專利名稱：電子器件、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和具有該結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地來說涉及如薄膜晶體管(TFT)的電子器件和具有該器件的 平板顯示設(shè)備。然而，本發(fā)明具體涉及其中避免或減少了由靜電引起的靜電 破壞的電子器件和具有該電子器件的平板顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
有多種顯示設(shè)備可以用來顯示圖像。最近，多種平板顯示設(shè)備已經(jīng)替代 了陰極射線管(CRT)顯示器。平板顯示設(shè)備根據(jù)使用的發(fā)光類型可以分為 發(fā)射型和非發(fā)射型。發(fā)射型顯示設(shè)備包括平面CRT顯示設(shè)備、等離子顯示 板設(shè)備、真空熒光顯示設(shè)備、場發(fā)射顯示設(shè)備和有機(jī)/無機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè) 備，而非發(fā)射型顯示設(shè)備包括液晶顯示設(shè)備。平面發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示 設(shè)備(OELD)由于是發(fā)射型的，而且不包括例如背光的發(fā)光設(shè)備并且能在 低功耗和高效率下工作，因此備受關(guān)注。OELD設(shè)備具有工作電壓低、重量 輕、外形薄、視角寬和視頻響應(yīng)時間快等優(yōu)點(diǎn)。
OELD設(shè)備常規(guī)的電致發(fā)光單元包括在基板上以層疊型形成的第一電 極(陽極)、第二電極(陰極)和插在第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層(薄膜)。在工作時，OELD設(shè)備通過由激子產(chǎn)生的能量發(fā)射具有特定波
長的光，激子是由通過陽極和陰極注入的電子和空穴在有機(jī)薄膜中重新結(jié)合
而形成的。電子傳輸層(ETL)可以設(shè)置在陰極和有機(jī)發(fā)光層之間。類似地， 空穴傳輸層(HTL)可以設(shè)置在陽極和有機(jī)發(fā)光層之間。并且，可以在陽極 和HTL之間設(shè)置空穴注入層(HIL)。此外，電子注入層(EIL)可以設(shè)置 在陰極和ETL之間。
無源矩陣(PM) OELD設(shè)備可以使用手工驅(qū)動方法，而主動矩陣(AM) 型可以使用激活驅(qū)動方法。在PMOELD設(shè)備中，陽極按列布置，陰極按行 布置。行驅(qū)動電路向陰極提供掃描信號，列驅(qū)動電路提供數(shù)據(jù)信號到每個像 素。另一方面，AM OELD設(shè)備使用薄膜晶體管(TFT)控制輸入到像素的 信號。由于TFT的使用使AM OELD可以迅速地處理大量信號，因此AM OELD廣泛用于執(zhí)行激勵。
常規(guī)A M O E L D設(shè)備的缺點(diǎn)是在制造或使用設(shè)備時，由于靜電的產(chǎn)生和 /或釋放在顯示區(qū)可能會產(chǎn)生一個或多個錯誤的像素。
圖1A是常規(guī)OELD設(shè)備的平面照片圖，其中將錯誤的像素顯示為亮點(diǎn)。 圖1B是圖1A中記為A的正常像素的放大圖，圖1C是圖1A中記為B的錯 誤像素的放大圖。圖1B和圖1C是圖1A的常規(guī)0ELD設(shè)備的底面視圖。底 面視圖是透過基板的多層結(jié)構(gòu)和安裝在其上的不同的電子和電致發(fā)光元件 而得到的。因此，圖1B和圖1C中，柵極線3a和3b出現(xiàn)在導(dǎo)電層5之上。
在圖IB和圖1C中，每個像素la和lb都包括電致發(fā)光單元、柵電極 (圖IB的2a和圖1C的2b)和發(fā)光薄膜晶體管(圖IB的Ma和圖1C的 Mb)，發(fā)光薄膜晶體管傳送來自驅(qū)動TFT (未示出)的電信號至像素。發(fā) 光TFTMa和Mb的源電極經(jīng)由導(dǎo)電層5電連接到驅(qū)動TFT (未示出)上。
圖ID是圖1C中記為B，的部分放大平面圖。參見圖ID,導(dǎo)電層5可以 延伸穿過其它導(dǎo)電層。例如，在圖1D放大的底面視圖中，示出了導(dǎo)電層5 穿過柵極線3a/3b。在示例的圖中，柵極線3a/3b出現(xiàn)在導(dǎo)電層5之上。工 作中，柵極線3a/3b起掃描線和/或掃描線延伸單元的作用，用于向薄膜晶體管提供電信號。
為了滿足設(shè)計規(guī)范，每個柵極線3a/3b的寬度可能沿著它的長度變化。 例如，圖1B、圖1C和圖1D所示的常規(guī)設(shè)計中，每個柵極線3a/3b的寬度 在與導(dǎo)電層5交叉的部分發(fā)生變化。如圖1D所示，柵極線3b較寬的部分 可以是寬度改變部分Aw，柵極線3a/3b較窄的連接部分可以是交叉單元Ac。 寬度改變部分Aw和交叉單元Ae可以與導(dǎo)電層5絕緣并且位于各自邊界之 內(nèi)。因?yàn)殡娏髭呄蛴谠趯?dǎo)體的尖端放電，所以靜電釋放(ESD)趨向于發(fā)生 在圖1D所示的寬度改變部分Aw的角部分Ad。在大多數(shù)情況下，ESD損壞 相應(yīng)的像素la/lb,引起它過度發(fā)光(例如，出現(xiàn)諸如圖1A中顯示的亮點(diǎn)B 的亮點(diǎn))。