專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其是將晶片沿著間隔道分 割成一個(gè)個(gè)器件，并且在各器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜的方 法，其中，在上述晶片的表面上通過(guò)形成為格子狀的間隔道劃分出了多 個(gè)區(qū)域，并且在這些區(qū)域中形成有器件。
背景技術(shù)：
例如在半導(dǎo)體器件制造工序中，在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表 面上，在由形成為格子狀的分割預(yù)定線(間隔道)劃分出的多個(gè)區(qū)域中，
形成IC (Integrated Circuit:集成電路)、LSI (large scale integration:大 規(guī)模集成電路)等器件，然后沿著間隔道對(duì)形成有該器件的各區(qū)域進(jìn)行 分割，由此來(lái)制造出一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件。作為分割半導(dǎo)體晶片的分割裝 置一般使用切割裝置，該切割裝置利用厚度為20pm左右的切削刀片沿著 間隔道切削半導(dǎo)體晶片。這樣分割出來(lái)的半導(dǎo)體器件被封裝并廣泛地用 于攜帶式電話或個(gè)人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備。
分割成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件在其背面安裝有稱為芯片粘合膜的芯 片焊接用的粘接膜，該粘接膜由聚酰亞胺類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、丙烯酸 類樹(shù)脂等形成且厚度為20 40"m，上述半導(dǎo)體器件通過(guò)加熱而經(jīng)該粘 接膜焊接于支承半導(dǎo)體器件的芯片焊接框架。作為在半導(dǎo)體器件的背面 安裝芯片焊接用的粘接膜的方法，在半導(dǎo)體晶片的背面上粘貼粘接膜， 并經(jīng)該粘接膜將半導(dǎo)體晶片粘貼在切割帶上，然后利用切削刀片沿著形 成在半導(dǎo)體晶片表面上的間隔道與粘接膜一起切斷，從而形成在背面安 裝有粘接膜的半導(dǎo)體器件。(例如參照專利文獻(xiàn)1。)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2000-182995號(hào)公報(bào)
然而，根據(jù)日本特開(kāi)2000-182995號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的方法，在利用切削刀片將粘接膜與半導(dǎo)體晶片一起切斷來(lái)分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件時(shí)， 存在以下問(wèn)題在半導(dǎo)體器件的背面出現(xiàn)缺口，或者在粘接膜上產(chǎn)生須 狀的毛刺，從而在導(dǎo)線焊接時(shí)導(dǎo)致斷線。
近年來(lái)，攜帶式電話和個(gè)人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備進(jìn)一步追求輕量化和 小型化，所以要求更薄的半導(dǎo)體器件。作為更薄地分割半導(dǎo)體器件的技 術(shù)，所謂的稱為預(yù)先切割法的分割技術(shù)已被實(shí)用化。該預(yù)先切割法是這 樣的技術(shù)從半導(dǎo)體晶片的表面沿著間隔道形成預(yù)定深度(與半導(dǎo)體器 件的完工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的切削槽，之后磨削在表面形成有切削槽的 半導(dǎo)體晶片的背面，使切削槽露出于該背面從而分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器
件，該技術(shù)可以將半導(dǎo)體器件的厚度加工到50txm以下。
然而，在通過(guò)預(yù)先切割法將半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件的 情況下，由于在從半導(dǎo)體晶片的表面沿著間隔道形成預(yù)定深度的切削槽 之后，磨削半導(dǎo)體晶片的背面使切削槽露出到該背面，所以不能提前在 半導(dǎo)體晶片的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜。因此，在利用預(yù)先切割 法焊接到支承半導(dǎo)體器件的芯片焊接框架上時(shí)，必須在半導(dǎo)體器件與芯 片焊接框架之間插入接合劑地進(jìn)行焊接，存在不能順利地實(shí)施焊接作業(yè) 的問(wèn)題。
