專利名稱：電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的電子設(shè)備，具備半導(dǎo)體芯片，其形成有集成電 路；電極，其形成在所述半導(dǎo)體芯片上，與所述集成電路電連接；樹脂突 起，其配置在所述半導(dǎo)體芯片上；布線，其配置為從所述電極上到達(dá)所述 樹脂突起上；布線基板，其形成有布線圖案，按照所述布線在所述樹脂突 起上的部分與所述布線圖案對置并電連接的方式搭載有所述半導(dǎo)體芯片； 和粘接劑，其對所述半導(dǎo)體芯片與所述布線基板進(jìn)行粘接；所述樹脂突起 由熱膨脹率為負(fù)的材料形成，并在使所述半導(dǎo)體芯片與所述布線基板的間 隔變窄的方向上被壓縮。根據(jù)本發(fā)明，由于樹脂突起的熱膨脹率為負(fù)，所 以一旦加熱就將收縮。因此，即便因粘接劑的軟化而樹脂突起的壓縮力被 解除，使得樹脂突起復(fù)原，也會由于樹脂突起還進(jìn)行收縮而使得在半導(dǎo)體 芯片與基板之間對粘接劑產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力(試圖將半導(dǎo)體芯片與基板的間 隔擴(kuò)大的力)變小。即能夠抑制軟化后的粘接劑的伸展，并維持樹脂突起 的壓縮狀態(tài)。由此，可謀求防止由熱膨脹引起的電連接不良。
(2) 在該電子設(shè)備中，也可以是至少在25。C以上且在所述粘接劑 的玻璃化轉(zhuǎn)變點以下的溫度區(qū)域內(nèi)，所述樹脂突起的熱膨脹率為負(fù)。
(3) 在該電子設(shè)備中，也可以是所述樹脂突起由液晶聚合物、聚 對苯苯并二螺唑以及聚酰亞胺苯并嗯唑所構(gòu)成的組中的任一種形成。
(4) 在該電子設(shè)備中，也可以是所述樹脂突起由在苯酚類酚醛清 漆固化劑和多官能環(huán)氧樹脂中分散有橡膠彈性微粒的混合樹脂形成。


圖1是表示在本發(fā)明的實施方式的電子裝置中所使用的半導(dǎo)體裝置 的俯視圖。
圖2是圖1所示的半導(dǎo)體裝置的II-II線剖視圖。
圖3是圖i所示的半導(dǎo)體裝置的m-m線剖視圖。
圖4 (A)及圖4 (B)是本發(fā)明的實施方式的電子裝置的制造方法的
說明圖。
圖5 (A)和圖5 (B)是本發(fā)明的實施方式的電子裝置的說明圖。 圖6是表示使用了本發(fā)明的實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備 的說明圖。
圖7是使用了本發(fā)明的實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的說 明圖。
圖8是使用了本發(fā)明的實施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的說明圖。
圖中10一半導(dǎo)體芯片，12 —集成電路，14一電極，16 —鈍化膜，18 一樹脂突起，20 —布線，30 —布線基板，32 —布線圖案，34 —基板，40 一粘接劑前體，42—粘接劑。
具體實施例方式
圖1是表示在本發(fā)明的實施方式的電子裝置中所使用的半導(dǎo)體裝置
的俯視圖。圖2是圖i所示的半導(dǎo)體裝置的n-n線剖視圖。圖3是圖i 所示的半導(dǎo)體裝置的m-in線剖視圖。
半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體芯片io。在半導(dǎo)體芯片io中，形成有集成電 路(晶體管等)12。半導(dǎo)體芯片io具有經(jīng)內(nèi)部布線(未圖示)與集成電 路12電連接的電極14。半導(dǎo)體芯片是在一個方向上較長的形狀(平面形
狀為長方形)，沿著較長一側(cè)的邊排列有多個電極14。在半導(dǎo)體芯片IO 上，按照使電極14的至少一部分露出的方式，形成有作為具有開口部15 的保護(hù)膜的鈍化膜16。鈍化膜16例如可僅由Si02或SiN等的無機(jī)材料 形成。鈍化膜16形成在集成電路12的上方。
在鈍化膜16上形成有樹脂突起18。在半導(dǎo)體芯片10的端部形成有 電極14，在比電極14更處于中央的位置上形成有樹脂突起18。至少在 25"C以上且在粘接劑42 (參照圖5 (A)及圖5 (B))的玻璃化轉(zhuǎn)變點 (例如120°C)以下的溫度區(qū)域內(nèi)，樹脂突起18的熱膨脹率(線性膨脹 系數(shù))為負(fù)。即，樹脂突起18在該溫度區(qū)域內(nèi)隨著溫度升高而收縮。作 為這種樹脂突起18的材料，例如可采用液晶聚合物、聚對苯苯并二嗯唑 或聚酰亞胺苯并嗨唑，也可采用在苯酚類酚醛清漆固化劑和多官能環(huán)氧樹 脂中分散有橡膠彈性微粒的混合樹脂。
