專利名稱：通過控制拋光溫度改進化學(xué)機械拋光的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體上涉及集成電路的加工工藝，更特別地涉及進行化學(xué)機械
拋光(CMP)工藝的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
CMP處理被廣泛地用于制造集成電路。由于集成電路是通過在半導(dǎo)體 晶片的表面上逐層建立起來的，因此，CMP被用于使得最上層或者最上幾 層平坦化，以提供水平的表面進行后續(xù)制造步驟。通過將晶片置于載具中 進行CMP，其中所述載具將被拋光的晶片表面壓到壓盤上的拋光墊。旋轉(zhuǎn) 壓盤和晶片載具，同時將含有磨料微粒和反應(yīng)性化學(xué)制品的漿液施加到拋 光墊。通過多孔拋光墊的旋轉(zhuǎn)，將漿液傳送到晶片表面。拋光墊和晶片表 面之間的相對移動結(jié)合漿液中反應(yīng)性化學(xué)制品的共同作用使得CMP通過 物理和化學(xué)力將晶片表面變平。
在制造集成電路的過程中的許多節(jié)點都可以使用CMP。例如，CMP 可以用于使得層間電介質(zhì)層平坦化，其中所述層間電介質(zhì)層將集成電路中 的多個電路層分開。CMP通常還用于形成銅線，該銅線將集成電路的組件 相互連接。
傳統(tǒng)的CMP工藝具有多種缺點。首先，難以控制均勻性，包4舌晶片內(nèi) 部的均勻性和晶片間的均勻性。例如，當(dāng)對銅互連層進行平坦化時，即使 使用高級的工藝控制來調(diào)節(jié)拋光時間，銅的薄層電阻(Rs)的總變化(晶 片間加上晶片內(nèi))也會高于15%。第二，傳統(tǒng)的CMP工藝通常不能從晶片 上去除所期望的量的材料，這意味著需要對晶片再加工。通常，20%以上 的晶片需要再加工。第三，需要許多假片(dummy wafer)用于調(diào)節(jié)新的拋 光墊，及用于調(diào)節(jié)每批次之間拋光墊(在每批次之間CMP設(shè)備被閑置)， 通常每天超過20個假片。第四，由于晶片間顯著的不均勻性，各拋光墊的拋光壽命會顯著不同。上面所述的缺點意味著CMP工藝具有低產(chǎn)率和高消 耗品成本(例如假片、拋光墊等)。
為了解決上述問題，已經(jīng)開發(fā)了用于改進CMP處理的方法。例如，已 經(jīng)提出的包括控制壓盤、晶片載具和漿液的溫度的方法。然而，發(fā)現(xiàn)這些 方法具有有限的效果。因此，需要得到改進效果的新方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式包括制備CMP工藝用拋光墊的方法，在CMP工藝 中在用拋光墊拋光晶片之前，使用溫度控制的清洗溶液對所述拋光墊進行 清洗。分配到晶片上的清洗溶液的溫度與室溫不同。所述清洗溶液可以含 有去離子(DI)水，或可以僅由去離子水構(gòu)成。而且，在對晶片進行拋光 之后，在進行下一步拋光步驟之前，可以使用不同溫度的清洗溶液對該拋 光墊進行清洗。本發(fā)明通過使用不同溫度的清洗溶液，來調(diào)整最佳化的拋
光溫度o
本發(fā)明的其他實施方式包括用于制造集成電路的設(shè)備，其中所述設(shè)備
包括拋光墊；清洗臂，其被設(shè)置成可以在所述拋光墊上移動；連接到所述 清洗臂上的管；和連接到所述管的溫度控制器。在將清洗溶液分配到所述 拋光墊之前，所述溫度控制器將所述清洗溶液的溫度控制到期望的溫度設(shè) 定點。
本發(fā)明的有利特征包括提高的晶片間和晶片內(nèi)部的均勻性，延長的拋 光墊壽命以及減少了假片的使用。


為了更全面地理解本發(fā)明以及其優(yōu)點，請參考后面結(jié)合附圖的描述， 其中
圖1描述了本發(fā)明的第一實施方式，具有溫度控制器的CMP系統(tǒng)，其 中所述溫度控制器采用含有熱交換介質(zhì)的罐；
圖2描述了本發(fā)明的第二實施方式，其中CMP系統(tǒng)中包括具有溫度控 制器的CMP系統(tǒng)，其中所述溫度控制器包括熱交換管；圖3描述了本發(fā)明的第三實施方式，其中在CMP系統(tǒng)中包括兩種溫度 控制器；
