專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，尤其涉及一種形成具有配向狹縫 的像素結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，液晶顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，較常見的是五道光 掩模工藝。第一道光掩模工藝是用來(lái)定義第一金屬層的圖案，以形成掃描線 以及有源元件的柵極等結(jié)構(gòu)。第二道光掩模工藝是定義出有源元件的溝道層 以及歐姆接觸層，其中溝道層以及歐姆接觸層可合稱為半導(dǎo)體層。第三道光 掩模工藝是用來(lái)定義第二金屬層的圖案，以形成數(shù)據(jù)線以及有源元件的源極 /漏極等圖案。第四道光掩模工藝是用來(lái)圖案化第二金屬層上方的介電層。第 五道光掩模工藝是用來(lái)圖案化電極材料層，以形成像素電極。
此外，消費(fèi)者不僅追求大尺寸的液晶顯示面板，還追求廣視角的顯示效 果。目前，常見的廣視角技術(shù)為多域垂直配向式液晶顯示面板，其利用配向 狹縫(Slit)的配置以令不同區(qū)域內(nèi)的液晶分子朝不同方向傾倒，而達(dá)到廣視 角的效果。其中，利用上述的第五道光掩模工藝來(lái)圖案化電極材料層，便能 形成具有配向狹縫的像素電極。
然而，在工藝中所使用的光掩模成本較高，而使光掩模數(shù)目成為影響工 藝的制作成本的主要原因之一。此外，隨著液晶顯示面板朝大尺寸制作的發(fā) 展趨勢(shì)，而促使光掩模的尺寸隨之增大，進(jìn)而提高光掩模的成本。因此，各 家廠商都致力于研發(fā)減少光掩模數(shù)目的可能技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其可使用較少光掩模以形成具有 配向狹縫的像素結(jié)構(gòu)。
為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其方法
包括首先，在基板上形成有源元件。其次，在基板上依序形成第一介電層、 第二介電層以及第三介電層并覆蓋有源元件，其中第一介電層與第三介電層 的蝕刻速率低于第二介電層的蝕刻速率。接著，在第三、第二與第一介電層 中形成接觸窗開口，其暴露出有源元件的一部分。之后，圖案化第三介電層 以及第二介電層，以形成多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。然后，形成電極材料層，以覆蓋堆 疊結(jié)構(gòu)與第一介電層并填入接觸窗開口，其中位于堆疊結(jié)構(gòu)上的電極材料層 與位于第一介電層上的電極材料層為分離開來(lái)。而后，移除堆疊結(jié)構(gòu)，并同 時(shí)剝除位于堆疊結(jié)構(gòu)上的電極材料層，以定義出像素電極且同時(shí)在像素電極 中形成至少一配向狹縫。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，堆疊結(jié)構(gòu)的第三介電層的寬度大于其第二介電 層的寬度。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成接觸窗開口以及圖案化第三介電層與第二 介電層的方法包括首先，在第三介電層上形成圖案化光致抗蝕劑層，且此 圖案化光致抗蝕劑層具有一較薄部分以及一較厚部分。其次，以圖案化光致 抗蝕劑層作為掩模，并在第三、第二與第一介電層中形成接觸窗開口。之后， 移除圖案化光致抗蝕劑層的較薄部分，而保留較厚部分。然后，以圖案化光 致抗蝕劑層的較厚部分作為掩模，移除被暴露出的第三介電層以及第二介電 層，以形成堆疊結(jié)構(gòu)。而后，移除圖案化光致抗蝕劑層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成圖案化光致抗蝕劑層的方法包括利用半調(diào) 式光掩?；蚧译A光掩模。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一介電層與第三介電層的密度高于第二介電 層的密度。在一實(shí)施例中，第一介電層以及第三介電層的材料與第二介電層 的材料相同。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一介電層以及第三介電層的材料不同于第二 介電層的材料。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除堆疊結(jié)構(gòu)的方法包括使用蝕刻氣體來(lái)移除。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，移除堆疊結(jié)構(gòu)的方法包括使用具有二氧化碳?xì)?體、液體及固體三相的移除程序來(lái)移除。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一、第二以及第三介電層的材料包括以硅為
