專利名稱：：具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，尤指一種在一具有金屬基核心載體(Metal-BasedCoreCarrier)的增層載板(Build-UpLayers)上組裝集成電路(IntegratedCircuit,IC)芯片的方法。
背景技術(shù)：
：由于集成電路功能的增進(jìn)，加上信號完整性(SignalIntegrity)及規(guī)格小型化(SmallerForm-Factor)等需求，致使范圍廣泛地進(jìn)化封裝革新，包括覆晶(FlipChip,FC)及芯片尺寸封裝(Chip-ScalePackaging,CSP)。該些技術(shù)是利用高密度互連(HighDensityInterco皿ect，HDI)載板，有效地分配IC至板面的輸出入信號，使得芯片能夠在一極其局限的空間內(nèi)進(jìn)行封裝，利用該高密度互連載板不僅能縮減封裝組件的封裝面積(FootPrint)，同時(shí)也可增進(jìn)信號完整性，例如減少噪音、降低電子干擾輻射及減少能量衰減等。在一些已經(jīng)發(fā)展可提供高密度互連的新制程中，其使用最為廣泛的是為一逐次增層(SequentialBuildUp，SBU)載板的制程。傳統(tǒng)的增層載板是由二個(gè)顯著組件所組成，包含一增層載板及一核心載板(CoreCarriersubstrate)，其制程基本上是以傳統(tǒng)的核心載板開始，例如傳統(tǒng)印刷電路板(PrintedCircuitBoard,PCB)。就該增層載板的制作而言，該核心載板是作為載體之用，用以提供主要的機(jī)械性支撐(MechanicalSupport)。而該增層載板則由一介電層(DielectricLayers)及一線路層(WiringLayers)所組成，并各別逐次堆棧于該核心載板的兩個(gè)表面上。該線路層包含復(fù)數(shù)個(gè)電路圖案，可提供各種線路功能。利用鐳射形成或光定義所制成的導(dǎo)電盲孔(ConductiveVias)連接各層載板，使增層載板的前后兩側(cè)互連，而核心中的盲孔通常由機(jī)械鉆孔或打孔而成，并使用一般PCB技術(shù)蝕刻基底電路(BaseCircuitry)。請參見圖i所示，其為一傳統(tǒng)增層載板主要部分的剖面示意圖，于其中，各增層載板配置在核心載板的兩側(cè)。如圖所示一增層載板l1O包含一通常以玻璃環(huán)氧樹脂(Glass-EpoxyResin)制成的核心載板120、一配置于該核心載板120第一表面120a的第一增層載板l30、一配置于核心載板l20第二表面12Ob的第二增層載板l50、以及復(fù)數(shù)個(gè)延伸穿越該核心載板12O第一表面l2Oa與其第二表面l2Ob的通孔l21，其中，每一通孔l21中皆裝設(shè)一電鍍導(dǎo)電體l22(PlatedConductor)，并填充一樹脂123。該第一增層載板l30包含一第一線路層131、一第一介電層l32(DielectricLayer)、復(fù)數(shù)個(gè)第一層級盲孔133、一第二線路層134、一第二介電層135、復(fù)數(shù)個(gè)第二層級盲孔136、一第三線路層137、一防焊層(SolderResistLayer)138、復(fù)數(shù)個(gè)開口139及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊140，其中，該第一線路層l3l配置于該核心載板120的第一表面120a，且該第一線路層131有部分連接至該電鍍導(dǎo)電體122的第一端；該第一介電層l32由環(huán)氧樹脂制成，并涂布于該核心載板l20的第一表面120a，且在第一方向覆蓋該第一線路層l3l及填充物樹脂l23;復(fù)數(shù)個(gè)第一層級盲孔l33在該第一介電層132上形成，且底部顯露該第一線路層l31;該第二線路層l34配置在該第一介電層l32上，且該第二線路層l34的一部分延伸進(jìn)入該第一層級盲孔133，并在第一方向接觸該第一線路層l31;該第二介電層l35涂布于該第一介電層132上，并覆蓋該第二線路層l34;復(fù)數(shù)個(gè)第二層級盲孔l36在該第二介電層135上形成，且底部顯露該第二線路層l34;同樣地，該第三線路層l37配置于該第二介電層135上，且該第三線路層l37的一部分延伸進(jìn)入該第二層級盲孔136，并在第一方向接觸該第二線路層l34;該防焊層l38涂布于該第二介電層135上，并在第一方向覆蓋該第三線路層l37;復(fù)數(shù)個(gè)開口139于該防焊層138上形成，且底部顯露該第三線路層137;復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊140置放于該第三線路層137上的開口139。藉此，由該第一、二、三線路層131、134、137、該第一、二介電層132、135、該防焊層138及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊140構(gòu)成該第一增層載板130。該第二增層載板l50與該第一增層載板130結(jié)構(gòu)相同，該第二增層載板l50包含一第一線路層l51，該第一線路層l5l配置于該核心載板l20第二表面120b，且該第一線路層l5l有部分連接至該電鍍導(dǎo)電體l22的第二端。藉此，由該第一、一第二、三線路層151、154、157、一第一、二介電層152、155、一防焊層158及復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊160構(gòu)成該第二增層載板150。如是，由該核心載板l20、該第一增層載板l30及該第二增層載板150構(gòu)成傳統(tǒng)的增層載板110。盡管傳統(tǒng)的增層載板對高性能的芯片具有莫大的優(yōu)點(diǎn)，然而，其技術(shù)性及可靠性卻嚴(yán)重受限。