為了解決這樣的問(wèn)題，提出了下面的半導(dǎo)體器件的制造方法在通 過(guò)預(yù)先切割法分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件的晶片的背面上，安裝芯片焊接 用的粘接膜，經(jīng)該粘接膜將半導(dǎo)體器件粘貼在切割帶上，然后從半導(dǎo)體 器件的表面?zhèn)韧高^(guò)各半導(dǎo)體器件之間的間隙，對(duì)該粘接膜的從上述間隙 露出的部分照射激光光線，以除去粘接膜的從上述間隙露出的部分。(例 如參照專利文獻(xiàn)2。)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2002-118081號(hào)公報(bào)
然而，當(dāng)通過(guò)各半導(dǎo)體器件之間的間隙，對(duì)在分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體 器件的晶片的背面上安裝的芯片焊接用的粘接膜照射激光光線，以熔斷 粘接膜時(shí)，存在碎屑飛濺而附著在器件表面上致使半導(dǎo)體器件的質(zhì)量下 降的問(wèn)題。
此外，在通過(guò)預(yù)先切割法分割成一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜之后，當(dāng)剝離粘貼在晶片表面上的保護(hù)帶時(shí)，分割 成一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體器件會(huì)移動(dòng)。其結(jié)果為，由沿著間隔道形成的切削槽 構(gòu)成的間隙曲折，存在難以透過(guò)各半導(dǎo)體器件之間的間隙來(lái)照射激光光 線的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供--種 半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件的制造方法能夠在利用預(yù)先切割
法分割出的一個(gè)個(gè)器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜而不會(huì)導(dǎo)致器 件的質(zhì)量下降。
為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的 制造方法，其是將晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且在各器件的 背面上安裝芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通
過(guò)形成為格子狀的多條間隔道劃分出了多個(gè)區(qū)域，并且在這些區(qū)域中形 成有器件，其特征在于，
上述半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下工序
切削槽形成工序，從晶片的表面?zhèn)妊刂g隔道形成深度與器件的完 工厚度相當(dāng)?shù)那邢鞑郏?br> 保護(hù)帶粘貼工序，在形成有上述切削槽的晶片的表面上粘貼保護(hù)帶；
晶片分割工序，對(duì)粘貼有上述保護(hù)帶的晶片的背面進(jìn)行磨削使上述 切削槽露出到背面，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件；
粘接膜安裝工序，在分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面安裝粘接膜， 并且利用安裝在環(huán)狀框架上的切割帶來(lái)支承安裝有上述粘接膜的晶片；
粘接膜熔斷工序，從粘貼在由上述切割帶支承的晶片的表面上的保 護(hù)帶側(cè)，透過(guò)上述切削槽并沿著上述切削槽對(duì)上述粘接膜照射激光光線， 從而使上述粘接膜沿著上述切削槽熔斷；
保護(hù)帶剝離工序，在實(shí)施了上述粘接膜熔斷工序之后，將粘貼在晶 片表面上的保護(hù)帶剝離；和
拾取工序，將安裝有通過(guò)實(shí)施上述粘接膜熔斷工序而沿著上述切削槽熔斷的上述粘接膜的器件，從上述切割帶剝離并進(jìn)行拾取。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)實(shí)施晶片分割工序使沿著間隔道形成的切削槽露 出，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，在該晶片的背面安裝粘接膜，并實(shí) 施透過(guò)切削槽對(duì)該粘接膜照射激光光線以熔斷粘接膜的粘接膜熔斷工 序，此時(shí)，由于在晶片的表面上粘貼有保護(hù)帶，所以在粘接膜熔斷時(shí)， 碎屑即使飛濺，碎屑也是附著在保護(hù)帶上，所以碎屑不會(huì)附著在形成于 晶片表面的器件上。此外，在實(shí)施粘接膜熔斷工序時(shí)，由于在晶片的表 面上粘貼有保護(hù)帶，所以分割成一個(gè)個(gè)的器件不會(huì)移動(dòng)，因此由沿著間 隔道形成的切削槽構(gòu)成的間隙不會(huì)曲折，所以能夠透過(guò)各器件之間的間 隙照射激光光線。


