專利名稱：半導(dǎo)體元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，特別涉及一種無(wú)打線接合的發(fā)光二極管元件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode，簡(jiǎn)稱LED)為具有多重優(yōu)點(diǎn)的固態(tài)光源， 其可提供高亮度的可靠光源，因此可應(yīng)用于顯示器、交通標(biāo)志及指示燈上。 LED的制作是通過(guò)在基底上沉積n型摻雜區(qū)、有源區(qū)以及p型摻雜區(qū)而形成， 某些種類的LED在元件的一側(cè)形成n型接點(diǎn)，并在元件的另一相反側(cè)形成p 型接點(diǎn)；其他種類的LED則是在元件的同一側(cè)上形成兩個(gè)接點(diǎn)。
一般而言，傳統(tǒng)的LED封裝結(jié)構(gòu)有兩種形式， 一種為打線接合(wire bonding)的LED元件，如圖1所示，其中LED芯片12附著在基底10上，n 型接點(diǎn)和p型接點(diǎn)都在LED芯片12的同一側(cè)上。通過(guò)打線接合的方式將兩 個(gè)引線14分別連接至LED芯片12的接點(diǎn)，且電性連接至基底10的導(dǎo)線。 然而，打線接合的LED元件有一些缺點(diǎn)，首先，引線14容易受損，因此在 LED芯片12和基底10的導(dǎo)線之間傳送信號(hào)時(shí)會(huì)產(chǎn)生信賴性的問(wèn)題。另外， 打線接合的LED元件還需要在基底上LED芯片12以外的位置保留空間，以 設(shè)置引線14，因此元件的體積較大且成本較高。此外，打線接合的工藝較耗 時(shí)，且元件的產(chǎn)率較低。
另 一種封裝結(jié)構(gòu)為倒裝芯片型(flip chip)LED元件，如圖2所示，其中 LED芯片12以接點(diǎn)面對(duì)基底10的方式，鑲嵌在基底10上，LED芯片12 的接點(diǎn)經(jīng)由錫球16連接至基底10的導(dǎo)線。雖然其元件的信賴度可通過(guò)倒裝 芯片型封裝改善，但是用在倒裝芯片型封裝的LED芯片較打線接合型所用 的芯片貴，而且倒裝芯片封裝型LED元件的制造較困難。
因此，業(yè)界亟需一種LED元件，其可以克服上述問(wèn)題
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，用 于發(fā)光二極管芯片封裝的半導(dǎo)體元件無(wú)打線接合。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一 種半導(dǎo)體元件，包括半導(dǎo)體基底具有空穴，以及發(fā)光二極管芯片設(shè)置于空 穴內(nèi)；空穴內(nèi)以封裝樹(shù)脂填充，以覆蓋發(fā)光二極管芯片；至少兩個(gè)獨(dú)立的金 屬線設(shè)置于封裝樹(shù)脂上，且電性連接至發(fā)光二極管芯片；至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi) 導(dǎo)線層設(shè)置于空穴內(nèi)，且電性連接至獨(dú)立的金屬線；以及至少兩個(gè)獨(dú)立的外 導(dǎo)線層設(shè)置于半導(dǎo)體基底的底部表面上，且電性連接至獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層。
本發(fā)明的一實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括提供半導(dǎo)
體晶片，其具有第一表面及第二表面，形成多個(gè)空穴在半導(dǎo)體晶片的第一表 面上。形成圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層在半導(dǎo)體晶片的第一表面上和所述多個(gè)空穴 內(nèi)，形成圖案化的外導(dǎo)線層在半導(dǎo)體晶片的第二表面上，且電性連接至圖案 化的內(nèi)導(dǎo)線層。提供多個(gè)發(fā)光二極管芯片在相對(duì)的空穴內(nèi)，然后在空穴內(nèi)填 充封裝樹(shù)脂，以覆蓋發(fā)光二極管芯片。形成金屬層在封裝樹(shù)脂和圖案化的內(nèi) 導(dǎo)線層上，其中金屬層穿過(guò)封裝樹(shù)脂，電性連接至發(fā)光二極管芯片。然后， 圖案化金屬層，形成兩個(gè)獨(dú)立的金屬線在封裝樹(shù)脂上，并在相鄰的空穴之間 分割半導(dǎo)體晶片，以形成多個(gè)半導(dǎo)體元件。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件中并未使用打線接合，因此可提升LED芯片和 內(nèi)連線層之間連接的信賴性。同時(shí)，因?yàn)楸景l(fā)明的LED封裝結(jié)構(gòu)并無(wú)打線 接合，所以可節(jié)省因打線接合時(shí)所需的導(dǎo)線空間，借此減少LED封裝載體 基底的面積，并且增加單位基底面積上的產(chǎn)品的產(chǎn)率。此外，本發(fā)明的半導(dǎo) 體元件所使用的LED芯片可以與打線接合型LED封裝所使用的LED芯片相 同，因此，在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件中，其LED芯片的成本可以較倒裝芯片 型LED封裝的芯片成本減少許多。