因相較于傳統(tǒng)的增層載板，其核心中的線路密集度及盲孔大小很明顯地較為粗略，所以以做為增層載板前后兩側(cè)的連接工具而言，其核心可提供的線路功能其實(shí)有限。因此，即便覆晶終端間距可因增層載板中的線路性而能輕易兼容，然而其核心中的盲孔確實(shí)嚴(yán)重限制該第二增層載板的線路性能；此外，其核心中的電鍍盲孔亦會增加電容流失及電子干擾，致使經(jīng)常破壞電壓層的整合。除了該核心載板線路限制問題之外，硅與載板材質(zhì)的局部熱膨脹系數(shù)(ThermalExpansionCoefficient,CTE)與整體熱膨脹系數(shù)的不匹配，亦會引發(fā)巨大的熱應(yīng)力(ThermalStress)與張力(Strain)，當(dāng)進(jìn)行下一層載板的組裝時(shí)，將導(dǎo)致連接半導(dǎo)體封裝件與電路板間的焊接接合點(diǎn)變得脆弱。由上述可知，在材質(zhì)導(dǎo)致的可靠性問題中，該核心載板內(nèi)的強(qiáng)化玻璃纖維及樹脂材料對于這些可靠性問題實(shí)為在封裝設(shè)計(jì)上扮演著一關(guān)鍵性的角色；并且，亦由于該些材質(zhì)對于熱性質(zhì)的不匹配，因此同樣會引發(fā)嚴(yán)重的變形及控管問題，進(jìn)而大為影響封裝件的制造良率。因此，應(yīng)就半導(dǎo)體封裝制程及材質(zhì)的放置仔細(xì)設(shè)計(jì)，因其不僅大為影響封裝系統(tǒng)的電子性能及其熱效能，且物理機(jī)械結(jié)構(gòu)的崩解亦會引發(fā)嚴(yán)重的可靠度問題，對于制造良率將造成不利的沖擊。電子與材質(zhì)所引發(fā)的封裝問題，可就互連載板結(jié)構(gòu)的適當(dāng)設(shè)計(jì)，而可同時(shí)減少材質(zhì)的放置及構(gòu)成的問題。例如，可將壓板以球面柵格數(shù)組(BallGridArray,BGA)及平面柵格數(shù)組(LandGridArray,LGA)的封裝技術(shù)將封裝件設(shè)計(jì)為一無核心(Core-Less)的BGA封裝件，以減少核心材質(zhì)的影響，進(jìn)而提升電子性能。美國第7，060，604號專利，其描述一無核心的增層載板，其中，該核心載板已被摒棄，取而代之為具良好前后傳導(dǎo)路徑的線路片(WiringSheets)，由一個(gè)逐次堆棧于另一個(gè)之上，可成功解決導(dǎo)因于核心結(jié)構(gòu)所造成的線路密度限制問題。然而，該種載板卻有一嚴(yán)重的缺點(diǎn)，即喪失封裝制程通常需要的堅(jiān)固支撐；再者，由于該線路片的變形及超薄載板共面控制的不良，于芯片組裝時(shí)將會導(dǎo)致尺寸(Dimension)及準(zhǔn)線(Alignment)的問題。因此，就其本身的低制造良率，加上可靠度相關(guān)的諸多問題，使得該法并不適宜。在機(jī)械結(jié)構(gòu)的適當(dāng)設(shè)計(jì)下，可降低熱性質(zhì)不匹配所引發(fā)的封裝件焊接接合點(diǎn)的壓力問題。例如，可將BGA與LGA封裝件重新設(shè)計(jì)成為一針腳柵格數(shù)組(PinGridArray,PGA)封裝件，其具有接腳并接觸終端延伸至封裝件上方，可作為封裝件與PCB間的托腳(Stand-Off)或絕緣片(Spacer)，藉以吸收熱應(yīng)力而減輕焊接接合點(diǎn)的疲乏，因此，支柱得以隨著兩端的膨脹而撓屈，進(jìn)而可降低剪應(yīng)力(ShearStress)。傳統(tǒng)的支柱構(gòu)成方法，包括一鍵結(jié)互連程序(BondedInterconnectProcess,BIP)及一利用光阻(PhotoResist)的電鍍程序。該BIP是在芯片接點(diǎn)上形成一金質(zhì)球體(GoldBall)，同時(shí)以一金質(zhì)接腳利用熱壓接引線接合機(jī)(ThermoCompressionWireBonder)從該金質(zhì)球體向上延伸，之后，該金質(zhì)接腳接觸一輔助電路(Supportcircuit)，將其上的焊接球凸塊熔解，待該焊接球回流并冷卻后，形成一圍繞在該金質(zhì)接腳的焊接接合點(diǎn)。然而，該法亦有一缺陷，即當(dāng)線接合機(jī)在接點(diǎn)上構(gòu)成該金質(zhì)球體時(shí)，將對接點(diǎn)造成重壓，因此可能破壞一主動(dòng)電路(ActiveCircuitry)下方的接點(diǎn)；此外，該金質(zhì)接腳中的金亦會溶解于該焊接球，形成一會機(jī)械性地削弱該金質(zhì)接腳的金錫介金屬化合物(Gold-TinIntermetallicCompound)，因而了降低該法的可靠度。又，美國第6，177，636號專利，公告于2001年1月23日，由Jos印hC.Fjelstad提出，揭露一以具有復(fù)數(shù)堅(jiān)固柱子(RigidPosts)做為互連終端的可撓屈載板的微電子裝置互連組件制造方法。該些堅(jiān)固柱子由耦接于支撐結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)薄片用于蝕刻而產(chǎn)生，產(chǎn)生柱子后，是將該載板耦接于一半導(dǎo)體芯片上，電性連接焊墊與各自的引線及柱子。雖然柱子與可撓屈載板在一定程度上可與該結(jié)構(gòu)兼容，但由于組裝步驟之前與其組裝之時(shí)，該技術(shù)在三維堆棧的控制上會遭遇許多困難。諸如當(dāng)其在組裝時(shí)，突出的接腳在操作上會發(fā)生極大的問題，且組裝后亦會引發(fā)多余的彎曲與短缺，進(jìn)而在組裝過程中造成反效果。因此，從制造點(diǎn)觀之，該法實(shí)為既麻煩又毫無吸引力的解決辦法。