專利名稱：圖案化方法和場效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖案化方法。尤其是該方法意圖能夠制造最小可 能的最小特征尺寸，也就是說小于一百納米或甚至小于五十納米的特 征尺寸。
背景技術(shù)：
為了制造小于光刻法中所使用的電磁波波長一半的特征尺寸，特 別可以使用以下方法
-間隔技術(shù)，其中在臺階上沉積一層且隨后對該層進行各向同性 蝕刻，
-所謂的相移掩模，其利用干涉效應(yīng)，以及
-所謂的修整，其中為了減小其尺寸，各向同性地蝕刻該結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于具體說明一種簡單的圖案化方法，其尤其 能夠制造小于光刻波長一半、尤其是小于一百納米或小于五十納米的 最小尺寸。而且，該方法意在尤其還提供增加具有最小特征尺寸結(jié)構(gòu)
的機械載荷能力的可能性。而且，意在具體說明場效應(yīng)晶體管，尤其 是雙翼場效應(yīng)晶體管。
借助具有專利權(quán)利要求l中所具體說明的特征的方法來實現(xiàn)涉及 該方法的目的。在從屬權(quán)利要求中具體說明了多個設(shè)計。
本發(fā)明基于與不利性有關(guān)的所有公知方法的考慮。由此，間隔技 術(shù)引起圓滑的間隔，其不利地影響了以間隔物蝕刻的結(jié)構(gòu)的尺寸精確 性。相移掩模相比沒有采用干涉效應(yīng)的光掩模非常昂貴。修整會引起 由于非均勻蝕刻條件導(dǎo)致的尺寸上不精確的相對粗糙的結(jié)構(gòu)。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的情況下，在不限制所具體說明的順序的情
況下進行以下的方法步驟
-將輔助層施加到載體材料，該輔助層是無機層或有機層，尤其 是抗蝕劑層，
-利用制造切口來圖案化輔助層和載體材料，
-在輔助層的區(qū)域中擴展切口，載體材料區(qū)域中的切口未被擴展 或未被擴展至和輔助層的區(qū)域中一樣大的程度，
-用填充材料填充擴展的切口 ，
-優(yōu)選在填充之后完全移除輔助層，
-利用填充材料和制造至少一個另外的切口來圖案化載體材料， 填充材料是無機材料或有機材料，例如抗蝕劑。
由此具體說明一種另一圖案化方法，其允許以簡單方式制造的非 常小且尺寸非常精確的結(jié)構(gòu)。在一個改進中，借助回蝕刻步驟進行切 口的擴展，其還稱作回拉(pull-back)步驟。該延伸產(chǎn)生了具有T形 接面的切口。因此，引入到切口中的填充材料也具有T形截面，也就 是說截面朝著一端對稱地擴展。
該擴展也可以借助另外的掩模步驟，尤其是借助另外的光刻方法 限定為切口邊緣的一部分，因此，尤其是每個切口僅制造一個結(jié)構(gòu)。 其經(jīng)常不是擾動的原因，然而，如果每個切口出現(xiàn)兩個或兩個以上的 結(jié)構(gòu)，則不需要另外的掩模步驟。尤其是，通過適當(dāng)?shù)剡x擇切口的尺 寸可以避免附加的掩模步驟。
在一個設(shè)計中，為了借助光刻法制造切口，圖案化輔助層和載體 材料。該光刻限制了切口的最小橫向尺寸和由此要制造的結(jié)構(gòu)之間的 尺寸。然而，這是可接受的，因為在許多情況下結(jié)構(gòu)之間的距離顯著 地大于結(jié)構(gòu)本身的最小特征尺寸。如果輔助層是抗蝕劑層，則使用中 間層，以便首先僅移除上部的抗蝕劑層而不是輔助層。
在另一設(shè)計中，例如借助CMP法，在重復(fù)的圖案化之前平坦化填 充材料，以獲得尺寸精確的填充結(jié)構(gòu)和由此尺寸精確的隨后圖案化。 然而，代替平坦化，還能夠使用其它方法，例如具有選擇性氧化的選 擇性填充。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的另一設(shè)計中，載體材料包含硬掩模層，其 借助填充材料圖案化。掩模層例如對于其部分用于圖案化村底，例如 用于制造半導(dǎo)體電路，尤其是制造例如由多晶硅制成的、由金屬制成