圖1是表示作為晶片的半導(dǎo)體晶片的立體圖。
圖2是本發(fā)明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽形成工序 的說(shuō)明圖。
圖3是本發(fā)明的器件制造方法的晶片分割工序中的保護(hù)部件粘貼工 序的說(shuō)明圖。
圖4是本發(fā)明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽露出工序 的說(shuō)明圖。
圖5是本發(fā)明的器件制造方法中的粘接膜安裝工序的說(shuō)明圖。 圖6是本發(fā)明的器件制造方法中的晶片支承工序的說(shuō)明圖。 圖7是表示本發(fā)明的器件制造方法中的粘接膜安裝工序的另一實(shí)施 方式的說(shuō)明圖。
圖8是實(shí)施本發(fā)明的器件制造方法中的粘接膜熔斷工序的激光加工 裝置的立體圖。
圖9是本發(fā)明的器件制造方法中的粘接膜熔斷工序的說(shuō)明圖。 圖IO是表示實(shí)施圖9所示的器件制造方法的狀態(tài)的主要部分放大剖 視圖。
圖11是本發(fā)明的器件制造方法中的保護(hù)帶剝離工序的說(shuō)明圖。圖12是實(shí)施本發(fā)明的器件制造方法中的拾取工序的拾取裝置的立 體圖。
圖13是本發(fā)明的器件制造方法中的拾取工序的說(shuō)明圖。 標(biāo)號(hào)說(shuō)明
2:半導(dǎo)體晶片；21:間隔道；210:切削槽；22:器件；3:切削裝 置；31:切削裝置的卡盤工作臺(tái)；32:切削單元；321:切削刀片；4: 保護(hù)部件；5:磨削裝置；5h磨削裝置的卡盤工作臺(tái)；52:磨削磨具； 53:磨削單元；6:粘接膜；7:激光加工裝置；71:激光加工裝置的卡 盤工作臺(tái)；72:激光光線照射單元；722:聚光器；8:拾取裝置；81: 框架保持單元；82:帶擴(kuò)張單元；83:拾取夾頭；F:環(huán)狀框架；T:切 割帶。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的優(yōu)選實(shí)施 方式。
圖1表示作為晶片的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖1中所示的半導(dǎo)體晶
片2由例如厚度為600pm的硅晶片構(gòu)成，在其表面2a上呈格子狀地形成 有多條間隔道21。另外，在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上，在通過(guò)形成為格 子狀的多條間隔道21劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有IC、 LSI等器件22。對(duì) 于將該半導(dǎo)體晶片2通過(guò)預(yù)先切割法分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件的步驟進(jìn) 行說(shuō)明。
在利用預(yù)先分割法將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件時(shí)，首 先沿著形成在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的間隔道21形成預(yù)定深度(與 各器件的完工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的切削槽(切削槽形成工序)。該切削槽 形成工序使用圖2 (a)所示的切削裝置3來(lái)實(shí)施。圖2 (a)所示的切削 裝置3包括保持被加工物的卡盤工作臺(tái)31、具有切削刀片321的切削單 元32、和攝像單元33。在利用該切削裝置3實(shí)施切削槽形成工序時(shí)，將 半導(dǎo)體晶片2以其表面2a朝上的方式載置在卡盤工作臺(tái)31上。然后通 過(guò)使未圖示的吸引單元?jiǎng)幼?，將半?dǎo)體晶片2保持在卡盤工作臺(tái)31上。這樣吸引保持了半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺(tái)31通過(guò)未圖示的切削進(jìn)給機(jī) 構(gòu)定位到攝像單元33的正下方。
