專利名稱：白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。更詳細地，本發(fā)明涉 及制造在藍色發(fā)光二極管芯片內(nèi)部形成熒光體層而發(fā)出白色光的白色發(fā)光 二極管芯片的制造方法及由此制造的白色發(fā)光二極管芯片。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管元件是將電信號轉(zhuǎn)換為光信號的器件，若施加電信號，則 發(fā)光二極管元件發(fā)出光。 一般，發(fā)光二極管元件是在包括電極引腳的引腳 框安裝發(fā)光二極管芯片形成。根據(jù)發(fā)光二極管芯片的種類，發(fā)光二極管元 件發(fā)出發(fā)光波長相當于藍色、紅色、綠色的光。
發(fā)光二極管元件具有優(yōu)良的單色峰值波長，并具有光效率優(yōu)良且可小 型化的優(yōu)點，因此，發(fā)光二極管元件廣泛使用于多種顯示裝置及光源。特 別是，白色發(fā)光二極管元件作為可取代照明裝置或顯示裝置的背光源的高 功率及高效率的光源受注目。
作為實現(xiàn)這種白色發(fā)光二極管元件的方法，過去主要使用在藍色發(fā)光 二極管芯片的外部包敷熒光體而轉(zhuǎn)換為白色光的方法。
作為一例，有形成覆蓋藍色發(fā)光二極管芯片的周圍及上部的熒光體樹 脂層而實現(xiàn)發(fā)出白色光的白色發(fā)光二極管元件的方法。這時，熒光體樹脂
層由混合YAG (Y-Al-Ga類)熒光體和環(huán)氧樹脂或硅樹脂的熒光體形成。 在由包圍藍色發(fā)光二極管芯片的注射反射板形成的空間中填充熒光體樹脂 層，從而可以形成覆蓋藍色發(fā)光二極管芯片的周圍及上部的熒光體樹脂層。 由藍色發(fā)光二極管芯片發(fā)出的藍色光中的一部分通過包含在樹脂層中的 YAG熒光體被激勵為峰值波長為555nm的黃綠色光，該黃綠色光和由藍色 發(fā)光二極管芯片直接發(fā)出的藍色光被合成而發(fā)出希望的白色光。
但是，通過這種方式制造的白色發(fā)光二極管元件存在具有低的量子效 率及低的顯色指數(shù)的問題。并且，這種白色發(fā)光二極管元件具有顯色指數(shù) 隨著電流密度變化的缺點，而具有難以發(fā)出接近太陽光的白色光的缺點。
此外，這種過去的制造方法需要在發(fā)光二極管芯片的上部包覆熒光體 的工序，所以有制造成本上升的問題。此外，根據(jù)過去的白色發(fā)光二極管元件制造方法，對填充在注射反射 板內(nèi)部的樹脂的量、時間及粘度的變化敏感，可能做出根據(jù)工作時的條件 發(fā)出其它顏色的光的二極管元件，降低工序的合格率。
另外，在藍色發(fā)光二極管芯片的上部形成熒光體層，從而具有白色發(fā) 光二極管芯片的整體厚度增大的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決如上述的問題而做出的，本發(fā)明所要解決的課題是 最大限度地利用藍色發(fā)光二極管芯片的效率的同時，以簡單的工序提供一 種具有高顯色指數(shù)的高效率的白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
本發(fā)明要實現(xiàn)的另一課題是將藍色發(fā)光二極管芯片變換為發(fā)出白色 光的二極管芯片，可以大幅減小應(yīng)用該芯片的白色發(fā)光二極管元件的厚度 的白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
為實現(xiàn)上述課題的根據(jù)本發(fā)明的一實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造 方法包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成 在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的 上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分 別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發(fā)光 二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述 第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟。
在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述緩沖層下和上述第2包層上 中的某一個形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，還可以包括形 成反射層的步驟。在上述緩沖層下形成上述熒光體層時，上述反射層可以 形成在上述熒光體層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時，上述反 射層可以形成在上述緩沖層下。
形成上述熒光體層的步驟可以包括在上述緩沖層下形成第1熒光體 層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分形成第2 熒光體層的步驟。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層， 剩余的一個是綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，利用包括 絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分
露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2 包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發(fā)光二極管芯片制造白 色發(fā)光二極管芯片。白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在上述絕緣體基板 下和上述第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟。