的或由金屬和多晶硅的層序列制成的柵電極。然而，硬掩模層還用于
制造所謂的模板掩模，也就是說隨后用于進行光刻法例如具有1:1成 像比例的電子投影光刻的掩模。硬掩模層相比抗蝕劑更能抵抗蝕刻攻 擊。
位于掩模層和輔助層之間的例如僅是相比掩模層或輔助層薄且厚 度例如小于兩層中較薄的三分之一的中間層。中間層例如用于更好的 機械粘接性或用于承受機械應(yīng)力。
在可替換的設(shè)計中，載體材料包含半導(dǎo)體材料，尤其是單晶半導(dǎo) 體材料，由該半導(dǎo)體材料制備半導(dǎo)體電路或掩模。切口則例如已經(jīng)限 定了 f inFET的翼的一個側(cè)面區(qū)域。
在下一個設(shè)計中，在填充之前在擴展的切口中沉積或生長至少一 層，尤其是用于制造柵電介質(zhì)的電絕緣層和用于制造場效應(yīng)晶體管的 柵電極的導(dǎo)電層。對于引入到切口中的層的一部分可以通過根據(jù)本發(fā) 明的方法來圖案化，以便以簡單的方式制造短的柵極長度。
在下一個設(shè)計中，在移除用于圖案化的填充材料之前，用另外的 填充材料來填充位于橫靠著填充有填充材料的切口的另外的切口 。直 至在填充了另外的切口之后，才移除用于圖案化的填充材料，以便在 任何時間橫向地支撐兩個切口之間的薄結(jié)構(gòu)。因此，可以傾倒或橫向 傾斜所述的結(jié)構(gòu)。
在可替換的設(shè)計中，僅從切口中部分地移除填充材料，切口底部 的一個部分未被覆蓋，且切口底部的另一部分保持用填充材料覆蓋。
填充材料的剩余物用作機械支撐且未被移除直至在進行了另一方法步 驟之后，例如在沉積至少一個另一層之后或者在進行氧化之后。作為 可替換方案，填充材料的剩余物保留在集成電路結(jié)構(gòu)中。
在另 一設(shè)計中，在切口和另外的切口之間的區(qū)域中氧化半導(dǎo)體材 料，以提高晶體管的電特性，尤其是避免漏極和/或源極接觸焊盤下面 的寄生電容。優(yōu)選在從切口移除填充材料之前或者從切口完全移除填 充材料之前、以及優(yōu)選在另外的切口的至少一個側(cè)壁上制造氧化物保 護層之后，來進行氧化。填充材料由此支撐在氧化物生長下方的上述 結(jié)構(gòu)。在翼與欠氧化期間制造的氧化物完全絕緣的情況下，產(chǎn)生了 SOI 結(jié)構(gòu)，其制造簡單且導(dǎo)致具有卓越電特性的元件。
尤其是在場效應(yīng)晶體管的情況下需要小的最小特征尺寸。因此，
計中的一個制造的場效應(yīng)晶體管，以便在該情況下可應(yīng)用上述的技術(shù) 效果。與單翼場效應(yīng)晶體管相比，根據(jù)本發(fā)明的雙翼場效應(yīng)晶體管的 特征為開發(fā)新應(yīng)用可能性的提高的和新的電特性。還制造了每個晶體 管具有兩個以上的翼，例如具有三、四或五個翼的場效應(yīng)晶體管。
在根據(jù)本發(fā)明的另一場效應(yīng)晶體管中，例如翼是熱欠氧化的且優(yōu) 選與硅晶片完全電絕緣。如果關(guān)于機械穩(wěn)定性，這種晶體管則可以以 簡單的方式制造，例如由在借助包含在切口中的填充材料圖案化之后 施加的填充材料或另一填充材料在壁上一直支撐該翼。
在場效應(yīng)晶體管的 一個設(shè)計中，晶體管的有源區(qū)的突起具有不同 長度的側(cè)壁，該差大于一納米、大于三納米或大于五納米。這提供了 在具有較大容差的第一圖案化期間和第二圖案化期間實施蝕刻停止的 可能性。而且，促進了突起的欠氧化。


以下參考

本發(fā)明的示范性實施例，在附圖中 圖1A至1D示出了制造硬掩?；蛑苯訄D案化半導(dǎo)體襯底的示范性實 施例的制造階段，
