專利名稱：消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法及半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法及半
導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
目前在半導(dǎo)體工藝制程中，元器件的特征尺寸越來越小，所以，相應(yīng)的對半導(dǎo)體的 工藝要求也越來越高，其中，工藝過程中的雜質(zhì)的控制是控制器件良率很關(guān)鍵的一個(gè)因素， 是半導(dǎo)體工藝制程面臨的很大的挑戰(zhàn)。 在集成電路制造工藝中，多晶硅薄膜具有非常重要的作用。在CM0S電路中，用重
摻雜的多晶硅代替金屬鋁，作為MOS晶體管的柵極材料，可實(shí)現(xiàn)源、漏、柵自動(dòng)排列，極大地
減小了米勒(Miller)電容影響，有利于提高器件性能和半導(dǎo)體器件的集成度。 多晶硅薄膜主要是采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝淀積形成。但在形成過程
中，硅片表面會(huì)由于損傷、雜質(zhì)(如微顆粒、細(xì)纖維物、含碳有機(jī)物、油污、Si4中的雜質(zhì)等)
污染及氣體不純等原因?qū)е卤砻嫒毕荨?以多晶硅薄膜上殘留有離子雜質(zhì)(呈微粒狀)或其他的表面顆粒為例進(jìn)行說明。 其中，金屬離子雜質(zhì)會(huì)破壞多晶硅薄膜的完整性、增加漏電流密度、減少器件壽命。例如鈉 離子會(huì)在多晶硅薄膜中引起移動(dòng)電荷，影響存儲(chǔ)器的穩(wěn)定性；重金屬離子會(huì)增加暗電流； 快擴(kuò)散離子，如銅、鎳，易淀積于硅表面，形成微結(jié)構(gòu)缺陷；鐵沉淀會(huì)使多晶硅薄膜變薄，影 響其壽命。當(dāng)金屬沾污嚴(yán)重時(shí)，還會(huì)在多晶硅薄膜上形成霧狀缺陷(Haze)或點(diǎn)缺陷等。表 面顆粒會(huì)引起圖形缺陷、外延前線、影響布線的完整性，是提高成品率的最大障礙。特別是 在硅片鍵合時(shí)，引入微隙，同時(shí)也引起位錯(cuò)，影響鍵合強(qiáng)度和表層質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，避免了現(xiàn)有技術(shù) 中由于多晶硅層表面附著的雜質(zhì)影響產(chǎn)品良率的問題。 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，包括提供半 導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有摻雜的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)； 在所述多晶硅層上形成氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間；去除所述 溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層。 可選地，所述氧化物犧牲層是通過原位蒸汽生成工藝生成的。 可選地，當(dāng)采用原位蒸汽生成工藝時(shí)，所述氧化物犧牲層是由所述多晶硅層中表 層的一部分被氧化而形成的。 可選地，所述原位蒸汽生成工藝的溫度為800攝氏度 1200攝氏度。
可選地，所述氧化物犧牲層是通過干法或濕法氧化工藝生成的。
可選地，所述氧化物犧牲層的厚度為50埃 100埃。 可選地，所述氧化物犧牲層通過干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝予以去除。
可選地，所述濕法蝕刻工藝包括稀釋水溶性氫氟酸溶液清洗。 可選地，所述雜質(zhì)包括能氧化或不能氧化的高分子殘留物或金屬離子。 本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底
上的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)；位于多晶硅層上的氧化物犧牲層，所述氧
化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間。 可選地，所述氧化物犧牲層是通過原位蒸汽生成工藝生成的。 可選地，當(dāng)采用原位蒸汽生成工藝時(shí)，所述氧化物犧牲層是由所述多晶硅層中表 層的一部分被氧化的。 可選地，所述原位蒸汽生成工藝的溫度為800攝氏度 1200攝氏度。
可選地，所述氧化物犧牲層是通過干法或濕法氧化工藝生成的。
可選地，所述氧化物犧牲層的厚度為50埃 100埃。 可選地，所述雜質(zhì)包括能被氧化或不能氧化的高分子殘留物或金屬離子。 上述技術(shù)方案通過在多晶硅層上形成氧化物犧牲層，使得多晶硅層上的雜質(zhì)可溶
在氧化物犧牲層中，再去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層，使得多晶硅層表面原先附著的
雜質(zhì)得以去除，消除半導(dǎo)體器件的表面缺陷，可減少對后續(xù)工藝的污染，相對提高產(chǎn)品的良率。


圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式中消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法流程圖； 圖2至圖4為按照圖1所示流程在一個(gè)實(shí)施方式中消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的示
意圖； 圖5至圖11為按照圖1所示流程在另一個(gè)實(shí)施方式中消除半導(dǎo)體器件表面缺陷 的示意圖。
具體實(shí)施例方式
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在制造半導(dǎo)體器件的工藝過程中，形成多晶硅層時(shí)，硅片表面會(huì)由于 雜質(zhì)(如微顆粒、細(xì)纖維物、含碳有機(jī)物、油污、SiH4中的雜質(zhì)等)污染導(dǎo)致表面缺陷，影響 半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，導(dǎo)致良率下降。 因此，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為防止上述缺陷，特別是表面雜質(zhì)，對產(chǎn)品良率的影 響。本發(fā)明提供一種消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo) 體襯底上形成有摻雜的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)；在所述多晶硅層上形 成氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間；去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧 牲層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過形成一層將雜質(zhì)溶于其間的氧化物犧牲層，并在后續(xù)再 將所述氧化物犧牲層去除，使得多晶硅層表面原先附著的雜質(zhì)得以去除，消除半導(dǎo)體器件 表面缺陷，減少對后續(xù)工藝的污染，相對提高產(chǎn)品的良率。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)說明。 如圖1所示，所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法包括如下步驟 S100，提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有多晶硅層，所述多晶硅層的表面附
著有雜質(zhì)。
4
S102，在多晶硅層上形成氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將雜質(zhì)溶于其間。
S104，去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層。 現(xiàn)以普通的CMOS晶體管為例進(jìn)行說明，執(zhí)行步驟SIOO，提供半導(dǎo)體襯底200，在半導(dǎo)體襯底200上依序形成有柵極氧化物層201和多晶硅層202，所述多晶硅層202的表面附著有雜質(zhì)，形成如圖2所示的結(jié)構(gòu)。 其中，所述半導(dǎo)體襯底200可以為形成有半導(dǎo)體器件的硅、形成有半導(dǎo)體器件的絕緣體上硅(SOI)、或者為形成有半導(dǎo)體器件的II-VI或者III V族化合物半導(dǎo)體。
柵極氧化物層201的材質(zhì)一般是氧化硅?，F(xiàn)有技術(shù)中，形成柵極氧化物層201的工藝是熱氧化法，即在高溫環(huán)境下，將半導(dǎo)體襯底200暴露在含氧環(huán)境中。該工藝通常在爐管中實(shí)現(xiàn)。通常形成的柵極氧化物層201的厚度都在幾十埃左右。因形成柵極氧化物層201的工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故在此不再贅述。 在柵極氧化物層201上形成多晶硅層202。所述多晶硅層202可以例如是重?fù)诫s的，用于作為導(dǎo)電介質(zhì)。其形成的方法例如是低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)，即以硅烷為氣體源淀積一層多晶硅層后，再進(jìn)行摻雜植入制作工藝。上述的淀積工藝的溫度一般為550°C 75(TC，壓力約0. 1Torr 0. 5Torr(lTorr = 133. 32Pa)。在本實(shí)施例中，形成的多晶硅層202的厚度大約為900埃 1100埃。實(shí)際上，在該步驟工藝中，形成的多晶硅層202的厚度是要大于制作CMOS晶體管的所要求規(guī)格，這是因?yàn)橐獮楹罄m(xù)工藝中多晶硅層202部分氧化損失掉一部分厚度所作的預(yù)留。 如上所述，在形成多晶硅層202的過程中，硅片表面會(huì)由于雜質(zhì)(如微顆粒、細(xì)纖維物、含碳有機(jī)物、油污、SiH4中的雜質(zhì)等)污染導(dǎo)致表面缺陷。 