在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述絕緣體基板下和上述第2包 層上中的某一個形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光 體層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法還可以包括形成 反射層的步驟。在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時，上述反射層形 成在上述熒光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時，上述 反射層可以形成在上述絕緣體基板下。
形成上述熒光體層的步驟可以包括在上述絕緣體基板下形成第1熒 光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分形成 第2熒光體層的步驟。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層， 剩余的一個是綠色熒光體層。
上述紅色熒光體層由對CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形 成，上述綠色熒光體層由對CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或 對BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法還可以包括 在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片，可以通過上述的根據(jù)本 發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片制造方法中的任一種制造方法制造。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例的白色發(fā)光二極管芯片包括藍色發(fā)光二極管芯 片和熒光體層。藍色發(fā)光二極管芯片包括緩沖層、形成在上述緩沖層上的 第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分 露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2 包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極。熒光體層形成在上述緩沖層 下和上述第2包層上中的一個以上。
上述熒光體層可以僅形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一 個；上述熒光體層可以是紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括反射層。在上述緩沖層下形成上述熒光體層時，上述反射層可以形成在上述熒光體
層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時，上述反射層可以形成在上 述緩沖層下。
上述熒光體層可以包括第1熒光體層，形成在上述緩沖層下；及第2 熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層， 剩余的一個可以是綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片包括藍色發(fā)光二極管 芯片和熒光體層。藍色發(fā)光二極管芯片包括絕緣體基板、形成在上述絕緣 體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包 層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活 性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電 極和陰極電極。
熒光體層形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的一個以上。 上述熒光體層可以僅形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的
某一個；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括反射層。在上
述絕緣體基板下形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述熒光體層下；
在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述絕緣
體基板下。
上述熒光體層可以包括第1熒光體層，形成在上述絕緣體基板下； 及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分。
上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層， 剩余的一個是綠色熒光體層。
上述紅色熒光體層由對CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形 成，上述綠色熒光體層由對CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或 對BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。
根據(jù)本發(fā)明的再一實施例的白色發(fā)光二極管芯片還可以包括形成在上 述第1熒光體層下的反射層。
本發(fā)明的有益效果如下
根據(jù)本發(fā)明，白色發(fā)光二極管芯片本身可以發(fā)出藍色光子、紅色光子、 及綠色光子的全部的、具有高顯色指數(shù)的高亮度的白色光，并且可以具有 使用過去的YAG類熒光體做成的白色發(fā)光二極管元件不具備的卯以上的高顯色指數(shù)。
另外，在芯片本身形成熒光體層，從而可以省略過去在發(fā)光二極管芯 片上配設(shè)熒光環(huán)氧樹脂的工序，可以削減制造成本，并且可以減少工序投 資費用。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。
圖中符號-
111:陽極電極
112:陰極電極
115:緩沖層
116:絕緣體基板
114:第l包層