圖2A至2D示出了制造具有和不具有欠氧化的雙翼場效應(yīng)晶體管的
示范性實施例的制造階段，以及
圖3A和3B示出了制造雙翼場效應(yīng)晶體管的進一步的制造階段。
具體實施例方式
圖1A至1D示出了制造硬掩?；蛑苯訄D案化半導(dǎo)體村底的示范性實 施例的制造階段。首先說明硬掩模的制造。
硬掩模層12施加在半導(dǎo)體襯底10上，例如在硅晶片上，該硬掩模 層的厚度例如取決于隨后利用完成的硬掩模所制造的結(jié)構(gòu)的高度。借 助實例，硬掩模層12的厚度與finFET的柵的高度或翼的高度相匹配。 在示范性實施例中，硬掩模層12的厚度例如為40納米。
然后將輔助層14施加到硬掩模層12上，所述的輔助層包括不同于 硬掩模層12的材料。借助實例，硬掩模層12包括TE0S(原硅酸四乙酯)， 輔助層14包括氮化硅或一些其它氮化物。在可選的示范性實施例中，相反地，硬掩模層12包括氮化物，輔助層14包括TE0S。任選地，在施 加硬掩模層12之后施加薄的中間層或中間層序列。然后將輔助層14施 加到中間層或中間層序列上。在示范性實施例中，輔助層14具有五十 納米至一百納米范圍內(nèi)的厚度。
隨后將抗蝕劑層16,例如光致抗蝕劑施加到輔助層14上，借助實 例，任選地已預(yù)先施加了薄的抗反射層。隨后根據(jù)圖案對抗蝕劑層16 照射、尤其是膝光并進行顯影。由于要制造的最小特征尺寸大于一百 納米或至少大于五十納米，所以光刻法是非臨界的。圖案例如是具有 用于之后的源和漏接觸焊盤的任選延伸部分的矩形區(qū)。
隨后借助各向異性蝕刻法，例如借助反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，根據(jù) 抗蝕劑層16對輔助層14進行圖案化，制造了切口18。隨后借助各向異 性蝕刻法，使切口18同樣適當(dāng)?shù)匮由斓接惭谀?2中，以便切口的底 部到達遠至半導(dǎo)體村底IO。半導(dǎo)體村底10例如用作蝕刻停止。優(yōu)選地， 蝕刻條件在蝕刻切口18期間保持相同，且沒有任何中斷地實現(xiàn)了蝕刻。 其后，在一個示范性實施例中，移除了已留在預(yù)圖案化的輔助層14上 的抗蝕劑層16的殘留物。在另一示范性實施例中，抗蝕劑結(jié)構(gòu)保留在 輔助層14上。在切口12的蝕刻期間，在另一示范性實施例中，如果由 于切口18的深度而已經(jīng)移除了抗蝕劑層16，則輔助層14也用作掩模。
如圖1B所示，進行各向同性回蝕刻輔助層14的步驟，相對于硬掩 模層12與方向無關(guān)地且選擇性地減薄輔助層14，以形成輔助層14b。在 該情況下，如果仍存在抗蝕劑層16，則抗蝕劑層16用作輔助層14的保 護且防止該層被減薄。在該情況下隨后移除抗蝕劑層16。然而，總是 橫向地回蝕刻輔助層14。在該情況下，切口18在輔助層14b的區(qū)域中延 伸以形成切口18b。在硬掩模層12的區(qū)域中，相反地，切口18b的尺寸 相比于切口18沒有改變。在硬掩模層12和圖案化的輔助層14b之間的邊 界平面處，位于近似平行于切口18底部的區(qū)域20出現(xiàn)在切口18中，在 回蝕刻期間從該區(qū)域中移除輔助層。借助實例，該工藝實現(xiàn)了回蝕刻 小于五十納米或小于二十納米，以便區(qū)域20也具有相應(yīng)的最小尺寸。 由于擴展而使切口18b具有T形截面。由此回蝕刻的量確定了要制造的 最小特征尺寸。
同樣如圖1B所示，隨后用填充材料22填充延伸的切口18b，關(guān)于它 的材料組分其不同于硬掩模層12的材料，也不同于減薄的輔助層14b的
材料。借助實例，使用碳化硅或多晶硅作為填充材料。在填充了切口
18b之后，進行平坦化步驟，在其期間輔助層14b用作停止層。借助實 例，依靠CMP法(化學(xué)機械拋光)或整個區(qū)域蝕刻工藝實現(xiàn)平坦化，
