集成，而它的缺點是，靜態(tài)電流高并且抗軟錯 誤能力低。
TFT單元具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中多晶硅TFT層疊在MOSFET上。TFT 單元的優(yōu)點在于，它具有合適的靜態(tài)電流并且宜于進(jìn)行大規(guī)模集成，而它的 缺點是，功耗高。
圖1顯示了制造具有TFT單元結(jié)構(gòu)的SRAM的常規(guī)方法，圖1所示的區(qū)域?qū)?yīng)著所述SRAM中的單元陣列的一部分。
圖1 (a)顯示了形成MOSFET的步驟，MOSFET用于之后在其上層疊 多晶珪TFT。 MOSFET由柵極11和形成在用作半導(dǎo)體基底的硅晶片10上的 源極/漏極12構(gòu)成。形成MOSFET的詳細(xì)說明省略。
圖1 (b)顯示了形成籽晶層的步驟，該層用于制造多晶硅。通常利用單 晶硅作為籽晶通過對非晶硅進(jìn)行晶化來制造多晶硅。
首先，在MOSFET上形成絕緣隔層13，然后，穿過絕緣隔層13形成接 觸孔14,由此使源極/漏極12區(qū)域露出來。
然后，利用選擇性外延生長(selective epitaxial growth, SEG)技術(shù)在接 觸孔14中形成籽晶層，即單晶硅層15。 SEG技術(shù)是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)， 它能夠利用諸如SiH4 (硅烷)和& (氫氣)等氣體在900。C以上溫度下只在 露出硅的區(qū)域中生長單晶硅。就是說，單晶硅只在通過接觸孔14而露出的源 極/漏極12上生長(因為源極/漏極12由硅構(gòu)成)，而不在絕緣隔層13上生 長。
圖1 (c)顯示了在絕緣隔層13和單晶硅層15上形成非晶硅層16的步 驟。非晶石圭層16通常采用低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD )或等離子體增強化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD )來形成。
圖1 (d)顯示了通過非晶硅層16的熱處理來形成多晶硅層17的步驟， 其中，單晶硅層15用作對非晶硅進(jìn)行晶化的籽晶。然后，在多晶硅層17上 制造多晶硅TFT，從而形成SRAM。其詳細(xì)說明省略。
然而，上述常規(guī)方法具有下列問題。
首先，在使用籽晶對非晶硅層進(jìn)行晶化時有一個局限。由于需要對非晶 硅層進(jìn)行長時間的熱處理以獲得上述理想的晶化，所以SRAM的產(chǎn)率會下 降。當(dāng)然，如果熱處理期間溫度增加的話，那么，熱處理的時間就可以縮短， 然而，會有各種各樣的情形，其中，由于SRAM整個工藝的緣故，使熱處理 溫度不能無限制地增加。
其次，用于形成作為籽晶的單晶硅層的SEG是一種高溫工藝，也是一種 昂貴的工藝。如上所述，由于SEG要在900。C以上使用，所以缺點是，SRAM的熱預(yù)算(thermal budget)會增加。于是，SRAM的造價會增加，因為SEG 基本上是一種昂貴的工藝。
發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明打算解決上述問題，它提供一種方法，能夠制造出產(chǎn)率高 而工藝便宜的SRAM。
技術(shù)方案
所以，本發(fā)明的一個目標(biāo)是，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，它包括 以下步驟在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管；在所述 晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所述 接觸孔露出所述晶體管的區(qū)域；在所述接觸孔中形成硅層；在所述絕^彖層和 所述硅層上形成金屬層；通過對所述^e圭層和所述金屬層進(jìn)行熱處理來形成金 屬硅化物層；去掉所述金屬層；在所述絕緣層和所述金屬硅化物層上形成非 晶硅層；以及通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅層。
所以，本發(fā)明的另一個目標(biāo)是，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，它包 括以下步驟在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管；在所 述晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所 述"t妻觸孔露出所述晶體管的硅層；在所述絕緣層上和在所述接觸孔中形成金 屬層；通過對所述金屬層以及由于所述接觸孔而露出的所述硅層進(jìn)行熱處理 來形成金屬硅化物層；去掉所述金屬層；在所述絕緣層上以及在所述接觸孔 中形成非晶硅層；以及通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅層。