主的材料(silicon based material)。在一實(shí)施例中，移除堆疊結(jié)構(gòu)的方法包 括使用氫氟酸蝕刻氣體來(lái)移除。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，可借由蝕刻速率不等的第一介電層、第 二介電層與第三介電層來(lái)定義出每一像素結(jié)構(gòu)的像素電極以及配向狹縫。此 外，像素結(jié)構(gòu)中的接觸窗開口與像素電極是在同一道光掩模工藝中形成，所 以本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法可減少工藝中所需的光掩模數(shù)目。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并 配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
圖1到圖9示出本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。
100:基板 200:有源元件
200G:柵極
200C:半導(dǎo)體層 200D:漏極 200S:源極 202C:溝道層 204C:歐姆接觸層
300:電極圖案
400:圖案化光致抗蝕劑層
400k:較厚部分
400n:較薄部分
400k':較厚部分
500:堆疊結(jié)構(gòu)
600:電極材料層
600p:像素電極
700:像素結(jié)構(gòu)
GI:柵極絕緣層


HI:開口
H2:接觸窗開口
M:灰階光掩模、半調(diào)式光掩模
M10Q:透光區(qū)
Mo:非透光區(qū) Mx:半透光區(qū) PV1:第一介電層 PV2:第二介電層 PV3:第三介電層 S:配向狹縫 ti、 t2:厚度
具體實(shí)施例方式
圖1到圖9示出本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程剖面示意圖。 為方便說(shuō)明，圖1到圖9僅示出一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的局部剖面作代表說(shuō)明。請(qǐng)先 參照?qǐng)D1，首先，在基板100上形成有源元件200。在一優(yōu)選實(shí)施例中，形 成有源元件200的方法例如是利用兩道光掩模工藝來(lái)完成。舉例來(lái)說(shuō)，首先 在基板100上形成第一金屬層(未示出)，其中基板100的材料例如是玻璃、 石英或塑膠等透光的材料。之后再將第一金屬層圖案化，以形成有源元件200 的柵極200G。其中，第一金屬層例如是借由濺鍍(sputtering)、蒸鍍 (evaporation)或是其他薄膜沉積技術(shù)所形成，而第一金屬層的圖案化例如 是借由一道光掩模工藝來(lái)進(jìn)行。此外，若欲進(jìn)一步在像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置儲(chǔ)存電 容，則可在形成柵極200G的同時(shí)，選擇性地在像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的基板IOO上形 成電極圖案300，其中電極圖案300可作為儲(chǔ)存電容的下電極。
接著，便可在基板100上形成有源元件200的半導(dǎo)體層200C、源極200S 以及漏極200D。詳細(xì)而言，首先在基板100上依序形成柵極絕緣層GI、半 導(dǎo)體層(未示出)以及第二金屬層(未示出)，其中柵極絕緣層GI、半導(dǎo)體 層與第二金屬層例如是全面性覆蓋基板100。柵極絕緣層GI的材料例如是氮 化硅、氧化硅、氮氧化硅或其前述材料的疊層等介電材料，而形成柵極絕緣 層GI的方法例如是借由化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)
或其他合適的薄膜沉積技術(shù)。
另一方面，本實(shí)施例的半導(dǎo)體層包括溝道材料層(未示出)以及位于溝 道材料層上方的歐姆接觸材料層(未示出)。溝道材料層以及歐姆接觸材料 層的材料例如分別是非晶硅以及N型重?fù)诫s的非晶硅，而其形成方法例如是 化學(xué)氣相沉積法。
接下來(lái)，圖案化半導(dǎo)體層與第二金屬層。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層與第 二金屬層的圖案化例如是利用具有不同光穿透率區(qū)域的半調(diào)式光掩?；蚧?階光掩模來(lái)進(jìn)行一道光掩模工藝，其中半調(diào)式光掩?；蚧译A光掩模包括穿透
率為100%的透光區(qū)、穿透率為0%的非透光區(qū)以及半透光區(qū)。借由半調(diào)式光 掩模或灰階光掩模的工藝步驟，便可定義出有源元件200的半導(dǎo)體層200C (包含溝道層202C以及歐姆接觸層204C)、源極200S以及漏極200D。為 了避免位于溝道層202C上方的歐姆接觸層204C造成源極200S與漏極200D 之間形成短路而影響有源元件200的電性，因此在形成源極200S以及漏極 200D時(shí)，還移除源極200S以及漏極200D所暴露的歐姆接觸層204C。上述 至此，本實(shí)施例的有源元件200已大致制作完成。