然后借助濕法化學(xué)或干法化學(xué)蝕刻法，相對于硬掩模層12選擇性 地以及相對于填充材料22選擇性地移除減薄的輔助層14b的殘留物。填 充材料22的突起24留在區(qū)域20的上方，該突起覆蓋在要形成硬掩模的 區(qū)域中的硬掩模層12的一部分。
如圖1 C所示，在例如借助各向異性蝕刻法圖案化硬掩模層12期間， 突起24隨后用作掩模。在圖案化硬掩模層12期間，借助實例，半導(dǎo)體 襯底10用作蝕刻停止。硬掩模區(qū)域26出現(xiàn)在突起24下面。
如圖1D所示，例如隨后借助干法化學(xué)蝕刻工藝或借助濕法化學(xué)蝕 刻工藝移除填充材料20。結(jié)果，硬掩模區(qū)域26自由地豎立，且可以用 于半導(dǎo)體襯底10的圖案化。硬掩模區(qū)域26彼此靠近設(shè)置，且具有亞光 刻的且尤其位于5納米至50納米范圍內(nèi)的翼寬度的最小尺寸A。
然后可以根據(jù)常規(guī)方法制造finFET。制造finFET的下一個步驟構(gòu) 成f inFET的翼的制造。
如果平面場效應(yīng)晶體管意在借助硬掩模區(qū)域26制造，則代替半導(dǎo) 體村底IO，使用由包含例如多晶硅層和電介質(zhì)作為柵極疊層的襯底制 成，其是借助硬掩模區(qū)域26圖案化的以形成柵電極。
可替換的示范性實施例包括執(zhí)行具有與如上參考圖1A至1D所述的 方法步驟相同的方法。然而，代替硬掩模層12存在半導(dǎo)體襯底，參見 虛線28。然而，以時控的方式蝕刻切口18。還以時控的方式進行4吏用 填充材料作為掩模的蝕刻步驟。由此會出現(xiàn)具有不同高度的硬掩模區(qū) 域26的側(cè)壁，例如參見圖2D。然而，相對于在時控蝕刻期間的較大容 差，由于出現(xiàn)的不對稱而僅無關(guān)緊要地?fù)p害了例如FET的電特性，所以 幾納米的高度差是可接受的。
圖2A至2D示出了制造具有和不具有欠氧化的雙翼場效應(yīng)晶體管的 示范性實施例的制造階段。首先說明不具有欠氧化的示范性實施例。
在具有或不具有中間沉積的薄中間層或薄中間層序列的情況下， 將輔助層14c,例如氧化物層，尤其是氧化硅層，或氮化物層，尤其是 氮化硅層施加到半導(dǎo)體襯底10c上。借助抗蝕劑層16c以光刻法圖案化 輔助層14c，制造了切口18c。利用構(gòu)圖的抗蝕劑層16c和任選地利用輔
助層14c作為掩模，使切口18c適當(dāng)延伸到半導(dǎo)體襯底10c中。如果合適， 則可隨后移除仍存在的抗蝕劑層16c的殘留物。實現(xiàn)了回蝕刻步驟，在 此期間輔助層14c變成減薄的輔助層14d，其由于半導(dǎo)體村底的區(qū)域20c 在延伸的切口 18d的上部中未被覆蓋，所以其覆蓋了比輔助層14c更小 的區(qū)域。關(guān)于此細(xì)節(jié)，參考關(guān)于圖1A的說明。
如圖M所示，在制造切口18d之后，首先例如通過熱氧化或沉積法 制造電絕緣的薄絕緣層50。絕緣層50包括例如二氧化硅或具有相對介 電常數(shù)比二氧化硅的相對介電常數(shù)的值3. 9更大的材料。絕緣層50的電 學(xué)厚度例如小于25納米，例如5納米。
其后，將薄的柵電極層52施加到絕緣層50上，所述的柵電極層例 如包括金屬或包含金屬。作為備選方案，柵電極層52包括重?fù)诫s多晶 硅。柵電極層52的厚度例如小于25納米。
在制造柵電極層52之后，將填充材料22c例如導(dǎo)電材料，例如摻雜 的硅，或電絕緣材料例如氧化物施加到柵電極層52上。這之后是平坦 化，停止于輔助層14d上。借助實例，通過CMP法實現(xiàn)平坦化。平坦化 之后，絕緣層50、柵電極層52和填充材料22c仍僅存在于切口18d內(nèi)。
平坦化之后，相對于半導(dǎo)體村底10c、相對于填充材料22c、相對 于柵電極層52選擇性地、以至于還可能相對于絕緣層50選擇性地移除 輔助層14d。
