專利名稱：銅核層多層封裝基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種銅核層多層封裝基板的制作方法，尤指一種以銅核基板為基礎，開始制 作的單面、多層封裝基板的制作方法。
背景技術：
在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常由一核心基板開始，經過鉆孔、電鍍金 屬、塞孔及雙面線路制作等方式，完成一雙面結構的內層核心板，的后再經由一線路增層制 程完成一多層封裝基板。如圖2 l所示，其為一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備 一核心基板5 0 ，其中，該核心基板5 0由一具預定厚度的芯層5 0 l及形成于此芯層5 0
l表面的線路層5 0 2所構成，且該芯層5 0 1中形成有數(shù)個電鍍導通孔5 0 3，可藉以連 接該芯層5 0 1表面的線路層5 0 2 。
接著如圖2 2 圖2 5所示，對該核心基板5 O實施線路增層制程。首先，系于該核心 基板5 0表面形成一第一介電層5 1 ，且該第一介電層5 1表面形成有數(shù)個第一開口 5 2 ， 以露出該線路層5 0 2;之后，以無電電鍍與電鍍等方式于該第一介電層5 l外露的表面形 成一晶種層5 3 ，并于該晶種層5 3上形成一圖案化阻層5 4 ，且其圖案化阻層5 4中有數(shù) 個第二開口5 5，以露出部分欲形成圖案化線路的晶種層5 3;接著，利用電鍍方式于該第 二開口5 5中形成一第一圖案化線路層5 6及數(shù)個導電盲孔5 7，并使其第一圖案化線路層
5 6得以透過該數(shù)個導電盲孔5 7與該核心基板5 0的線路層5 0 2做電性導通，然后再移 除該圖案化阻層5 4與蝕刻，待完成后系形成一第一線路增層結構5a。同樣地，該法系可 于該第一線路增層結構5 a的最外層表面再運用相同的方式形成一第二介電層5 8及一第二 圖案化線路層5 9的第二線路增層結構5b，以逐步增層方式形成一多層封裝基板。然而， 此種制作方法有布線密度低、層數(shù)多及流程復雜等缺點。
另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料的方法，可經過蝕刻及塞孔等方式完成一內層核 心板后，再經由一線路增層制程以完成一多層封裝基板。如圖2 6 圖2 8所示，其為另一 有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備一核心基板6 0，該核心基板6 O由一具預定厚 度的金屬層利用蝕刻與樹脂塞孔6 0 1以及鉆孔與電鍍通孔6 0 2等方式形成的單層銅核心 基板6 0;之后，利用上述線路增層方式，于該核心基板6 0表面形成一第一介電層6 l及 一第一圖案化線路層6 2，藉此構成一具第一線路增層結構6a。該法亦與上述方法相同，
5系可再利用一次線路增層方式于該第一線路增層結構6 a的最外層表面形成一第二介電層6 3及一第二圖案化線路層6 4，藉此構成一具第二線路增層結構6b，以逐步增層方式形成 一多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基板制作不易，且亦與上述方法相同， 具有布線密度低及流程復雜等缺點。故， 一般已用者無法符合使用者于實際使用時所需。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是，針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種可依實際需求形成具銅 核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳 統(tǒng)增層線路板制作流程，進而達到提高封裝體接合基板時的可靠度的銅核層多層封裝基板的 制作方法。
為解決上述技術問題，本發(fā)明所采用的技術方案為 一種銅核層多層封裝基板的制作方 法，其特征在于至少包含下列步驟
(A) 提供一銅核基板；
(B) 于該銅核基板的第一面上形成一第一介電層及一第一金屬層；
(c)于該第一金屬層及該第一介電層上形成數(shù)個第一開口，并顯露部分銅核基板第一
面；
(D) 于數(shù)個第一開口中及該第一金屬層上形成一第二金屬層；
(E) 分別于該第二金屬層上形成一第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完
全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上并形成數(shù)個第二開口，并顯露部分的第二金屬
層；
(F) 移除該第二開口下方的第二金屬層及第一金屬層，并形成一第一線路層；
(G) 移除該第一阻層及該第二阻層，至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的 單層增層線路基板，并可選擇直接進行步驟(H)或步驟(I );
(H) 于該單層增層線路基板上進行一置晶側與球側線路層制作，于其中，在該第一線 路層表面形成一第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個第三開口，以顯露該第一線路 層作為電性連接墊的部分；接著減低該銅核基板第二面的銅厚度，并于減銅后的銅核基板第 二面上形成一第三阻層，且在該第三阻層上形成數(shù)個第四開口，之后再分別于數(shù)個第三開口 中形成一第一阻障層，以及于第四開口中形成一第二阻障層，最后移除該第三阻層；至此， 完成一具有完整圖案化的置晶側線路層與已圖案化但仍完全電性短路的球側線路層；以及