就現(xiàn)行已知的半導(dǎo)體芯片于組裝的各發(fā)展階段與限制的觀點(diǎn)加以考慮下，設(shè)計(jì)一節(jié)省成本，且可提供優(yōu)良制造平臺并值得信賴的封裝方法實(shí)有其必要，故，一般習(xí)用者由已知技術(shù)無法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)所需。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，該方法使用一具有一金屬基核心載體的增層載板，于其中，該增層載板僅置于該金屬基核心載體的一側(cè)，且該金屬基核心載體在組裝上是作為支撐嵌板(SupportingPanel)，故可提高該增層載板共平面的強(qiáng)度(Co-Planarity)，因此可增加該半導(dǎo)體芯片與該增層載板間的連結(jié)強(qiáng)度。且在某些情況中，當(dāng)該金屬基核心載體不作為載體之用，而經(jīng)蝕刻而消耗時(shí)，可視作為金屬基座。本發(fā)明次要目的在于，提供一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，使用一具有該金屬基核心載體的增層載板，于其中，該金屬基核心載體將被消耗，并在組裝最后階段移除，以縮短該半導(dǎo)體芯片及組裝載板間的電子傳導(dǎo)路徑，因而增加封裝的電性特性。本發(fā)明另一目的在于，提供一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，使用一具有一金屬基核心載體的增層載板，具有一預(yù)先形成的終端，于該金屬基核心載體移除后，該露出的終端可在封裝組件與組裝載板間提供一焊鎖效應(yīng)(SolderLockingEffect)，進(jìn)而增加電路板層級可靠度(BoardLevelReliability)。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，至少包含下列步驟A、提供一多層增層載板；該多層增層載板包含一增層載板及一金屬基核心載體，該增層載板包括一第一表面及一相對的第二表面，且該第一表面面對第一方向，由該第二表面接觸該金屬基核心載體，并在第一方向垂直延伸于該金屬基核心載體之外，且該增層載板透過該金屬基核心載體作電性連接；B、將一半導(dǎo)體芯片以機(jī)械方式附著于該多層增層載板上；該半導(dǎo)體芯片包含一第一表面及一相對的第二表面，且該半導(dǎo)體芯片的第一表面包含一電極；C、形成電子連接接合點(diǎn)，電性連接該增層載板與該半導(dǎo)體芯片的電極；D、構(gòu)成封裝結(jié)構(gòu)，覆蓋該半導(dǎo)體芯片及該增層載板；該封裝結(jié)構(gòu)包含一面對第一方向的第一表面、及一面對于相對該第一方向的第二方向的第二表面，且該封裝結(jié)構(gòu)在該第一方向垂直延伸于該半導(dǎo)體芯片、該增層載板及該金屬基核心載體之外；以及E、蝕刻該金屬基核心載體，從而形成該半導(dǎo)體芯片的組裝。根據(jù)本發(fā)明的另一面，為提供一構(gòu)裝增層載板的方法，該金屬基核心載體第一面含有復(fù)數(shù)個(gè)凹洞，并在該金屬基核心載體第一面上形成一介電層，且該介電層包含一開口，系顯露部分的凹洞及該金屬基核心載體；經(jīng)由該介電層的開口逐次置放終端金屬及導(dǎo)電填充物在該凹洞中構(gòu)裝該終端，于一第二方向以該金屬基核心載體覆蓋該終端導(dǎo)電體及該導(dǎo)電填充物；并且，僅透過該介電層的開口蝕刻顯露的金屬基核心載體以形成接點(diǎn)，而不蝕刻穿透該金屬基核心載體；以及分別經(jīng)由無電電鍍或電鍍逐次配置一在該介電層上的線路層，由該介電層上形成的導(dǎo)電盲孔與該線路層電子互連。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，一半導(dǎo)體芯片的組裝制造方法包括將該半導(dǎo)體芯片附著于一具有金屬基核心載體的增層載板的步驟，該半導(dǎo)體芯片是在第一方向垂直延伸于該增層載板及該金屬基核心載體之外。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，該方法包含將一半導(dǎo)體芯片機(jī)械性附著至一增層載板，再構(gòu)成一可電性連接該半導(dǎo)體芯片、該增層載板及一金屬基座的接合點(diǎn)。其組裝方法可能包括機(jī)械熔接復(fù)數(shù)個(gè)金質(zhì)凸塊至該增層載板的傳導(dǎo)墊，形成連接接合點(diǎn)的步驟，例如，施用超聲功率(UltrasonicPower)將該金質(zhì)凸塊置放于該半導(dǎo)體芯片的電極，并將該金質(zhì)凸塊置放于該增層載板的傳導(dǎo)墊，形成一金-金(Gold-Gold)連接接合點(diǎn)。又其組裝方法可能亦包括熱熔接該金質(zhì)凸塊至該增層載板的傳導(dǎo)墊，構(gòu)成連接接合點(diǎn)。例如，在該半導(dǎo)體芯片及一金屬基座施加熱及壓力，將該金質(zhì)凸塊置放于該半導(dǎo)體芯片的電極，并將焊接置于傳導(dǎo)墊上，構(gòu)成一金錫(Gold-Tin)連接接合點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的另一面，組裝方法包括在金屬基核心載體蝕刻前形成封裝的步驟，因在該金屬基核心載體蝕刻后，封裝可提供該增層載板機(jī)械支撐。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，該方法包含在形成封裝后完全蝕刻金屬基核心載體的步驟，因而移除該金屬基座與該增層載板間的所有接觸區(qū)域；亦或，該金屬基核心載體的蝕刻僅移除該金屬載體的一部分，減少與一第一線路層的接觸區(qū)域，而不移除接觸終端的金屬的部分，從而減少而非移除該金屬基座與該增層載板間的接觸區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，該方法包含蝕刻該金屬基座的一部分，電性隔離個(gè)別電路圖案的步驟，可形成一絕緣式的基座，在第二方向大致覆蓋該線路層，而未覆蓋該終端，該絕緣式的基座在第二方向垂直延伸于該半導(dǎo)體芯片、該增層載板及封裝材料之外。