由于靜電集中在交叉部分，所以很容易誘導(dǎo)這樣的ESD，因此， 如果插入導(dǎo)電層之間的絕緣層受到破壞，交叉的導(dǎo)電層之間產(chǎn)生短路的可能 性就會增加。如圖1B和圖1C所描述的，即使輸入相同的電流信號至圖1B 中的像素la和圖1C中的像素lb，圖1C中的像素lb也會出錯，產(chǎn)生比圖 1B中正常像素有更大亮度的亮點(diǎn)。因?yàn)椴煌膶?dǎo)電層3b和導(dǎo)電層5之間的 短路電流引起和使用多于期望的一個的不同電流信號，所以會出現(xiàn)更大的亮 度。這種不希望的ESD可能會降低平面OELD的圖像質(zhì)量，而平面OELD 在整個顯示區(qū)要求很高的均勻度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子器件和一種TFT結(jié)構(gòu)，其中減少或避免了導(dǎo)電層 的靜電破壞引起的錯誤像素的產(chǎn)生，并且提供一種具有該結(jié)構(gòu)的平面發(fā)射型 有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)設(shè)備。
本發(fā)明 一方面提供一種電子器件，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層。 其中至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分的寬度沿著至少一 個導(dǎo)電層的長度方向變化。電子器件進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層交疊區(qū)域的區(qū)域 連接到至少一個導(dǎo)電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另 一方面提供一種TFT結(jié)構(gòu)，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層。其中至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分的寬度沿著至少一
個導(dǎo)電層的長度方向變化。TFT結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層交疊區(qū)域的區(qū)域
連接到至少一個導(dǎo)電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另 一方面提供一種平板顯示設(shè)備包括基板、形成在基板上的TFT層、 形成在TFT層上的至少一個絕緣層、以及像素層，該像素層包括通過形成在絕 緣層的通孔電連接到TFT層的多于一個的像素。TFT層包括彼此交叉但不接觸 的多個導(dǎo)電層。至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分的寬度 沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化。平板顯示設(shè)備進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層 交疊區(qū)域的區(qū)域連接到至少一個導(dǎo)電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另 一方面提供一種電子器件，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層。 至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分的寬度沿著至少一個導(dǎo) 電層的長度方向變化。電子器件進(jìn)一步包括一個兩個線段之間的小于90。的夾 角， 一條線段連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)，另一條線 段與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行。
本發(fā)明另 一方面提供一種TFT結(jié)構(gòu)，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層。 至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分的寬段沿著至少一個導(dǎo) 電層的長度方向變化。TFT結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一個兩個線段之間的小于90。的夾 角， 一條線段連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)，另一條線 段與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行。
本發(fā)明另一方面提供一種平面顯示設(shè)備，包括基板、形成于基板上的TFT 層、至少一個形成于TFT層之上的絕緣層、以及像素層，該像素層包括通過形 成在絕緣層上的通孔電連接到TFT層的多于一個像素。TFT層包括彼此交叉但 不接觸的多個導(dǎo)電層。至少一個導(dǎo)電層包括一個寬度變化部分，寬度變化部分 的寬度沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化。TFT層可以進(jìn)一步包括一個兩個 線段之間的小于90。的夾角， 一條線段連接位于寬度變化部分的外部線的同一 平面上的兩點(diǎn)，另一條線段與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行。