為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖， 作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1顯示傳統(tǒng)的打線接合型LED元件的剖面示意圖； 圖2傳統(tǒng)的倒裝芯片型LED元件的剖面示意圖3A-圖3H顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的LED元件的制造流程的剖面示
6意圖；以及
圖4A-圖4E顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LED元件的制造流程的剖面
上述附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下: 公知部分(圖1及圖2) 10 基底； 12 LED芯片；
14 引線； 16 錫球'
本發(fā)明部分(圖3A至圖4E)
100、 200， 半導(dǎo)體基底； 102 空穴；
106、 128 絕緣層； 108 內(nèi)導(dǎo)線層；
層；108b、 110b、 122 金屬層；
104 通孔；
108a、 110a 圖案化的金屬 110、 111 外導(dǎo)線層；
118 LED芯片； 120 封裝樹(shù)J 獨(dú)立的金屬線； 126 切割線； 片； 200a 半導(dǎo)體基底的側(cè)壁;
'匕
曰；
121、 123 開(kāi)口； 124 129 刻痕； 200 半導(dǎo)體晶 130 玻璃基板。
具體實(shí)施例方式
以下以實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，在附圖或說(shuō)明書(shū)描述中，相 似或相同的元件使用相同的標(biāo)記。且在附圖中，實(shí)施例的元件的形狀或厚度 可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示?？梢粤私獾氖?，未示出或描述的元件，可以 是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的各種形式。
本發(fā)明提供無(wú)打線接合的LED封裝結(jié)構(gòu)，圖3H和圖4E顯示依據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例的LED元件的剖面圖。請(qǐng)參閱圖3H，LED元件包括半導(dǎo)體基底100， 例如為硅基底或其他半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底100可含有各種元件，例如包 含晶體管、電阻器及其他的半導(dǎo)體元件，為了簡(jiǎn)化附圖，半導(dǎo)體基底中的各 種元件并未示出。在半導(dǎo)體基底100的上表面形成空穴(cavity)102，并在空 穴102的下方穿過(guò)半導(dǎo)體基底100而形成至少兩個(gè)通孔(throughhole)104。在 空穴102內(nèi)及半導(dǎo)體基底100的上表面形成至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi)連線層108， 在半導(dǎo)體基底100的底部表面上形成至少兩個(gè)獨(dú)立的外導(dǎo)線層IIO作為輸入 電極，獨(dú)立的內(nèi)連線層108經(jīng)由通孔104分別與獨(dú)立的外導(dǎo)線層110連接。 在空穴102內(nèi)設(shè)置發(fā)光二極管芯片118，并在空穴102內(nèi)填充封裝樹(shù)脂120， 以覆蓋發(fā)光二極管芯片118。兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124形成于封裝樹(shù)脂120上，
7穿過(guò)封裝樹(shù)脂120與發(fā)光二極管芯片118的p型接點(diǎn)和n型接點(diǎn)分別連接。 同時(shí)，兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124也分別電性連接至獨(dú)立的內(nèi)連線層108。在圖 3H的LED元件中，在LED芯片和內(nèi)導(dǎo)線層之間并沒(méi)有使用打線接合做電性 連接。