如此，該組裝方法的整個(gè)過程適用性高，并可以獨(dú)特進(jìn)步的方式，使用多種成熟連接接合技術(shù)，相較于傳統(tǒng)封裝技術(shù)，本發(fā)明的組裝可大幅增益產(chǎn)量、良率及性能特性，且本發(fā)明的組裝亦很適合使用可與銅質(zhì)芯片兼容的材質(zhì)。圖1是傳統(tǒng)增層載板主要部分剖面示意圖。圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施例的增層載板剖面示意圖。圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置封裝剖面示意圖。圖4a是本發(fā)明于半導(dǎo)體芯片表面形成金質(zhì)凸塊剖面示意圖。圖4b是本發(fā)明固定于增層載板的半導(dǎo)體芯片剖面示意圖。圖4c是本發(fā)明的充填熱固性樹脂剖面示意圖。圖4d是本發(fā)明在增層載板上形成的封裝剖面示意圖。圖4e是本發(fā)明移除金屬基核心載體后的組裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖5是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的組裝剖面示意圖。標(biāo)號說明多層增層載板210金屬基核心載體2209第一表面220a終端金屬222增層載板230第一介電層232第二線路層234底部235a第三線路層237開口239半導(dǎo)體裝置300電極302終端322增層載板330半導(dǎo)體芯片401電極402增層載板410熱固性樹脂430傳導(dǎo)墊440第一、二表面450a、450b半導(dǎo)體芯片501金質(zhì)凸塊503封裝材料550核心載板120通孔l21樹脂123第一線路層131、151第一層級盲孔133第二介電層135、155第三線路層137、157導(dǎo)電墊140、160具體實(shí)施例方式終端221導(dǎo)電填充物223第一線路層231第一層級盲孔233第二介電層235第二層級盲孔236防焊電阻層238傳導(dǎo)墊240半導(dǎo)體芯片301凸塊303金屬基核心載體320傳導(dǎo)墊340第一、二表面401a、401b金質(zhì)凸塊403表面410a金屬基核心載體420封裝材料450半導(dǎo)體芯片500電極502金屬柱式終端521增層載板l10第一表面120a、120b電鍍導(dǎo)電體l22第一、二增層載板130、150第一介電層132、152第二線路層134、154第二層級盲孔136防焊層138、158開口139本發(fā)明為一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其至少包括下列步驟(A)提供一多層增層載板，且該多層增層載板包含一增層載板及一金屬基核心載體，于其中，該增層載板包括一第一表面及一相對的第二表面，且該第一表面面對第一方向，由該第二表面接觸該金屬基核心載體，并在第一方向垂直延伸于該金屬基核心載體之外，且該增層載板透過該金屬基核心載體作電性連接；(B)將一半導(dǎo)體芯片以機(jī)械方式附著于該多層增層載板上，于其中，該半導(dǎo)體芯片包含一第一表面及一相對的第二表面，且該半導(dǎo)體芯片的第一表面包含一電極；(C)形成一電子連接接合點(diǎn)，電性連接該增層載板與該半導(dǎo)體芯片的電極；(D)構(gòu)成一封裝結(jié)構(gòu)，覆蓋該半導(dǎo)體芯片及該增層載板，于其中，該封裝結(jié)構(gòu)包含一面對第一方向的第一表面、及一面對于相對該第一方向的第二方向的第二表面，且該封裝結(jié)構(gòu)在該第一方向垂直延伸于該半導(dǎo)體芯片、該增層載板及該金屬基核心載體之外；以及(E)蝕刻該金屬基核心載體，從而形成該半導(dǎo)體芯片的組裝，其中，該金屬基核心載體的蝕刻包含顯露的線路層、介電層及終端，且不顯露該第二方向的封裝結(jié)構(gòu)，可將一電路圖案與其它于該增層載板上形成的電路圖案作電隔離。其中，該步驟(A)增層載板的構(gòu)裝包含在該金屬基核心載體上形成復(fù)數(shù)個(gè)凹洞后，置放一終端于該復(fù)數(shù)個(gè)凹洞中，并于該金屬基核心載體上逐次置放一線路層；亦或是置放一終端金屬于該金屬基核心載體，形成一終端，且于該金屬基核心載體上逐次置放一線路層，唯該法不在該金屬基核心載體上形成復(fù)數(shù)個(gè)凹洞。依據(jù)形成復(fù)數(shù)個(gè)凹洞的方法，該復(fù)數(shù)個(gè)凹洞的形成包含在該金屬基核心載體上形成一介電層，且該介電層包含一開口，顯露出部分的金屬基核心載體及該凹洞，經(jīng)由該介電層的開口逐次置放一終端金屬及一導(dǎo)電填充物在該凹洞中構(gòu)裝該終端，并于一第二方向以該金屬基核心載體覆蓋該終端導(dǎo)電體及該導(dǎo)電填充物；并且，僅透過該介電層的開口蝕刻顯露的金屬基核心載體以形成接點(diǎn)，而不蝕刻穿透該金屬基核心載體；以及分別經(jīng)由無電電鍍或電鍍逐次配置一在該介電層上的線路層，于其中，該線路層的置放包含至少放置兩層線路層的上方線路層與一下方線路層，而該介電層則于該兩層線路層之間，由該介電層上形成至少一個(gè)的導(dǎo)電盲孔與該上、下方線路層電子互連。請參閱圖2所示，為本發(fā)明較佳實(shí)施例的增層載板剖面示意圖。