專利名稱：半導(dǎo)體模塊的制造方法、半導(dǎo)體模塊及便攜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊的制造方法、半導(dǎo)體模塊及便攜設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的小型化、高性能化，追求使用于電子設(shè)備的半 導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體^^莫塊)更加小型化。隨著半導(dǎo)體元件的小型化，為了安裝 于布線基板而所需的電極間的窄間距化變得不可或缺。作為半導(dǎo)體元件的表 面安裝方法，已知在半導(dǎo)體元件的電極上形成焊料凸起，并且焊接焊料凸起 和布線基板的焊盤電極的倒裝芯片安裝方法。在倒裝芯片安裝方法中，焊料 凸起本身的大小、焊接時(shí)的電橋產(chǎn)生等成為制約，并限制電極的窄間距化。 作為克服這種限制的方法，已知將通過半蝕刻金屬板形成的突起結(jié)構(gòu)作為電 極或通孔，在金屬板上經(jīng)環(huán)氧樹脂等絕緣層安裝半導(dǎo)體元件，將半導(dǎo)體元件 的電極連接到突起結(jié)構(gòu)的方法。
然而，在將突起結(jié)構(gòu)埋入絕緣層并層積金屬板、絕緣層及半導(dǎo)體元件進(jìn) 行一體化時(shí)，有必要進(jìn)行突起結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體元件的電極之間的定位(對準(zhǔn))。 在現(xiàn)有的制造技術(shù)中，利用鉆具在金屬板側(cè)設(shè)置對準(zhǔn)用貫通孔，然后利用金 屬板的貫通孔和通過該貫通孔能夠識別的半導(dǎo)體元件上的對準(zhǔn)標(biāo)記，進(jìn)行金 屬板的突起結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體元件的電極的定位。另外，在通過光刻技術(shù)和蝕刻 技術(shù)將金屬板加工成規(guī)定的布線圖案時(shí)，也利用這種對準(zhǔn)用貫通孔進(jìn)行定 位。但是，由于鉆孔加工的微細(xì)化界限及其加工精度低，所以難以提高對準(zhǔn) 精度，并且難以通過因制造余量(定位余量)的降低而達(dá)到半導(dǎo)體元件(半 導(dǎo)體模塊)的細(xì)微化來謀求其低成本化。另外，鉆孔加工自身也增加處理工
序，成為增加半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體模塊)制造成本的一個(gè)原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而作出的，其目的在于提供一種提高相向連接金屬板的突起結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體元件的電極時(shí)的定位精度的同時(shí)，謀求降低半導(dǎo)體 模塊的制造成本的技術(shù)。
為解決上述問題，本發(fā)明的某一方式是半導(dǎo)體模塊的制造方法。該半導(dǎo) 體模塊的制造方法的特征在于，包括第一工序，準(zhǔn)備在表面設(shè)置半導(dǎo)體元
件、與該半導(dǎo)體元件電連接的電極和規(guī)定的第一圖案部的基板；第二工序， 準(zhǔn)備具有第一主面及其相反側(cè)的第二主面，并且包括從第一主面突出設(shè)置的 突起部和在第二主面設(shè)置的規(guī)定圖案的溝部；第三工序，通過調(diào)整金屬板的 位置使第 一圖案部和與其對應(yīng)的溝部具有規(guī)定位置關(guān)系來進(jìn)行突起部和電 極的定位，然后經(jīng)絕緣層壓接金屬板的第一主面?zhèn)群突?，在突起部貫通絕 緣層的狀態(tài)下電連接突起部和電極；第四工序，在金屬板的第二主面?zhèn)刃纬?規(guī)定圖案的布線層。
在上述結(jié)構(gòu)中，第四工序也可以通過深蝕刻金屬板的第二主面?zhèn)?，并?溝部的底部貫通至第 一主面，而將金屬板加工成規(guī)定圖案的布線層。
在上述結(jié)構(gòu)中，第四工序也可以將金屬板加工成使布線層的側(cè)面和與布 線層的絕緣層相反側(cè)的主面之間的區(qū)域呈倒角形狀。
在上述結(jié)構(gòu)中，第二工序也可以包括在平板狀金屬板的一面形成突起 部的第一步驟；和以突起部的規(guī)定第二圖案部為基準(zhǔn)，在平板狀金屬板的另
一面形成溝部的第二步驟。
在上述結(jié)構(gòu)中，也可以在基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件，溝部進(jìn)一步被形 成在用于分隔多個(gè)半導(dǎo)體元件之間而設(shè)置的劃線區(qū)域中。
在上述結(jié)構(gòu)中，也可以第三工序?qū)⒔饘侔宓牡谝恢髅鎮(zhèn)群突寮訜岬耐?時(shí)進(jìn)行壓接，第 一步驟根據(jù)金屬板的線膨脹系數(shù)和基板的線膨脹系數(shù)之差、 第三工序中的加熱溫度、距因第三工序的加熱引起的膨脹而不移動的金屬板 的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離，在從與電極相向的位置向與金屬板的膨脹方向相反側(cè)錯位 的位置形成突起部。
另外，本發(fā)明的另一方式是半導(dǎo)體模塊。該半導(dǎo)體模塊的特征在于，包 括設(shè)有突起部的布線層，在表面設(shè)有半導(dǎo)體元件和與該半導(dǎo)體元件電連接 并且與突起部對應(yīng)地配置的電極的基板以及在布線層和基板之間設(shè)置的絕 緣層；在突起部貫通絕緣層的狀態(tài)下電連接突起部和電極；布線層的側(cè)面和 與布線層的絕緣層相反側(cè)的主面之間的區(qū)域呈倒角形狀。
并且，本發(fā)明的再另一方式是便攜設(shè)備。該便攜設(shè)備的特征在于搭載上述方式的半導(dǎo)體模塊。