當(dāng)卡盤工作臺(tái)31定位到攝像單元33的正下方時(shí)，利用攝像單元33 和未圖示的控制單元執(zhí)行校準(zhǔn)作業(yè)，該校準(zhǔn)作業(yè)是對(duì)半導(dǎo)體晶片2的應(yīng) 形成切削槽的切削區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)。即，攝像單元33和未圖示的控制單元 執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，從而完成切削區(qū)域的校準(zhǔn)，其中所述圖案匹 配等圖像處理用來(lái)進(jìn)行在半導(dǎo)體晶片2的預(yù)定方向上形成的間隔道21、 與切削刀片321的位置對(duì)準(zhǔn)(校準(zhǔn)工序)。此外，對(duì)于形成在半導(dǎo)體晶片 2上且相對(duì)于上述預(yù)定方向垂直地延伸的分割預(yù)定線21，也同樣地完成 切削區(qū)域的校準(zhǔn)。
在如上所述地對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)31上的半導(dǎo)體晶片2的切削區(qū)域 進(jìn)行校準(zhǔn)后，將保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺(tái)31移動(dòng)到切削區(qū)域的 切削開(kāi)始位置。然后，使切削刀片321向圖2 (a)中箭頭321a所示的方 向旋轉(zhuǎn)并同時(shí)向下方移動(dòng)，實(shí)施預(yù)定量的切入進(jìn)給。該切入進(jìn)給位置設(shè) 定在這樣的位置切削刀片321的外周緣與半導(dǎo)體晶片2的表面相距相 當(dāng)于器件的完工厚度的深度(例如llOpm)。這樣，在實(shí)施了切削刀片321 的切入進(jìn)給之后，則在使切削刀片321旋轉(zhuǎn)的同時(shí)對(duì)卡盤工作臺(tái)31向圖 2 (a)中箭頭X所示的方向進(jìn)行切削進(jìn)給，從而，如圖2 (b)所示，沿 著間隔道21形成深度與器件的完工厚度相當(dāng)(例如110pm)的切削槽210 (切削槽形成工序)。該切削槽形成工序沿著形成在半導(dǎo)體晶片2上的所 有間隔道21實(shí)施。
在通過(guò)上述的切削槽形成工序在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上沿著間隔 道21形成了預(yù)定深度的切削槽210之后，如圖3 (a)和圖3 (b)所示， 在半導(dǎo)體晶片2的表面2a (形成有器件22的面)上粘貼保護(hù)器件22的 磨削用的保護(hù)帶4 (保護(hù)帶粘貼工序)。此外，保護(hù)帶4在圖示的實(shí)施方 式中使用厚度為150^im的聚烯烴薄片(求y才i^7一/、乂一卜)。
接下來(lái)，實(shí)施晶片分割工序?qū)υ诒砻嫔险迟N有保護(hù)帶4的半導(dǎo)體 晶片2的背面2b進(jìn)行磨削，使切削槽210露出到背面2b，從而分割成一 個(gè)個(gè)器件。該晶片分割工序使用圖4 (a)所示的磨削裝置5來(lái)實(shí)施。圖4 (a)所示的磨削裝置5包括保持被加工物的卡盤工作臺(tái)51、和具有磨 削磨具52的磨削單元53。在使用該磨削裝置5實(shí)施晶片分割工序時(shí)，將 半導(dǎo)體晶片2以其背面2b朝上的方式載置在卡盤工作臺(tái)51上。然后通 過(guò)使未圖示的吸引單元?jiǎng)幼?，將半?dǎo)體晶片2吸引保持在卡盤工作臺(tái)51 上。然后例如使卡盤工作臺(tái)51以300rpm (Revolutions per minute:每分 鐘轉(zhuǎn)數(shù))的速度向箭頭51a所示的方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使磨削單元53的磨削 磨具52以6000rpm的速度向箭頭52a所示的方向旋轉(zhuǎn)并與半導(dǎo)體晶片2 的背面2b接觸，由此進(jìn)行磨削， 一直磨削到如圖4 (b)所示那樣切削槽 210露出到背面2b。通過(guò)這樣一直磨削到切削槽210露出，如圖4 (c) 所示，半導(dǎo)體晶片2被分割成一個(gè)個(gè)器件22。此外，分割出的多個(gè)器件 22由于在其表面粘貼有保護(hù)帶4，所以會(huì)維持半導(dǎo)體晶片2的形態(tài)而不 會(huì)分散。