從多個電極14上分別向樹脂突起18上形成有多個布線20。布線20 在樹脂18上形成并與電極14電連接。布線20自電極14上經(jīng)鈍化膜16 而到達(dá)樹脂突起18上。布線20在電極14上與電極14電連接。布線20
與電極14既可以直接接觸，還可以在兩者間夾設(shè)導(dǎo)電膜(未圖示)。布 線20形成為越過樹脂突起18的與電極14相反一側(cè)的端部而到達(dá)鈍化膜 16上。布線20從配置在半導(dǎo)體芯片10的端部的電極14向中央方向延伸。
樹脂突起18的上面形成為與多個布線20不交疊的區(qū)域比與多個布 線20交疊的區(qū)域形成得低(參照圖3)?？稍跇渲黄?8上形成多個布 線20后，對樹脂突起18的相鄰的布線20之間的部分進(jìn)行蝕刻。
圖4 (A)和圖4 (B)是本發(fā)明的實施方式的電子裝置的制造方法的 說明圖。其中，圖4 (A)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于圖1的II-II線剖視圖 (圖2)，圖4 (B)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于圖1的Ill-Ill線剖視圖(圖 3)。
在本實施方式中，將上述半導(dǎo)體裝置經(jīng)由熱固化性的粘接劑前體40 配置在具有布線圖案32的布線基板30上。布線基板30可以是液晶面板 或有機(jī)EL面板。支撐布線圖案32的基板34，可以是玻璃或樹脂中的任 意一種。在粘接劑前體40中，也可使用分散有導(dǎo)電粒子而構(gòu)成的各向異 性導(dǎo)電材料。并且，在半導(dǎo)體裝置及布線基板30之間施加擠壓力及加熱。 此外，在樹脂突起18的相鄰的布線20間的部分上配置粘接劑前體40， 通過加熱使其固化收縮。對粘接劑前體40 —直維持施加擠壓直到其固化 為止。 一旦粘接劑前體40固化就解除擠壓力。這樣來制造電子裝置。
圖5 (A)和圖5 (B)是本發(fā)明的實施方式的電子裝置的說明圖。并
且，圖5 (A)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于圖i的n-n線剖視圖(圖2)， 圖5 (B)所示的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于圖i的m-m線剖視圖(圖3)。
電子裝置具有上述的半導(dǎo)體裝置；和布線基板30，其具有與多個 布線20的在樹脂突起18上的部分對置并電連接的布線圖案32。在半導(dǎo) 體芯片10與布線基板30之間介入固化后的粘接劑42。粘接劑42內(nèi)存有 由固化時收縮所引起的殘存壓力。樹脂突起18的相鄰的布線20間的部分 與布線基板30之間配置有粘接劑42的一部分。
樹脂突起18在使半導(dǎo)體芯片10與布線基板30的間隔變窄的方向上 被壓縮。樹脂突起18由熱膨脹率為負(fù)的材料構(gòu)成。至少在25。C以上且在 粘接劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點(例如12(TC)以下的溫度區(qū)域內(nèi)，樹脂突起18 的熱膨脹率為負(fù)。根據(jù)本實施方式，由于樹脂突起18的熱膨脹率為負(fù)，
所以一旦加熱就將收縮。因此，即便因加熱而粘接劑42軟化造成樹脂突 起18的壓縮力被解除，使樹脂突起18復(fù)原，也將因為樹脂突起還進(jìn)行收 縮，從而使得在半導(dǎo)體芯片10與基板34之間對粘接劑42產(chǎn)生的拉伸應(yīng) 力(試圖將半導(dǎo)體芯片10與基板34的間隔擴(kuò)大的力)變小。即能夠抑制 軟化后的粘接劑42的伸展，并維持樹脂突起18的壓縮狀態(tài)。換言之，樹 脂突起18的斥力(試圖使粘接劑42擴(kuò)展的力)包括基于樹脂突起18的 彈力的力、和基于樹脂突起18的熱膨脹的力，在本實施方式中，由于樹 脂突起18的熱膨脹率為負(fù)，所以可以減少樹脂突起18的斥力的合力。由 此，可以謀求防止由熱膨脹引起的電連接不良。
圖6是使用了本發(fā)明的一個實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備1000 的說明圖。