請(qǐng)參閱圖4E，其顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的LED元件。LED元件包括半 導(dǎo)體基底200'，其具有空穴102，在空穴102內(nèi)和半導(dǎo)體基底200'的上表 面上設(shè)置至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi)連線層108。在空穴102內(nèi)設(shè)置發(fā)光二極管芯片 118，并在空穴102內(nèi)填充封裝樹(shù)脂120，以覆蓋發(fā)光二極管芯片118。兩個(gè) 獨(dú)立的金屬線124形成于封裝樹(shù)脂120上，穿過(guò)封裝樹(shù)脂120與發(fā)光二極管 芯片118的p型接點(diǎn)(p-contact)和n型接點(diǎn)(n-contact)分別連接。同時(shí)，兩個(gè) 獨(dú)立的金屬線124也分別與獨(dú)立的內(nèi)連線層108電性連接。在此實(shí)施例中， 在空穴102下方并沒(méi)有通孔存在。至少兩個(gè)外導(dǎo)線層111設(shè)置于半導(dǎo)體基底 200，的底部表面上，且延伸至半導(dǎo)體基底200'的側(cè)壁，以與內(nèi)連線層108 電性連接。此外，還有一玻璃基板130設(shè)置于LED芯片118上方。
接著，參閱圖3A-圖3H，其顯示本發(fā)明一實(shí)施例的LED元件的制造流 程的剖面示意圖。如圖3A所示，首先提供半導(dǎo)體基底100，其例如為硅晶 片或其他半導(dǎo)體晶片。利用濕式蝕刻或干蝕刻工藝，在半導(dǎo)體基底100的上 表面形成多個(gè)彼此相鄰的空穴102，并以濕式蝕刻工藝在每個(gè)空穴102下方 形成至少兩個(gè)通孔104。為了簡(jiǎn)化附圖，在圖3A中僅示出兩個(gè)相鄰的空穴 102，并且在每個(gè)空穴102下方僅示出兩個(gè)通孔104。
參閱圖3B，絕緣層106順序性地形成于半導(dǎo)體晶片100的上表面和底 部表面、每個(gè)空穴102的內(nèi)表面以及每個(gè)通孔104的側(cè)壁上。絕緣層106例 如為硅氧化物，其可以利用熱氧化法(thermal oxidation)、化學(xué)氣相沉積法 (CVD)或其他公知的沉積工藝形成。參閱圖3C，以濺鍍法(sputtering)順序性 地形成第一金屬層(未示出)于絕緣層106上，覆蓋半導(dǎo)體晶片100的上表面、 空穴102的內(nèi)表面以及填充通孔104的上半部分，第一金屬層的厚度可約為 2 3um。接著，以濺鍍法順序性地形成第二金屬層(未示出)于絕緣層106 上，覆蓋半導(dǎo)體晶片100的底部表面并填充通孔104的下半部分，第二金屬 層的厚度可約為2 3nm。如上所述，第一金屬層可經(jīng)由通孔104與第二金 屬層連接。接著，將第一金屬層和第二金屬層以光刻蝕刻工藝圖案化，分別形成圖案化的金屬層108a和110a，然后利用電鍍工藝在圖案化的金屬層108a 和110a上分別沉積金屬層108b和llOb，借此在每個(gè)空穴102內(nèi)形成至少兩 個(gè)獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層108，并且對(duì)于每個(gè)空穴102而言，在半導(dǎo)體晶片100的 底部表面上形成至少兩個(gè)獨(dú)立的外導(dǎo)線層110，其中內(nèi)導(dǎo)線層108延伸至半 導(dǎo)體晶片100的上表面。金屬層108a和110a可以是鋁(Al)、銅(Cu)或其合 金，金屬層108b禾P 110b可以是鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)或其合金。內(nèi)導(dǎo)線 層108和外導(dǎo)線層110的厚度可約為5 P m。
參閱圖3D，首先提供多個(gè)LED芯片118至對(duì)應(yīng)的空穴102內(nèi)，然后在 這些空穴102內(nèi)填充透明封裝樹(shù)脂120，以覆蓋LED芯片U8。封裝樹(shù)脂120 可以是感光性樹(shù)脂(photosensitive resin)，因此可通過(guò)曝光和顯影工藝在封裝 樹(shù)脂120內(nèi)形成兩個(gè)開(kāi)口 121，以暴露出LED芯片118的接點(diǎn)(contact)。接 著，參閱圖3E，以濺鍍工藝在封裝樹(shù)脂120以及半導(dǎo)體晶片100的上表面沉 積金屬層122，同時(shí)以金屬層122填充開(kāi)口 121。
參閱圖3F，利用光刻及蝕刻工藝圖案化金屬層122，針對(duì)每個(gè)LED芯 片118，形成兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124在封裝樹(shù)脂120上。在此步驟中，位于 獨(dú)立的金屬線124之間的封裝樹(shù)脂120和金屬層122會(huì)被蝕刻移除，形成開(kāi) 口 123。兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124經(jīng)由穿過(guò)封裝樹(shù)脂120而與LED芯片118的 p型接點(diǎn)和n型接點(diǎn)(未示出)連接。此外，這兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124也分別 與獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層108電性連接。