圖4,描述了一種集成電路結(jié)構(gòu)，在其上可以有效地進行兩個連續(xù)的 CMP工藝；
圖5描述了在使用室溫去離子水對用于拋光晶片的拋光墊進行清洗之 后，沿著多個晶片的直徑所去除的TaN的量的變化；
圖6描述了在使用溫度控制的去離子水對用于拋光晶片的拋光墊進行 清洗之后，沿著多個晶片的直徑所去除的TaN的量的變化。
具體實施例方式
下面詳細討論本發(fā)明優(yōu)選實施方式的實施和應(yīng)用。然而，需要理解的 是本發(fā)明提供了許多可以實施的發(fā)明概念，可以在許多具體的情況中被實
發(fā)明，并不限制本發(fā)明的范圍。
參考圖l-3對本發(fā)明的示范性實施方式進行討論，其中圖l-3描述了用 于完成本發(fā)明方法的示范性CMP系統(tǒng)。圖1中的CMP系統(tǒng)包括被載具10 所保持的晶片16、保持在壓盤13上的拋光墊12，漿液分配噴嘴14和高壓 清洗臂20。載具10將待拋光的晶片16的表面壓向拋光墊12。在拋光的過 程中，拋光墊12和晶片16都被旋轉(zhuǎn)，在某些實施方式中，晶片16還可以 沿著拋光墊12的徑向移動。晶片16和拋光墊12可以以相同的方向旋轉(zhuǎn)， 或者它們可以以相反的方向相反地旋轉(zhuǎn)。高壓清洗臂20被用于分配清洗溶 液，例如去離子(DI)水。在清洗步驟中，高壓清洗臂20可以在拋光墊 12上移動，并在沒有進行清洗時被移開。
高壓清洗臂20通過管21與溫度控制器22連接。在本發(fā)明的一個實施 方式中，溫度控制器22用于將高壓清洗臂20所分配的清洗溶液的溫度確 保在期望的溫度。清洗溶液可以是去離子水，當(dāng)然清洗溶液還可以含有少 量的添加劑。因此，溫度控制器22包括用于引入設(shè)備供應(yīng)的溶液的入口 26,該溶液通常是室溫的。泵28可以與溫度控制器22的入口 26連接，用 于控制設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液的流速。
6在圖1的實施方式中，溫度控制器22包括用于保持一定量熱交換介質(zhì)
32的容器30。熱交換介質(zhì)32可以是水、油等。嵌入元件34可以是加熱元 件或冷卻元件，嵌入元件34被浸入到熱交換介質(zhì)32中，并用于調(diào)節(jié)熱交 換介質(zhì)32的溫度。混合器36用于攪拌熱交換介質(zhì)32以得到容器30中所 包含的熱交換介質(zhì)32中基本均一的溫度。設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液流經(jīng)浸在熱 交換介質(zhì)32中的熱交換管40?？蓪峤粨Q管40巻起以提高熱交換效率。 可以將各種溫度傳感器44浸入熱交換介質(zhì)32中，以探測熱交換介質(zhì)32的 溫度。溫度傳感器44也可以與管21連接以感應(yīng)溫度控制器22所輸出清洗 溶液的溫度，其中所述輸出清洗溶液的溫度與設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液的溫度 不同?？梢詫峤^緣材料42繞在容器30和/或管21外以減少熱損失。
盡管提到的是在室溫，但流進入口 26內(nèi)的設(shè)備供應(yīng)的溶液可以具有比 CMP所位于環(huán)境的室溫高或低的溫度，其中所述室溫可以是例如在大約 20。C和大約25。C之間，或者大約24。C。在流經(jīng)溫度控制器22之后，設(shè)備 供應(yīng)的室溫溶液的溫度被提高或降低，例如提高或降低大約2。C以上，甚 至大約3。C以上。在本文中，從溫度控制器22流出的設(shè)備供應(yīng)的控制溫度 的溶液被稱作清洗溶液。
為了更好地實現(xiàn)清洗溶液的溫度控制，CMP系統(tǒng)還可以包括控制單元 46。溫度傳感器44所感應(yīng)到的溫度可以被反饋到控制單元46,控制單元 46監(jiān)控所感應(yīng)的溫度，并將所感應(yīng)到的溫度與預(yù)先確定的設(shè)定點進行比較。 如果所感應(yīng)到的溫度偏離設(shè)定點，則控制單元46控制嵌入元件34以調(diào)節(jié) 溫度，直到高壓清洗臂20所噴射的清洗溶液的溫度是期望的溫度。