接著執(zhí)行步驟S102，在多晶硅層202上形成氧化物犧牲層203，所述氧化物犧牲層203將所述雜質(zhì)(包括金屬離子或者表面顆粒等)溶于其間，形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，氧化物犧牲層203可以是通過例如原位蒸汽生成工藝(In-SituSteam Generation, ISSG)而形成的氧化物層(即氧化硅)。具體來講，是在通常的氧氣氣氛里摻入了恒量的氫氣(具有氧和氫氧根的氛圍)，在高溫下，例如800攝氏度 1200攝氏度，產(chǎn)生類似于爆燃的化學(xué)反應(yīng)，所述反應(yīng)會(huì)產(chǎn)生大量的氣相活性自由基，其中主要是易于與硅原子反應(yīng)的原子氧，由于原子氧的強(qiáng)氧化作用，在多晶硅層202表層的一部分被氧化并進(jìn)而形成ISSG氧化物層(即氧化物犧牲層203)，最終得到的氧化物犧牲層203內(nèi)缺陷少，均勻性較高，硅氧界面平滑。 如前所述，由于ISSG工藝是對多晶硅層202進(jìn)行再氧化，所以多晶硅層202中表層的一部分被氧化使得多晶硅層202的整體厚度會(huì)減小，不過ISSG工藝對硅的消耗量較少，因此所形成的氧化物犧牲層203的厚度大約僅為50埃 100埃(對應(yīng)地，多晶硅層202的厚度也相應(yīng)降低了近50埃 100埃)。實(shí)際上，氧化物犧牲層203是用于將多晶硅層202表面的雜質(zhì)溶于其間，只要能實(shí)現(xiàn)上述功效，則其厚度可根據(jù)雜質(zhì)的類別、大小等作不同的變化，即若雜質(zhì)的顆粒較大時(shí)，則氧化物犧牲層203的厚度相應(yīng)較大；反之，若雜質(zhì)的顆粒較小時(shí)，則氧化物犧牲層203的厚度相應(yīng)較小。形成ISSG氧化物層的具體工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。 特別地，所述雜質(zhì)可以是包括能氧化或不能氧化的高分子殘留物或金屬離子。具體來講，當(dāng)所述雜質(zhì)是能被氧化的物質(zhì)時(shí)，在通過ISSG工藝形成氧化物犧牲層203時(shí)，所述雜質(zhì)就被氧化并稱為氧化物犧牲層203的一部分。當(dāng)所述雜質(zhì)是不能被氧化的物質(zhì)時(shí)，在通過ISSG工藝形成氧化物犧牲層203時(shí)，雖然所述雜質(zhì)本身不會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)，但由于其所賴以附著的多晶硅層202的表層會(huì)氧化，故所述雜質(zhì)實(shí)際上是嵌入所形成的氧化物犧牲層203中。 另外，在這里雖是以多晶硅層表面附著的雜質(zhì)為例進(jìn)行說明的，實(shí)際上，對于其他的某些表面缺陷，例如霧狀缺陷或點(diǎn)缺陷等，采用本發(fā)明所提供的方法，應(yīng)也具有一定的消除作用。 需說明的是，雖然在本實(shí)施例中氧化物犧牲層203是通過ISSG工藝為例進(jìn)行說明，但氧化物犧牲層203的形成方法并不以此為限，其他例如干法或濕法氧化工藝也同樣適用。通過上述在多晶硅層202上形成氧化物犧牲層203，可使得原先殘留在多晶硅層202上的雜質(zhì)或其他雜質(zhì)均可溶于氧化物犧牲層203中。 接著執(zhí)行步驟S104，去除氧化物犧牲層203，形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。氧化物犧牲
層203可通過干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝予以去除。以濕法蝕刻工藝為例進(jìn)行說明，例
如可通過稀釋水溶性氫氟酸(HF)溶液來腐蝕并去除氧化物犧牲層203。所述氫氟酸溶液的
選擇應(yīng)參考濕度、干燥條件及氧化物犧牲層203的厚度等因素。通過稀釋水溶性氫氟酸溶
液清洗技術(shù)能更好地保證硅片表面的微粗糙度，在處理過程中不會(huì)產(chǎn)生額外的雜質(zhì)。該氫
氟酸去除工藝的具體實(shí)施方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。 通過步驟S104去除氧化物犧牲層203后，使得多晶硅層202表面原先附著的雜質(zhì)
(無論是能被氧化的還是不能被氧化的)得以去除，這樣就可在后續(xù)執(zhí)行圖案化制程以制
造CMOS晶體管，由于雜質(zhì)的去除，可避免或很大程度地減少對后續(xù)工藝的污染，提高產(chǎn)品
的良率。因后續(xù)工藝的具體實(shí)施方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。 在上述實(shí)施例中，是以普通的CMOS晶體管為例進(jìn)行說明的，但并不以此為限，只
要具有多晶硅層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，都可以采用本發(fā)明所提供的方法來消除多晶硅層表面