如圖所示本發(fā)明提供一種多層增層載板210，且該多層增層載板210具有一金屬基核心載體22O及一增層載板230，其中，該增層載板230置放于該金屬基核心載體220的第一表面22Oa，其中，該金屬基核心載體22O可視為一金屬基載體，或在某些情況中，當(dāng)該金屬基核心載體220不但非作為載體之用且在蝕刻過程中消耗時(shí)，是視為一金屬基座，此外，該金屬基核心載體22Q通常是由銅板或其它材質(zhì)例如鋁制成，亦或可經(jīng)由化學(xué)蝕刻或機(jī)械去除的合金制成。該金屬基核心載體220具有一終端221，該終端221包含一終端金屬222及一導(dǎo)電填充物223，逐次放入該金屬基核心載體220的第一表面220a下形成的洞孔(圖中未示)中，使用一光阻層(PhotoResistLayer)做為一蝕刻阻擋層(EtchMask)，其中，該終端金屬222通常為一可濕式焊接材質(zhì)(SolderWettableMaterial)，并可為金、錫、銀、鈀及合金；該導(dǎo)電填充物223是以金屬制成，并可為銅、鎳、金、銀、鈀或合金，例如焊錫或?qū)щ婐ぶ鴦?ConductiveAdhesive)。該終端221從該金屬基核心載體220第一表面220a延伸進(jìn)入，但并未穿透該金屬基核心載體220，本質(zhì)上，在去除該金屬基核心載體220的復(fù)數(shù)部分后，其第一表面220a上的孔洞系提供一預(yù)先成形的終端221的形狀，其中，該第一表面220a上的第一線路層23l包含覆蓋在一鎳層上的電鍍銅層，然而，組成該第一線路層23l所使用的各式結(jié)合以及不同的金屬系統(tǒng)，是視所適用技術(shù)的需求而定。今為圖示上的便利，該第一線路層23l上的鎳層及銅層顯示為一單一金屬導(dǎo)電層，其中，該第一線路層23l及該終端金屬222可經(jīng)由電鍍操作來分別或同時(shí)電鍍形成，并使用光阻(圖中未示)作為電鍍阻擋層，且該些層板系可加性構(gòu)成(FormedAdditively)。一第一介電層232是以環(huán)氧樹脂(EpoxyResin)制成，覆蓋于該金屬基核心載體220的第一表面220a，并在第一方向覆蓋該第一線路層231以及預(yù)先形成的終端221復(fù)數(shù)個(gè)第一層級盲孔233在該第一介電層232上形成，并顯露該第一線路層231的一部分。一第二線路層234是在該第一介電層232上形成，且該第二線路層234之一部分延伸進(jìn)入該第一層級盲孔233接觸該第一線路層231。一第二介電層235涂布在該第一介電層232，并覆蓋在該第二線路層234上，且有復(fù)數(shù)個(gè)第二層級盲孔236在該第二介電層底部235a形成，并顯露該第二線路層234。一第三線路層237是在該第二介電層235上形成，該第三線路層237的一部分延伸進(jìn)入該第二層級盲孔236，并在第一方向接觸該第二線路層234。一防焊電阻層238涂布于該第二介電層235上，并在第一方向覆蓋該第三線路層237，該防焊電阻層238上形成復(fù)數(shù)個(gè)開口239，以顯露該第三線路層237，并將復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)墊240置放入該第三線路層237上的開口239。藉此，由該金屬基核心載體220、預(yù)先形成的終端221、第一、二及三線路層231、234、237、第一、二介電層232、235、以及復(fù)數(shù)個(gè)傳導(dǎo)墊240，構(gòu)成本實(shí)施例一具有該金屬基核心載體220的多數(shù)增層載板210。并且，由于本實(shí)施例是描述提供具有一個(gè)該金屬基核心載體22Q的三層層板的增層載板方法，于此之外，亦可視適用情況依照同樣方法，建立不同數(shù)量層板的增層載板。請參閱圖3所示，是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置封裝剖面示意圖。如圖所示是為一半導(dǎo)體裝置300，該半導(dǎo)體裝置300包括一半導(dǎo)體芯片301，具有電極302及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊303，該半導(dǎo)體芯片30l翻轉(zhuǎn)固定于一增層載板330的傳導(dǎo)墊340之上，其終端322做為下一層級組裝互連之用，且預(yù)先在一金屬基核心載體上形成，并在去除金屬基座選定的部分后露出于外。一制造該半導(dǎo)體裝置300的方法，包含前述構(gòu)造，將依據(jù)圖4a圖4e進(jìn)行說明。請參閱圖4a圖4e所示，分別為本發(fā)明于半導(dǎo)體芯片表面形成金質(zhì)凸塊剖面示意圖、本發(fā)明固定于增層載板的半導(dǎo)體芯片剖面示意圖、本發(fā)明的充填熱固性樹脂剖面示意圖、本發(fā)明在增層載板上形成的封裝剖面示意圖及本發(fā)明移除金屬基核心載體后的組裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖所示圖4a顯示復(fù)數(shù)個(gè)金質(zhì)凸塊403在一半導(dǎo)體芯片40l表面的每一電極402上形成，且該金質(zhì)凸塊403可以打線接合(WireBonding)或金屬電鍍的方式形塑為突出或半球之狀，其中，該金質(zhì)凸塊403的材質(zhì)并不僅限于金，亦可使用錫，銅或鋁等其它材質(zhì)。圖4b顯示將該半導(dǎo)體芯片401固定于一為金屬基的增層載板410。首先將該半導(dǎo)體芯片40l第一表面40la具有的金質(zhì)凸塊403面對下方，再施加熱與壓力于該半導(dǎo)體芯片401，以將該金質(zhì)凸塊403打造進(jìn)入該增層載板410上的傳導(dǎo)墊440，由于該金質(zhì)凸塊4Q3接觸并電性連接該電極4Q2至各自的電鍍傳導(dǎo)墊44Q，使所有的電極402焊接區(qū)可共同電性連接及縮減穿透一金屬基核心載體420。