本發(fā)明另 一方面提供一種電子器件，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的部 分。電子器件可以進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層交疊區(qū)域的區(qū)域連接到至少一個導(dǎo) 電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另 一方面提供一種TFT結(jié)構(gòu)，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層， 其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的部 分。TFT結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層交疊區(qū)域的區(qū)域連接到至少一個導(dǎo) 電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另一方面提供一種平板顯示設(shè)備，包括基板、形成于基板上的TFT 層、至少一個形成于TFT層之上的絕緣層、以及像素層，該像素層包括通過形 成在絕緣層上的通孔電連接到TFT層的多于一個像素。TFT層包括彼此交叉但 不接觸的多個導(dǎo)電層。至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長 度方向變化的部分。平板顯示設(shè)備可以進(jìn)一步包括在遠(yuǎn)離導(dǎo)電層交疊區(qū)域的區(qū) 域連接到至少一個導(dǎo)電層或相鄰導(dǎo)電層的接線片。
本發(fā)明另 一方面提供一種電子器件，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層， 其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的部 分。連接位于寬度變化部分的外部線的同 一平面上的兩點(diǎn)的線段和與至少 一個 導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90。。
本發(fā)明另 一方面提供一種TFT結(jié)構(gòu)，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層， 其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的部 分。連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)的線段和與至少一個 導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
本發(fā)明另一方面提供一種平板顯示設(shè)備，包括基板、形成于基板上的TFT 層、至少一個形成于TFT層之上的絕緣層、以及像素層，該像素層包括通過形 成在絕緣層上的通孔電連接到TFT層的多于一個像素。TFT層包括彼此交叉但 不接觸的多個導(dǎo)電層。至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長 度方向變化的部分。連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)的線 段和與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性的實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征和 優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。
圖1A是常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的顯示區(qū)的照片；
圖1B是圖1A中記為A的正常像素的部分放大照片；
圖1C是圖1A中記為B的錯誤像素的部分放大照片；
圖1D是圖1C中記為B，的像素的一部分的放大底面視圖1E是圖1C中記為B，的像素的一部分的剖面照片；
圖2A是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的平面示意
圖2B是圖2A中記為C的OELD設(shè)備的像素的電路示意圖2C是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的圖2A中記為C的像素的部分剖面圖2D是顯示在圖2C中的一部分的修改實(shí)施例的部分平面圖2E是圖2C中像素的部分放大照片；
圖3A是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例的圖2A中記為C的像素的部分剖面
圖3B是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的圖3A中記為D的部分的放大圖； 圖3C是顯示在圖3A中的像素的部分放大照片。