溫度控制的清洗溶液可以用于CMP的各個步驟?？梢酝ㄟ^圖1中所示 設(shè)備進行的示范性CMP處理包括多個步驟。首先，將晶片16安裝在載具 IO上。接著通過將高壓清洗臂20置于拋光墊12上，并將清洗溶液噴射到 旋轉(zhuǎn)的拋光墊12上以使用溫度控制的清洗溶液進行高壓清洗。同時，可以 對載具IO進行定位以便使得晶片16高出拋光墊12，從而晶片16不會被 清洗。可替換的，可以將晶片16降低以接觸拋光墊12,或者至少足夠接 近拋光墊12,以便拋光墊12和晶片16都能夠被清洗。在完成高壓清洗之 后，可以將高壓清洗臂20從拋光墊12上移開。接著，將漿液預(yù)先在漿液分配噴嘴14和漿液分配系統(tǒng)(未顯示)的上 游管(未顯示)中流動，以去除殘余的漿液，并且用于穩(wěn)定漿液流速。接
著通過同時將載具IO將晶片16壓向拋光墊12，將漿液分配到拋光墊12 上，并旋轉(zhuǎn)晶片16和拋光墊12以對晶片16進行拋光。可以不依賴清洗溶 液的溫度，控制漿液、拋光墊、與晶片的溫度?？蛇x擇的，壓盤13的溫度 可以被調(diào)節(jié)，例如通過在壓盤內(nèi)循環(huán)液態(tài)熱交換介質(zhì)。
在進行前述拋光步驟之后，進行清洗拋光，其中晶片13仍與拋光墊 12接觸，晶片和拋光墊繼續(xù)旋轉(zhuǎn)。在清洗拋光過程中，再一次將高壓清洗 臂20置于拋光墊12之上，在此處，高壓清洗臂20再一次將清洗溶液噴射 到拋光墊12上。由于晶片16仍與拋光墊12接觸，因此晶片16也被清洗。 接著，去除漿液和主拋光所產(chǎn)生的物質(zhì)，并清洗拋光墊12和晶片16。
在清洗拋光過程中，不使用溫度被控制在高于室溫或低于室溫的清洗 溶液，可以使用設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液對拋光墊12和晶片16進行清洗，其 中所述設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液可以具有基本上接近定位CMP系統(tǒng)室溫的溫 度，例如在大約20。C-大約25。C之間，或者大約24。C。
在清洗拋光之后，從載具10拆下晶片16,并對晶片16進行后拋光清 洗步驟。接著，使用控制溫度或室溫的清洗溶液對拋光墊12進行清洗。接 著，可以進行所有上述CMP步驟，以拋光后續(xù)的晶片。
在許多實施方式中，清洗溶液具有被控制到高于室溫的溫度。通常， 清洗溶液的溫度至少比設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液的溫度高大約2°C。更優(yōu)選， 清洗溶液具有大約26。C-大約IO(TC之間的溫度，更優(yōu)選在大約30。C-大約 65。C之間。對于給定的拋光工藝，清洗溶液溫度的優(yōu)選選擇依賴于在拋光 工藝過程中需要去除的材料，晶片的特征尺寸，拋光墊的特性和漿液的成 分。例如，如果對體銅層(bulk c叩per layer)進行拋光，則通常較優(yōu)的清 洗溶液的溫度在大約30。C-大約40。C之間?？商鎿Q的，如果對TaN阻擋層 進行拋光，則較優(yōu)的清洗溶液溫度在大約40。C-大約50。C之間。由于TaN 阻擋層比體銅層的構(gòu)圖更復(fù)雜，因此TaN層構(gòu)圖的特征尺寸可能會影響較 優(yōu)的清洗溶液溫度。在一個示范性的實施方式中，可以使用溫度較高的清 洗溶液對標(biāo)稱特征尺寸較小的晶片進行清洗。例如，對于標(biāo)稱特征尺寸為65nm的晶片，較優(yōu)的清洗溶液溫度可以接近40°C，而對于具有32nm或 45nm較小標(biāo)稱特征尺寸的晶片，較優(yōu)的清洗溶液溫度可以接近50°C。
使用圖1中所描述的實施方式，或者圖2和圖3中的替換實施方式可 以達到清洗溶液溫度的提高。有利的是，加熱的清洗溶液有助于促進CMP 工藝的化學(xué)反應(yīng)。加熱的清洗溶液還能軟化拋光墊12，這導(dǎo)致拋光墊12 和晶片16之間更好的接觸。結(jié)果還改進了 CMP的物理反應(yīng)部分。使用本 發(fā)明的實施方式，無需通過拋光假晶片也能夠使拋光墊12達到要求。具體 的，對于使用新拋光墊12進行第一次拋光，以及在CMP系統(tǒng)被閑置一段 時間后的第一次拋光，均不需要先在假晶片上拋光。而且，可以對具有集 成電路的實際生產(chǎn)的晶片進行上述第 一次拋光。