在通過(guò)上述的預(yù)先切割法將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)器件22之 后，實(shí)施在分割成了一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的背面2b上安裝芯 片焊接用的粘接膜的粘接膜安裝工序。即，如圖5 (a)和圖5 (b)所示， 將粘接膜6安裝在分割成了一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的背面2b上。 這時(shí)，如上述那樣，在80 200'C的溫度下進(jìn)行加熱，同時(shí)將粘接膜6壓 靠在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上從而進(jìn)行粘貼。此外，粘接膜6由混合了 環(huán)氧類樹(shù)脂和丙烯酸類樹(shù)脂的厚度為20 U m的薄膜材料制成。
在如上所述地實(shí)施了粘接膜安裝工序之后，實(shí)施晶片支承工序?qū)?安裝有粘接膜6的半導(dǎo)體晶片2的粘接膜6側(cè)粘貼到安裝于環(huán)狀框架上 的可伸長(zhǎng)的切割帶上。即，如圖6 (a)和圖6 (b)所示，在以覆蓋環(huán)狀 框架F的內(nèi)側(cè)開(kāi)口部的方式安裝外周部的切割帶T的表面上，粘貼半導(dǎo) 體晶片2的粘接膜6側(cè)。因此，粘貼在半導(dǎo)體晶片2的表面上的保護(hù)帶4 成為上側(cè)。此外，上述切割帶T在圖示的實(shí)施方式中由厚度為95一m的 聚烯烴薄片形成。此外，作為切割帶T,使用具有因紫外線等外界刺激導(dǎo) 致粘接力下降的性質(zhì)的UV (紫外線)帶。
參照?qǐng)D7說(shuō)明上述的粘接膜安裝工序和晶片支承工序的另一實(shí)施方式。圖7所示的實(shí)施方式使甩在切割帶T的表面上預(yù)先粘貼有粘接膜6
的帶粘接膜的切割帶。即，如圖7 (a)和圖7 (b)所示，在粘接膜6上 安裝被分割成了一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的背面2b，其中所述粘接 膜6粘貼在切割帶T的表面上，而所述切割帶T以覆蓋環(huán)狀框架F的內(nèi) 側(cè)開(kāi)口部的方式對(duì)外周部進(jìn)行安裝。這時(shí)，在80 20(TC的溫度下進(jìn)行加 熱，同時(shí)將粘接膜6壓靠在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上從而進(jìn)行安裝。此 外，上述切割帶T在圖示的實(shí)施方式中由厚度為95pm的聚烯烴薄片構(gòu) 成。在這樣使用帶粘接膜的切割帶的情況下，通過(guò)在粘貼于切割帶T的 表面的粘接膜6上安裝半導(dǎo)體晶片2的背面2b，就由安裝在環(huán)狀框架F 上的切割帶T來(lái)支承安裝有粘接膜6的半導(dǎo)體晶片2。
在實(shí)施了上述的粘接膜安裝工序和晶片支承工序后，實(shí)施粘接膜熔 斷工序:從粘貼在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的保護(hù)帶4側(cè)透過(guò)切削槽210 沿著該切削槽210對(duì)粘接膜6照射激光光線，從而沿著切削槽210熔斷 粘接膜6，其中所述半導(dǎo)體晶片2粘貼在切割帶T上。該粘接膜熔斷工序 通過(guò)圖8所示的激光加工裝置7實(shí)施。圖8所示的激光加工裝置7包括 保持被加工物的卡盤工作臺(tái)71、對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)71上的被加工物 照射激光光線的激光光線照射單元72、和對(duì)保持在卡盤工作臺(tái)71上的被 加工物進(jìn)行拍攝的攝像單元73?？ūP工作臺(tái)71構(gòu)成為吸引保持被加工物， 卡盤工作臺(tái)71通過(guò)未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)在圖8中箭頭X所示的加工進(jìn)給方 向和箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。
上述激光光線照射單元72從聚光器722照射脈沖激光光線，所述聚 光器722安裝在實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體721的前端。此外， 攝像單元73安裝在構(gòu)成上述激光光線照射單元72的殼體721的前端部， 在圖示的實(shí)施方式中，除了包括利用可見(jiàn)光線拍攝的通常的攝像元件 (CCD)以外，還包括對(duì)被加工物照射紅外線的紅外線照明單元、捕 捉由該紅外線照明單元所照射的紅外線的光學(xué)系統(tǒng)、和輸出與該光學(xué)系 統(tǒng)捕捉到的紅外線對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的攝像元件(紅外線CCD)等，上述攝 像單元73將所拍攝到的圖像信號(hào)發(fā)送至未圖示的控制單元。