具體實(shí)施例方式
下面參照其中顯示了本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖更加充分地描述本發(fā)明。
圖2A是根據(jù)本發(fā)明的原理制造的有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)設(shè)備的 平面示意圖。參照圖2A，基板110包括其上布置了諸如有機(jī)電致發(fā)光顯示 設(shè)備的發(fā)光設(shè)備的顯示區(qū)200,沿著顯示區(qū)200的邊緣封接基板110與密封 基板(未示出)的密封部分800，以及其上布置多種端子的端子區(qū)700。然 而，本發(fā)明并不限于此，它可以具體化為多種不同的形式。例如，可以包含起密封部分作用的密封層。
用于提供電源到顯示區(qū)200的驅(qū)動電源供給線300可以布置在顯示區(qū) 200和密封部分800之間。圖2A示出了本發(fā)明的驅(qū)動電源供給線的示例， 但是本發(fā)明并不限于此。為了確保顯示區(qū)200的均勻亮度，驅(qū)動電源供給線 300可以圍繞顯示區(qū)200,以提供均勻的驅(qū)動電源給整個顯示區(qū)200。
驅(qū)動電源供給線300可以與驅(qū)動電源線310相連，驅(qū)動電源線310可以 跨越顯示區(qū)200布置，并且電連接到布置在保護(hù)層180 (圖2C中所示)下 面的源電極170a (圖2C中所示)。
此外，在顯示區(qū)200的邊界外可以布置垂直和水平的驅(qū)動電路單元500 和600。垂直電路單元500可以是施加掃描信號到顯示區(qū)200的掃描驅(qū)動電 路單元，水平驅(qū)動電路單元600可以是施加數(shù)據(jù)信號到顯示區(qū)200的數(shù)據(jù)驅(qū) 動電路單元。垂直和水平的驅(qū)動電路單元500和600可以作為外部集成電路 (IC)或玻璃上芯片(COG)單元布置在密封區(qū)邊界的外面。
提供電極電源到顯示區(qū)200的電極電源供給線410可以布置在顯示區(qū) 200的邊界外，并且通過電極電源供給線410和第二電極層之間形成的絕緣 層中的通孔430電連接到第二電極層，第二電極層是在顯示區(qū)200的上部上 形成的。
驅(qū)動電源供給線300、電極電源供給線410以及垂直的和水平的驅(qū)動電 路單元500和600分別包括端子320、 420、 520和620,并通過引線與布置 在密封區(qū)邊界外的端子區(qū)700電連接。
顯示區(qū)200包含多個像素，下面將參照圖2B和圖2C對此加以描述。 圖2B是一個像素的電路示意圖，該像素位于圖2A中記為C的本發(fā)明實(shí)施 例的OELD設(shè)備的第n列和第m行。
如圖2B所示，像素包含五個晶體管和兩個電容器，并且每個晶體管被 描述為PMOSTFT,但是本發(fā)明并不限于此。
使用時，第一掃描信號和第二掃描信號分別通過多條第一掃描線和第二
掃描線從垂直電路單元500輸入至顯示區(qū)200 (參見圖2A)。第一掃描信號S[n]和S[n-l]以及第二掃描信號E[n]通過第一掃描線和第二掃描線輸入，
并且作為數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓Vdata問通過數(shù)據(jù)線輸入到圖2A中記為C的處
于第n列和第m行的像素中。
第一 TFTM1將對應(yīng)于通過第二 TFTM2施加到第一 TFTM1的數(shù)據(jù)電 壓的電流提供給有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
第二TFTM2響應(yīng)于第一掃描線提供的第n個選擇信號S[n],轉(zhuǎn)換施加 到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓。
第三TFTM3響應(yīng)于施加到第一掃描線的第(n- 1 )個選擇信號S[n-l]， 二極管連接第一 TFTM1。
第四TFTM4響應(yīng)于施加到第一掃描線的第(n- 1 )個選#^[言號S[n-l], 為第一電容器Cl的一端提供固定電壓。
第五TFT M5響應(yīng)于施加到第二掃描線的發(fā)光信號E[n]，將第一 TFT Ml 提供的電流傳送給OLED。
第一電容器Cl保持第一 TFT Ml的柵極和源極之間的電壓的一部分至 少 一 幀的時間，第二電容器C 2將作為補(bǔ)償?shù)拈撝惦妷旱臄?shù)據(jù)電壓施加到第 一 TFT Ml的柵極。
下面描述包含本實(shí)施例的TFT層和像素層的OELD設(shè)備的操作。TFT 層可以包含至少一個TFT和例如電容器的其它電子元件。TFT層可以看作 是像素電路單元。
當(dāng)?shù)?n-1 )個選擇信號S[n-l]激發(fā)時，第三TFTM3導(dǎo)通，接著，第 一TFTM1，也即是驅(qū)動薄膜晶體管，進(jìn)入二極管連接狀態(tài)，并且由于第五 TFTM5斷開，第一TFTM1的闊值電壓存儲在第二電容器C2中。
如果在第三TFTM3響應(yīng)于第(n- 1 )個選擇信號S[n-l]斷開并且第一 TFT Ml響應(yīng)于第n個選擇信號S[n]接通之后輸入數(shù)據(jù)電壓，那么將補(bǔ)償闊 值電壓的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)電壓被施加到第一 TFTM1的柵極。