傳統(tǒng)上，像素結(jié)構(gòu)的制造方法會(huì)以兩道光掩模工藝來(lái)形成有源元件的半 導(dǎo)體層、源極以及漏極，而本實(shí)施例的半導(dǎo)體層200C、源極200S以及漏極 200D可以整合于同一道光掩模工藝中，以進(jìn)一步省略一道光掩模工藝，而 本發(fā)明對(duì)于有源元件200的工藝，也可以因需求及其他考慮而使用或搭配其 他的做法，例如搭配激光剝離(laser ablation process)工藝或是剝離工藝(lift off process)來(lái)更進(jìn)一步節(jié)省光掩模，但并不僅限于此；另外有源元件200的結(jié)構(gòu)， 除了本實(shí)施例的底柵極結(jié)構(gòu)(bottomgate)外，也可為頂柵極結(jié)構(gòu)(top gate),且 有源元件200的結(jié)構(gòu)并不僅限于此。
其次，請(qǐng)參照?qǐng)D2，在基板100上依序形成第一介電層PV1、第二介電 層PV2以及第三介電層PV3，其中第一、第二與第三介電層PV1、 PV2與 PV3覆蓋有源元件200。較特別的是，在本實(shí)施例中，第一介電層PV1與第 三介電層PV3的蝕刻速率低于第二介電層PV2的蝕刻速率，其中第一介電 層PV1的材料、第二介電層PV2的材料與第三介電層PV3的材料例如為相 同的材料，且例如均是以硅為主的材料(silicon based material)。此外，本 實(shí)施例是以第一介電層PV1與第三介電層PV3的密度高于第二介電層PV2的密度的方式，來(lái)達(dá)到第一與第三介電層PV1與PV3的蝕刻速率低于第二
介電層PV2的蝕刻速率的效果。然而，在其他實(shí)施例中，也可采取第一與第 三介電層PV1與PV3的材料不同于第二介電層PV2的材料的方式來(lái)達(dá)到第 一與第三介電層PV1與PV3的蝕刻速率低于第二介電層PV2的蝕刻速率的 效果。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3 ，在第三介電層PV3上形成一圖案化光致抗蝕劑層400， 且圖案化光致抗蝕劑層400具有一較厚部分400k以及一較薄部分400n，其 中較厚部分400k的厚度tlQ在本實(shí)施例中，圖案化光致抗蝕劑層400例如是 正型(positive)光致抗蝕劑，而形成圖案化光致抗蝕劑層400的方法例如是 先以旋轉(zhuǎn)涂布法(spin coating)、噴嘴/旋轉(zhuǎn)涂布法(slit/spin coating)或非 旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-less coating)將具有感光特性的材料層涂布于第三介電層 PV1上。接著，利用具有不同光穿透率區(qū)域的半調(diào)式光掩模M (Half-Tone Mask, HTM)或灰階光掩模M (Gray-Level Mask)以對(duì)此感光材料層進(jìn)行曝 光后，再進(jìn)行顯影、硬烤等程序。其中，半調(diào)式光掩模M或灰階光掩模M 包括對(duì)應(yīng)于開口 HI且光穿透率為100。/。的透光區(qū)M咖、對(duì)應(yīng)于較厚部分400k 且光穿透率為0%的非透光區(qū)M。以及對(duì)應(yīng)于較薄部分400n的半透光區(qū)Mx。
承上述，再利用圖案化光致抗蝕劑層400作為掩模來(lái)進(jìn)行蝕刻工藝，以 移除開口 HI所對(duì)應(yīng)的第三介電層PV3、第二介電層PV2與第一介電層PVl ， 其中蝕刻工藝可以是干式蝕刻工藝、濕式蝕刻工藝或二者搭配使用。如此， 如圖4所示，本實(shí)施例便可在第三介電層PV3、第二介電層PV2與第一介電 層PVl中形成一接觸窗開口 H2，其中接觸窗開口 H2暴露出有源元件200 的一部分，而此部分用為有源元件200的漏極200D。在本實(shí)施例中，接觸 窗開口 H2的形成可使漏極200D與后續(xù)工藝步驟中的像素電極電性連接。
接下來(lái)，縮減圖案化光致抗蝕劑層400的厚度直到圖案化光致抗蝕劑層 400的較薄部分400n被移除，并保留較厚部分400k'，如圖5所示。在本實(shí) 施例中，縮減圖案化光致抗蝕劑層400的厚度的方法例如是利用氧等離子體 進(jìn)行灰化(Ashing)工藝。然而，較厚部分400k的厚度h會(huì)在灰化工藝的 過程中隨之變薄而形成厚度為t2的較厚部分400k'，因此厚度12會(huì)小于厚度 tp其中厚度t,請(qǐng)參考圖4。
之后，借由剩余的圖案化光致抗蝕劑層400作為掩模以圖案化第三介電
層PV3以及第二介電層PV2。具體而言，如圖6所示，利用圖案化光致抗蝕 劑層400的較厚部分400k'作為掩模來(lái)進(jìn)行蝕刻工藝，以移除被暴露出的第 三介電層PV3以及第二介電層PV2，并形成堆疊結(jié)構(gòu)500。在本實(shí)施例中， 由于第三介電層PV3的蝕刻速率低于第二介電層PV2的蝕刻速率，因此， 第二、第三介電層PV2、 PV3兩者在相同時(shí)間內(nèi)，第三介電層PV3被蝕刻掉 的部分會(huì)少于第二介電層PV2被蝕刻掉的部分。如此，第三介電層PV3的 寬度便會(huì)大于第二介電層PV2的寬度。此外，由于第一介電層PV1的蝕刻 速率低于第二介電層PV2的蝕刻速率，所以在進(jìn)行蝕刻工藝中，可控制工藝 參數(shù)以移除未被圖案化光致抗蝕劑層400所遮蔽的第二與第三介電層PV2與 PV3，而保留第一介電層PV1。