(I) 于該單層增層線路基板上進行一線路增層結構制作，于其中，在該第一線路層及 該第一介電層表面形成一第二介電層，并且在該第二介電層上形成數(shù)個第五開口，以顯露部分的第一線路層。接著于該第二介電層與數(shù)個第五開口表面形成一第一晶種層，再分別于該 第一晶種層上形成一第四阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第五阻層 ，并于該第四阻層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一晶種層，之后于該第六開口中已 顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后移除該第四阻層、該第五阻層及該第一晶種層 ，以在該第二介電層上形成一第二線路層；至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的 雙層增層線路基板，并可繼續(xù)本步驟(I )增加線路增層結構，形成具更多層的封裝基板， 亦或直接至該步驟(H)進行置晶側與球側線路層制作。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明所具有的有益效果為本發(fā)明從銅核基板為基礎，開始制作單 面、多層封裝基板，其結構包括一具高剛性支撐的銅板，且此銅板的一面系具增層線路，另 一面則具球側圖案阻障層，于其中，各增層線路及置晶側與球側連接的方式系以數(shù)個電鍍盲 孔、埋孔所導通。且本發(fā)明具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時， 并以銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。藉此，使用本發(fā)明所制造的多層封裝基板 ，可依實際需求形成具該銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達到改善超薄核層 基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，進而達到提高封裝體接合基板時的可靠 度的目的。


圖1 ，系本發(fā)明的制作流程示意圖。
圖2，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(一)剖面示意圖。
圖3，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(二)剖面示意圖。
圖4 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(三)剖面示意圖。
圖5，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(四)剖面示意圖。
圖6，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(五)剖面示意圖。 圖7 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(六)剖面示意圖。
圖8，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(七)剖面示意圖。
圖9 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(八)剖面示意圖。
圖l 0，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(九)剖面示意圖。
圖l1，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十)剖面示意圖。
圖l 2，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十一)剖面示意圖。 圖l 3，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十二)剖面示意圖。 圖l 4，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十三)剖面示意圖。圖l 5，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十四)剖面示意圖。
圖l 6，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十五)剖面示意圖。
圖l 7，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十六)剖面示意圖。
圖l 8，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十七)剖面示意圖。
圖l 9，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十八)剖面示意圖。
圖2 0，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十九)剖面示意圖。
圖2 1，系已用有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖2 2，系已用實施線路增層(一)剖面示意圖。
圖2 3，系已用實施線路增層(二)剖面示意圖。
圖2 4，系已用實施線路增層(三)剖面示意圖。
圖2 5，系已用實施線路增層(四)剖面示意圖。
圖2 6，系另一已用有核層封裝基板的剖面示意圖。
圖2 7，系另一已用的第一線路增層結構剖面示意圖。
圖2 8，系另一已用的第二路增層結構剖面示意圖。
標號說明
(本發(fā)明部分) 步驟(A) (1) 11 19 單層增層線路基板2 雙層增層線路基板3 多層封裝基板4 銅核基板2 0 a、 2 0 b 第一介電層21 第一金屬層2 2 第一開口 2 3 第二金屬層2 4 第一、二阻層2 5 、 2 6 第二開口 2 7 第一線路層2 8 第二介電層2 9 第三開口 3 0第一晶種層3 1 第三、四阻層3 2、 3 3 第四開口 3 4 第三金屬層3 5 第二線路層3 6 第一防焊層3 7 第五開口 3 8 第五、六阻層3 9 、 4 0 第六開口41
第一、二阻障層4 2、 4 3
(已用部分) 第一、二線路增層結構5a、 5b 第一、二線路增層結構6a、 6b 核心基板5 0 芯層5 0 1 線路層5 0 2 電鍍導通孔5 0 3 第一介電層51 第一開口 5 2 晶種層5 3 圖案化阻層5 4 第二開口 5 5 第一圖案化線路層5 6 導電盲孔5 7 第二介電層5 8 第二圖案化線路層5 9 核心基板6 0 樹脂塞孔6 0 1 電鍍通孔6 0 2 第一介電層61
9第一圖案化線路層6 2 第二介電層6 3 第二圖案化線路層6 4
具體實施例方式
請參閱圖l所示，系為本發(fā)明的制作流程示意圖。如圖所示本發(fā)明系一種銅核層多層 封裝基板的制作方法，其至少包括下列步驟
(A) 提供銅核基板l 1:提供一銅核基板；
(B) 形成第一介電層及第一金屬層l 2:于該銅核基板的第一面上直接壓合一第一介 電層及一第一金屬層，亦或先采取貼合該第一介電層后，再形成該第一金屬層；
(C) 形成數(shù)個第一開口l3:以鐳射鉆孔的方式于該第一金屬層及該第一介電層上形 成數(shù)個第一開口，并顯露部分的銅核基板第一面，其中，數(shù)個第一開口可先做開銅窗( Conformal Mask)后，再經由鐳射鉆孔的方式形成，亦或以直接鐳射鉆孔(LASER Direct) 的方式形成；