所述金屬層包括Ni (鎳)、Al (鋁)、Ti (鈦)、Ag (銀)、Au (金)、 Co (鈷)、Sb (銻)、Pd (鈀)和Cu (銅)中的至少一種金屬。
此外，所述金屬層由化學(xué)氣相沉積來形成。
更進(jìn)一步，所述金屬層由原子層沉積來形成。
更進(jìn)一步，所述金屬層的厚度由所述非晶硅層的厚度來決定。
此外，在形成所述金屬硅化物層的步驟中，所述熱處理期間的溫度為 25(K50(TC，所述熱處理所需的時間為30-60分鐘，所述熱處理所需氣氛為 惰性氣體氣氛。更進(jìn)一步，所述金屬層由辟u酸和過氧化物混合物(sulfuric peroxide mixture, SPM)溶液來去掉。
更進(jìn)一步，在形成所述多晶硅層的步驟中，所述熱處理期間的溫度為 400~700°C，所述熱處理所需的時間為1~10小時，所述熱處理所需氣氛為惰 性氣體氣氛。
有利的效果
熱處理的溫度以及所需時間，因此能夠在SRAM或DRAM的制造工藝中減 小熱預(yù)算，并提高SRAM或DRAM的產(chǎn)率。此外，根據(jù)本發(fā)明所述的SRAM 的制造方法可以降低SRAM的造價，因為不需要有形成籽晶所需要的昂貴工
藝
圖1顯示了 SRAM的常規(guī)制造方法；
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的SRAM的制造方法； 圖3顯示了本機本發(fā)明的第二實施例的SRAM的制造方法； 圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的DRAM的制造方法。 附圖標(biāo)記
20、 30:硅基底 25:硅層
21、 31:柵極 26、 35
22、 32:源極/漏才及 27、 36
23、 33:絕緣隔層 28、 37
24、 34: 4妄觸孔 29、 38
具體實施例方式
下面將參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的構(gòu)成。 在根據(jù)本發(fā)明所述的SRAM的制造方法中，通過使用金屬催化劑使形成
:金屬層 :金屬硅化物層
: 非晶娃層 :多晶硅層多晶硅層的晶化溫度降低。在與平板顯示器(諸如LCD)的驅(qū)動器件相對應(yīng) 的多晶硅TFT (polysilicon thin film transistor,多晶硅薄膜晶體管)中已經(jīng)采 用了使用金屬催化劑的非晶硅晶化方法。制造多晶硅TFT時最重要的工藝是 低溫下的非晶硅晶化，其中，理想的是降低晶化溫度。為此，提出了各種能 夠在低溫下快速形成多晶硅的工藝，在這些工藝中，有一種方法吸人注意， 該方法通過將諸如Ni、 Cu和Al的金屬催化劑運用到非晶硅上使所述晶化過 程在低溫下進(jìn)行。
因此，本發(fā)明的發(fā)明人注意到，制造LCD中的多晶硅TFT時使用金屬 催化劑的非晶硅晶化方法也能夠運用到制造SRAM中的多晶硅TFT上，于 是就產(chǎn)生了本發(fā)明。就是說，當(dāng)為了制造SRAM中的多晶硅TFT而對非晶 硅進(jìn)行晶化時，使用金屬催化劑可以降低非晶硅的晶化溫度，因此，在相同 的熱處理條件下能夠減少所述熱處理所需時間，從而提高SRAM的產(chǎn)率。另 外，由于不使用籽晶也可以使非晶硅晶化，所以就不需要使用昂貴的SEG工 藝，從而降低SRAM的造^f介。
圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的SRAM的制造方法。與圖1類似， 圖2所示的區(qū)域?qū)?yīng)著SRAM中的單元陣列的一部分。
由于圖2 (a)中的步驟與圖1 (a)和1 (b)中的步驟相似，所以，這 里就不描述其細(xì)節(jié)了，有一點不同，即，本實施例不使用籽晶，因此不需要 在接觸孔24內(nèi)形成單晶硅層。就是說，在本實施例中，在接觸孔24內(nèi)形成 諸如非晶硅層或多晶硅層這樣的硅層25。在這點上，由于硅層沉積機制，不 可能選擇性地只在接觸孔24內(nèi)形成硅層25，所以，應(yīng)該通過回蝕工藝、化 學(xué)機械拋光(chemical mechanical polishing, CMP)工藝等去掉形成在絕緣隔 層23上的硅層。如果利用如圖l(a)中的SEG在接觸孔24內(nèi)形成單晶硅層， 那么就可以省略用來去掉在絕緣隔層23上所形成的硅層25的步驟。然而， 使用SEG會產(chǎn)生SRAM的造價升高的問題。
圖2 ( b )顯示了在絕緣隔層23和硅層25上形成用作催化劑的金屬層26 的步驟。金屬層26包括Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd和Cu中的至少 一種金屬。然而，考慮到SRAM的整個制造工藝，理想的是使用Ni。盡管不 指定金屬層26的形成方法，但理想的是使用在制造半導(dǎo)體器件中所通常使用 的方法。金屬層26的厚度取決于在圖2(d)的步驟中要形成的非晶硅層28的厚 度。非晶硅層28越厚，所需要的金屬層26就越厚。如果需要精細(xì)地控制金 屬層26的厚度，那么，理想的是在形成金屬層26時使用化學(xué)氣相沉積。