參照?qǐng)D8至圖10說(shuō)明使用上述的激光加工裝置7實(shí)施的粘接膜熔斷工序。
在粘接膜熔斷工序中，首先如圖8所示將粘貼有半導(dǎo)體晶片2的粘 接膜6側(cè)的切割帶T載置并吸引保持在卡盤工作臺(tái)71上。因此，粘貼在 半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的保護(hù)帶4成為上側(cè)。此外在圖8中，省略安 裝有切割帶T的環(huán)狀框架F進(jìn)行表示，但是環(huán)狀框架F通過(guò)配設(shè)在卡盤 工作臺(tái)71上的適當(dāng)?shù)膴A緊器固定。
如上所述吸引保持了半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺(tái)71通過(guò)未圖示的移 動(dòng)機(jī)構(gòu)定位到攝像單元73的正下方。當(dāng)卡盤工作臺(tái)71定位到攝像單元 73的正下方時(shí)，利用攝像單元73和未圖示的控制單元執(zhí)行校準(zhǔn)作業(yè)，該 校準(zhǔn)作業(yè)是對(duì)安裝在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上的粘接膜6的應(yīng)進(jìn)行激光 加工的加工區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)。即，攝像單元73和控制單元執(zhí)行圖案匹配等 圖像處理，以完成激光光線照射位置的校準(zhǔn)，所述圖案匹配等圖像處理 用來(lái)進(jìn)行在半導(dǎo)體晶片2的預(yù)定方向上形成的上述切削槽210、與沿著切 削槽210照射激光光線的激光光線照射單元72的聚光器722的位置對(duì)準(zhǔn)。 此外，對(duì)于形成在半導(dǎo)體晶片2上且形成在與上述預(yù)定方向垂直的方向 上的切削槽210，也同樣地完成激光光線照射位置的校準(zhǔn)。這時(shí)，在粘貼 于分割成了一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的保護(hù)帶4不透 明、不能確認(rèn)切削槽210的情況下，作為攝像單元73，使用由紅外線照 明單元、捕捉紅外線的光學(xué)系統(tǒng)、和輸出與紅外線對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的攝像 元件(紅外線CCD)等構(gòu)成的攝像單元，由此，能夠透過(guò)保護(hù)帶4拍攝 切削槽210。
在如上所述地進(jìn)行了激光光線照射位置的校準(zhǔn)之后，使卡盤工作臺(tái) 71，移動(dòng)到照射激光光線的激光光線照射單元72的聚光器722所在的激 光光線照射區(qū)域，如圖9所示，將預(yù)定的切削槽210的一端(圖9中的 左端)定位到激光光線照射單元72的聚光器722的正下方。然后從聚光 器722照射激光光線，同時(shí)使卡盤工作臺(tái)71以預(yù)定的進(jìn)給速度向圖9中 箭頭XI所示的方向移動(dòng)，其中所述照射的激光光線是保護(hù)帶4不吸收激 光而粘接膜6吸收激光的波長(zhǎng)的激光光線，在切削槽210的另一端(圖9 中的右端)到達(dá)聚光器722的照射位置后，停止脈沖激光光線的照射并且停止卡盤工作臺(tái)71的移動(dòng)。這時(shí)，關(guān)于從激光光線照射單元72的聚
光器722照射的脈沖激光光線，在圖示的實(shí)施方式中，使聚光點(diǎn)P(形成 有聚光光斑直徑的點(diǎn))透過(guò)切削槽210對(duì)準(zhǔn)粘接膜6的上表面進(jìn)行照射。 此外，該激光光線的波長(zhǎng)設(shè)定為355nm，是構(gòu)成保護(hù)帶4的聚烯烴薄片 不吸收，而構(gòu)成粘接膜6的混合了環(huán)氧類樹(shù)脂和丙烯酸類樹(shù)脂的薄膜材 料吸收的波長(zhǎng)，但是該激光光線的波長(zhǎng)根據(jù)作為保護(hù)帶選擇的材質(zhì)和作 為粘接膜選擇的材質(zhì)的關(guān)系來(lái)適當(dāng)設(shè)定。其結(jié)果為，如圖10所示，粘接 膜6通過(guò)透過(guò)了保護(hù)帶4的激光光線的能量而沿著切削槽210熔斷。在 粘接膜6這樣熔斷時(shí)，雖然有碎屑61飛濺，但是由于該碎屑61附著在 粘貼于半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的保護(hù)帶4上，所以不會(huì)附著在形成于 半導(dǎo)體晶片2的表面2a的器件上。此外，在實(shí)施粘接膜熔斷工序時(shí)，由 于在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上粘貼有保護(hù)帶4，所以分割成了一個(gè)個(gè)的 器件22不會(huì)移動(dòng)，因此由沿著間隔道21形成的切削槽210構(gòu)成的間隙 不會(huì)曲折，所以能夠透過(guò)各器件22之間的間隙照射激光光線。 此外，上述粘接膜熔斷工序中的加工條件例如如下設(shè)定。