(D) 形成第二金屬層1 4 :以無電電鍍與電鍍的方式于數(shù)個第一開口中及該第一金屬 層上形成一第二金屬層；
(E) 形成第一、二阻層及數(shù)個第二開口l 5:分別于該第二金屬層上形成一第一阻層 ，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，并以曝光及顯影方 式在該第一阻層上形成數(shù)個第二開口，以顯露部分的第二金屬層；
(F) 形成第一線路層1 6 :以蝕刻方式移除該第二開口下方的第二金屬層及第一金屬 層，并形成一第一線路層；
(G) 完成具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板l7:以剝離方式移除 該第一阻層及該第二阻層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基 板，并可選擇直接進行步驟(H)或步驟(I );
(H) 進行置晶側與球側線路層制作1 8:于該單層增層線路基板上進行一置晶側與球 側線路層制作，于其中，在該第一線路層表面形成涂覆一層具絕緣保護作用的第一防焊層， 并以曝光及顯影方式在該第一防焊層上形成數(shù)個第三開口，以顯露該第一線路層作為電性連 接墊的部分。接著以刷磨或蝕刻的方式減低該銅核基板第二面的銅厚度，并于減銅后的銅核 基板第二面上形成一第三阻層，且在該第三阻層上以曝光及顯影方式形成數(shù)個第四開口，之 后再分別于數(shù)個第三開口中形成一第一阻障層，以及于第四開口中形成一第二阻障層，最后 以剝離方式移除該第三阻層。至此，完成一具有完整圖案化的置晶側線路層與已圖案化但仍完全電性短路的球側線路層，其中，該第一、二阻障層可為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀 或電鍍錫中擇其一；以及
(I )進行線路增層結構制作1 9 :于該單層增層線路基板上進行一線路增層結構制作 ，于其中，在該第一線路層及該第一介電層表面形成一第二介電層，并以鐳射鉆孔的方式在 該第二介電層上形成數(shù)個第五開口，以顯露部分的第一線路層。接著以無電電鍍與電鍍的方 式于該第二介電層與數(shù)個第五開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形成一 第四阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第五阻層，并利用曝光及顯影 方式于該第四阻層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一晶種層，之后再以電鍍的方式于 該第六開口中已顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后以剝離的方式移除該第四阻層 及該第五阻層，并以蝕刻的方式移除該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線路層 。至此，又再增加一層線路增層結構，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線 路基板。并可繼續(xù)本步驟(I )增加線路增層結構，形成具更多層的封裝基板，亦或直接至 該步驟(H)進行置晶側與球側線路層制作，其中，數(shù)個第五開口可先做開銅窗后，再經由 鐳射鉆孔的方式形成，亦或以直接鐳射鉆孔的方式形成。
于其中，上述該第一 五阻層系以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光 性光阻；該第一、二介電層可為環(huán)氧樹脂絕緣膜(Ajinomoto Build-up Film, ABF)、苯環(huán) 丁烯(Benzocyclo-buthene， BCB)、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine， BT)、環(huán)氧樹脂板(FR4、 FR5)、聚酰亞胺(Polyimide， PI)、聚四氟乙烯( Poly(tetra-floroethylene)， PTFE)或環(huán)氧樹脂及玻璃纖維所組成的一者。
請參閱圖2 圖8所示，分別為本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(一)剖面剖面示意圖 、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(二)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(三 )剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(四)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層 封裝基板(五)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(六)剖面示意圖、及本發(fā)明 一實施例的多層封裝基板(七)剖面示意圖。如圖所示本發(fā)明于一較佳實施例中，先提供 一銅核基板2 0a，并于該銅核基板2 0a的第一面上壓合一第一介電層2 1及一第一金屬層 2 2 ，并以鐳射鉆孔的方式在該第一金屬層2 2與該第一介電層2 1上形成數(shù)個第一開口 2 3，以顯露其下的銅核基板2 Oa第一面。之后，再以無電電鍍與電鍍的方式于數(shù)個第一開 口 2 3內及該第一金屬層2 2表面形成一第二金屬層2 4，其中，該銅核基板2 0 a系為一 不含介電層材料的銅板；該第一、二金屬層2 2、 2 4皆為銅，且該第二金屬層2 4作為與 該第一金屬層2 2的電性連接用。接著，分別于該第二金屬層2 4上貼合一高感旋光性高分子材料的第一阻層2 5 ，以及 于該銅核基板2 0 a的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第二阻層2 6。并以曝光及 顯影的方式于該第一阻層2 5上形成數(shù)個第二開口 2 7 ，以顯露其下的第二金屬層2 4 。之 后系以蝕刻的方式移除該第二開口2 7下的第一、二金屬層，以形成一第一線路層2 8，最
后移除該第一、二阻層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板 2 。