圖7是使用了本發(fā)明的一個實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備2000 的說明圖。
圖8是使用了本發(fā)明的一個實施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備3000 的說明圖。
本發(fā)明并不限于上述實施方式，可以進(jìn)行各種變形。例如，本發(fā)明包 括與實施方式中所說明的結(jié)構(gòu)在實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法及 結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)，或目的及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu))。此外，本發(fā)明包括將實施 方式中所說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)的部分進(jìn)行了置換的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包 括與實施方式中所說明的結(jié)構(gòu)發(fā)揮同樣作用效果的結(jié)構(gòu)，或能夠達(dá)到相同 目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包括在實施方式中所說明的結(jié)構(gòu)中附加了公知 技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種電子設(shè)備，具備半導(dǎo)體芯片，其形成有集成電路；電極，其形成在所述半導(dǎo)體芯片上，與所述集成電路電連接；樹脂突起，其配置在所述半導(dǎo)體芯片上；布線，其配置為從所述電極上到達(dá)所述樹脂突起上；布線基板，其形成有布線圖案，按照所述布線在所述樹脂突起上的部分與所述布線圖案對置并電連接的方式搭載有所述半導(dǎo)體芯片；和粘接劑，其對所述半導(dǎo)體芯片與所述布線基板進(jìn)行粘接；所述樹脂突起由熱膨脹率為負(fù)的材料形成，并在使所述半導(dǎo)體芯片與所述布線基板的間隔變窄的方向上被壓縮。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子設(shè)備，其特征在于，至少在25°C以上且在所述粘接劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點以下的溫度區(qū)域內(nèi)，所述樹脂突起的熱膨脹率為負(fù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述樹脂突起由液晶聚合物、聚對苯苯并二隨挫以及聚酰亞胺苯并嗯 唑所構(gòu)成的組中的任一種形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述樹脂突起由在苯酚類酚醛清漆固化劑和多官能環(huán)氧樹脂中分散 有橡膠彈性微粒的混合樹脂形成。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種防止由于熱膨脹引起的電接觸不良的電子設(shè)備。該電子設(shè)備具備半導(dǎo)體芯片(10)，其形成有集成電路(12)；電極(14)，其形成在半導(dǎo)體芯片(10)上，與集成電路(12)電連接；樹脂突起(18)，其配置在半導(dǎo)體芯片(10)上；布線(20)，其配置為從電極(14)上到達(dá)樹脂突起(18)上；布線基板(30)，其形成有布線圖案(32)，并按照將布線(20)在樹脂突起(18)上的部分與布線圖案(32)對置后進(jìn)行電連接的方式裝載有半導(dǎo)體芯片(10)；和粘接劑(42)，其將半導(dǎo)體芯片(10)與布線基板(30)進(jìn)行粘接。樹脂突起(18)由熱膨脹率為負(fù)的材料形成，并在使半導(dǎo)體芯片(10)與布線基板(30)的間隔變窄的方向上被壓縮。
文檔編號H01L23/488GK101369565SQ20081021063
公開日2009年2月18日 申請日期2008年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月13日
發(fā)明者田中秀一 申請人:精工愛普生株式會社