的缺陷。 以現(xiàn)有的閃存(Flash)為例，其柵極結(jié)構(gòu)是浮柵與控制柵夾合柵間介電層的疊層結(jié)構(gòu)，形成浮柵與控制柵的主要材料均為多晶硅。 如圖5所示，提供半導(dǎo)體襯底500，在半導(dǎo)體襯底500上依次形成柵極氧化物層501和浮柵層502。柵極氧化物層501的材質(zhì)一般是氧化硅，浮柵層502的材質(zhì)例如是摻雜的多晶硅，其形成的方法例如是低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)。在形成過程中，其表面具有雜質(zhì)或其他缺陷。 接著，通過ISSG工藝在浮柵層502上形成第一氧化物犧牲層503，所述第一氧化物犧牲層503將雜質(zhì)溶于其間，形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，浮柵層502的表層一部分因被氧化，其厚度相對于圖5有所減小。 在本實(shí)施例中，第一氧化物犧牲層503可以是通過例如原位蒸汽生成工藝(ISSG)而形成的氧化物層(即氧化硅)。具體來講，是在通常的氧氣氣氛里摻入了恒量的氫氣(具有氧和氫氧根的氛圍)，在高溫下，例如800攝氏度 1200攝氏度，在浮柵層502表層的一部分被氧化并進(jìn)而形成ISSG氧化物層(即第一氧化物犧牲層503)，最終得到的第一氧化物犧牲層503內(nèi)缺陷少，均勻性較高，硅氧界面平滑。 需說明的是，雖然在本實(shí)施例中第一氧化物犧牲層503是通過ISSG工藝為例進(jìn)行說明，但第一氧化物犧牲層503的形成方法并不以此為限，其他例如干法或濕法氧化工藝也同樣適用。 接著，去除第一氧化物犧牲層503，形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)。第一氧化物犧牲層503可通過干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝予以去除。以濕法蝕刻工藝為例進(jìn)行說明，例如可通過稀釋水溶性氫氟酸(HF)溶液來腐蝕并去除第一氧化物犧牲層503。所述氫氟酸溶液的選擇應(yīng)參考濕度、干燥條件及第一氧化物犧牲層503的厚度等因素。這樣，可消除浮柵層502上的表面缺陷，例如去除雜質(zhì)。 接著，在去除第一氧化物犧牲層503后的浮柵層502上形成柵間介電層504，形成如圖8所示的結(jié)構(gòu)。因閃存要求與浮置柵極接觸的氧化硅層須具備良好的電學(xué)性能，以避免在正常電壓下，用來儲(chǔ)存電荷的浮置柵極產(chǎn)生漏電或是發(fā)生過早電崩潰的問題，該柵間介電層504 —般是氧化硅/氮化硅/氧化硅(0N0)的疊層結(jié)構(gòu)。以柵間介電層504的材質(zhì)是氧化硅/氮化硅/氧化硅為例，形成柵間介電層504的方法是在70(TC 110(TC的溫度和0. 1Torr 0. 8Torr的壓力下，以低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)形成一層均勻的厚度約為20埃 100埃的氧化硅層，接著以相同的方法在氧化硅層上形成厚度為20埃 100的氮化硅層，然后再以同樣的方法形成另一層厚度為20埃 100的氧化硅層。
接著，在柵間介電層504之上形成控制柵層505，形成如圖9所示的結(jié)構(gòu)。控制柵層505的材質(zhì)例如是摻雜的多晶硅。其形成的方法例如是低壓化學(xué)氣相淀積法(LPCVD)。
接著，通過ISSG工藝在控制柵層505上形成第二氧化物犧牲層506，所述第二氧化物犧牲層506將雜質(zhì)溶于其間，形成如圖10所示的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，控制柵層505的表層一部分因被氧化，其厚度相對于圖9有所減小。 在本實(shí)施例中，第二氧化物犧牲層506可以是通過例如原位蒸汽生成工藝(ISSG)而形成的氧化物層(即氧化硅)。具體來講，是在通常的氧氣氣氛里摻入了恒量的氫氣(具有氧和氫氧根的氛圍)，在高溫下，例如800攝氏度 1200攝氏度，在控制柵層505表層的一部分被氧化并進(jìn)而形成ISSG氧化物層(即第二氧化物犧牲層506)，最終得到的第二氧化物犧牲層506內(nèi)缺陷少，均勻性較高，硅氧界面平滑。 需說明的是，雖然在本實(shí)施例中第二氧化物犧牲層506是通過ISSG工藝為例進(jìn)行說明，但第二氧化物犧牲層506的形成方法并不以此為限，其他例如干法或濕法氧化工藝也同樣適用。 接著，去除第二氧化物犧牲層506，形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)。第二氧化物犧牲層506可通過干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝予以去除。以濕法蝕刻工藝為例進(jìn)行說明，例如可通過稀釋水溶性氫氟酸(HF)溶液來腐蝕并去除第二氧化物犧牲層506。所述氫氟酸溶液的選擇應(yīng)參考濕度、干燥條件及第二氧化物犧牲層506的厚度等因素。這樣，可消除控制柵層505上的表面缺陷，例如去除雜質(zhì)。 本發(fā)明所提供的消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，還可應(yīng)用于具有多晶硅結(jié)構(gòu)的例如S0N0S (硅/ 二氧化硅/氮化硅/ 二氧化硅/硅)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件、電感器件或電容器件，其原理與上述實(shí)施例類似，即通過在多晶硅層表面形成氧化物犧牲層并再去除的方式，達(dá)到去除多晶硅層表面雜質(zhì)、清除表面缺陷的效果。 本發(fā)明通過增加形成氧化物層并于后續(xù)再予以去除的方法，具體包括在多晶硅層上形成氧化物犧牲層，使得多晶硅層表面的雜質(zhì)可溶在氧化物犧牲層中，再去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層，使得多晶硅層表面原先附著的雜質(zhì)得以去除，消除半導(dǎo)體器件的表面缺陷，可減少對后續(xù)工藝的污染，相對提高產(chǎn)品的良率。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