請參閱圖9 圖1 3所示，系分別為本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(八)剖面示意圖、本 發(fā)明一實施例的多層封裝基板(九)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十)剖 面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十一)剖面示意圖、及本發(fā)明一實施例的多層 封裝基板(十二)剖面示意圖。如圖所示在本發(fā)明較佳實施例中，系先行進行線路增層結 構的制作。首先于該第一線路層2 8與第一介電層2 1上貼合一為環(huán)氧樹脂絕緣膜材料的第 二介電層2 9，之后，以鐳射鉆孔的方式于該第二介電層2 9上形成數(shù)個第三開口3 0 ，以 顯露其下的第一線路層2 8，并在該第二介電層2 9及該第三開口3 O表面以無電電鍍與電 鍍的方式形成一第一晶種層3 1 。之后分別于該第一晶種層3 1上貼合一高感旋光性高分子 材料的第三阻層3 2，以及于該銅核基板2 0a的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的 第四阻層3 3 ，接著利用曝光及顯影方式于該第三阻層3 2上形成數(shù)個第四開口 3 4 ，然后 再于數(shù)個第四開口3 4中電鍍一第三金屬層3 5，最后移除該第三、四阻層，并再以蝕刻的 方式移除顯露的第一晶種層3 1，以形成一第二線路層3 6。至此，又再增加一層的線路增 層結構，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基板3，于其中，該第一晶 種層3 1與該第三金屬層3 5皆為金屬銅。
請參閱圖l 4 圖2 0所示，分別為本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十三)剖面示意 圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十四)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板 (十五)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十六)剖面示意圖、本發(fā)明一實施 例的多層封裝基板(十七)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十八)剖面示意 圖、及本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十九)剖面示意圖。如圖所示之后，在本發(fā)明較 佳實施例中接著進行置晶側與球側線路層的制作。首先于該第二線路層3 6表面涂覆一層絕 緣保護用的第一防焊層3 7，然后以曝光及顯影的方式于該第一防焊層3 7上形成數(shù)個第五 開口3 8，以顯露其線路增層結構作為電性連接墊。接著，于該第一防焊層3 7及該第二線 路層3 6上貼合一高感旋光性高分子材料的第五阻層3 9 ，并于該銅核基板2 0 a的第二面 上以蝕刻或刷磨的方式做減銅，待減低該銅核基板第二面的銅厚度后，再以剝離的方式移除該第五阻層，并于減銅后的銅核基板2 Q b第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第六阻層4 0，之后以曝光及顯影的方式于該第六阻層4 0上形成數(shù)個第六開口4 1，再分別于數(shù)個第五開口 3 8上形成一第一阻障層4 2 ，以及于數(shù)個第六開口 4 1上形成一第二阻障層43，最后，移除該第六阻層。至此，完成一具銅核層支撐的多層封裝基板4，其中，該第一、二阻障層4 2、 4 3皆為鎳金層。
由上述可知，本發(fā)明系從銅核基板為基礎，開始制作的單面、多層封裝基板，其結構包括一具高剛性支撐的銅板，且此銅板的一面具增層線路，另一面則具球側圖案阻障層。于其中，各增層線路及置晶側與球側連接的方式以數(shù)個電鍍盲孔、埋孔所導通。因此，本發(fā)明封裝基板的特色在于具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時，并以銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。雖然各線路在封裝制程完成前于電性上完全短路，但封裝制程完成后則可利用球側圖案阻障層，以蝕刻的方式移除部分銅板，進而可使電性獨立并形成具保護作用的柱狀接腳。藉此，使用本發(fā)明具高密度的增層線路封裝基板方法所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，進而達到提高封裝體接合基板時的可靠度(Board Level Reliability)的目的。
綜上所述，本發(fā)明為一種銅核層多層封裝基板的制作方法，可有效改善已用的種種缺點，以具有高密度增層線路提供電子組件相連時所需的繞線，同時，并以銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。藉此，使用本發(fā)明所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，以達到提高封裝體接合基板時的可靠度，進而使本發(fā)明的產生能更進步、更實用、更符合使用者的所須，確已符合發(fā)明專利申請的要件，爰依法提出專利申請
權利要求
1.一種銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步驟(A)提供一銅核基板；(B)于該銅核基板的第一面上形成一第一介電層及一第一金屬層；(C)于該第一金屬層及該第一介電層上形成數(shù)個第一開口，并顯露部分銅核基板第一面；(D)于數(shù)個第一開口中及該第一金屬層上形成一第二金屬層；(E)分別于該第二金屬層上形成一第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上并形成數(shù)個第二開口，并顯露部分的第二金屬層；(F)移除該第二開口下方的第二金屬層及第一金屬層，并形成一第一線路層；(G)移除該第一阻層及該第二阻層，至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板，并可選擇直接進行步驟(H)或步驟(I)；(H)于該單層增層線路基板上進行一置晶側與球側線路層制作，于其中，在該第一線路層表面形成一第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個第三開口，以顯露該第一線路層作為電性連接墊的部分；接著減低該銅核基板第二面的銅厚度，并于減銅后的銅核基板第二面上形成一第三阻層，且在該第三阻層上形成數(shù)個第四開口，之后再分別于數(shù)個第三開口中形成一第一阻障層，以及于第四開口中形成一第二阻障層，最后移除該第三阻層；至此，完成一具有完整圖案化的置晶側線路層與已圖案化但仍完全電性短路的球側線路層；以及(I)于該單層增層線路基板上進行一線路增層結構制作，于其中，在該第一線路層及該第一介電層表面形成一第二介電層，并且在該第二介電層上形成數(shù)個第五開口，以顯露部分的第一線路層。