光源 LD起動(dòng)Q開(kāi)關(guān)Nd: YV04激光
波長(zhǎng) 355nm
平均輸出 3W
脈沖寬度 10nm
重復(fù)頻率 50kHz
聚光光斑直徑 0>5|Lim
加工進(jìn)給速度 100mm/秒
在如上所述地沿著預(yù)定方向的切削槽210熔斷粘接膜6后，使卡盤 工作臺(tái)71以切削槽210的間隔量在箭頭Y (參照?qǐng)D8)所示的方向上進(jìn) 行分度進(jìn)給，完成上述粘接膜熔斷工序。然后，在沿著形成在預(yù)定方向 上的所有切削槽210完成了上述粘接膜熔斷工序和分度進(jìn)給之后，使卡 盤工作臺(tái)71轉(zhuǎn)動(dòng)90度，沿著相對(duì)于上述預(yù)定方向垂直地形成的切削槽 210，執(zhí)行上述粘接膜熔斷工序和分度進(jìn)給，由此如圖10所示，粘接膜6 被熔斷成安裝在每一個(gè)器件22上的粘接膜6a，其中所述器件22是將半導(dǎo)體晶片2利用切削槽210分割開(kāi)來(lái)而形成的。
在如上所述地實(shí)施了粘接膜熔斷工序后，實(shí)施將粘貼在半導(dǎo)體晶片
2的表面2a上的保護(hù)帶4剝離的保護(hù)帶剝離工序。即，如圖11所示，將 粘貼在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上的保護(hù)帶4剝離，其中，所述半導(dǎo)體晶 片2粘貼在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。
接著，實(shí)施拾取工序?qū)惭b有通過(guò)實(shí)施上述粘接膜熔斷工序而沿 著切削槽210熔斷的粘接膜6a的器件22從切割帶T剝離并進(jìn)行拾取。 該拾取工序使用圖12所示的拾取裝置8來(lái)實(shí)施。圖12所示的拾取裝置8 包括保持上述環(huán)狀框架F的框架保持單元81;使安裝在環(huán)狀框架F上 的切割帶T擴(kuò)張的帶擴(kuò)張單元82，其中所述環(huán)狀框架F保持于該框架保 持單元81;和拾取夾頭83?？蚣鼙３謫卧?1由環(huán)狀的框架保持部件811、 和配設(shè)在該框架保持部件811的外周的作為固定單元的多個(gè)夾緊器812 構(gòu)成。框架保持部件811的上表面形成載置環(huán)狀框架F的載置面811a， 在該載置面811a上載置環(huán)狀框架F。另外，載置在載置面8Ua上的環(huán)狀 框架F通過(guò)夾緊器812固定在框架保持部件811上。這樣構(gòu)成的框架保 持單元81被帶擴(kuò)張單元82支承成可在上下方向上進(jìn)退。
帶擴(kuò)張單元82包括配設(shè)在上述環(huán)狀的框架保持部件811內(nèi)側(cè)的擴(kuò)張 鼓821。該擴(kuò)張鼓821的內(nèi)徑和外徑小于環(huán)狀框架F的內(nèi)徑、且比粘貼在 切割帶T上的半導(dǎo)體晶片2的外徑大，其中，所述切割帶T安裝于所述 環(huán)狀框架F上。此外，擴(kuò)張鼓821在下端具有支承凸緣822。圖示的實(shí)施 方式中的帶擴(kuò)張單元82包括支承單元823，支承單元823支承上述環(huán)狀 的框架保持部件811，并使框架保持部件811可在上下方向上進(jìn)退。該支 承單元823由配設(shè)在上述支承凸緣822上的多個(gè)空氣缸823a構(gòu)成，其活 塞桿823b與上述環(huán)狀的框架保持部件811的下表面連結(jié)。這樣由多個(gè)空 氣缸823a構(gòu)成的支承單元823使環(huán)狀的框架保持部件811在基準(zhǔn)位置和 擴(kuò)張位置之間沿上下方向移動(dòng)，所述基準(zhǔn)位置如圖13 (a)所示為載置面 811a與擴(kuò)張鼓821的上端處于大致同一高度的位置；所述擴(kuò)張位置如圖 13 (b)所示為載置面811a比擴(kuò)張鼓821的上端向下方低預(yù)定量的位置。