如圖K所示，隨后以各向異性蝕刻法，借助切口18d中填充材料的 突起54來制造翼56。如果合適，則各向異性蝕刻會引起切口18d的底部 和位于切口 18d外部的平行于切口 18d底部的襯底區(qū)之間例如約5納米 的高度差D。翼56的自由側(cè)面優(yōu)選比限定切口18c的翼56的側(cè)面進入半 導(dǎo)體襯底10c中更深。
此外如圖2C所示，在翼56的未覆蓋側(cè)面區(qū)域上和未覆蓋的半導(dǎo)體 襯底10c上制造具有與絕緣層50相同材料組分和相同層厚度的絕緣層 60。在翼56的區(qū)域中兩個絕緣層50和52用作雙翼場效應(yīng)晶體管的柵極 電介質(zhì)。
隨后將包括與柵電極層52相同的材料且具有與其相同厚度的另外 的柵電極層62施加到絕緣層60上。
在這一時間點，翼56已經(jīng)凈皮柵極電介質(zhì)50、 62和薄的柵電極52、 62圍繞，然而，其仍未被圖案化。薄的柵電極60、 62和填充材料22c用
作超薄翼56的機械支撐。
如圖2D所示，在示范性實施例中，在移除由氧化物制成的填充材 料22c之前，施加?xùn)艠O材料70，例如摻雜的硅，尤其是多晶硅。于是實 現(xiàn)了平坦化，填充材料22c用作停止。其后僅僅是移除填充材料22c并 由柵極材料72、例如由多晶硅代替。因此，翼56被一直足夠機械地保 護。
如圖2D所示，然后對柵極材料70、 72和柵電極層52、 62進行圖案 化。借助實例，為此目的使用了光刻法和/或間隔技術(shù)。任選地使用硬 掩模74。此外為了減小柵極長度，任選地進行修整硬掩模74的步驟。 作為替換方案，可使用電子束光刻。
在另一示范性實施例中，在施加?xùn)艠O材料70c之前，僅在翼56的中 心區(qū)中利用附加的光刻法移除填充材料22c。相反，在翼56的兩端，填 充材料22保持為支撐。然后同時沉積柵極材料70和72，以便對于平坦 化柵極材料僅需要一個平坦化步驟。
隨后例如利用根據(jù)第一示范性實施例的硬掩?；蚪柚饪滩襟E來 圖案化柵極，用于制造最小的特征尺寸。
如由圖2C中的虛線所示，在另一示范性實施例中，在制造絕緣膜 62之后沉積薄的氧化保護層80。隨后實現(xiàn)各向異性蝕刻，以便氧化保 護層80僅留在遠離切口18d的翼56的側(cè)壁上。各向異性蝕刻實現(xiàn)了遠至 半導(dǎo)體襯底10c的蝕刻。借助實例，RIE適合于各向異性蝕刻。
如由圖2C中的虛線進一步所示的，然后進行半導(dǎo)體襯底10c的熱氧 化，氧化物區(qū)82形成在半導(dǎo)體襯底10c的未覆蓋區(qū)和翼56的基底處，所 述的氧化區(qū)使翼56與半導(dǎo)體襯底10c電絕緣。
如果距離D在氧化之前已經(jīng)總計為幾納米，則促進了翼56的欠氧 化。附加的或作為可替換方案，在氧化物保護層的各向異性蝕刻期間， 也能夠進一步蝕刻到半導(dǎo)體襯底10c中，例如大于5納米。此外作為可 替換方案或附加的，如果在氧化之前各向同性地蝕刻半導(dǎo)體襯底10c， 則促進了欠氧化，在每種情況下都將切口制造在翼56的下面，但翼56 沒有與半導(dǎo)體襯底10c完全地分離開。在可以進行的翼的欠氧化和各向 同性欠切割期間，由填充材料22c形成用于翼56的機械支撐，所述的填 充材料仍沒有從切口 18d移除或已經(jīng)僅在切口 18d的部分區(qū)域中被移 除。
另一方法實施對應(yīng)于參考圖2D說明的方法，也就是說，根據(jù)所述 的方法中之一施加填充材料7 0和7 2 。
圖3A和3B進一步示出了用于制造雙翼場效應(yīng)晶體管100的制造階 段。圖3A示出了在如上所述的圖案化柵極疊層之后的晶體管100。柵電 極體現(xiàn)為翼56上方的窄帶72a的形式。位于帶端部的是例如用于連接?xùn)?極的正方形接觸區(qū)。柵極長度由帶的寬度給出，且在每種情況下假定6 納米的翼56的寬度，則例如為20納米。