接著于該第二介電層與數(shù)個第五開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形成一第四阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第五阻層，并于該第四阻層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一晶種層，之后于該第六開口中已顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后移除該第四阻層、該第五阻層及該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線路層；至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基板，并可繼續(xù)本步驟(I)增加線路增層結構，形成具更多層的封裝基板，亦或直接至該步驟(H)進行置晶側與球側線路層制作。
2. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該銅核基板為一不含介電層材料的銅板。
3. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(B)以直接壓合該第一介電層及該第一金屬層于其上，或采取貼合該第一介 電層后，再形成該第一金屬層。
4. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一、二介電層為環(huán)氧樹脂絕緣膜、苯環(huán)丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán) 氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂及玻璃纖維其中之一。
5. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，數(shù)個第一、五開口系可先做開銅窗后，再經由鐳射鉆孔的方式形成，亦或以直接鐳射 鉆孔的方式形成。
6. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第二、三金屬層及該第一晶種層的形成方式為無電電鍍與電鍍。
7. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一 五阻層是以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
8. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，數(shù)個第二、三、四及六開口以曝光及顯影的方式形成。
9. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(F)移除該第一、二金屬層及該步驟(I )移除該第一晶種層的方法為蝕刻
10. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一 五阻層的移除方法為剝離。
11. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(H)減低該銅核基板第二面的銅厚度方法為刷磨或蝕刻。
12. 根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一、二阻障層為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中之一。
13.根據(jù)權利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(H)于減低該銅核基板第二面的銅厚度之前，可先于該第一防焊層與該第一 線路層表面形成一第六阻層，待減低該銅核基板第二面的銅厚度的后，再移除該第六阻層。
14.根據(jù)權利要求13所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第六阻層是以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
15.根據(jù)權利要求1 3所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特 征在于，該第六阻層的移除方法為剝離。
全文摘要
一種銅核層多層封裝基板的制作方法，系以一銅核基板為基礎開始制作的單面、多層封裝基板。其結構包括一具高剛性支撐的銅板，且此銅板的一面具增層線路，另一面具球側圖案阻障層。其各增層線路及置晶側與球側連接的方式系以數(shù)個電鍍盲孔、埋孔所導通。因此，本發(fā)明封裝基板的特色在于，具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時并以該銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。藉此，使用本發(fā)明所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具該銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，進而達到提高封裝體接合基板時的可靠度的目的。
文檔編號H01L21/48GK101677068SQ200810304559
公開日2010年3月24日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權日2008年9月19日
發(fā)明者林文強, 王家忠, 陳振重 申請人:鈺橋半導體股份有限公司