1134、 1135、 1136、 1137:活性層 1133、 113:第2包層
1171:紅色熒光體層 1131:綠色熒光體層 118:反射層
具體實施例方式
以下參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。
在圖中，為了清楚地表現(xiàn)各層及區(qū)域，放大厚度而表示。在整個說明 書，對類似的部分附加相同的附圖符號。在說層或膜等的部分位于其它部 分"上"或"下"時，這不僅包括就在其它部分"上"或"下"的情況， 還包括在其中間有其它部分的情況。相反，某個部分就在其它部分"上" 或"下"時，表示其中間沒有其它部分。
首先，參照圖1詳細說明根據(jù)本發(fā)明一實施例的白色發(fā)光二極管芯片 及其制造方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。 根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片可以在過去的藍色發(fā)光二 極管芯片的上端和下端中的任一個以上形成熒光體層來實現(xiàn)。
圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的一實施例的白色發(fā)光二極管芯片包括去除位于過去的藍色發(fā)光二極管芯片的最下端的絕緣體基板(圖1未示出)之后
分別形成在芯片的下端及上端的紅色熒光體層1171和綠色熒光體層1131。
首先，對用于根據(jù)本發(fā)明的實施例的白色發(fā)光二極管芯片的制造的過 去的藍色發(fā)光二極管芯片進行說明。
藍色發(fā)光二極管芯片在其最下端包括絕緣體基板。絕緣體基板可以用 如藍寶石(A1203)的絕緣體形成。
在絕緣體基板上依次形成緩沖層115、第1包層114、活性層1137、 1136、 1135 、 1134、以及第2包層1133 、 113 。利用如MOCVD(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition:金屬氧化物化學氣相沉積)依次生長緩沖層115、第1 包層114、活性層1137、 1136、 1135、 1134、以及第2包層1133、 113之后， 利用如反應(yīng)離子蝕刻的方法蝕刻第2包層1133、 113和活性層1137、 1136、 1135、 1134的預(yù)定的部分，從而可以做出如圖1所示的形態(tài)的層狀結(jié)構(gòu)。 例如，緩沖層115可以生長AlGaN類、GaN類、或AlInN類形成，在圖中 示出緩沖層115由三個層構(gòu)成的情況，但緩沖層115的數(shù)量不限于此。第1 包層114可以由摻雜硅(Si)的GaN類形成?；钚詫?137、 1136、 1135、 1134可以由GaN類或InGaN類的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成。第2包層1133、 113 可以由摻雜鎂(Mg)的AlGaN類和GaN類形成。
并且，陰極電極(N型電極)112和陽極電極(P型電極)111分別形 成在第1包層114和第2包層1133、 113。陰極電極112形成在第1包層 114的上表面中的露出的部分，形成為與活性層1137、 1136、 1135、 1134 隔開。
另一方面，在圖中雖未圖示，藍色發(fā)光二極管芯片還可以包括形成在 第2包層113上的、用于在靜電放電中保護芯片的ESD (electrostatic discharge靜電放龜)層。這時，形成于藍色發(fā)光二極管芯片的上端的熒光 體層(在圖1中用1131指示的層)可以形成在ESD層上，這時當然也屬 于本發(fā)明的保護范圍。
首先，如上所述，去除位于藍色發(fā)光二極管芯片的最下端的絕緣體基 板(在圖1中未圖示)。例如，絕緣體基板可以通過研磨去除。通過去除絕 緣體基板，露出位于其上的緩沖層115的下表面。絕緣體基板的材質(zhì)的特 性上降低光的亮度，但是，通過去除絕緣體基板，可以改善從白色發(fā)光二 極管芯片發(fā)出的光的亮度。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，在緩沖層115下或第2包層1133、 113上中的 一個以上形成熒光體層。紅色熒光體層1171形成在露出的緩沖層115的下表面。紅色熒光體層 1171可以蒸鍍或鍍敷紅色激勵熒光體(CaAlSiN3: Eu)而形成。
另外，綠色熒光體層1131形成在藍色發(fā)光二極管芯片的上表面即第2 包層1133、 113的上表面。綠色熒光體層1131可以蒸鍍或鍍敷綠色激勵熒 光體(CaSc204:Ce)
由此，如圖1所示，實現(xiàn)在緩沖層115下形成紅色熒光體層1171并在 第2熒光體層1133、 113形成綠色熒光體層1131的白色發(fā)光二極管芯片。
另外，如圖1所示，反射層118還可以形成在紅色熒光體層1171下。 反射層118可以蒸鍍?nèi)玟X那樣的可反射光的任意的材料形成。通過設(shè)置反 射層118，向下方前進的光向上方反射而可以改善發(fā)光二極管芯片的光效 率。
在圖1中，示出在緩沖層115下和第2包層1133、 113上均形成熒光 體層1171、 1131的情況，但是，可以省略這兩個熒光體層1171、 1131中 的任意一個。此外，在圖1中，示出在緩沖層115下形成紅色熒光體層1171， 在第2包層1133、 113上形成綠色熒光體層1131的情況，但是也可以在緩 沖層115下形成綠色熒光體層，在第2包層1133、 113上形成紅色熒光體 層。
未在緩沖層115下形成熒光體層時，反射層118可以就在緩沖層115 下形成。
下面，參照圖2對本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片及其制 造方法進行說明。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的白色發(fā)光二極管芯片的立體圖。 根據(jù)本實施例的白色發(fā)光二極管芯片在未除去過去的藍色發(fā)光二極管 芯片的絕緣體基板的狀態(tài)下包括分別形成在芯片下端及上端的紅色熒光體 層1171和綠色熒光體層1131。