參閱圖3G，沿著相鄰空穴102之間的切割線126分割半導(dǎo)體晶片100， 以形成多個(gè)半導(dǎo)體元件。參閱圖3H，在半導(dǎo)體晶片100的側(cè)壁上可涂布絕 緣層128，覆蓋內(nèi)導(dǎo)線層108和外導(dǎo)線層110的側(cè)面，以保護(hù)導(dǎo)線層108和 110。在此實(shí)施例中，于LED芯片118和內(nèi)導(dǎo)線層IO之間無(wú)打線接合。
接著，參閱圖4A-圖4E，其顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的LED元件的制造 流程的剖面示意圖。在圖4A-圖4E中，與圖3A-圖3H的元件相似的部分以 同樣的標(biāo)號(hào)標(biāo)示，在此不再贅述。如圖4A所示，首先提供半導(dǎo)體基底200， 其包括多個(gè)彼此相鄰的空穴102。
絕緣層106例如為硅氧化物，可利用熱氧化法、化學(xué)氣相沉積法(CVD) 或其他公知的沉積工藝，順序性地形成于半導(dǎo)體晶片200的上表面和每個(gè)空 穴102的內(nèi)表面上。接著，第一金屬層(未示出)順序性地形成于絕緣層106上，覆蓋半導(dǎo)體晶片200的上表面以及每個(gè)空穴102的內(nèi)表面。然后，以光 刻蝕刻工藝圖案化第一金屬層，在每個(gè)空穴102內(nèi)形成至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo) 線層108。
接著，提供多個(gè)LED芯片118至對(duì)應(yīng)的空穴102內(nèi)，并在這些空穴102 內(nèi)填充透明封裝樹(shù)脂120，以覆蓋LED芯片118。封裝樹(shù)脂120可以是感光 性樹(shù)脂，可利用曝光和顯影工藝在封裝樹(shù)脂120內(nèi)形成兩個(gè)開(kāi)口 121，以暴 露出LED芯片118的接點(diǎn)。
參閱圖4B，以濺鍍工藝在封裝樹(shù)脂120上和半導(dǎo)體晶片200的上表面 上形成金屬層122，同時(shí)以金屬層122填充開(kāi)口 121。參閱圖4C，以光刻蝕 刻工藝將金屬層122圖案化，針對(duì)每個(gè)LED芯片118，形成兩個(gè)獨(dú)立的金屬 線124在封裝樹(shù)脂120上。在此步驟中，位于兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124之間的 封裝樹(shù)脂120和金屬層122會(huì)被蝕刻移除，以形成開(kāi)口 123。這兩個(gè)獨(dú)立的 金屬線124經(jīng)由穿過(guò)封裝樹(shù)脂120而與LED芯片118的p型接點(diǎn)和n型接 點(diǎn)(未示出)連接。此外，這兩個(gè)獨(dú)立的金屬線124也分別與獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層 108電性連接。
參閱圖4D，將半導(dǎo)體晶片200的上表面貼附至一玻璃基板130上，然 后以研磨工藝對(duì)半導(dǎo)體晶片200的背面進(jìn)行薄化。接著，在半導(dǎo)體晶片200 的背面進(jìn)行蝕刻，以在相鄰空穴102之間形成多個(gè)刻痕129，劃分單個(gè)的半 導(dǎo)體基底200'。絕緣層106例如為硅氧化物，可利用熱氧化法、化學(xué)氣相 沉積法(CVD)或其他公知的沉積工藝，順序性地形成于每個(gè)半導(dǎo)體基底200' 的底部表面及側(cè)壁上。然后，第二金屬層(未示出)順序性地形成于絕緣層106 上，覆蓋每個(gè)半導(dǎo)體基底200'的底部表面和側(cè)壁。接著，以光刻蝕刻工藝 圖案化第二金屬層，在每個(gè)半導(dǎo)體基底200'的底部表面上形成至少兩個(gè)獨(dú) 立的外導(dǎo)線層111，且這兩個(gè)獨(dú)立的外導(dǎo)線層111沿著半導(dǎo)體基底200'的 側(cè)壁200a延伸，分別與獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層108連接。獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層108和 獨(dú)立的外導(dǎo)線層lll可由兩個(gè)金屬層組成，并利用濺鍍及電鍍工藝形成。這 兩個(gè)金屬層可以是鋁、銅、鎳、金、銀或其合金，內(nèi)導(dǎo)線層108和外導(dǎo)線層 110的厚度可約為5um。
接著，將半導(dǎo)體晶片沿著位于刻痕129處的切割線126分割，以形成多 個(gè)如圖4E所示的半導(dǎo)體元件。在此實(shí)施例中，在LED芯片118和內(nèi)導(dǎo)線層
10IO之間無(wú)打線接合。