同時，在本發(fā)明中，使用金屬催化劑的優(yōu)點在于，可以在低溫下使非晶 硅晶化，然而缺點是，SRAM的漏電流增加很多，因為相當(dāng)數(shù)量的金屬被留 在多晶硅TFT的有源區(qū)中。所以，為了防止多晶硅TFT的金屬污染，需要盡 可能減少所使用的金屬催化劑的數(shù)量。為此，或許金屬層26的厚度可以被控 制在一個原子層的精度內(nèi)，其中，理想的是在形成金屬層26時使用原子層沉 積(atimic layer deposition, ALD)技術(shù)。在這一點上，"或許金屬層26的 厚度可以被控制在一個原子層的精度內(nèi)"這個說法不僅意味著一個原子層被 連續(xù)地沉積在硅層25的整個面積上(就是說，覆蓋率=1)，而且意味著一 個原子層的金屬被不連續(xù)地沉積在硅層25的整個面積上(就是說，覆蓋率 <1)。當(dāng)然，除了 ALD技術(shù)外，還可以使用能夠?qū)⑺鼋饘賹拥暮穸瓤刂?在一個原子層的精度內(nèi)的其它方法。
圖2 (c)顯示了通過硅層25和金屬層26的熱處理在硅層25上形成金 屬硅化物層27的步驟，其中，理想的是熱處理期間的溫度為250 500。C,熱 處理所需的時間為30 60分鐘，熱處理所需氣氛為惰性氣體氣氛，諸如Ar、 Ne、 He和N2。然后，去掉絕緣隔層23上沒有發(fā)生金屬-硅化物反應(yīng)的地方 的金屬層26?？梢酝ㄟ^濕法刻蝕技術(shù)去掉金屬層26。例如，SPM溶液能夠 去掉絕緣隔層23上的金屬層26。
圖2 (d)顯示了形成非晶硅層28的步驟。非晶硅層的厚度最好是 1000~2000A。如上所述，通常采用LPCVD或PECVD來形成非晶硅層28。
圖2 (e)顯示了通過非晶硅層28的熱處理來形成多晶硅層29的步驟。 在圖2(e)中的步驟期間，接觸孔24內(nèi)的非晶硅層25也被晶化為多晶硅層 29。此時，在圖2 (c)的步驟中所形成的金屬硅化物用作晶化的催化劑。就 是說，在熱處理期間，由于金屬硅化物在非晶硅層28內(nèi)擴散，非晶硅層被晶 化為多晶硅。
在本發(fā)明中，熱處理的溫度最好是400~700°C，其中，如果溫度太低， 那么必須考慮到SRAM的產(chǎn)率(生產(chǎn)能力)會下降，因為晶化所需的時間增 加了，而如果溫度太高，那么必須考慮到SRAM的熱預(yù)算會增加。熱處理所需的時間根據(jù)熱處理期間的溫度來決定。
在本發(fā)明中，熱處理所需時間最好是1 10小時，其中，如果這個時間太 短，那么所迷多晶硅的結(jié)晶度會很差，而如果這個時間太長，那么，那么SRAM 的產(chǎn)率會下降。
考慮了上述所有的問題后，理想的是通過在55(TC的溫度下熱處理3小 時左右或更長、或者在600。C的溫度下熱處理1小時左右或更長來使非晶硅 晶化。當(dāng)然，根據(jù)接觸孔之間的距離可以稍稍改變熱處理所需的時間。
在本發(fā)明中，熱處理所需的氣氛最好是惰性氣體氣氛，諸如Ar、 Ne、 He和N2。
圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的SRAM的制造方法。
圖3(a)顯示了在制造出SRAM中的MOSFET之后形成絕緣隔層33和 接觸孔34的步驟。與圖1 (b)不同，在本實施例中不形成用作籽晶的單晶 硅層。
圖3 (b)顯示了在絕緣隔層33上和在接觸孔34中形成金屬層35的步 驟。與這個步驟相關(guān)的所有描述與第一實施例中的描述相同(參見圖2(b) 的描述)。
圖3 (c)顯示了對通過接觸孔34 (即，源才il/漏極32)而露出的硅層和 金屬層35進(jìn)行熱處理而在源極/漏極32上形成金屬硅化物層36的步驟。與 這個步驟相關(guān)的所有描述與第 一實施例中的描述相同(參見圖2( c)的描述)。
圖3 (d)顯示了在絕緣隔層33上和在接觸孔34中形成非晶硅層37的 步驟。與這個步驟相關(guān)的所有描述與第一實施例中的描述相同(參見圖2(d) 的描述)。
圖3 (e)顯示了通過對非晶硅層37進(jìn)行熱處理而形成多晶硅層38的步 驟。與這個步驟相關(guān)的所有描述與第一實施例中的描述相同(參見圖2(e) 的描述)。
在上面的描述中，根據(jù)本發(fā)明的方法被描述為用在具有多晶硅TFT單元 結(jié)構(gòu)的SRAM中的一個例子。然而，除了 SRAM外，才艮據(jù)本發(fā)明的方法也 能夠運用到多晶硅TFT是作為一個部件包含在半導(dǎo)體器件中的情形中。
另外，除了上述情形外，根據(jù)本發(fā)明的方法也能夠運用到各種半導(dǎo)體器件的制造工藝中。具體說，本發(fā)明能夠運用到在半導(dǎo)體器件中使用多晶硅布 線層以替代金屬布線層的情形中。 一般地說，半導(dǎo)體器件中的布線可以分為 金屬布線和多晶硅布線。多晶硅布線的缺點在于，它的電阻率比金屬布線的 電阻率高。然而，多晶硅布線的優(yōu)點在于，它的制造工藝，諸如布線的沉積 和刻蝕，比金屬布線的制造工藝要容易，從而能夠很容易將其運用到集成電