不同于參照圖1說明的實施例，藍色發(fā)光二極管芯片的絕緣體基板116 未被去除的狀態(tài)下紅色熒光體層1171形成在絕緣體基板116的下表面。 另外，如圖2所示，反射層118還可以形成在紅色熒光體層1171下。 在圖2中，示出在絕緣體基板116下和第2包層1133、 113上均形成 熒光體層1171、 1131的情況，但是可以省略這兩個熒光體層1171、 1131 中的任意一個。此外，在圖2中，示出在絕緣體基板116下形成紅色熒光 體層1171，在第2包層1133、 113上形成綠色熒光體層1131的情況，但是， 在本發(fā)明的再一實施例中，可以在絕緣體基板116下形成綠色熒光體層，在第2包層1133、 113上形成紅色熒光體層。
在絕緣體基板116下未形成熒光體層時，反射層118可以就在絕緣體 基板116下形成。
在上述的實施例中，紅色熒光體層1171可以由對CaAlSiN3將銪用作 活性劑的紅色激勵熒光體(CaAlSiN3: Eu)形成，綠色熒光體層1131可以 由對CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體(CaSc204: Ce)或?qū)?BaSr) Si04將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體((BaSr) Si04: Eu)形成。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，活性層1137、1136、1135、1134發(fā)出430至465nm 波帶的藍色光子，該藍色光子通過紅色熒光體層1171的同時，由紅色激勵 熒光體激勵為620至650nm波帶的光譜峰值波長，該藍色光子通過綠色熒 光體層1131的同時，由綠色激勵熒光體激勵為500至580nm波帶的波長。 由此，同時發(fā)出紫色光(430至650nm波帶的光)和藍綠色(cyan)光(430 至580nm波帶的波長的光)，發(fā)出整個可見光區(qū)域(400至800nm波長)。 由此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以實現(xiàn)發(fā)出高顯色指數(shù)的高亮度的光的白 色發(fā)光二極管芯片。
此外，僅形成紅色熒光體層和綠色熒光體層中的任意一個時，可以實 現(xiàn)發(fā)出紫色光(430至650nm波帶的波長的光)和藍綠色光(430至580nm 波帶的波長的光)中的任意一個區(qū)域的可見光區(qū)域的白色發(fā)光二極管芯片。
以上，說明了本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明的權(quán)利要求范圍不限于此， 包括本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員容易根據(jù)本發(fā)明的實施例變更而 被認為等同的范圍的所有變更及修改。
權(quán)利要求
1. 一種白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發(fā)光二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟。
2. 如權(quán)利要求l所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一個形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，還包括形成反射層的步驟，在上述緩沖層下形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述熒光體 層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述緩 沖層下。
4. 如權(quán)利要求l所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 形成上述熒光體層的步驟包括-在上述緩沖層下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分形成第2熒光體層 的步驟。
5. 如權(quán)利要求4所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。
6. —種白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于，利用包括絕緣體 基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包 層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的 活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和 上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發(fā)光二極管芯片制造白色發(fā)光 二極管芯片；該白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在上述絕緣體基板下和上述第2 包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟。
7. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 在形成上述熒光體層的步驟中，僅在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的某一個形成熒光體層，上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
8. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 還包括形成反射層的步驟，在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述熒 光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時，在上述絕緣體基 板下形成反射層。
9. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 形成上述熒光體層的步驟包括 在上述絕緣體基板下形成第1熒光體層的步驟；及在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分形成第2熒光體層 的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的白色發(fā)光二極管芯片制造方法，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。