圖1是實(shí)施方式1的半導(dǎo)體模塊的示意剖面圖。
圖2(A) ~ (D)是用于說明具有突起部和溝部的銅板的形成方法的
示意剖面圖。
圖3(A) ~ (C)是用于說明具有突起部和溝部的銅板的形成方法的示 意剖面圖。
圖4是表示將由多個(gè)劃線分隔的半導(dǎo)體基板配置成矩陣狀的半導(dǎo)體晶 片的平面圖。
圖5 (A) ~ (C)是用于說明半導(dǎo)體模塊的制造過程的示意剖面圖。
圖6 (A)、 (B)是用于說明半導(dǎo)體模塊的制造過程的示意剖面圖。
圖7 (A) ~ (C)是用于說明定位方法的示意剖面圖。
圖8(A) ~ (C)是用于說明定位方法的示意剖面圖。
圖9(A) ~ (C)是用于說明實(shí)施方式2的具有突起部和溝部的銅板的
形成方法的示意剖面圖。
圖10 (A) ~ (C)是用于說明具有突起部和溝部的銅板的形成方法的
示意剖面圖。
圖11 (A)、 (B)是用于說明半導(dǎo)體模塊的制造過程的示意剖面圖。 圖12是實(shí)施方式3的便攜式電話的結(jié)構(gòu)圖。 圖13是便攜式電話的部分剖面圖。 附圖標(biāo)記i兌明
1 半導(dǎo)體基板；2半導(dǎo)體元件；2a 電極；3保護(hù)膜；4再布線圖 案；4a 突起部；4al 突起部的頂端部；4a2 突起部的側(cè)面部；4b 溝部； 5 劃線；6半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域；7a、 7b定位用圖案部；8 絕緣層；9 外部連接電極(焊料球)。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，參照具體實(shí)施方式
來描述本發(fā)明。這并不是限制本發(fā)明的范圍， 而是示例本發(fā)明。
下面，根據(jù)

具體體現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在全部的附圖中，對相同的結(jié)構(gòu)要素附以相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)省略其說明。 實(shí)施方式1
圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的示意剖面圖。根據(jù)圖1說明本實(shí)施方 式的半導(dǎo)體模塊。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊中的半導(dǎo)體基板1采用P型硅基板等，利用眾
所周知的技術(shù)，在其表面S (下面?zhèn)?形成規(guī)定的電路等半導(dǎo)體元件2，在 成為安裝面的表面S (尤其是半導(dǎo)體元件2的外周緣部)形成與半導(dǎo)體元件 2電連接的電極2a。為了使該電極2a的規(guī)定區(qū)域(中央部分)露出，在半 導(dǎo)體基板1表面上的區(qū)域形成保護(hù)膜3。在半導(dǎo)體基板1的表面S，為使電 極2a的間距更寬，在電極2a及保護(hù)膜3上形成絕緣層8，并且形成貫通該 絕緣層8并連接于電極2a的露出面的突起部4a,以及一體地設(shè)置該突起部 4a的再布線圖案4。突起部4a設(shè)置在再布線圖案4的第一主面Sl，在與該 第一主面Sl相反側(cè)(下面?zhèn)?的規(guī)定區(qū)域，設(shè)置用于與半導(dǎo)體模塊外部進(jìn) 行信號傳遞的外部連接電極(焊料球)9。
具體地，絕緣層8形成在半導(dǎo)體基板1的表面S,其厚度為例如約35pm。 絕緣層8優(yōu)選采用沖壓時(shí)引起塑性流動的材料。作為沖壓時(shí)引起塑性流動的 材料，例舉環(huán)氧系熱固化型樹脂。絕緣層8釆用的環(huán)氧系熱固化型樹脂，例 如在溫度160。C、壓力8MPa的條件下，具有粘度為lKPa's的特性的材料即 可。另外，該材料在溫度160。C的條件下，比較以15MPa沖壓的情況與不沖 壓的情況，樹脂的粘度降低至約1/8。
再布線圖案4在絕緣層8上形成。在再布線圖案4上一體地設(shè)置從第一 主面Sl突出并貫通該絕緣層8的突起部4a。再布線圖案4及突起部4a采用 例如由軋制的銅構(gòu)成的軋制金屬。由銅構(gòu)成的軋制金屬與通過鍍敷處理等形 成的由銅構(gòu)成的金屬膜比較，其機(jī)械強(qiáng)度強(qiáng)，作為用于再布線的材料優(yōu)良。 再布線圖案4的厚度為例如約20|im，突起部4a的高度(厚度)為例如約 35ym。突起部4a設(shè)置為與其底面部平行的去掉圓錐頂點(diǎn)部的形狀(以下稱 為"圓錐臺")，該突起部4a具有與半導(dǎo)體基板l的電極2a的接觸面平行的 頂端部4al和越接近頂端部4al其直徑(尺寸)越細(xì)地形成的側(cè)面部4a2。 突起部4a的頂端(頂端部4al )的直徑和基面的直徑分別為約35^imcp和約 50|im(p。另夕卜，突起部4a設(shè)置在對應(yīng)于電極2a的位置。突起部4a的頂端(頂 端部4al )形成為直接與半導(dǎo)體基板1的電極2a連接，而電連接電極2a和再布線圖案4。
另外，半導(dǎo)體基板l作為本發(fā)明的"基板"、半導(dǎo)體元件2作為本發(fā)明
的"半導(dǎo)體元件"、電極2a作為本發(fā)明的"電極"、突起部4a作為本發(fā)明的 "突起部"、溝部4b作為本發(fā)明的"溝部"、絕緣部8作為本發(fā)明的"絕緣 層"、再布線圖案4作為本發(fā)明的"布線層"的一例。
圖2和圖3是用于說明具有突起部和溝部的銅板的形成方法的示意剖面 圖。圖4是表示將由多個(gè)劃線分隔的半導(dǎo)體基板配置成矩陣狀的半導(dǎo)體晶片 的平面圖(俯視圖)。圖5和圖6是用于說明圖1示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)
體模塊的制造過程的示意剖面圖。下面，參照圖1~圖6說明本實(shí)施方式的 半導(dǎo)體模塊的制造過程。
