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通過控制拋光溫度改進(jìn)化學(xué)機(jī)械拋光的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6903368

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本發(fā)明整體上涉及集成電路的加工工藝,更特別地涉及進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的設(shè)備和方法。 背景技術(shù)CMP處理被廣泛地用于制造集成電路。由于集成電路是通過在半導(dǎo)體 晶片的表面上逐層建立起來的,因此,CMP被用于使得最上層或者最上幾 層平坦化,以提供水平的表面進(jìn)行后續(xù)制造步驟。通過將晶片置于載具中 進(jìn)行CMP,其中所述載具將被拋光的晶片表面壓到壓盤上的拋光墊。旋轉(zhuǎn) 壓盤和晶片載具,同時(shí)將含有磨料微粒和反應(yīng)性化學(xué)制品的漿液施加到拋 光墊。通過多孔拋光墊的旋轉(zhuǎn)...
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