同時，如果第五TFTM5響應(yīng)于第n個發(fā)光信號E[n]導(dǎo)通，那么通過第 五TFTM5將電流信號傳送至OLED, OLED發(fā)光，這個電流信號是經(jīng)過施加到第一 TFT Ml的柵極的電壓調(diào)整過的。
圖2C是OELD的部分剖面圖，OELD包括像素層Rp和TFT層RT，也 就是電致發(fā)光單元和像素層，像素層包括第一TFTM1和第五TFTM5，第 一 丁FT M1是驅(qū)動薄膜晶體管，第五TFT M5是為像素層提供電信號的開關(guān) 薄膜晶體管。
參見圖2C,例如第一 TFT Ml的TFT層形成在基板110的一部分上。 第一TFTM1的半導(dǎo)體有源層130形成在緩沖層120的上表面的一部分上， 緩沖層120形成在基板U0的表面上。半導(dǎo)體有源層130可以是非晶硅層或 者是多晶硅層。盡管未詳細(xì)描述，半導(dǎo)體有源層130包括摻有P型或N型 摻雜劑的源區(qū)和漏區(qū)以及溝道區(qū)。然而，包括半導(dǎo)體有源層130的薄膜晶體 管可以按多種不同的方式構(gòu)成。
第一TFTM1的4冊電極150可以布置在半導(dǎo)體有源層130的一部分之上。 鑒于與相鄰層接觸、疊層的表面光滑度和處理能力，柵電極150較佳地由例 如MoW和Al的材料組成，但并不局限于此。
用于從半導(dǎo)體有源層130絕緣柵電極150的柵絕緣層140布置在二者之 間。作為絕緣層的中間層160是單層或多層并且形成在柵電極150和柵絕緣 層140上。第一 TFT Ml的源電極和漏電極170a和170b形成在中間層160 上。源電極和漏電極170a和170b可以由諸如MoW的金屬形成，并且在形 成之后熱處理，以便與半導(dǎo)體有源層130光滑地歐姆接觸。
保護(hù)層180是絕緣層，可以由鈍化層和/或平整層組成，用于保護(hù)和/或 平整更低的層，并且形成在源電極和漏電極170a和170b上。如圖2C所描 述，保護(hù)層180可以是單層，由諸如SiNx的無機(jī)材料組成或例如苯并環(huán)丁 烯或丙烯基的有機(jī)材料組成，也可以是多層的疊層。
第一 TFT Ml通過漏電極170b的延伸單元170c電連接到起開關(guān)TFT 作用的第五TFT M5。第五TFT M5的第五半導(dǎo)體有源層230形成在緩沖層 120上，緩沖層120形成在基板IIO的表面上。第五半導(dǎo)體絕緣層230可以 與第二掃描線和/或第五柵電極250絕緣，第五柵電極250形成在柵絕緣層140的上面。中間層160和第五源/漏電極270a和270b可以形成在第五對冊電 極的表面上。第五源電極和漏電極270a和270b以及第五半導(dǎo)體有源層230 可以通過形成在中間層160和柵絕緣層140中的接觸孔電連接。至少一個起 絕緣層作用的保護(hù)層180可以形成在第五源電極和漏電極270a和270b上， 包括順序?qū)盈B的第一電極層2卯、電致發(fā)光單元292和第二電極層400的像 素層Rp可以形成在保護(hù)層180上。
下面描述形成像素層Rp的方法。首先，在形成第一電極層290之后， 像素限定層291可以形成在像素開放區(qū)294外的保護(hù)層180的上面。包括發(fā) 光層的電致發(fā)光單元292可以布置在像素開放區(qū)294的第一電極層290的表 面上，第二電極層400可以形成在合成品的整個表面。
電致發(fā)光單元292可以由低分子或聚合物有機(jī)膜組成。如果電致發(fā)光單 元292由低分子有機(jī)膜組成，那么HIL、 HTL、 EML、 ETL和EIL可以層疊 為單個結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)，并且可以使用的低分子有機(jī)材料包括銅酞菁 (CuPc) 、 N,N,陽Di (萘-l-基)-N,N，-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB )，或三-8-羥基 唾啉鋁(Alq3)。低分子有機(jī)膜可以使用蒸發(fā)法形成。
如果電致發(fā)光單元292由聚合物有機(jī)膜組成，那么它可以包括HTL和 EML。 HTL可以由PEDOT組成，而EML可以由聚-l，2-亞乙烯基苯基(PPV) 和聚芴形成。聚合物有機(jī)膜可以通過各種方法形成，包括但不限于絲網(wǎng)印刷 方法和噴墨印刷方法。
第二電極層400起陰極的作用，并可以沉積在電致發(fā)光單元292的整個 上表面上。第二電極層400并不限于沉積在整個上表面上。它可以由如 Al/Ca、 ITO或Mg-Ag材料形成。第二電極層400可以由例如多層的多種不 同的形式形成，并可以進(jìn)一步包括石成氟化或石威土氟化層，如LiF層。
第一掃描線和/或掃描線延伸單元240 (下文稱為第一掃描線)可以形成 在第一 TFTM1和第五TFTM5之間。第一掃描線240可以無接觸地穿過第 一 TFTM1的漏電極170b的延伸單元170c。如圖2B所示，第一掃描線240 可以是一個導(dǎo)電層，第(n-l)個選擇信號S[n-l]通過該導(dǎo)電層被傳送到第三和第四TFTM3和M4，并且第 一掃描線240包含寬度變化部分Aw，其 由于TFT具有不同的設(shè)計規(guī)范而在第 一掃描線的長度方向上寬度有所變化。