首先，如圖2(A)所示，準(zhǔn)備厚度至少比突起部4a的高度與再布線圖 案4的厚度之和大的平板狀銅板4z。銅板4z采用由軋制的銅構(gòu)成的軋制金 屬，銅板4z的厚度為約100pm。另外，平板狀銅板4z作為本發(fā)明的"平板 狀金屬板"的一例。
如圖2 (B)所示，利用光刻技術(shù)在各半導(dǎo)體^^莫塊形成區(qū)域6內(nèi)的突起 部形成區(qū)域形成抗蝕劑掩模PRla。這里，突起部形成區(qū)域的排列對應(yīng)于由 多個(gè)劃線5分隔為多個(gè)半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6的半導(dǎo)體晶片中的半導(dǎo)體基板 l的各電極2a的位置。這時(shí)，在抗蝕劑掩模PRla中預(yù)先形成定位(對準(zhǔn)) 用圖案部，并把該定位(對準(zhǔn))用圖案部與半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6的外側(cè)(例 如，劃線5)的規(guī)定區(qū)域(規(guī)定位置)對準(zhǔn)(參照圖7)。該圖案部采用例如 十字形、四邊形或圓形等定位標(biāo)記，其尺寸(全長)為例如約5jim 500^im 的范圍。而且，通過在設(shè)置抗蝕劑掩模PRla的一面的相反側(cè)(第二主面S2) 形成抗蝕劑保護(hù)膜PRlb來保護(hù)銅板4z。另外，劃線5作為本發(fā)明的"劃線 區(qū)域"的一例。
如圖2 ( C )所示，以抗蝕劑掩模PRla為掩才莫進(jìn)行使用氯化二鐵溶液等 藥液的濕蝕刻處理，并且通過在銅板4z表面形成分離溝，形成從銅板4y的 第一主面Sl突出的規(guī)定圓錐臺圖案的突起部4a。這時(shí)，突起部4a形成為具 有越接近其頂端部4al直徑(尺寸)越細(xì)的錐形狀的側(cè)面部4a2。另外，突 起部4a的高度為約35pm，突起部4a頂端(頂端部4al )的直徑和基面的直 徑分別為約35(imcp和約50|mup。另夕卜，在上述處理中，由抗蝕劑j呆護(hù)膜PRlb 保護(hù)銅板4y的第二主面S2側(cè)。如圖2(D)所示，除去抗蝕劑掩模PRla及抗蝕劑保護(hù)膜PRlb。由此， 在銅板4y的第一主面Sl —體地形成突起部(具有頂端部4al和越接近該頂 端部4al直徑越細(xì)地形成的側(cè)面部4a2的突起部)4a。另外，在半導(dǎo)體模塊 形成區(qū)域6的外側(cè)(例如，劃線5)的規(guī)定區(qū)域(規(guī)定位置)形成定位用圖 案部(參照圖7)。另外，也可以采用銀(Ag)等金屬掩模替代抗蝕劑掩模 PRla。這時(shí)，由于充分確保與銅板4z的蝕刻選擇比，所以可謀求突起部4a 或定位用圖案部的布圖的進(jìn)一步細(xì)微化。
接著，如圖3 (A)所示，將在銅板4y的第一主面Sl側(cè)設(shè)置的定位用 圖案部作標(biāo)記進(jìn)行定位，并且利用光刻技術(shù)在銅板4y的第二主面S2側(cè)的溝 部形成區(qū)域形成抗蝕劑掩模PR2a。這時(shí)，在抗蝕劑掩模PR2a中預(yù)先形成定 位用圖案部7a，并把該定位用圖案部7a與半導(dǎo)體^^塊形成區(qū)域6的外側(cè)(例 如，劃線5 )的規(guī)定區(qū)域(規(guī)定位置)對準(zhǔn)。該定位用圖案部7a例如采用十 字形、四邊形或圓形等定位標(biāo)記，其尺寸(全長)為例如約5nm 500(im的 范圍。而且，通過在設(shè)置抗蝕劑掩模PR2a的一面的相反側(cè)(第一主面Sl ) 形成抗蝕劑保護(hù)膜PR2b來保護(hù)銅板4z。另外，后述形成抗蝕劑掩模PR2a 時(shí)的定位方法。
如圖3 ( B )所示，以抗蝕劑掩模PR2a為掩模進(jìn)行使用氯化二鐵溶液等 藥液的濕蝕刻處理，在銅板4x上形成從第二主面S2向下挖出設(shè)置的溝部 4b。這里，溝部4b的深度為約20(am。由此，將溝部4b形成為對應(yīng)于具有 定位用圖案部7a和規(guī)定線/空間圖案的再布線圖案4的空間圖案。
如圖3(C)所示，除去抗蝕劑掩模PR2a和抗蝕劑保護(hù)膜PR2b。由此， 形成銅板4x，該銅板4x具有從銅板4x的第一主面Sl突出設(shè)置的突起部4a 和從第二主面S2向下挖出設(shè)置的溝部4b。
另外準(zhǔn)備如上述制造的銅板4x，用于下面說明的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體 模塊的制造過程。
首先，如圖5(A)所示，準(zhǔn)備表面S具有半導(dǎo)體元件2、電極2a和保 護(hù)膜3的半導(dǎo)體基板1以矩陣狀形成的半導(dǎo)體晶片。另外，如圖4所示，半 導(dǎo)體晶片由多個(gè)劃線5以格子狀被分隔為多個(gè)半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6 (半導(dǎo) 體基板1 )。該半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6是形成上述半導(dǎo)體模塊的區(qū)域。
具體地，如圖5 (A)所示，在P型硅基板等的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的各個(gè)半 導(dǎo)體基板1,利用眾知技術(shù)在其表面S (下面?zhèn)?形成規(guī)定的電路等半導(dǎo)體元件2和在其周邊部與半導(dǎo)體元件2電連接的電極2a。然后，在半導(dǎo)體基板 1的表面S對應(yīng)于銅板4x的定位用圖案部7a的區(qū)域(例如，劃線5 )的規(guī) 定位置形成定位用圖案部7b。該定位用圖案部7b采用例如在十字形、四邊 形或圓形等定位標(biāo)記中與銅板4x的定位用圖案部7a成為 一對的標(biāo)記。另外， 作為電極2a或定位用圖案部7b的材料采用鋁等金屬。然后，在去除該電極 2a的規(guī)定區(qū)域(中央部分)的半導(dǎo)體基板1的表面S上的區(qū)域，形成用于保 護(hù)半導(dǎo)體基板i的絕緣性保護(hù)膜3。作為保護(hù)膜3，釆用氧化硅膜(Si02) 或氮化硅膜(SiN)等。另外，定位用圖案部7b作為本發(fā)明的"第一圖案部" 的一例。