由上述可知，第三介電層PV3的蝕刻速率低于第二介電層PV2的蝕刻 速率有助于形成第三介電層PV3的寬度大于第二介電層PV2的寬度的堆疊 結(jié)構(gòu)500，而第三介電層PV3的蝕刻速率低于第一介電層PV1的蝕刻速率則 可在移除第三、第二介電層PV3、 PV2的工藝步驟中保留第一介電層PV1。
而后，再移除圖案化光致抗蝕劑層400，也就是移除其剩余的較厚部分 400k，，如圖7所示。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D8，在基板100上形成電極材料層600， 以覆蓋堆疊結(jié)構(gòu)500與第一介電層PV1 ，且電極材料層600會(huì)填入接觸窗開 口 H2。其中，形成電極材料層600的方法例如是借由濺鍍來(lái)形成銦錫氧化 物(ITO)層或銦鋅氧化物(IZO)層。由圖8可知，在本實(shí)施例中，借由堆 疊結(jié)構(gòu)500的設(shè)置，可使位于堆疊結(jié)構(gòu)500上的電極材料層600與位于第一 介電層PV1上的電極材料層600分離開來(lái)。換言之，堆疊結(jié)構(gòu)500的設(shè)計(jì)猶 如在對(duì)電極材料層600進(jìn)行圖案化。此外，在本實(shí)施例中，電極材料層600 與電極圖案300夾設(shè)柵極絕緣層GI與第一介電層PV1可構(gòu)成一種金屬層/ 介電層/銦錫氧化層(Metal-Insulator-ITO，MII)結(jié)構(gòu)形態(tài)的儲(chǔ)存電容。然而， 本發(fā)明并不限定儲(chǔ)存電容的結(jié)構(gòu)形態(tài)，舉例來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存電容也可以呈現(xiàn)金屬 層/介電層/金屬層(Metal-Insulator-Metal，MIM)結(jié)構(gòu)形態(tài)。
而后，移除堆疊結(jié)構(gòu)500，并同時(shí)剝除位于堆疊結(jié)構(gòu)500上的電極材料 層600，如圖9所示。在本實(shí)施例中，移除堆疊結(jié)構(gòu)500的方法例如是使用 蝕刻氣體來(lái)移除。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)材料以硅為主的第一介電層PV1、第二介電 層PV2與第三介電層PV3而言，本實(shí)施例可利用氫氟酸(HF)蝕刻氣體來(lái)
移除堆疊結(jié)構(gòu)500。然而，在其他實(shí)施例中，也可以使用具有二氧化碳?xì)怏w、
液體及固體三相的移除程序來(lái)移除堆疊結(jié)構(gòu)500，其中前述的二氧化碳?xì)怏w、 液體及固體三相共存的狀態(tài)是指具備氣態(tài)的穿透能力、固態(tài)的撞擊力以及液 態(tài)的溶解能力。所以，在移除堆疊結(jié)構(gòu)500之后，便可定義出一像素電極600p， 并同時(shí)在像素電極600p中形成配向狹縫S (圖9僅示出一個(gè)狹縫為例)。就 液晶顯示面板而言，配向狹縫S適于使其附近的液晶分子朝特定方向傾倒， 而多個(gè)配向狹縫S的設(shè)置則可令不同區(qū)域內(nèi)的液晶分子朝不同方向傾倒，進(jìn) 而達(dá)到廣視角的效果。在此需要說(shuō)明的是，配向狹縫S的數(shù)量應(yīng)視實(shí)際產(chǎn)品 的需求而定，本發(fā)明并無(wú)限制。上述至此，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)700已大致 制作完成。
傳統(tǒng)上，像素結(jié)構(gòu)的制造方法其需以兩道光掩模工藝才能分別形成介電 層的接觸窗開口與像素電極。然而，本實(shí)施例是利用一道光掩模工藝并搭配 不同蝕刻速率的第一、第二、第三介電層PV1、 PV2、 PV3來(lái)一并形成第一 介電層PV1的接觸窗開口 H2與具有至少一配向狹縫S的像素電極600p，其 中具有配向狹縫S的像素結(jié)構(gòu)700有助于提升液晶顯示面板的視角。因此， 本實(shí)施例有助于減少工藝中所需的光掩模數(shù)目。在一優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)有源 元件200的形成是以兩道光掩模工藝來(lái)完成制作時(shí)，像素結(jié)構(gòu)700的形成便 可僅由三道光掩模工藝來(lái)完成制作。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，可借由蝕刻速率不等的第一介電層、第 二介電層與第三介電層來(lái)定義出像素結(jié)構(gòu)的像素電極以及配向狹縫。如此， 利用本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法所形成的像素結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于廣視角液晶 顯示面板。此外，像素結(jié)構(gòu)中的接觸窗開口與像素電極會(huì)在同一道光掩模工 藝中形成，所以本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法還有助于減少工藝中所需的光 掩模數(shù)目。