雖然在圖3H和圖4E的半導(dǎo)體元件中，于LED芯片上方并未示出其他 元件，但是可以理解的是，在LED芯片封裝結(jié)構(gòu)上方還可以設(shè)置其他元件， 例如透鏡模塊(lens module)以及熒光層(fluorescent layer)。
依據(jù)上述各實(shí)施例，LED芯片可通過(guò)光刻蝕刻工藝所形成的金屬線與內(nèi) 導(dǎo)線層電性連接，在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件中并未使用打線接合，因此可提升 LED芯片和內(nèi)連線層之間連接的信賴性。同時(shí)，因?yàn)楸景l(fā)明的LED封裝結(jié) 構(gòu)并無(wú)打線接合，所以可節(jié)省因打線接合時(shí)所需的導(dǎo)線空間，借此減少LED 封裝載體基底的面積，并且增加單位基底面積上的產(chǎn)品的產(chǎn)率。此外，本發(fā) 明實(shí)施例的半導(dǎo)體元件所使用的LED芯片可以與打線接合型LED封裝所使 用的LED芯片相同，因此，在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件中，其LED芯片的成本 可以較倒裝芯片型LED封裝的芯片成本減少許多。
雖然本發(fā)明已公開(kāi)優(yōu)選實(shí)施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與 潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，包括一半導(dǎo)體基底，具有一空穴在該半導(dǎo)體基底的一上表面上；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該空穴內(nèi)；一封裝樹(shù)脂，設(shè)置于該空穴內(nèi)，覆蓋該發(fā)光二極管芯片；兩個(gè)獨(dú)立的金屬線，設(shè)置于該封裝樹(shù)脂上，且電性連接至該發(fā)光二極管芯片；至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層，設(shè)置于該空穴內(nèi)，且電性連接至所述獨(dú)立的金屬線；以及至少兩個(gè)獨(dú)立的外導(dǎo)線層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一底部表面上，且電性連接至所述獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體基底包括至少兩個(gè)通 孔在該空穴下方，且所述獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層通過(guò)所述通孔分別電性連接至所述 獨(dú)立的外導(dǎo)線層。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第一絕緣層設(shè)置于該內(nèi)導(dǎo) 線層和該半導(dǎo)體基底之間、該外導(dǎo)線層和該半導(dǎo)體基底之間以及所述通孔的 側(cè)壁上。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第二絕緣層設(shè)置于該半導(dǎo) 體基底的側(cè)壁上，覆蓋所述外導(dǎo)線層和所述內(nèi)導(dǎo)線層的側(cè)面。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中所述獨(dú)立的外導(dǎo)線層延伸至該 半導(dǎo)體基底的側(cè)壁上，分別與所述獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線層直接連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，還包括一絕緣層設(shè)置于該內(nèi)導(dǎo)線層 和該半導(dǎo)體基底之間，以及該外導(dǎo)線層和該半導(dǎo)體基底之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該封裝樹(shù)脂具有兩個(gè)開(kāi)口暴露 出該發(fā)光二極管芯片，且該兩個(gè)獨(dú)立的金屬線經(jīng)由該兩個(gè)開(kāi)口與該發(fā)光二極 管芯片連接。