然后，通過調(diào)整銅板4x的位置使設(shè)置在銅板4x的第二主面S2側(cè)的定 位用圖案部7a和設(shè)置在半導(dǎo)體基板1表面S的定位用圖案部7b成為規(guī)定的 位置關(guān)系(例如，兩者重疊的狀態(tài))，進(jìn)行突起部4a和半導(dǎo)體基板l的電極 2a的定位(重疊)，并且在半導(dǎo)體基板1 (表面S側(cè))和形成突起部4a的銅 板4x(第 一主面Sl側(cè))之間夾持絕緣層8。絕緣層8的厚度為與突起部4a的 高度相同程度的約35 jim。另外，后述銅板4x和半導(dǎo)體基板1的定位方法。
如圖5 (B)所示，在如上所述的夾持的基礎(chǔ)上，通過^f吏用沖壓裝置進(jìn) 行沖壓成形， 一體化地層積半導(dǎo)體基板1、絕緣層8及銅板4x。沖壓加工時(shí) 的壓力和溫度分別為約5MPa和200°C。通過沖壓加工，絕緣層8的黏度降 低，絕緣層8產(chǎn)生塑性流動。由此，突起部4a貫通絕緣層8，電連接突起部 4a和電極2a。另外，通過突起部4a具有形成為越接近頂端部4al直徑越細(xì) 的側(cè)面部4a2,突起部4a順利地貫通至絕緣層8。其結(jié)果是，從突起部4a 與電極2a的界面有效地?cái)D壓出絕緣層8 ，在界面上難以殘留 一部分絕緣層8 。
然后，通過利用蝕刻技術(shù)全面蝕刻銅板4x的第二主面S2側(cè)，如圖5(C) 所示，將銅板4x同樣地薄膜化，并且使溝部4b的底部貫通至第一主面Sl。 由此，形成反映溝部4b的空間圖案且具有自整合地定位用圖案部7a和規(guī)定 線/空間圖案的再布線圖案4。再布線圖案4的厚度反映溝部4b的深度，約 為2(Vm。另外，由于通過全面蝕刻銅板4x的第二主表面S2側(cè)形成再布線 圖案4,所以其角部即再布線圖案4的側(cè)面和與絕緣層8相反側(cè)的主面之間 的區(qū)域變成R形狀等的倒角形狀。因此，在再布線圖案4中形成后述的外部 連接電極9之前，作為用于保護(hù)再布線圖案4的保護(hù)層在層積例如光阻焊劑 (未圖示)時(shí)，在再布線圖案4間易混入光阻焊劑(7才卜乂少夕、、一k-7卜)。其結(jié)果，即便伴隨半導(dǎo)體元件2的小型化布線間距細(xì)微化，在再布線圖案4 和光阻焊劑之間也難以產(chǎn)生空隙(空洞)，可抑制光阻焊劑的剝離等。接著，如圖6(A)所示，使用焊料印刷法，對經(jīng)突起部4a與電極2a連接 的部分的再布線圖案4,形成用作為與半導(dǎo)體模塊外部進(jìn)行信號接收發(fā)送的 外部連接端子而起作用的外部連接電極(焊料球)9。具體地，利用印網(wǎng)掩模， 將用樹脂和焊料材料做成膏狀的"焊料膏"印刷在期望的部位，通過加熱至 焊料熔化溫度形成外部連接電極(焊料球)9。或者作為其他方法，也可以預(yù)先 在再布線圖案4側(cè)涂布焊劑，將焊料球設(shè)置在再布線圖案4。如圖6(B)所示，沿著分隔為多個(gè)半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6的劃線5，通過 切割半導(dǎo)體晶片對半導(dǎo)體基板1進(jìn)行個(gè)別化。之后，通過藥液洗凈處理除去 切割時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)取Ｍㄟ^以上工序，能夠制造上述圖1示出的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊。以下，說明本實(shí)施方式的具有突起部的金屬板(銅板)的定位方法。首先，圖7是用于說明在第一主面具有突起部的銅板的第二主面形成溝 部時(shí)的定位方法的示意剖面圖。如圖7(A)所示，在具有對準(zhǔn)功能的曝光裝置中，使用固定于掩模支架 40的溝部形成用掩模(設(shè)有規(guī)定的線/空間圖案41a與定位用圖案部7c的掩 模)41，在銅板4y的第二主面S2形成溝部時(shí)，首先，投影溝部形成用掩模 41(定位用圖案部7c)的定位用圖案部7c的像，通過設(shè)置在溝部形成用掩模 41(定位用圖案部7c)的下面?zhèn)鹊腃CD照相機(jī)等攝像部件42來拍攝。然后， 將該攝影數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)，存儲定位用圖案部7c的圖像。如圖7(B)所示，將固定于基板支架43的銅板4y插入MJt的位置。在該 銅板4y中，經(jīng)由上述圖2(A) (D)示出的工序，在第一主面Sl上形成突起 部4a及定位用圖案部7d,并且，在第二主面S2形成抗蝕劑膜PR2。另夕卜， 銅板4y固定在基板支架43，使得該第二主面S2上的抗蝕劑膜PR2與溝部 形成用掩模41相向。另外，定位用圖案部7d作為本發(fā)明的"第2圖案部" 的一例。然后，使用與上述相同的CCD照相機(jī)等攝像部件42,拍攝銅板4y的 定位用圖案部7d。接著，以先前存儲的溝部形成用掩模41的定位用圖案部7c的圖像為基 準(zhǔn)，重合銅板4y的定位用圖案部7d的圖像，將基板支架43的位置移動并調(diào)整為使兩者具有規(guī)定的位置關(guān)系。這樣，可以進(jìn)行銅板4y與溝部形成用 掩模41的定位。
如圖7(C)所示，以定位溝部形成用掩模41與銅板4y的狀態(tài)，將基板支 架43移動至溝部形成用掩模41側(cè)，使抗蝕劑膜PR2接近或接觸溝部形成用 掩模41后進(jìn)行曝光。在如此曝光后，經(jīng)過規(guī)定的熱處理及顯影工序后，形 成如圖3(A)所示的抗蝕劑掩模PR2a。
如上所述，由于可以采用曝光裝置的對準(zhǔn)功能進(jìn)行定位，所以容易實(shí)現(xiàn) 高精度的定位。
