技術(shù)編號：6921218
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其是涉及一種能夠在制造用作靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM )器件的薄膜晶體管(TFT)溝道的多晶硅層時 利用金屬催化劑來便于非晶硅膜晶化的制造方法。背景技術(shù)隨機(jī)存取存儲器(RAM)用于存儲程序或用戶所產(chǎn)生數(shù)據(jù)，它分為SRAM 和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM) 。 SRAM是一種隨機(jī)存取存儲器，它具有 以觸發(fā)器(flip-flop)方式工作的存儲單元，并且它通常用于低容量存儲器或 緩存存儲器中，因為只要提供電源，它就能一直保存存儲于其中的內(nèi)容...
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