8. —種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體晶片，具有一第一表面及相對(duì)于該第一表面的一第二表面；形成多個(gè)空穴在該半導(dǎo)體晶片的第一表面上；形成一圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層在該半導(dǎo)體晶片的第一表面上和所述多個(gè)空穴內(nèi)；形成一圖案化的外導(dǎo)線層在該半導(dǎo)體晶片的第二表面上，且電性連接至該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層；提供多個(gè)發(fā)光二極管芯片在相對(duì)的所述多個(gè)空穴內(nèi)； 以一封裝樹(shù)脂填充所述多個(gè)空穴，覆蓋所述多個(gè)發(fā)光二極管芯片； 形成一金屬層在該封裝樹(shù)脂和該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層上，其中該金屬層電性連接至所述多個(gè)發(fā)光二極管芯片；圖案化該金屬層，對(duì)于每個(gè)所述發(fā)光二極管芯片，形成兩個(gè)獨(dú)立的金屬線在該封裝樹(shù)脂上；以及在相鄰的所述多個(gè)空穴之間分割該半導(dǎo)體晶片，以形成多個(gè)半導(dǎo)體元
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，還包括形成至少兩個(gè)通 孔在每個(gè)所述空穴下方。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線 層經(jīng)由所述多個(gè)通孔電性連接至該圖案化的外導(dǎo)線層。
11. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，還包括形成一第一絕緣 層在該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層和該半導(dǎo)體晶片之間、該圖案化的外導(dǎo)線層和該半 導(dǎo)體晶片之間以及所述多個(gè)通孔的側(cè)壁上。
12. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，在分割該半導(dǎo)體晶片的 步驟后，還包括形成一第二絕緣層在該半導(dǎo)體元件的側(cè)壁上，覆蓋該圖案化 的外導(dǎo)線層和該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層的側(cè)面。
13. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該圖案化的外 導(dǎo)線層和該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層的所述步驟包括濺鍍、電鍍以及光刻蝕刻。
14. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，在分割該半導(dǎo)體晶片的 步驟之前，還包括貼附一玻璃基板至該半導(dǎo)體晶片的該第一表面上； 薄化該半導(dǎo)體晶片的該第二表面；以及蝕刻該半導(dǎo)體晶片的該第二表面，以形成多個(gè)刻痕在相鄰的所述多個(gè)空 穴之間，其中該圖案化的外導(dǎo)線層延伸至每個(gè)半導(dǎo)體元件的側(cè)壁，直接與該圖案 化的內(nèi)導(dǎo)線層連接。
15. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，還包括形成一絕緣層 在該圖案化的內(nèi)導(dǎo)線層與該半導(dǎo)體晶片之間，以及該圖案化的外導(dǎo)線層與該 半導(dǎo)體晶片之間。
16. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，還包括對(duì)于每個(gè)發(fā)光二 極管芯片，形成兩個(gè)開(kāi)口在該封裝樹(shù)脂內(nèi)，其中該金屬層經(jīng)由該開(kāi)口與該發(fā) 光二極管芯片直接連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體基底具有空穴，以及發(fā)光二極管芯片設(shè)置于空穴內(nèi)；空穴中填充封裝樹(shù)脂以覆蓋發(fā)光二極管芯片；兩個(gè)獨(dú)立的金屬線設(shè)置于封裝樹(shù)脂上，且電性連接至發(fā)光二極管芯片；至少兩個(gè)獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線設(shè)置于空穴內(nèi)，且電性連接至獨(dú)立的金屬線；以及至少兩個(gè)獨(dú)立的外導(dǎo)線設(shè)置于半導(dǎo)體基底的底部表面上，且電性連接至獨(dú)立的內(nèi)導(dǎo)線。本發(fā)明可提升LED芯片和內(nèi)連線層之間連接的信賴性。同時(shí)，可節(jié)省因打線接合時(shí)所需的導(dǎo)線空間，借此減少LED封裝載體基底的面積，并且增加單位基底面積上的產(chǎn)品的產(chǎn)率。此外，本發(fā)明的成本可以較倒裝芯片型LED封裝的芯片成本減少許多。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101626056SQ20081018125
公開(kāi)日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月7日
發(fā)明者林俊吉, 林孜翰, 謝建成 申請(qǐng)人:采鈺科技股份有限公司