接著，圖8是用于說明銅板的突起部與半導(dǎo)體基板的電極的定位方法的 示意剖面圖。
如圖8(A)所示，在具有對準(zhǔn)功能的壓接裝置(粘合裝置)中，投影固定 于固定支架50的半導(dǎo)體晶片(具有電極2a與定位用圖案部7b的半導(dǎo)體基板 l)的定位用圖案部7b的像，通過設(shè)置在半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)下面?zhèn)鹊?CCD照相機(jī)等攝像部件52來拍攝。然后，將該攝影數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)，存儲 定位用圖案部7b的圖像。
如圖8(B)所示，在將固定于基板支架53的銅板4x插入規(guī)定位置，并且 在半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)和銅板4x之間插入配置絕緣層8。在該銅板4x 中，在第一主面Sl形成突起部4a及定位用圖案部(參照圖7)，而且在第二 主面S2形成規(guī)定圖案的溝部4b和定位用圖案部7a。然后，銅板4x以使該 第一主面Sl的突起部4a與半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)相向的狀態(tài)固定于基 板支架53。
然后，使用與上述相同的CCD照相機(jī)等攝像部件52，拍攝銅板4x的 定位用圖案部7a。
接著，以先前存儲的半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)的定位用圖案部7b的圖 像為基準(zhǔn)，重合銅板4x的定位用圖案部7a的圖像，將基板支架53的位置 移動并調(diào)整為使兩者具有規(guī)定的位置關(guān)系。這樣進(jìn)行銅板4x與半導(dǎo)體晶片 (半導(dǎo)體基板l)的定位。
如圖8(C)所示，以定位銅板4x與半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)的狀態(tài)，使 基板支架53移動到半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)側(cè)，將銅板4x經(jīng)絕緣層8壓 接在半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)上。這時(shí)，通過突起部4a貫通絕緣層8，電 連接突起部4a和半導(dǎo)體基板1的電極2a。另外，也可以在定位后，利用其他裝置進(jìn)行壓接處理。這樣，由于可以處理上述圖5(A)及圖5(B)示出的工序，并且采用壓接裝置(粘合裝置)的對準(zhǔn)功能進(jìn)行定位，所以可以容易實(shí)現(xiàn)高精度的定位。 根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的制造方法，可以得到以下效果。(1) 在第一主面Sl具有突起部4a的銅板4x中，在其相反側(cè)的第二主 面S2設(shè)置溝部4b，在將這樣的銅板4x壓接在半導(dǎo)體基板1時(shí)，由于將溝 部4b用作定位用標(biāo)記，因此不需要現(xiàn)有的通過鉆孔加工而形成的定位用圖 案部(對準(zhǔn)用貫通孔)的工序，以低成本制造半導(dǎo)體模塊。另外，由于通過將 用于定位的標(biāo)記設(shè)為對應(yīng)于再布線圖案4的空間圖案的溝部4b，利用對應(yīng)于 再布線圖案4的加工精度可以進(jìn)行定位，所以和現(xiàn)有的使用通過鉆孔加工而 形成的定位用圖案部(對準(zhǔn)用貫通孔)的定位相比，可以高精度地進(jìn)行定位。 其結(jié)果，以低成本制造在銅板4x的突起部4a與半導(dǎo)體基板1的電極2a壓 接時(shí)高精度地定位突起部4a和電極2a的半導(dǎo)體模塊。(2) 在第一主面Sl具有突起部4a的銅板4x中，在其相反側(cè)的第二主 面S2設(shè)置對應(yīng)于再布線圖案4的空間圖案的溝部4b,由于在將這樣的銅板 4x壓接在半導(dǎo)體基板1后，通過將該溝部4b的底部貫通，^使銅板4x加工成 再布線圖案4，因此壓接后的再布線圖案4的形成不需要光刻工序，可以低成本制造半導(dǎo)體模塊。(3) 在第一主面Sl具有突起部4a的銅板4x中，由于通過在其相反側(cè) 的第二主面S2設(shè)置溝部4b,至少在溝部4b部分可以降低因銅板4x被薄膜 化而導(dǎo)致的銅板4x的彎曲，所以可以更加提高銅板4x與半導(dǎo)體基板1在壓 接時(shí)的定位精度。(4) 在平板狀銅板4z的一面形成突起部4a后，通過不采用現(xiàn)有的通過 鉆孔加工而形成的定位用圖案部(對準(zhǔn)用貫通孔)，而以突起部4a的定位用圖 案部7d為基準(zhǔn)，在平板狀銅板4z的其它面形成溝部4b，可以高精度地控制 溝部4b與位于其相反面的突起部4a的位置關(guān)系。因此，在利用溝部4b作 為定位用標(biāo)記時(shí)，可以更高精度地進(jìn)行突起部4a與半導(dǎo)體基板1的電極2a 的定位。(5) 劃線5通常是將縱橫形成于半導(dǎo)體晶片(半導(dǎo)體基板l)表面的多個(gè) 半導(dǎo)體元件2包圍以分隔成各個(gè)半導(dǎo)體元件2的格子狀區(qū)域，是將半導(dǎo)體晶 片(半導(dǎo)體基板l)切割而個(gè)別化時(shí)被去除的區(qū)域。因此，在劃線5中設(shè)置溝部4b(定位用圖案部7a)時(shí)可不考慮半導(dǎo)體元件2的電極2a等的、再布線圖 案4的布局，并且，在重新制造其他半導(dǎo)體元件時(shí)也可以將該溝部4b通用 化并利用。所以，可通過將銅板4x的溝部4b(定位用圖案部7a)在分隔多個(gè) 半導(dǎo)體元件2間的劃線5中進(jìn)一步形成，可以更低成本地制造在壓接銅板4x 和半導(dǎo)體基板i時(shí)提高突起部4a和電極2a的定位精度的半導(dǎo)體模塊。