在這樣覆晶排列中，該半導(dǎo)體芯片401第一表面401a面朝下方接觸該增層載板410，而該半導(dǎo)體芯片401第二表面4Qlb則面朝上方，與該增層載板41Q背離，向外露出。圖4c顯示一熱固性樹脂430被加熱硬化之后，可作為將該半導(dǎo)體芯片40l與該增層基板410緊密貼合的黏著劑，該熱固性樹脂430不僅接觸該半導(dǎo)體芯片401的第一表面40la與該增層基板410間作延展，并且亦同時(shí)接觸該半導(dǎo)體芯片401的外緣。圖4d顯示于該增層基板410上形成封裝。將一具有第一表面450a及一相對的第二表面450b的封裝材料450封裝于增導(dǎo)基板410上，以該第一表面450a面對上方，另一相對的第二表面45Ob面對下方，由該封裝材料450向上延展于該半導(dǎo)體芯片401、該熱固性樹脂430及該增層載板41O之外，于其中，該封裝材料45O接觸該半導(dǎo)體芯片401的第二表面40lb，自該半導(dǎo)體芯片40l外緣接觸該熱固性樹脂430及該增層載板410的表面410a，雖然該封裝材料450覆蓋于該金屬基核心載體420上，但由于該增層載板41O的緣故，因此是與該金屬基核心載體42O隔離，其中，該封裝材料450為一固態(tài)黏性可壓縮的保護(hù)層，可做為環(huán)境的防護(hù)，不僅可提供芯片耐濕性及防塵，而且可在該金屬基核心載體42O移除后，可機(jī)械性支撐該增層載板410。該封裝材料45Q可使用各式的技術(shù)置放，包括印刷及注壓成型，例如可將該封裝材料450印在該半導(dǎo)體芯片40l及該增層載板41O上做為環(huán)氧黏著劑(EpoxyPaste)使用，待固化或硬化形成一固態(tài)黏性保護(hù)層；另一方面，該封裝材料45O亦非必需接觸該半導(dǎo)體芯片401或該增層載板410。如，在將該半導(dǎo)體芯片4Ql貼附于該增層載板41Q后，可在該半導(dǎo)體芯片4Ql上置放一外層圓頂封裝體(Glob-Top)，而后在該外層圓頂封裝體上構(gòu)裝該封裝材料450，而其環(huán)氧黏著劑或鑄模材料，則在此技術(shù)中為人所熟知。該封裝材料450不僅可提供該半導(dǎo)體芯片40l及該增層載板410主要的機(jī)械性支撐，同時(shí)也可減輕該增層載板410的機(jī)械性壓力，在該金屬基座42O移除后尤可見其功效；另外，在濕式化學(xué)蝕刻以及其后的清洗步驟(例如以蒸餾水沖洗及送風(fēng))時(shí)，該封裝材料450亦可保護(hù)該半導(dǎo)體芯片401、該增層載板410、以及終端不受機(jī)械損害。圖4e顯示該金屬基核心載體以背側(cè)濕式化學(xué)蝕刻法將全體的金屬基核心載體去除所成的組裝結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)頂端的水霧噴頭被撤掉時(shí)，底部的水霧噴頭可噴出濕式化學(xué)蝕刻溶劑至該金屬基核心載體，或者，由于該封裝材料450可提供前側(cè)防護(hù)，因此亦可將整體結(jié)構(gòu)浸泡于濕式化學(xué)蝕刻溶劑中。在實(shí)施濕式化學(xué)蝕刻時(shí)，由于與鎳、金、樹脂、防焊層及鑄模材料有關(guān)，因此濕式化學(xué)蝕刻時(shí)大多選擇銅；也因此，由于與第一線路層的鎳層、凸塊的金、終端金屬、樹脂、及封裝材料有關(guān)，因此大多選擇該金屬基座。再者，該第一線路層上的鎳層，及凸塊終端金屬的金可防護(hù)該第一線路層下方的銅層，及凸塊終端不受濕式化學(xué)蝕刻，因此，不會去除太多的第一線路層、凸塊終端、樹脂及封裝材料；另外，該半導(dǎo)體芯片、凸塊及較高的線路層亦不會暴露于濕式化學(xué)蝕刻中。因此該濕式化學(xué)蝕刻主要是去除該金屬基座，以該濕性化學(xué)蝕刻消除該金屬基核心載體14與該第一線路層間的接觸區(qū)域、該金屬基核心載體與該第一電介層間的接觸區(qū)域、及該金屬基核心載體與預(yù)先形成的終端間的區(qū)域。藉此，由該濕式化學(xué)蝕刻使該第一線路層、該第一介電質(zhì)層、及預(yù)先成形的終端予以顯露，而顯露該封裝材料及該半導(dǎo)體芯片。適合作為濕式化學(xué)蝕刻的溶劑為一種含有堿性氨(AlkalineAmmonia)的溶劑，并可藉由錯(cuò)誤試驗(yàn)中建立最佳蝕刻時(shí)機(jī)，進(jìn)而能去除該金屬基座，且不至于過度將電路系統(tǒng)及預(yù)先成形的終端暴露于濕式化學(xué)蝕刻。請參閱圖5所示，為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的組裝剖面示意圖。如圖所示一半導(dǎo)體芯片500的組裝制作方法，包含將一半導(dǎo)體芯片501機(jī)械附著于多層增層載板的步驟，于其中，該半導(dǎo)體芯片50l包含電極502、復(fù)數(shù)個(gè)在該電極502上形成的金質(zhì)凸塊503、及一覆蓋在該半導(dǎo)體芯片50l與該增層載板上的封裝材料550。首先選擇性蝕刻一金屬基座(圖中未示)，以形成一金屬柱式終端521。該金屬柱式終端52l僅在該封裝材料550覆蓋該半導(dǎo)體芯片50l后形成，不僅可提供機(jī)械性支撐，且組裝過程便利。因?yàn)樵诮M裝程序?qū)嵤r(shí)，若該金屬柱式終端52l先于該半導(dǎo)體芯片50l組裝前形成，則為避免損害該金屬柱式終端521，其載體需經(jīng)特別操作；此外，若有需要，其可置放一焊接材料(圖中未示)于該金屬柱式終端521，以形成一焊接終端。藉由選擇性蝕刻該金屬基座，形成該金屬柱式終端521，使成為一突起部分的配置，在第二方向垂直延伸于該增層載板之外，因?yàn)樵谠摻饘倩牡诙砻嬷梅庞幸还庾枵?圖中未示)或金屬罩(圖中未示)，藉此可限定選擇欲蝕刻的部分，因而在光阻下的金屬基座的部份可在蝕刻以后被保留。以上所述的半導(dǎo)體芯片組裝僅具示范性，仍應(yīng)考慮其它諸多實(shí)施例，例如，以上所述的半導(dǎo)體芯片翻轉(zhuǎn)的安排，當(dāng)該半導(dǎo)體芯片未倒轉(zhuǎn)時(shí)，可轉(zhuǎn)換至一線路接合組裝模式；同樣地，預(yù)先成形的終端可視設(shè)計(jì)與信賴度的考慮而有各種形狀，例如一錐形柱式終端、一平底終端或一弧形突起狀。導(dǎo)電充填物不需將凹洞完全填滿；同樣地，在蝕刻該金屬基座時(shí)亦不需完全去除，如，在該金屬基座與終端隔離的一部分可完整保留，藉以提供一散熱功能。線路層可以各種導(dǎo)電金屬制成，包括銅、金、鎳、銀、鈀、錫、及其合成物與合金。該線路層的較佳組構(gòu)，是依制程兼容性、設(shè)計(jì)與可信賴度等因素，以及線路層的可扇進(jìn)、扇出的功能而定，在該半導(dǎo)體芯片組裝