11. 如權(quán)利要求2、 5、 7及10中的任一項所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法，其特征在于，上述紅色熒光體層由對CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形成，上述綠色熒光體層由對CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或 對BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。
12. 如權(quán)利要求4、 5、 9及10中的任一項所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法，其特征在于，還包括在上述第1熒光體層下形成反射層的步驟。
13. —種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該白色發(fā)光二極管芯片通 過權(quán)利要求1、 2、 4、 5、及6至10中的任一項所述的白色發(fā)光二極管芯片 制造方法制造。
14. 一種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括 藍色發(fā)光二極管芯片，其包括緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和 上述第1包層的陽極電極和陰極電極；以及熒光體層，形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個以上。
15. 如權(quán)利要求14所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，上述熒 光體層僅形成在上述緩沖層下和上述第2包層上中的某一個；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
16. 如權(quán)利要求14或15所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 還包括反射層，在上述緩沖層下形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述熒光體 層下；在上述緩沖層下未形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述緩 沖層下。
17. 如權(quán)利要求14所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述熒光體層包括第1熒光體層，形成在上述緩沖層下；及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分。
18. 如權(quán)利要求17所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。
19. 一種白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括 藍色發(fā)光二極管芯片，其包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使 上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的 第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極 電極，，以及熒光體層，形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的一個以上。
20. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于，上述熒 光體層僅形成在上述絕緣體基板下和上述第2包層上中的某一個；上述熒光體層為紅色熒光體層或綠色熒光體層。
21. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 還包括反射層，在上述絕緣體基板下形成上述熒光體層時，上述反射層形成在上述熒光體層下；在上述絕緣體基板下未形成上述熒光體層時，上述反射層形成 在上述絕緣體基板下。
22. 如權(quán)利要求19所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述熒光體層包括第l熒光體層，形成在上述絕緣體基板下；及第2熒光體層，形成在上述第2包層上中的除上述陽極電極以外的部分。
23. 如權(quán)利要求22所述的白色發(fā)光二極管芯片，其特征在于， 上述第1熒光體層和上述第2熒光體層中的任一個是紅色熒光體層，剩余的一個是綠色熒光體層。
24. 如權(quán)利要求15、 18及20中的任一項所述的白色發(fā)光二極管芯片， 其特征在于，上述紅色熒光體層由對CaAlSiN3將銪用作活性劑的紅色激勵熒光體形成，上述綠色熒光體層由對CaSc204將鈰用作活性劑的綠色激勵熒光體或 對BaSrSi04將銪用作活性劑的綠色激勵熒光體形成。
25. 如權(quán)利要求17、 18、 22及23中的任一項所述的白色發(fā)光二極管芯 片，其特征在于，還包括形成在上述第1熒光體層下的反射層。
全文摘要
本發(fā)明涉及白色發(fā)光二極管芯片及其制造方法。白色發(fā)光二極管芯片制造方法包括在包括絕緣體基板、形成在上述絕緣體基板上的緩沖層、形成在上述緩沖層上的第1包層、形成在上述第1包層上而使上述第1包層的上表面中的一部分露出的活性層、形成在上述活性層上的第2包層、及分別形成在上述第2包層和上述第1包層的陽極電極和陰極電極的藍色發(fā)光二極管芯片中，除去上述絕緣體基板的步驟；以及在上述緩沖層下和上述第2包層上中的一個以上形成熒光體層的步驟。
文檔編號H01L33/20GK101442095SQ20081018134
公開日2009年5月27日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月19日
發(fā)明者金河哲 申請人:日進半導體株式會社