在替換的實施方式中，控制清洗溶液的溫度低于室溫。在替換的實施 方式中，清洗溶液的溫度比設(shè)備供應(yīng)的溶液溫度低大約2。C或更多的溫度。 更優(yōu)選地，清洗溶液具有在大約rC-大約22。C之間的溫度，更優(yōu)選在大約 17"-大約22。C之間。使用圖l-3中所描述采用冷卻器(一個或多個)的實 施方式，可降低清洗溶液的溫度。實驗顯示清洗溶液溫度的降低會導(dǎo)致拋 光墊12的整體溫度的降低。溫度的降低會改善拋光某些構(gòu)形的均一性，特 別是對于拋光體銅層，其中可以提高晶片中心-邊緣的均一性。
圖2描述了替換的CMP系統(tǒng)，其使用熱交換管50加熱或冷卻設(shè)備供 應(yīng)的室溫溶液。在圖l和圖2中，相同的參數(shù)用于表示相同的元件。熱交 換管50加熱或冷卻設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液，因此所得到的清洗溶液的溫度可 以比流入入口 26的設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液的溫度高或低。另外，控制單元 46被用于將從高壓清洗臂20分配的清洗溶液的溫度維持在所期望的范圍 內(nèi)。
圖3中所示實施方式包括具有兩個溫度控制器的CMP系統(tǒng)。圖3中系 統(tǒng)的一個溫度控制器被配置為對設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液進行加熱，另 一個溫 度控制器被配置為對設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液進行冷卻。在另一個實施方式中， 兩個溫度控制器都可以輸出相互溫度不同的被加熱的清洗溶液。在另 一 個 實施方式中，兩個溫度控制器都可以輸出相互溫度不同的被冷卻的清洗溶 液。在圖3中，CMP系統(tǒng)包括兩個溫度控制器22!和222，兩個高壓清洗臂20,和202。因此，在單個CMP系統(tǒng)中均可以提供被加熱的清洗溶液和被冷 卻的清洗溶液，如在后面段落中所詳細討論的，其可以用于拋光單個晶片 上的不同構(gòu)形或不同的晶片。
可采用圖3中所示CMP系統(tǒng)達到CMP工藝組合的較優(yōu)效果。圖4描 述了在其上進行兩次CMP工藝的鑲嵌結(jié)構(gòu)。該鑲嵌結(jié)構(gòu)包括低k值的電介 質(zhì)層60、(擴散)阻擋層62以及體銅層64。擴散阻擋層62可以由鈦、鉭、 氮化鉭等形成。進行第一次CMP工藝，用于去除體銅層64，直到暴露出 擴散阻擋層62。第一次CMP工藝可以在虛線66處停止。接著，進行第二 次CMP工藝，以去除暴露的擴散阻擋層62，直到暴露出低k值的電介質(zhì) 層60。在一個實施方式中，去除體銅層64的第一次CMP工藝是在使用冷 卻的清洗溶液(例如溫度為大約2(TC和大約22°C )對拋光墊12進行清洗 之后進行的?？商鎿Q地，第一次CMP工藝可以在使用被加熱到大約30°C-大約40。C之間的清洗溶液對拋光墊12進行清洗之后進行的。無論被加熱 的或被冷卻的清洗都能夠提高第 一 次C MP工藝的均 一 性。去除擴散阻擋層 62的第二次CMP工藝是使用被加熱的清洗溶液清洗的拋光墊12進行的， 例如如果阻擋層是TaN，則使用溫度為大約4(TC-大約5(TC的清洗溶液進 行清洗。通過采用兩次不同溫度的清洗，兩次CMP工藝的每一次的均一性 可以得到優(yōu)化。