技術(shù)領(lǐng)域：
中，是為本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員所能理解?？墒褂枚喾N技術(shù)將該第一線路層置放于金屬基核心載體，包括電鍍或無電鍍。例如，該第一線路層包含一在一銅質(zhì)基座上電鍍的無銅層，其后是一在無銅層上電鍍的銅質(zhì)層，于其中，適合電鍍程序的無銅層包括了鎳、金、鈀及銀。待封裝形成之后，實(shí)施濕式化學(xué)蝕刻，因與無銅層有關(guān)，因此濕式化學(xué)蝕刻時(shí)大多選擇銅來蝕刻該銅質(zhì)基座，以露出該第一線路層，而不除去該銅質(zhì)層或該無銅層。該無銅層提供一蝕刻停止處，可防止?jié)袷交瘜W(xué)蝕刻去除該銅質(zhì)層；另外，于本發(fā)明中，該第一線路層與該金屬基座的金屬屬相異的材質(zhì)，即便一多層載板電路線(Multi-LayerRoutingLine)包含一例如與以上描述范例中的金屬基座類似的單一層板，同樣的，系可以同樣的方法形成終端導(dǎo)電，并與該第一線路層同時(shí)形成。視下一層級的組裝需求，可使用印刷或配置技術(shù)，將一焊接材料或焊接球置放于終端。在本發(fā)明背景中，任何埋封入封裝材料中的芯片，系經(jīng)由一包含增層載板的電子傳導(dǎo)途徑連接終端，意味著該增層載板是處于個(gè)別終端以及任何埋封于該封裝材料的芯片間的電子傳導(dǎo)途徑中。這與埋封入該封裝材料是單一芯片或多芯片完全無關(guān)，并且與電子傳導(dǎo)途徑是包含或要求一被動(dòng)組件，例如電容器或電阻器完全無關(guān)，亦也與多芯片系否以多連接接合點(diǎn)電子連接至增層載板完全無關(guān)。只要每一電子傳導(dǎo)途徑包含增層載板，與多芯片是否以不同的電子傳導(dǎo)途徑電子連接至終端也完全無關(guān)。第一與第二垂直方向非依組裝定位，對熟知此項(xiàng)技術(shù)的人而言至為明顯。例如，該封裝材料在第一方向垂直延伸于該增層載板之外，終端在第二方向垂直延伸于該增層載板之外，皆與組裝是否被倒轉(zhuǎn)及/或固定于印刷電路板無關(guān)。同樣地，位于該增層載板中的線路層橫向延伸，該增層載板中的盲孔垂直延伸，亦無關(guān)乎組裝是否反轉(zhuǎn)、倒轉(zhuǎn)或排序，因此，第一方向及第二方向各自相對，與橫向成直角，此外，該半導(dǎo)體芯片顯露在該增層載板及終端之上；該封裝材料顯露在該半導(dǎo)體芯片之上。而為了各圖間比較上的便利，在所有的圖示中，該增層載板及終端具有一單獨(dú)定位，然而在各種制造平臺上，組裝及其對象可能是相反的。本發(fā)明有利之處，是在于該半導(dǎo)體芯片的組裝可在一固態(tài)支撐嵌板(solidsupportingpanel)上方便制造，因此能夠改善尺寸穩(wěn)定性與控管上的問題。其方法不僅值得信賴，且價(jià)格低廉，特別是在高性能的半導(dǎo)體芯片及模塊的適用上。藉由使用熱壓縮覆晶接合(Thermo-CompressionBonding)技術(shù)或熱超聲覆晶接合(Thermo-SonicBonding)技術(shù)時(shí)，并利用該金屬基核心載體提供一三維穩(wěn)固且具高熱傳導(dǎo)及堅(jiān)固的支撐，在該金質(zhì)凸塊與金質(zhì)的傳導(dǎo)墊間的熱超聲接合所形成的黃金材質(zhì)整體結(jié)構(gòu)中，由其獨(dú)特的金屬性金-金(Gold-Gold)接合，可于固定該半導(dǎo)體芯片的階段時(shí)，提供卓越的接合強(qiáng)度，進(jìn)而可確保該半導(dǎo)體芯片與該增層載板間一可靠的接合，此外，在該金屬基核心載體提供的高熱傳導(dǎo)不僅可促進(jìn)熱超聲接合，同時(shí)于互連時(shí)亦可保持低接觸電阻并維持高電流，因而可提供優(yōu)良的高頻性能(低電感)。由于本發(fā)明于組裝時(shí)非使用傳統(tǒng)核心，因此訊號的整合更為良好，并具更佳的機(jī)械可靠度；并且，該金屬基核心載體為一消耗性金屬，并非載板整體的一部分，所以其載板非常之薄，在該金屬基核心載體被蝕刻并移除后，系由該封裝材料機(jī)械性支撐并防護(hù)該半導(dǎo)體芯片與該增層載板，且由該增層載板提供復(fù)雜的電子線路性能，以確保電路圖案的已知介電質(zhì)，進(jìn)而可確實(shí)掌握電性特性。本發(fā)明在組裝上的特點(diǎn)，系為金屬的終端預(yù)先形成，因此可為之后支柱組裝(Post-Assembly)焊接終端球(SolderTerminalBall)的過程提供更佳的載板層級可靠度，因而可大幅改善制程操作及制造良率。此外，本發(fā)明更可配合各種芯片層級互連技術(shù)靈活組裝，諸如覆晶接合(FlipChip)、打線固定(WireBonds)或巻帶式自動(dòng)接合(TapeAutomatedBonding,TAB)引線等，系不需額外的工具與支承構(gòu)架即可完成。再者，于制造組裝時(shí)所使用的材質(zhì)更可與銅質(zhì)芯片及無鉛環(huán)境兼容。