也就是，如圖2C所示的部分平面圖，第一掃描線240可以形成為具有 交叉區(qū)Ae的導(dǎo)電層，在交叉區(qū)Ac第一掃描線至少穿過但不接觸延伸單元 170c。第一掃描線240可以布置在從漏電極170b延伸出來的延伸單元170c 下面。第一掃描線240包括寬度變化部分Aw，它的寬度從第一寬度We變化 到第二寬度Ww，或者從第二寬度Ww變化到第一寬度Wc。第一寬度Wc和 第二寬度Ww彼此不同，而且寬度We可以比寬度Ww寬。第一掃描線240 的寬度變化部分Aw也可以限定為這樣的一部分它的剖面面積在第一掃描 線240的長度方向上變化。
第一掃描線240可以在不與相鄰導(dǎo)電層170c交叉的區(qū)域包括一個接線 片241。由于充電集中在接線片241而不是寬度變化部分Aw，就可以避免由 于靜電釋放寬度變化部分A w的短路電流的產(chǎn)生。
接線片241的有效寬度Ws和接線片241的有效長度Wd的比值可以小 于第二寬度Ww和第一寬度Wc的比值，以便靜電集中在接線片241中。也 就是，Ws/Wd<Ww/Wc<l。這里，第一寬度We可以是寬度變化部分最大寬度 的測量值，而第二寬度Ww可以是寬度變化部分最小寬度的測量值。
在本實(shí)施例中，第一掃描線240可以是導(dǎo)電層，包括接線片241,并起 柵電極或柵極線的作用。然而，這是本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明不局限 于此。
如圖2C所示，接線片241可以形成在向第一 TFT Ml延伸的第一掃描 線240 (或第一掃描線的延伸部分即導(dǎo)電層)上。然而，接線片241可以形 成多種不同的形式，只要接線片241不穿過相鄰導(dǎo)電層。這樣，連接在接線 片241的導(dǎo)電層可以形成在源電極和漏電極的同一層。接線片241也可以以 相對于第一 TFT Ml的方向延伸。可替代地，如圖2D所示，接線片241可 以形成在包含寬度變化部分Aw的導(dǎo)電層和/或相鄰導(dǎo)電層上。
圖2E是顯示在圖2C中的像素的部分放大照片的平面圖。在圖2E中，接線片241接觸導(dǎo)電層區(qū)。為了避免和/或減少靜電釋放，接線片241接觸 導(dǎo)電層的區(qū)域遠(yuǎn)離導(dǎo)電層重疊的區(qū)域。由于靜電釋放不發(fā)生在寬度變化部分 Aw而是發(fā)生在不與導(dǎo)電層交叉的接線片241，這個結(jié)構(gòu)可以避免或減少對 TFT層的導(dǎo)電層的靜電破壞。這樣，交疊的導(dǎo)電層和/或像素之間的短路電 流故障就可以避免或減少。
圖3A、 3B和3C示出了根據(jù)本發(fā)明的原理制造的OELD設(shè)備的像素。 第一掃描線和/或掃描線延伸單元240 (下文稱為第一掃描線)形成在第一 TFT Ml和第五TFT M5之間。第一掃描線240穿過但不接觸第一 TFT Ml 的漏電極170b的延伸單元170c。如圖2B所示，第一掃描線240是第(n-1 )個選擇信號S[n-l]被傳送至此的導(dǎo)電層，傳送第(n- 1 )個掃描信號S[n-l] 指第三和第四TFTM3和M4。第一掃描線240可以包含寬度變化部分Aw, 其寬度在第一掃描線240的長度方向上變化。也就是，如圖3A所示的部分 平面圖所示，第一掃描線240可以形成為具有交叉區(qū)Ae的導(dǎo)電層，交叉區(qū) 穿過但不接觸至少從漏電才及170b延伸出來的延伸單元170c的一部分。第一 掃描線可以布置在延伸單元170c下面。第一掃描線240可以包括在第一掃 描線240的長度方向上的寬度變化部分Aw,并且寬度變化部分Aw的寬度可 以從We到Ww連續(xù)變化。
如圖3A所示，如果相應(yīng)的寬度變化部分包含尖端，記為參考數(shù)字的Pl 和P2(參見圖2B )的位于相鄰導(dǎo)電層交叉區(qū)的點(diǎn)很容易被靜電釋放所損壞。 然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，寬度變化部分Aw不包含任何可能導(dǎo)致靜電釋 放的尖銳的拐角邊緣。相反，寬度變化部分Aw的寬度沿著第一掃描線240 連續(xù)地變化，以至于寬度變化部分包含彎曲的和不是90°角的拐角邊緣。 因此，引起靜電釋放的電荷不集中在寬度變化部分Aw,從而避免或減少了 對像素的靜電破壞。
寬度變化部分Aw的拐角較佳地可以具有鈍角并且是圓形的。圖3B是 圖3A中部分D的放大圖。參見圖3B，角6形成于線段Ch02和線段0!03 之間，線段0"2從點(diǎn)O,延伸到點(diǎn)02，這兩個點(diǎn)位于彼此交叉但不接觸的寬度變化部分Aw的同一平面上，線段0，03從點(diǎn)O!延伸到點(diǎn)03,點(diǎn)03位
于第一掃描線240的長度方向上。為了避免電荷集中在第一掃描線240的邊 緣，兩條線段之間的角6可以小于45° 。
圖3C是顯示在圖3A中像素的部分放大照片。參見圖3C，由于穿過至 少一個相鄰導(dǎo)電層的導(dǎo)電層的寬度變化部分Aw的寬度由于鈍角而平滑變 化，可以避免對薄膜晶體管的導(dǎo)電層的靜電破壞和/或相鄰導(dǎo)電層之間的短 路電流，因此可以避免錯誤像素的產(chǎn)生。