本發(fā)明的實施方式顯著改進了 CMP工藝。為了將本發(fā)明實施方式的結(jié) 果與現(xiàn)有技術(shù)實施方式的結(jié)果進行比較，制備了兩組樣品，其中將第一組 樣品晶片在每次主拋光之前使用室溫去離子水進行清洗，而將第二組樣品 晶片在每次主拋光之前使用50。C的去離子水進行清洗。使用JTS 009-5拋 光墊和JSR T3B漿液在Applied Materials Reflexion LK CMP系統(tǒng)上進行 CMP工藝。清洗溶液的流速(室溫或者控制溫度的)為8L/分鐘。實驗結(jié) 果顯示經(jīng)過半個月的時間，所觀察到的去除速率的標(biāo)準(zhǔn)偏差從第一組樣品 的56.53相對值降低到第二組樣品晶片的34.46相對值。非均一性的平均值 從第一組樣品的7.83%降低到第二樣品組晶片的4.35%。中心-邊緣的平均 值從第一組樣品晶片的29.30A降低到第二組樣品晶片的11.0lA。進一步的 實驗顯示盡管沒有進行拋光時間的調(diào)節(jié)，沒有進行假晶片拋光，沒有進行重復(fù)工作，但在拋光墊的壽命內(nèi)(拋光580個晶片)被拋光構(gòu)形的厚度一
直在目標(biāo)范圍內(nèi)。
圖5和6對采用室溫清洗(圖5)的CMP工藝和采用控制溫度清洗的 CMP工藝(圖6)的材料去除速率分布進行了比較。先前描述的CMP系統(tǒng)， 拋光墊和漿液用于產(chǎn)生圖5和6中所顯示的結(jié)果。圖5和6的圖表顯示CMP 工藝的去除速率分布，其中去除的材料是TaN阻擋層。在這些圖表中，Y 軸以A為單位表示去除的材料的量，而X軸上的點對應(yīng)沿著晶片直徑的位 置，其中點25是晶片的中心，點1和49時晶片上相對的邊界點。在圖5 和6的每個中，較低的線(例如線70和80)表示在將每種拋光墊用于拋 光相對少量的晶片時所獲得的結(jié)果，而較高的線(例如線76和88)表示 在將每種拋光墊用于拋光相對大量的晶片后所獲得的結(jié)果。
參考圖5,使用室溫去離子水對樣品晶片進行清洗，發(fā)現(xiàn)如果將單個 拋光墊用于拋光少量的晶片(例如對于70線、IOO片而言)，則每種晶片 中心部分的TaN去除速率低于晶片邊緣區(qū)域的TaN去除速率。在使用相同 的拋光墊對更多晶片進行拋光后，晶片中心的TaN去除速率得到提高，并 且最終，中心區(qū)的去除速率高于比邊緣區(qū)的去除速率。作為比較，圖6顯 示從使用50。C去離子水清洗的樣品晶片所獲得的結(jié)果。發(fā)現(xiàn)在拋光墊的壽 命中，TaN的中心去除速率一直接近邊緣去除速率。而且隨著拋光墊所處 理的晶片數(shù)目提高，去除速率分布保持不變。
本發(fā)明的實施方式具有許多有利特征。首先，顯著改善了拋光處理的 不均一性(包括晶片內(nèi)的部均一性以及晶片間不均一性)。這種改進能夠 顯著降低或者甚至消除對晶片進行再加工或者通過使用假晶片監(jiān)控去除速 率來調(diào)節(jié)拋光時間的需要。所需CMP耗材的量得到顯著降低，因為基本上 避免了假片拋光，拋光墊的壽命延長，并且重作的減少。
盡管已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明和其優(yōu)點，但應(yīng)該理解的是，這里可以進 行多種改變，替換和變化，而不離開所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的主旨和 范圍。而且，本發(fā)明的范圍不限于在說明書中描述的處理、設(shè)備、制造和 物質(zhì)的組合、手段、方法和步驟的具體實施方式
。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易從 本發(fā)明的公開內(nèi)容中理解無論是目前存在的，還是將來開發(fā)的完成與這里所描述的對應(yīng)實施方式基本相同的功能，或者達到基本相同的結(jié)果的處理、 設(shè)備、制造和物質(zhì)的組合、手段、方法和步驟都可以在本發(fā)明中利用。因 此，所附的權(quán)利要求是為了在其范圍內(nèi)包括這些處理、設(shè)備、制造和物質(zhì) 的組合、手段、方法和步驟。
權(quán)利要求