(6) 由于在半導(dǎo)體模塊被個(gè)別化前的半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)下， 一并壓接具 有突起部4a和溝部4b的銅板4x而形成再布線圖案4，所以和對每個(gè)半導(dǎo)體 模塊單獨(dú)壓接銅板4x形成再布線圖案4等情況相比，可以降低半導(dǎo)體模塊 的制造成本。(7) 根據(jù)本制造方法，由于可以高精度地進(jìn)行銅板4x的突起部4a和半 導(dǎo)體基板1的電極2a的定位，所以可以降低兩者的定位余量，例如，可以 使半導(dǎo)體基板1的電極2a的尺寸(尺寸)達(dá)到細(xì)樣t化。因此，可以將半導(dǎo)體 模塊實(shí)現(xiàn)小型化。(8) 再布線圖案4由于其側(cè)面和與絕緣層8相反側(cè)的主面之間的區(qū)域呈 倒角形狀，所以在層積用于保護(hù)再布線圖案4的保護(hù)層時(shí)，在再布線圖案4 之間易進(jìn)入保護(hù)層。因此，即便隨著半導(dǎo)體元件2的小型化進(jìn)行布線間距的 細(xì)微化，在再布線圖案4與保護(hù)層之間也難以產(chǎn)生空隙(空洞)，可抑制保護(hù) 層的剝離等，其結(jié)果提高半導(dǎo)體模塊的安裝可靠性。實(shí)施方式2在上述實(shí)施方式1中，雖然在銅板4z中對應(yīng)于半導(dǎo)體基板1的各電極 2a的位置形成了突起部4a，但是本實(shí)施方式與實(shí)施方式1不同的方面在于， 在考慮了銅板4x和半導(dǎo)體基板1的各自的線膨脹系數(shù)的差異、壓接銅板4x 和半導(dǎo)體基板i時(shí)的加熱溫度以及距由于加熱引起的膨脹而不移動的銅板4x的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離的位置上形成突起部4a。下面說明本實(shí)施方式。關(guān)于與 實(shí)施方式l相同的構(gòu)造、方法，附以相同的符號，省略其說明。圖9和圖IO是用于說明本實(shí)施方式的具有突起部和溝部的銅板的形成 方法的示意剖面圖。圖11是用于說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的制造過程 的示意剖面圖。如圖9(A)所示，利用光刻技術(shù)，在準(zhǔn)備的銅板4z的規(guī)定突起部形成區(qū) 域形成抗蝕劑掩模PRla。規(guī)定的突起部形成區(qū)域是根據(jù)后述的具有突起部 4a和溝部4b的銅板4x的線膨脹系數(shù)和半導(dǎo)體基板1的線膨脹系數(shù)之差、壓接銅板4X與半導(dǎo)體基板1時(shí)的加熱溫度、距因加熱引起的膨脹而不移動的銅板4x的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離，從與電極2a相向的位置向與銅板4x的膨脹方向 相反側(cè)錯位的位置。這里，銅板4x和由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板1的線膨脹系 數(shù)分別為約17ppm廠C和約3 ppm廠C。另外，由于加熱引起的膨脹而不移動 的基準(zhǔn)點(diǎn)通常是銅板4x的中心點(diǎn)。在本實(shí)施方式中，如圖4所示，在將由多個(gè)劃線5分隔的半導(dǎo)體基板1 配置成矩陣狀的半導(dǎo)體晶片上壓接銅板4x。因此，使劃線5的寬度狹窄，該 狹窄對應(yīng)于銅板4x的線膨脹系數(shù)和半導(dǎo)體基板1的線膨脹系數(shù)之差以及壓 接時(shí)的加熱溫度的距離。即，在本實(shí)施方式中，以對應(yīng)于半導(dǎo)體基板l的銅 板4x的分隔單位，將銅板4x的突起部4a向半導(dǎo)體晶片的中心方向內(nèi)側(cè)錯 位。另外，將對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片的中心點(diǎn)的銅板4x的點(diǎn)作為由于加熱引起 的膨脹而不移動的基準(zhǔn)點(diǎn)，并且縮小各劃線5的寬度。因此，越是遠(yuǎn)離基準(zhǔn) 點(diǎn)的銅板4x的分隔區(qū)，至中心方向的移動距離越大，即，突起部4a以分隔 單位并且對應(yīng)于距基準(zhǔn)點(diǎn)的距離的距離進(jìn)行錯位。具體地，例如在半導(dǎo)體基 板1的大小為一邊10mm時(shí)，將各劃線5的寬度縮小10pm。另外，在圖9 中將位于中央的半導(dǎo)體模塊形成區(qū)域6的銅板4z的分隔設(shè)為對應(yīng)于半導(dǎo)體 晶片中央的半導(dǎo)體基板1的分隔。如圖9(B)所示，將抗蝕劑掩模PRla作為掩模進(jìn)行濕蝕刻處理并形成突 起部4a。如圖9(C)所示，除去抗蝕劑掩模PRla和抗蝕劑保護(hù)膜PRlb。由此， 在銅板4y的第一主面Sl —體地形成突起部4a。接著，如圖IO(A)所示，利用光刻技術(shù)在銅板4y的第二主面S2側(cè)的溝 部形成區(qū)域形成抗蝕劑掩模PR2a。如圖IO(B)所示，將抗蝕劑掩模PR2a作為掩模進(jìn)行濕蝕刻處理并形成 溝部4b。這里，在以對應(yīng)于銅板4x的線膨脹系數(shù)和半導(dǎo)體基板1的線膨脹 系數(shù)之差、加熱溫度、距因加熱而不移動的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離之距離，向與銅板 4x的膨脹方向相反側(cè)錯位的位置形成溝部4b，并使該溝部4b對應(yīng)于突起部 4a的區(qū)域。在本實(shí)施方式中，相對于一邊10mm的半導(dǎo)體基板1,將各劃線 5的寬度縮小lOpm,以對應(yīng)于各半導(dǎo)體基板1的銅板4y的分隔單位，將溝 部4b向半導(dǎo)體晶片的中心方向內(nèi)側(cè)錯位。如圖IO(C)所示，除去抗蝕劑掩模PR2a和抗蝕劑保護(hù)膜PR2b。由此，形成具有突起部4a和溝部4b的銅4反4x。
