專利名稱：半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，特別涉及半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法。
二背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體塑料封裝軟焊料裝片工藝中需用氮?dú)浠旌蠚鈦碜?為保護(hù)，以提高焊料裝片的粘潤(rùn)性能， 一般通過工業(yè)氮和氫氣經(jīng) 過混合裝置而制成混合氣體。主要缺點(diǎn)是成本高，混合比例難控 制，還必須解決運(yùn)輸和存貯的危險(xiǎn)性的問題，在封裝工藝上，氮 氫氣體必須按比例混合均勻，由于比例不穩(wěn)定會(huì)給裝片的性能帶 來波動(dòng)。
三
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述專利，提出一種安全、低成本半導(dǎo) 體封裝裝片工藝方法。
本發(fā)明提供半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法，焊料裝片時(shí)采用氮、 氫混合氣，氮、氫混合氣是由液氨分解而成的，液氨分解是由鎳
觸媒活化，升溫190-200。C，保溫1小時(shí)后，升溫490-500。C，保 溫2小時(shí)后，再升溫640-65(TC，保溫3小時(shí)后，再升溫790-800
3。C，保溫2小時(shí)，冷卻過濾。
本發(fā)明的有益效果是，氯分解后產(chǎn)生的氮?dú)浔壤潭ň鶆颍?氨氣分解后氮和氫的比例為1: 3，其保護(hù)還原性很好，芯片沾
潤(rùn)性更高；設(shè)備簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，能耗低，原料消
耗也比較少，氨分解后直接生成氮?dú)浠旌蠚?，無需用專門的氣混 裝置對(duì)氮?dú)溥M(jìn)行混合，節(jié)約了設(shè)備成本。
四

圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法流程圖。
圖中1.液氨，2.減壓閥，3.汽化器，4.換熱器，5.分解 爐，6.冷卻塔，7.流量計(jì)8.裝片
五具體實(shí)施例方式
實(shí)施例以液氨1為原料，經(jīng)汽化3后將氨氣逐漸加熱到一
定溫度，升溫190-200°C，保溫1小時(shí)后，升溫490-5CXTC，保溫 2小時(shí)后，再升溫640-650。C，保溫3小時(shí)后，再升溫790-800°C ， 保溫2小時(shí)，氨經(jīng)分解爐5分成氫氮混合氣體，液氨氣化預(yù)熱后 進(jìn)入裝有催化劑鎳觸媒的分解爐，在一定溫度壓力和催化劑的作 用下氨即分解，產(chǎn)生含氫75%、氮25%的混合氣，并吸收一定 的熱量，分解后的氣體經(jīng)熱交換器4和冷卻塔6及流量計(jì)7后， 最后進(jìn)行純化處理后使用。
將氨分解后的混合氣用于功率晶體管3DD13003 TO-220封 裝的裝片工藝，粘潤(rùn)性好，裝片空洞率《3%，熱阻50士5mV， Vces《0.3V。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法，焊料裝片時(shí)采用氮、氫混合氣，其特征在于所述的氮、氫混合氣是由液氨分解而成的。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法，其特征在于所述的液氨分解是由鎳觸媒活化，升溫190-200°C，保溫1小時(shí)后，升溫 490-500°C ，保溫2小時(shí)后，再升溫640-650°C，保溫3小時(shí)后，再升溫790-800 °C，保溫2小時(shí)，冷卻過濾。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝裝片工藝方法，焊料裝片時(shí)采用氮、氫混合氣，氮、氫混合氣是由液氨分解而成的，液氨分解是由鎳觸媒活化，升溫190-200℃，保溫1小時(shí)后，升溫490-500℃，保溫2小時(shí)后，再升溫640-650℃，保溫3小時(shí)后，再升溫790-800℃，保溫2小時(shí)，冷卻過濾。氨分解后產(chǎn)生的氮?dú)浔壤潭ň鶆?，氨氣分解后氮和氫的比例?∶3，其保護(hù)還原性好，芯片沾潤(rùn)性高；設(shè)備簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，能耗低，原料消耗也比較少，氨分解后直接生成氮?dú)浠旌蠚?，無需用專門的氣混裝置對(duì)氮?dú)溥M(jìn)行混合，節(jié)約了設(shè)備成本。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101494179SQ20081019629
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月27日
發(fā)明者何振志, 鄭建華 申請(qǐng)人:南通華隆微電子有限公司