1.一種制備用于化學(xué)機械拋光(CMP)工藝的拋光墊的方法，所述方法包括將第一清洗溶液的溫度控制到第一期望的溫度設(shè)定點；使用所述溫度控制的第一清洗溶液對拋光墊進行清洗；以及在清洗步驟之后，對第一晶片的表面進行CMP工藝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溫度控制的第一清洗溶液是 去離子水。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一期望的溫度設(shè)定點與進 行所述CMP處理的環(huán)境室溫相差超過大約2°C。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一期望的溫度設(shè)定點高于 或低于所述室溫超過大約3°C。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一期望的溫度設(shè)定點在大約26。c 大約io(rc之間，或所述第一期望的溫度設(shè)定點在大約rc 大約22。C之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對第一清洗溶液溫度進行控制的 步驟是通過含有熱交換介質(zhì)的溫度控制器完成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在對所述第一晶片的表面進行CMP 工藝的步驟之后，還包括使用室溫清洗溶液對所述拋光墊進行清洗，或使 用室溫清洗溶液對拋光墊和第 一 晶片均進行清洗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在將所述第一晶片的表面進行CMP 工藝的步驟之后，還包括將第二清洗溶液的溫度控制到第二期望的溫度設(shè)定點； 使用所述第二清洗溶液清洗所述拋光墊；以及 在清洗步驟之后，對第二晶片的表面進行附加的CMP工藝。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一溫度設(shè)定點低于室溫， 且所述第二溫度設(shè)定點高于室溫。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有銅，所述第一期望的溫度設(shè)定點在大約30。C-大約40。C之間，所述第二期望的 溫度設(shè)定點在大約40。C-大約50。C之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有銅， 所述第一期望的溫度設(shè)定點在大約30°C-大約40。C之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一晶片的表面含有TaN, 所述第一期望的溫度設(shè)定點在大約40。C-大約50。C之間。
13. —種用于在晶片上加工集成電路的設(shè)備，所述設(shè)備包括 拋光墊；清洗臂，其被設(shè)置成可以在所述拋光墊上移動； 連接到所述清洗臂上的管；和連接到所述管的第一溫度控制器，所述第一溫度控制器被配置成將室 溫溶液的溫度控制到第 一 期望的溫度設(shè)定點。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其還包括與所述第一溫度控制器和 管之一連接的溫度傳感器，和與所述溫度傳感器和所述第一溫度控制器連 接的控制單元，其中所述控制單元被配置成使用從所述溫度傳感器獲得的 數(shù)據(jù)控制所述第 一 溫度控制器。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其還包括與所述管連接的第二溫度 控制器，所述第二溫度控制器被配置成將所述室溫溶液的溫度控制到第二 期望的溫度設(shè)定點。
全文摘要
一種用于在晶片上加工集成電路的方法，其包括提供設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液；將所述設(shè)備供應(yīng)的室溫溶液的溫度控制到期望的溫度設(shè)定點，以得到清洗溶液；以及使用所述清洗溶液清洗拋光墊。接著通過化學(xué)機械拋光工藝對晶片進行拋光。
文檔編號H01L21/00GK101630629SQ20081019297
公開日2010年1月20日 申請日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者何明哲, 汪青蓉, 許呈鏘 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司