路(例如，DRAM)的制造中。因此，多晶硅布線被廣泛地運用在DRAM的 位線中，等等。
圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的DRAM的制造方法。圖4所示的區(qū)域?qū)?yīng)著 DRAM中的單元陣列的一部分。
首先，圖4 (a)顯示了在布線形成開始之前的半導(dǎo)體器件。MOSFET由 柵極41以及形成在用作半導(dǎo)體基底的硅晶片40上的源極42和漏極43構(gòu)成。 在MOSFET上形成絕緣隔層44。然后，在絕緣隔層44中形成接觸孔45，接 觸孔45使源極42和漏極43中的預(yù)定區(qū)域露出來以形成電連接。
圖4 (b)顯示了在絕緣隔層44上和接觸孔45中形成摻雜非晶硅層46 的步驟。非晶硅層46的形成方法最好是如在上述SRAM的制造方法中所描 述的LPCVD或PECVD。
圖4 ( c )顯示了在摻雜非晶硅層46上形成金屬層47作為催化劑的步驟。 金屬層47包括Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd和Cu中的至少一種金屬。 考慮到半導(dǎo)體器件的整個制造工藝，理想的是使用Ni作為催化劑。金屬層 47的形成方法不限于特殊指定的方法。然而，最好使用在半導(dǎo)體器件制造中 所使用的常規(guī)方法，例如，物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)， 諸如熱蒸發(fā)和濺射，以及化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD), 諸如LPCVD和PECVD。金屬層47的厚度取決于非晶硅層46的摻雜濃度和 厚度。
圖4 (d)顯示了通過非晶硅層46的熱處理來形成多晶硅布線層48的步 驟。在本發(fā)明中，熱處理的溫度最好是400~700°C，其中，如果溫度太低， 那么必須考慮到DRAM的產(chǎn)率(生產(chǎn)能力)會下降，因為晶化所需的時間增 加了，而如果溫度太高，那么必須考慮到半導(dǎo)體器件的熱預(yù)算會增加。
熱處理所需的時間取決于熱處理期間的溫度和非晶硅層46的摻雜濃度。在本發(fā)明中，熱處理所需時間最好是1 10小時，其中，如果這個時間太短，
那么必須考慮到多晶硅布線層的結(jié)晶度會很差，而如果這個時間太長，那么，
必須考慮到DRAM的產(chǎn)率會下降。
考慮了上述所有問題后，理想的是通過在600。C左右的溫度下熱處理1 個小時左右來使非晶硅晶化。所以，根據(jù)本發(fā)明，與多晶硅布線通過非晶硅 層的SPC (solid phase crystallization,固相晶化)來形成的常規(guī)方法相比，形 成多晶硅布線所需的熱處理期間的溫度和熱處理所需時間能夠減小很多。
在本發(fā)明中，熱處理所需氣氛最好是惰性氣體氣氛，諸如Ar、 Ne、 He
和N2。
同時，根據(jù)本發(fā)明，作為催化劑用于非晶硅晶化的金屬使金屬硅化物層 49形成在源極42/漏極43和多晶硅布線層48之間的邊界區(qū)域中。例如，如 果使用Ni作為金屬催化劑，那么就會形成諸如NiSi或NiSi2等鎳硅化物。一 般地說，金屬硅化物的電阻率比多晶硅的電阻率低很多。因此，源極42/漏極 43和多晶硅布線層48之間的4妄觸電阻能夠降低很多。
這里，根據(jù)本發(fā)明的方法:波描述為用在DRAM中的一個例子。然而，除 了 DRAM外，所述方法也能夠運用到所有其它半導(dǎo)體器件中，諸如閃存存儲 器和非存儲器器件中。
盡管通過舉出上述優(yōu)選的實施例作為例子描述了本發(fā)明，但本發(fā)明所屬 領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員也能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)對本發(fā)明進(jìn)行各種改變和變 型。這種改變和變型應(yīng)該被認(rèn)為落在本發(fā)明及附屬權(quán)利要求書的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管；在所述晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所述接觸孔露出所述晶體管的區(qū)域；在所述接觸孔中形成硅層；在所述絕緣層和所述硅層上形成金屬層；通過對所述硅層和所述金屬層進(jìn)行熱處理來形成金屬硅化物層；去掉所述金屬層；在所述絕緣層和所述金屬硅化物層上形成非晶硅層；以及通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅層。
2. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管； 在所述晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所述接觸孔露出所述晶 體管的硅層；在所述絕緣層上和在所述接觸孔中形成金屬層；通過對所述金屬層以及由于所述接觸孔而露出的所述硅層進(jìn)行熱處理來 形成金屬硅化物層；去掉所述金屬層；在所述絕緣層上以及在所述接觸孔中形成非晶硅層；以及 通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所 述金屬層包括Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd和Cu中的至少一種金屬。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所 述金屬層由化學(xué)氣相沉積來形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金 屬層由原子層沉積來形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所 述金屬層的厚度由所述非晶硅層的厚度來決定。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在 形成所述金屬硅化物層的步驟中，所述熱處理期間的溫度為250~500°C,所 述熱處理所需的時間為30 60分鐘，所述熱處理所需的氣氛為惰性氣體氣氛。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所 述金屬層由硫酸和過氧化物混合物溶液來去掉。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在 形成所述多晶硅層的步驟中，所述熱處理期間的溫度為400~700°C,所述熱 處理所需的時間為1~10小時，所述熱處理所需的氣氛為惰性氣體氣氛。
10. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟 在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管； 在所述晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所述接觸孔露出所述晶 體管的硅層；在所述絕緣層上和在所述接觸孔中形成摻雜非晶硅層； 在所述非晶硅層上形成金屬層；以及 通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅布線層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述 金屬層包括Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd和Cu中的至少一種金屬。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述 金屬層由化學(xué)氣相沉積來形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述 金屬層的厚度由所述非晶硅層的厚度來決定。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在通 過熱處理形成所述多晶硅布線層的步驟中，所述熱處理期間的溫度為 400~700°C,所述熱處理所需的時間為1 10小時，所述熱處理所需的氣氛為 惰性氣體氣氛。
15. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在通 過熱處理形成所述多晶硅布線層的步驟中，金屬硅化物層形成在所述多晶硅 布線層和所述晶體管的硅層之間的邊界區(qū)域中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅層的制造方法，該方法能夠用于諸如SRAM等半導(dǎo)體器件的制造中。所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下步驟在半導(dǎo)體基底上形成所述半導(dǎo)體器件中所包含的晶體管；在所述晶體管上形成絕緣層；通過選擇性去除所述絕緣層來形成接觸孔，通過所述接觸孔露出所述晶體管的區(qū)域；在所述接觸孔中形成硅層；在所述絕緣層和所述硅層上形成金屬層；通過對所述硅層和所述金屬層進(jìn)行熱處理來形成金屬硅化物層；去掉所述金屬層；在所述絕緣層和所述金屬硅化物層上形成非晶硅層；以及通過對所述非晶硅層進(jìn)行熱處理來形成多晶硅層。
文檔編號H01L21/8242GK101589463SQ200880002513
公開日2009年11月25日 申請日期2008年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月18日
發(fā)明者張澤龍, 張錫弼, 李永浩, 李炳一 申請人:泰拉半導(dǎo)體株式會社