綜上所述，本發(fā)明的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，可有效改善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點(diǎn)，整個(gè)過程適用性高，并可以獨(dú)特進(jìn)步的方式，使用多種成熟連接接合技術(shù)，因此，相較于傳統(tǒng)封裝技術(shù)，本發(fā)明的組裝可大幅增益產(chǎn)量、良率及性能特性。除此之外，本發(fā)明的組裝亦很適合使用可與銅質(zhì)芯片兼容的材質(zhì)，進(jìn)而能使本發(fā)明更進(jìn)步、更實(shí)用、更符合使用者的所須，確已符合發(fā)明專利申請的要件，依法提出專利申請。惟以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍；故，凡依本發(fā)明申請專利范圍及發(fā)明說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于至少包含下列步驟A、提供一多層增層載板；該多層增層載板包含一增層載板及一金屬基核心載體，該增層載板包括一第一表面及一相對的第二表面，且該第一表面面對第一方向，由該第二表面接觸該金屬基核心載體，并在第一方向垂直延伸于該金屬基核心載體之外，且該增層載板透過該金屬基核心載體作電性連接；B、將一半導(dǎo)體芯片以機(jī)械方式附著于該多層增層載板上；該半導(dǎo)體芯片包含一第一表面及一相對的第二表面，且該半導(dǎo)體芯片的第一表面包含一電極；C、形成電子連接接合點(diǎn)，電性連接該增層載板與該半導(dǎo)體芯片的電極；D、構(gòu)成封裝結(jié)構(gòu)，覆蓋該半導(dǎo)體芯片及該增層載板；該封裝結(jié)構(gòu)包含一面對第一方向的第一表面、及一面對于相對該第一方向的第二方向的第二表面，且該封裝結(jié)構(gòu)在該第一方向垂直延伸于該半導(dǎo)體芯片、該增層載板及該金屬基核心載體之外；以及E、蝕刻該金屬基核心載體，從而形成該半導(dǎo)體芯片的組裝。2.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述增層載板的構(gòu)裝包含在該金屬基核心載體上形成數(shù)個(gè)凹洞后，置放終端于該數(shù)個(gè)凹洞中，以及于該金屬基核心載體上逐次置放線路層。3.如權(quán)利要求2所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述數(shù)個(gè)凹洞的形成包含在該金屬基核心載體上形成介電層，且該介電層包含開口，該開口顯露出部分的金屬基核心載體，以及透過該介電層的開口，蝕刻顯露的金屬基核心載體，而不蝕刻穿透該金屬基核心載體。4.如權(quán)利要求2所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述終端導(dǎo)電體的置放包含在該金屬基核心載體上形成介電層，且該介電層包含開口，系顯露出該凹洞的部分，以及經(jīng)由該介電層的開口逐次置放終端金屬及導(dǎo)電填充物，在該凹洞中構(gòu)裝該終端，并于一第二方向以該金屬基核心載體覆蓋該終端金屬及該導(dǎo)電填充物。5.如權(quán)利要求2所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述線路層的逐次置放包含至少放置兩層線路層的上方線路層與下方線路層，以及在該兩層線路層間的介電層。6.如權(quán)利要求5所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述線路層的逐次置放透過該介電層上至少一個(gè)導(dǎo)電盲孔，連接該上方線路層與該下方線路層。7.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述增層載板的構(gòu)裝包含置放終端金屬于該金屬基核心載體形成終端，以及于該金屬基核心載體上逐次置放線路層。8.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述方法進(jìn)一步包含在該金屬基核心載體于蝕刻之前，將該半導(dǎo)體芯片附著于該增層載板，并將二者互相連接。9.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述金屬基核心載體于蝕刻之前進(jìn)行該封裝。10.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述金屬基核心載體的蝕刻包含顯露的線路層、介電層、及終端，且不顯露第二方向的封裝結(jié)構(gòu)。11.如權(quán)利要求l所述的具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，其特征在于所述金屬基核心載體的蝕刻是將一電路圖案與其它于該增層載板上形成的電路圖案作電隔離。全文摘要一種具消耗性金屬基核心載體的半導(dǎo)體芯片制造組裝方法，該半導(dǎo)體芯片的組裝是將一半導(dǎo)體芯片附著于一具金屬基核心載體(Metal-BasedCoreCarrier)的多層增層載板(Multi-LayerBuild-Up)，當(dāng)該金屬基核心載體為半導(dǎo)體組裝提供不可或缺的機(jī)械性支撐時(shí)，該增層載板(Build-UpLayers)各層板提供電路功能。最后，由于該金屬基核心載體為消耗性對象，因此最終將會移除，而該增層載板則予以保留。文檔編號H01L21/50GK101677069SQ20081030455公開日2010年3月24日申請日期2008年9月19日優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日發(fā)明者林文強(qiáng)申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司