上述的實(shí)施例是示例性的，本發(fā)明并不局限于此。也就是，上述實(shí)施例 描述了關(guān)于形成于漏電極和掃描線之間的延伸部分的導(dǎo)電層，但是本發(fā)明可 以適用于其它導(dǎo)電層。同時，本發(fā)明描述了具有五個上柵極型晶體管和兩個 電容器的TFT結(jié)構(gòu)，和包含TFT結(jié)構(gòu)的OELD設(shè)備。然而，本發(fā)明可以進(jìn) 行多種形式的修改，只要具有寬度變化部分的導(dǎo)電層在不穿過相鄰導(dǎo)電層的 導(dǎo)電層區(qū)域連接在接線片241上。此外，連接寬度變化部分的拐角的線段和 平行于具有寬度變化部分的導(dǎo)電層延伸的方向的線段之間的角度可以小于 90。。本發(fā)明的原理可以不管晶體管的類型而應(yīng)用于OELD設(shè)備和LCD設(shè) 備。進(jìn)一步地，本發(fā)明也可以適用于具有多個彼此交叉但不接觸的導(dǎo)電層的 電子器件。
本發(fā)明可以提供下述的一些或全部優(yōu)點(diǎn)。首先，包括在不穿過相鄰導(dǎo)電 層的導(dǎo)電層區(qū)的接線片241以及在至少一個TFT中使用本發(fā)明的接線片式 的導(dǎo)電層，可以避免和/或減少在制造和/或使用TFT時產(chǎn)生的靜電對形成于 導(dǎo)電層之間的絕緣層的靜電釋放損壞。
其次，在例如包含一個TFT層的OELD的平板顯示設(shè)備中，其中TFT 層包含多個導(dǎo)電層，接線片241是連接到不穿過相鄰導(dǎo)電層的導(dǎo)電層區(qū)，接 線片241連接到至少一個具有寬度變化部分的導(dǎo)電層，或者連接到相鄰導(dǎo)電 層，該相鄰導(dǎo)電層能避免由接線片241提供的靜電釋放所引起的錯誤像素的 產(chǎn)生。這樣的結(jié)構(gòu)可以提高圖像質(zhì)量。
第三，包含不只一個TFT的導(dǎo)電層可以包含其中的穿過但是不接觸相鄰導(dǎo)電層的一部分。導(dǎo)電層可以包含寬度變化部分，形成這部分用以充分交 疊交叉區(qū)。寬度變化部分的寬度可以連續(xù)地變化，以便寬度變化部分的拐角 是鈍角。因?yàn)闆]有尖銳的拐角邊緣出現(xiàn)以集中靜電電荷，所以對導(dǎo)電層之間 形成的絕緣層的由于靜電釋放的損壞可以被避免和/或減少，因此避免產(chǎn)品故障。
第四，在例如包含一個TFT層的OELD的平板顯示設(shè)備中，具有交叉 但不接觸相鄰導(dǎo)電層的區(qū)域的導(dǎo)電層可以包含一個寬度變化部分。因此，通 過在寬度變化部分避免靜電的集中可以減少或排除錯誤像素產(chǎn)生的可能性， 錯誤像素的產(chǎn)生是由于在生產(chǎn)或操作TFT過程中產(chǎn)生靜電。這可以通過連 續(xù)地改變寬度變化部分的寬度和使其中的拐角變圓而取得。這樣的結(jié)構(gòu)可以 避免或減少靜電電荷在寬度變化部分的產(chǎn)生，從而提高了圖像質(zhì)量。
以上參照其中的示例性實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 該理解形式和細(xì)節(jié)上的各種變化都不脫離以下權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種電子器件，包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括寬度變化部分，該寬度變化部分的寬度沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化，和其中連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)的線段和與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90°。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的柵電 極或TFT柵電極的延伸部分。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的源電 極或漏電極，或者是TFT的源電極或漏電極的延伸部分。
4、 一種TFT結(jié)構(gòu)，包括 彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括寬度變化部分，該寬度變化部分的寬度沿著至少 一個導(dǎo)電層的長度方向變化，和其中連接位于寬度變化部分的外部線的同 一平面上的兩點(diǎn)的線段和與至少 一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT結(jié)構(gòu)，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的柵電 極或柵電極的延伸部分。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT結(jié)構(gòu)，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的源電 極或漏電極，或者是TFT的源電極或漏電極的延伸部分。