參照?qǐng)D13說(shuō)明使用如上構(gòu)成的拾取裝置8實(shí)施的拾取工序。即，如圖13 (a)所示，將安裝有粘貼了半導(dǎo)體晶片2 (沿著間隔道21分割成 了一個(gè)個(gè)器件22)的切割帶T的環(huán)狀框架F，載置在構(gòu)成框架保持單元 81的框架保持部件811的載置面811a上，并利用夾緊器812將該環(huán)狀框 架F固定在框架保持部件811上。這時(shí)框架保持部件811定位于圖13(a) 所示的基準(zhǔn)位置。接著使構(gòu)成帶擴(kuò)張單元82的作為支承單元823的多個(gè) 空氣缸823a動(dòng)作，使得環(huán)狀的框架保持部件811下降至圖13 (b)所示 的擴(kuò)張位置。因此，固定在框架保持部件811的載置面811a上的環(huán)狀框 架F也下降，所以如圖13 (b)所示，安裝在環(huán)狀框架F上的切割帶T 與擴(kuò)張鼓821的上端緣相接觸而被擴(kuò)張。其結(jié)果為，粘貼在切割帶T上 的粘接膜6之間以及粘貼有該粘接膜6的器件22之間擴(kuò)張，間隔S擴(kuò)大。 接著如圖13 (c)所示，使拾取夾頭83動(dòng)作以吸附器件22 (在背面安裝 有粘接膜6a)，并將吸附器件22從切割帶T剝離進(jìn)行拾取，然后搬送至 未圖示的托盤或芯片焊接工序。此外，在實(shí)施拾取工序時(shí)，通過(guò)對(duì)切割 帶T照射紫外線，來(lái)使粘接力下降。在上述的拾取工序中，由于安裝有 粘接膜6的一個(gè)個(gè)器件22之間的間隙S如上所述地?cái)U(kuò)大，所以能夠容易 地進(jìn)行拾取而不會(huì)與相鄰的器件22接觸。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其是將晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且在各器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通過(guò)形成為格子狀的多條間隔道劃分出了多個(gè)區(qū)域，并且在這些區(qū)域中形成有器件，其特征在于，上述半導(dǎo)體器件的制造方法包括以下工序切削槽形成工序，從晶片的表面?zhèn)妊刂g隔道形成深度與器件的完工厚度相當(dāng)?shù)那邢鞑?；保護(hù)帶粘貼工序，在形成有上述切削槽的晶片的表面上粘貼保護(hù)帶；晶片分割工序，對(duì)粘貼有上述保護(hù)帶的晶片的背面進(jìn)行磨削使上述切削槽露出到背面，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件；粘接膜安裝工序，在分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面安裝粘接膜，并且利用安裝在環(huán)狀框架上的切割帶來(lái)支承安裝有上述粘接膜的晶片；粘接膜熔斷工序，從粘貼在由上述切割帶支承的晶片的表面上的保護(hù)帶側(cè)，透過(guò)上述切削槽并沿著上述切削槽對(duì)上述粘接膜照射激光光線，從而使上述粘接膜沿著上述切削槽熔斷；保護(hù)帶剝離工序，在實(shí)施了上述粘接膜熔斷工序之后，將粘貼在晶片表面上的保護(hù)帶剝離；和拾取工序，將安裝有通過(guò)實(shí)施上述粘接膜熔斷工序而沿著上述切削槽熔斷的上述粘接膜的器件，從上述切割帶剝離并進(jìn)行拾取。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其能夠在利用預(yù)先切割法分割出的一個(gè)個(gè)器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜而不會(huì)導(dǎo)致器件的質(zhì)量下降。該半導(dǎo)體器件的制造方法是將晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且在各器件的背面上安裝芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通過(guò)形成為格子狀的多條間隔道劃分出了多個(gè)區(qū)域，并且在這些區(qū)域中形成有器件，在上述半導(dǎo)體器件的制造方法中，使通過(guò)預(yù)先切割法沿著間隔道形成的切削槽露出以將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，并在晶片的背面安裝粘接膜，然后從粘貼在晶片的表面上的保護(hù)帶側(cè)透過(guò)切削槽并沿著切削槽對(duì)粘接膜照射激光光線，從而實(shí)施沿著切削槽使粘接膜熔斷的粘接膜熔斷工序。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101436526SQ20081017499
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月13日
發(fā)明者中村勝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科