另外準(zhǔn)備如上述制造的銅板4x,用于下面說明的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體 模塊的制造過程。
首先，如圖ll(A)所示，準(zhǔn)備在表面S具有半導(dǎo)體元件2、電極2a及保 護(hù)膜3的半導(dǎo)體基板1以矩陣狀形成的半導(dǎo)體晶片。然后，在半導(dǎo)體基板l(表 面S側(cè))和形成有突起部4a的銅板4x(第一主面Sl側(cè))之間夾持絕緣層8。這 時(shí)，與實(shí)施方式l同樣，也可以通過將銅板4x的位置調(diào)整為使設(shè)置在銅板 4x的第二主面S2側(cè)的定位用圖案部7a和設(shè)置在半導(dǎo)體基板1表面S的定 位用圖案部7b具有規(guī)定位置關(guān)系來進(jìn)行銅板4x和半導(dǎo)體基板1的定位。
如圖ll(B)所示，通過使用沖壓裝置進(jìn)行沖壓成形來一體化層積半導(dǎo)體 基板l、絕緣層8及銅板4x。由此，突起部4a貫通絕緣層8，電連接突起部 4a和電極2a。這里，由于利用沖壓裝置進(jìn)行沖壓成形時(shí)的溫度上升，銅板 4x和半導(dǎo)體基板1產(chǎn)生熱膨脹。如上所述，由于突起部4a被形成在以銅板 4x和半導(dǎo)體基板l的線膨脹系數(shù)之差、加熱溫度、距對應(yīng)因加熱而不移動的 基準(zhǔn)點(diǎn)的距離的距離錯位的位置，所以，通過利用沖壓裝置進(jìn)行沖壓成形時(shí) 的熱膨脹，突起部4a移動至與電極2a相向的位置。因此，可以更加高精度 地定位突起部4a和電極2a，其結(jié)果進(jìn)一步提高突起部4a與電極2a之間的 連接可靠性。另外，由于溝部4b也形成在以與突起部4a相同距離錯位的位 置上，所以通過熱膨脹溝部4b移動至對應(yīng)于再布線圖案4的位置。
接著，再布線圖案4的形成、外部連接電極9的形成以及半導(dǎo)體基板1 的個(gè)別化與實(shí)施方式1相同，省略其說明。
根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的制造方法，除實(shí)施方式l的上述(l) ~
(8)的效果外，還可以得到以下的效果。
(9)在從與電極2a相向的位置向與銅板4x的膨脹方向相反側(cè)，以銅板 4x的線膨脹系數(shù)和半導(dǎo)體基板1的線膨脹系數(shù)之差、壓接時(shí)的加熱溫度、距 對應(yīng)因加熱而不移動的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離的距離錯位的位置形成突起部4a。因 此，可以制造在壓接銅板4x的突起部4a與半導(dǎo)體基板1的電極2a時(shí)，更 加高精度地定位突起部4a和電極2a的半導(dǎo)體模塊，可以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體 模塊的連接可靠性。
實(shí)施方式3
下面，說明具有本發(fā)明各實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的便攜設(shè)備。作為便攜設(shè)備，示出搭載于便攜式電話的例子，但是，例如也可以是個(gè)人用便攜信息終端(PDA)、數(shù)碼錄像機(jī)(DVC)及數(shù)碼相機(jī)(DSC)等電子設(shè)備。圖12是本發(fā)明實(shí)施方式的具有半導(dǎo)體模塊的便攜式電話結(jié)構(gòu)圖。便攜 式電話111構(gòu)成為利用可動部120連接第一框體112和第二框體114。第一 框體112和第二框體114以可動部120為軸可以轉(zhuǎn)動。在第一框體112設(shè)置 有顯示字符、圖像等信息的顯示部118、揚(yáng)聲器部124。在第2框體114設(shè) 置有操作用按鈕等操作部122、麥克風(fēng)部126。另外，將本發(fā)明各實(shí)施方式 的半導(dǎo)體模塊搭載于這種便攜式電話111的內(nèi)部。圖13是圖12示出的便攜式電話的部分剖面圖(第一框體112的剖面圖)。 本發(fā)明各實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊經(jīng)外部連接電極9搭載于印刷基板128上， 經(jīng)這種印刷基板128與顯示部118等電連接。另外，在半導(dǎo)體模塊的背面?zhèn)?(與外部連接電極9相反側(cè)的一面)設(shè)置金屬基板等散熱基板116,例如，使 從半導(dǎo)體模塊產(chǎn)生的熱不在第一框體112內(nèi)部聚集，而有效地向第一框體112 的外部散熱。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的具有半導(dǎo)體模塊的便攜設(shè)備，可以得到以下效果。(10) 由于提高突起部4a和電極2a之間的定位精度，提高半導(dǎo)體才莫塊的 連接可靠性，所以提高搭載這種半導(dǎo)體模塊的便攜設(shè)備的可靠性。(11) 由于降低半導(dǎo)體模塊的制造成本，所以可以抑制搭載這種半導(dǎo)體模 塊的便攜設(shè)備的制造成本。本發(fā)明不限定于上述的各實(shí)施方式，可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識添 加各種設(shè)計(jì)變更等變形，添加這種變形的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明的范圍。在上述實(shí)施方式中，示出了在劃線5內(nèi)設(shè)置定位用圖案部7b及與其對 應(yīng)的定位用圖案部7a的例子，但本發(fā)明不限于此，例如也可以設(shè)置在半導(dǎo) 體模塊形成區(qū)域6內(nèi)。這時(shí)，可以具有上述(5)以外的效果。在上述實(shí)施方式中，示出了將銅板4x的突起部4a做成越接近該頂端部 4al直徑越變細(xì)的圓錐臺的例子，但本發(fā)明不限于此，例如也可以是具有規(guī) 定直徑(尺寸)的圓柱狀突起部。另外，采用球型作為突起部4a,但也可以是 四邊形等多邊形。這時(shí)也可以具有同樣的效果。在上述實(shí)施方式中，示出了為使半導(dǎo)體基板l(半導(dǎo)體元件2)的電極2a 的間距更寬，將突起部4a埋入絕緣層8并層積銅板4x、絕緣層8及半導(dǎo)體元件2形成再布線圖案4，然后在其背面?zhèn)仍O(shè)置外部連接電極(焊料球)9的例