如圖3B中所示，隨后進行的包括例如借助隨后的各向異性回蝕刻 的CVD法(化學(xué)汽相沉積)的熱氧化或氧化物沉積，氧化物間隔102形 成在翼56的未覆蓋區(qū)和柵極材料72a的未覆蓋側(cè)面。氧化物間隔102隨 后使柵極材料與源極連接材料和/或與漏極連接材料絕緣，尤其地。代 替氧化物間隔，還能夠使用由不同材料例如氮化物間隔、特別是氮化 硅間隔制成的間隔。
下一個步驟包括實現(xiàn)用于源極延伸和/或漏極延伸的具有相對低 摻雜劑濃度的任選注入。例如朝著與半導(dǎo)體襯底10c的有源表面垂直的 方向或相反的方向，傾斜地進行該注入。在進一步氧化和用于制造另 外間隔的回蝕刻步驟之后，注入用于源區(qū)和/或漏區(qū)的連接區(qū)，比注 入前更高的摻雜劑濃度。同樣例如與法線的方向傾斜或相反地進行第 二注入。
隨后制造漏和源極接觸孔104和106。產(chǎn)生雙翼場效應(yīng)晶體管IOO， 其具有緊密相鄰的翼和亞光刻翼寬度。借助實例，在源極連接區(qū)104或 106的制造期間進行以下步驟
-通過施加金屬用于硅化物形成、選擇性硅化和非硅化金屬的移 除，根據(jù)硅化物技術(shù)的自對準(zhǔn)硅化物制造。在該情況下，例如通過在 欠氧化期間制造的氧化物或通過代替欠氧化層施加的另外施加的氧化 物層，在平面襯底基區(qū)域上防止硅化物形成。
-平坦化，例如通過施加電介質(zhì)，例如氧化物，之后例如是CMP平 坦化。
-制造到連接區(qū)的接觸孔104、 106。
根據(jù)圖1A至1D的方法能夠?qū)崿F(xiàn)更深的結(jié)構(gòu)或具有更高側(cè)壁的結(jié) 構(gòu)，以便與根據(jù)圖2A至2D的方法相比更容易地被蝕刻。
利用相同的方法步驟，如果借助相關(guān)區(qū)域中的修整掩模來移除翼， 還能夠制造單翼場效應(yīng)晶體管。
權(quán)利要求
1.一種場效應(yīng)晶體管(100)，具有兩個溝道連接區(qū)(104、106)，具有包含至少兩個控制區(qū)部分的控制區(qū)(52、62)，具有有源區(qū)，該有源區(qū)形成為單晶襯底(10c)的突起(56)，且一方面布置在溝道連接區(qū)(104、106)之間，另一方面布置在兩個控制區(qū)部分之間，以及具有電絕緣且布置在控制區(qū)部分和有源區(qū)(56)之間的絕緣區(qū)(50、60)，突起(56)與襯底(10c)在其基部通過電絕緣的絕緣材料(82)隔離，以及絕緣材料(82)橫向地終止于單晶襯底(10c)中的突起(56)處。
2. 如權(quán)利要求1中所要求的場效應(yīng)晶體管(100)，其特征在于 位于突起基部的突起(56)的兩個側(cè)面區(qū)域橫向地鄰接布置在彼此間 隔開的兩個平面中的襯底(10c)的兩個襯底區(qū)域，該距離(D)大于 一納米、大于三納米或大于五納米。
3. 如權(quán)利要求1或2中所要求的場效應(yīng)晶體管(100),其特征 在于控制區(qū)部分形成在突起(56)的兩個側(cè)面區(qū)域上。
4. 如權(quán)利要求1至3其中之一所要求的場效應(yīng)晶體管(100)，其 特征在于絕緣材料(82 )沒有突出超過突起(56 )的至少一個側(cè)面區(qū)域。
全文摘要
說明了一種圖案化方法等，其中具有T形截面的填充材料(22)用作圖案化期間的掩模，以制造具有亞光刻尺寸，尤其是雙翼場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L29/423GK101373790SQ20081021067
公開日2009年2月25日 申請日期2004年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月15日
發(fā)明者H·圖斯, R·費爾哈伯 申請人:英飛凌科技股份公司