一種消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有摻雜的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)；在所述多晶硅層上形成氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間；去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述氧化物犧 牲層是通過原位蒸汽生成工藝生成的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，當(dāng)采用原位蒸 汽生成工藝時(shí)，所述氧化物犧牲層是由所述多晶硅層中表層的一部分被氧化而形成的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述原位蒸 汽生成工藝的溫度為800攝氏度 1200攝氏度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述氧化物犧 牲層是通過干法或濕法氧化工藝生成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或5所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述氧 化物犧牲層的厚度為50埃 100埃。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述氧化物犧 牲層通過干法蝕刻工藝或濕法蝕刻工藝予以去除。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻 工藝包括稀釋水溶性氫氟酸溶液清洗。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法，其特征在于，所述雜質(zhì)包括 能被氧化或不能氧化的高分子殘留物或金屬離子。
10. —種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括 半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底上的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)； 位于多晶硅層上的氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氧化物犧牲層是通過原位蒸汽生成工藝生成的。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，當(dāng)采用原位蒸汽生成工藝時(shí)，所 述氧化物犧牲層是由所述多晶硅層中表層的一部分被氧化的。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述原位蒸汽生成工藝的 溫度為800攝氏度 1200攝氏度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氧化物犧牲層是通過干法 或濕法氧化工藝生成的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10、11、12或14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氧化物犧牲層 的厚度為50埃 100埃。
16. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述雜質(zhì)包括能被氧化或不能 氧化的高分子殘留物或金屬離子。
全文摘要
一種消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法及半導(dǎo)體器件，其中所述消除半導(dǎo)體器件表面缺陷的方法包括提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有摻雜的多晶硅層，所述多晶硅層的表面附著有雜質(zhì)；在所述多晶硅層上形成氧化物犧牲層，所述氧化物犧牲層將所述雜質(zhì)溶于其間；去除所述溶有雜質(zhì)的氧化物犧牲層。使得半導(dǎo)體元件表面原先附著的雜質(zhì)得以去除，可減少對后續(xù)工藝的污染，相對提高產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101740379SQ200810203540
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月27日
發(fā)明者杜珊珊, 趙林林, 韓秋華, 黃怡 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司