7、 一種平板顯示設(shè)備，包括 基板;形成于基板上的TFT層；和包括電連接到TFT層的不只一個像素的像素層，其中TFT層包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括寬度變化部分，該寬度變化部分的寬度沿著至少 一個導(dǎo)電層的長度方向變化，和其中連接位于寬度變化部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)的線段和與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示設(shè)備，其中包括寬度變化部分的至少一 個導(dǎo)電層是柵電極。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示設(shè)備，其中包括寬度變化部分的至少一 個導(dǎo)電層是源電極或漏電極。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示設(shè)備，其中像素層包括 第一電極；形成于第一電極上的電致發(fā)光單元；和形成于電致發(fā)光單元上的第二電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括形成于TFT層之上 的至少一個絕緣層，其中像素層的像素通過形成于至少一個絕緣層的接觸孔電 連接到TFT層。
12、 一種電子器件，包括 彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的 部分；和其中連接位于剖面面積變化的部分的外部線的同 一平面上的兩點(diǎn)的線段和 與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的柵 電極或TFT柵電極的延伸部分。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的源 電極或漏電極，或者是TFT源電極或漏電極的延伸部分。
15、 一種TFT結(jié)構(gòu)，包括 彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的部分；和其中連接位于剖面面積變化的部分的外部線的同 一平面上的兩點(diǎn)的線段和 與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的TFT結(jié)構(gòu)，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的柵 電極或TFT柵電極的延伸部分。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的TFT結(jié)構(gòu)，其中至少一個導(dǎo)電層是TFT的源 電極或漏電極，或者是TFT源電極或漏電極的延伸部分。
18、 一種平板顯示設(shè)備，包括 基板；形成于基板上的TFT層；和包括電連接到TFT層的多于一個像素的像素層，其中TFT層包括彼此交叉但不接觸的多個導(dǎo)電層，其中至少一個導(dǎo)電層包括剖面面積沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向變化的 部分，和其中連接位于剖面面積變化的部分的外部線的同一平面上的兩點(diǎn)的線段和 與至少一個導(dǎo)電層的長度方向平行的線段之間的夾角小于90° 。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，其中包含剖面面積變化的部分 的至少一個導(dǎo)電層是柵電極。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，其中包含剖面面積變化的部分 的至少 一個導(dǎo)電層是源電極或漏電極。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，其中像素層包括 第一電極；形成于第一電極之上的電致發(fā)光單元；和 形成于電致發(fā)光單元之上的第二電極。
22、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的平板顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括形成于TFT層之 上的至少一個絕緣層，其中像素層的像素通過形成于至少一個絕緣層的接觸孔 電連接到TFT層。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子器件、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和具有該結(jié)構(gòu)的平板顯示器。本發(fā)明提供了一種電子器件，用以避免或減少引起像素故障的靜電釋放。根據(jù)本發(fā)明原理制造的電子器件可以包含多個導(dǎo)電層以及接線片，多個導(dǎo)電層彼此交叉但不接觸，其中至少一個導(dǎo)電層包含寬度變化部分，寬度變化部分的寬度沿著至少其中一個導(dǎo)電層的長度方向變化，接線片在不與相鄰導(dǎo)電層交叉的區(qū)域連接到至少一個導(dǎo)電層上?？商娲?，寬度變化部分的寬度可以沿著至少一個導(dǎo)電層的長度方向連續(xù)變化，并且也可以具有鈍的拐角邊緣。本發(fā)明還提供了包含這種電子器件的平板有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)或LCD顯示設(shè)備。
文檔編號H01L29/41GK101414620SQ20081017556
公開日2009年4月22日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者李樹美, 李正魯, 李美真, 申奉周, 金恩雅 申請人:三星移動顯示器株式會社