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作出改動(dòng)與修 改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在一基板上形成一有源元件；在該基板上依序形成一第一介電層、一第二介電層以及一第三介電層，覆蓋該有源元件，其中該第一介電層與該第三介電層的蝕刻速率低于該第二介電層的蝕刻速率；在該第三、第二與第一介電層中形成一接觸窗開口，其暴露出該有源元件的一部分；圖案化該第三介電層以及該第二介電層，以形成多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)；形成一電極材料層，覆蓋所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)以及該第一介電層，并且填入該接觸窗開口，其中位于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上的該電極材料層與位于該第一介電層上的該電極材料層分離開來(lái)；以及移除所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并同時(shí)剝除位于所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上的該電極材料層，以定義出一像素電極且同時(shí)在該像素電極中形成至少一配向狹縫。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的 第三介電層的寬度大于其第二介電層的寬度。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該接觸窗開口以 及圖案化該第三介電層以及該第二介電層的方法包括在該第三介電層上形成一圖案化光致抗蝕劑層，其具有一較薄部分以及 一較厚部分；以該圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，在該第三、第二與第一介電層中形 成該接觸窗開口；移除該圖案化光致抗蝕劑層的該較薄部分，而保留該較厚部分；以該圖案化光致抗蝕劑層的該較厚部分作為掩模，移除被暴露出的該第 三介電層以及該第二介電層，而形成所述多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該圖案化光致抗 蝕劑層的方法包括利用一半調(diào)式光掩?；蛞换译A光掩模。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一介電層與該第 三介電層的密度高于該第二介電層的密度。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一介電層與該第 三介電層的材料與該第二介電層的材料相同。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一介電層與該第 三介電層的材料不同于該第二介電層的材料。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述多個(gè)堆疊結(jié) 構(gòu)的方法包括使用蝕刻氣體來(lái)移除。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述多個(gè)堆疊結(jié) 構(gòu)的方法包括使用具有二氧化碳?xì)怏w、液體及固體三相的移除程序來(lái)移除。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一、第二以及第 三介電層的材料包括以硅為主的材料。
11. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除所述多個(gè)堆疊 結(jié)構(gòu)的方法包括使用氫氟酸蝕刻氣體來(lái)移除。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括在已形成有源元件的基板上形成第一、第二與第三介電層。第一與第三介電層的蝕刻速率低于第二介電層的蝕刻速率。在第三、第二與第一介電層中形成接觸窗開口，其暴露出有源元件的部分。圖案化第三與第二介電層，以形成多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。形成電極材料層并填入接觸窗開口，且位于堆疊結(jié)構(gòu)上的電極材料層與位于第一介電層上的電極材料層為分離開來(lái)。移除堆疊結(jié)構(gòu)并同時(shí)剝除位于堆疊結(jié)構(gòu)上的電極材料層，以定義出像素電極且同時(shí)在像素電極中形成至少一配向狹縫。本發(fā)明可減少工藝中所需的光掩模數(shù)目。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101369558SQ20081016941
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月16日
發(fā)明者廖金閱, 楊智鈞, 蕭祥志 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司