子，但本發(fā)明不限于此，例如也可使用具有突起部和溝部的銅板，反復(fù)形成 布線層使其多層化。由此可以得到提高布線層和突起部(相當(dāng)于通孔接觸)的 定位精度的多層布線。 相關(guān)申請的交叉引用
本申請基于并主張2007年1月31日提交的在先日本專利申請2007-020657和2008年1月23提交的日本專利申請2008 - 012240的優(yōu)先權(quán)，這 里參照其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體模塊的制造方法，其特征在于包括第一工序，準(zhǔn)備在表面設(shè)置半導(dǎo)體元件、與該半導(dǎo)體元件電連接的電極和規(guī)定的第一圖案部的基板；第二工序，準(zhǔn)備具有第一主面及其相反側(cè)的第二主面，并且包括從所述第一主面突出設(shè)置的突起部和在所述第二主面設(shè)置的規(guī)定圖案的溝部的金屬板；第三工序，通過調(diào)整金屬板的位置使所述第一圖案部和與其對應(yīng)的溝部具有規(guī)定位置關(guān)系來進(jìn)行所述突起部和所述電極的定位，然后經(jīng)絕緣層壓接所述金屬板的所述第一主面?zhèn)群退龌?，在所述突起部貫通所述絕緣層的狀態(tài)下，電連接所述突起部和所述電極；第四工序，在所述金屬板的所述第二主面?zhèn)刃纬梢?guī)定圖案的布線層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊制造方法，其特征在于 所述第四工序通過深蝕刻所述金屬板的所述第二主面?zhèn)炔⑹顾鰷喜康牡撞控炌ㄖ了龅谝恢髅妫鴮⑺鼋饘侔寮庸こ梢?guī)定圖案的布線層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊制造方法，其特征在于 所述第四工序?qū)⑺鼋饘侔寮庸こ墒顾霾季€層的側(cè)面和與所述布線層的所述絕緣層相反側(cè)的主面之間的區(qū)域呈倒角形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊制造方法，其特征在于 所述第二工序包括在平板狀金屬板的一面形成所述突起部的第一步驟；和以所述突起部的規(guī)定的第二圖案部為基準(zhǔn)，在所述平板狀金屬板的另 一面形成所述溝部的第二步驟。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊制造方法，其特征在于 在所述基板上形成多個(gè)所述半導(dǎo)體元件；在用于分隔多個(gè)所述半導(dǎo)體元件之間而被設(shè)置的劃線區(qū)域中進(jìn)一步形 成所述溝部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊制造方法，其特征在于 所述第三工序?qū)⑺鼋饘侔宓乃龅谝恢髅鎮(zhèn)群退龌寮訜岬耐瑫r(shí)進(jìn)行壓接；所述第 一步驟根據(jù)所述金屬板的線膨脹系數(shù)和所述基板的線膨脹 系數(shù)之差、所述第三工序的加熱溫度、距因所述第三工序的加熱引起的膨脹而不移動的所述金屬板的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離，在從與所述電極相向的位置向與所 述金屬板的膨脹方向相反側(cè)錯位的位置形成所述突起部。
7. —種半導(dǎo)體模塊，其特征在于具有 設(shè)有突起部的布線層；在表面設(shè)有半導(dǎo)體元件和與該半導(dǎo)體元件電連接并且與所述突起部對 應(yīng)地配置的電極的基板；在所述布線層和所述基板之間設(shè)置的絕緣層；在所述突起部貫通所述絕緣層的狀態(tài)下，電連接所述突起部和所述電極；所述布線層的側(cè)面和與所述布線層的所述絕緣層相反側(cè)的主面之間的 區(qū)域呈倒角形狀。
8. —種便攜設(shè)備，其特征在于 搭載權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊的制造方法、半導(dǎo)體模塊及便攜設(shè)備，所述制造方法可以提高在使銅板的突起結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體元件的電極為相向的狀態(tài)下進(jìn)行連接時(shí)的定位精度的同時(shí)，謀求降低半導(dǎo)體模塊的制造成本。準(zhǔn)備在表面設(shè)置半導(dǎo)體元件的電極和圖案部的半導(dǎo)體基板。形成具有第一主面及其相反側(cè)的第二主面，并且包括設(shè)置在第一主面的突起部和設(shè)置在第二主面的溝部的銅板。通過調(diào)整銅板的位置使圖案部和與其對應(yīng)的溝部具有規(guī)定位置關(guān)系來進(jìn)行突起部和電極的定位，然后經(jīng)絕緣層壓接銅板的第一主面?zhèn)群桶雽?dǎo)體基板，在突起部貫通絕緣層的狀態(tài)下電連接突起部和電極。在第二主面?zhèn)刃纬梢?guī)定圖案的再布線圖案。
文檔編號H01L23/48GK101303990SQ20081012774
公開日2008年11月12日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月31日
發(fā)明者岡山芳央, 柳瀬康行 申請人:三洋電機(jī)株式會社