專利名稱：：光刻膠組合物和使用其制造薄膜晶體管基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光刻月^且合物和使用該光刻Mia合物制造薄膜晶體管基底的方法。更特別地，本發(fā)明涉及能夠用于四掩才幾four-mask)方法的光刻月^且合物和使用該光刻Mi且合物制造薄膜晶體管基底的方法。
背景技術(shù)：
：液晶顯示器(LCD)裝置使用液晶分子的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)例如各向異性折射率和各向異性介電常數(shù)顯示圖像。LCD裝置與其他類型的顯示裝置例如陰極射線管(CRT)和等離子顯示面板(PDP)等相比具有如較輕的重量、較低的能耗、較低的驅(qū)動電壓等特性。通常，LCD裝置包括LCD面板和為LCD面板提供光的光源。LCD面板包括多個像素和多個薄膜晶體管(TFT)。所述像素和TFT使用光刻月ME合物通過光刻法形成。近來，已開發(fā)了使用四個掩模形成TFT的四掩模方法以簡化形成TFT的方法。在四掩模方法中，在數(shù)據(jù)金屬層上形成的光刻膠圖案包括具有相對小厚度的溝道部分。傳統(tǒng)的光刻MI且合物具有相對低的耐熱性，使得光刻膠圖案的溝道部分在烘烤光刻膠圖案的過程中變形。為了解決上述問題，已開發(fā)了具有相對高的耐熱性的光刻力B且合物。然而，使用該光刻IMa合物形成的光刻膠圖案和在其上形成光刻膠圖案的基底之間的粘附能力可惡化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種能夠改善光刻膠圖案的抗熱性和粘附能力的it^^且合物。本發(fā)明還提^f吏用上述光刻月Ma合物制造薄膜晶體管基底的方法。在本發(fā)明的一個方面中，it^月a且^4勿包括約i到70重量份的含有由下面化學(xué)式1表示的重復(fù)單元的第一粘合劑樹脂、約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式2表示的重復(fù)單元的第二粘合劑樹脂、約0.5到約IO重量份的光J丈產(chǎn)酸劑、約1到約20重量j分的交聯(lián)劑和約10到約200重量4分的溶劑?；瘜W(xué)式l化學(xué)式2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(其中R!和R2獨(dú)立地/RA具有1到5個石1^、子的烷基，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)。)所述第一粘合劑樹脂可通過酚化合物和水楊醛反應(yīng)制備。所述第二粘合劑樹脂可通過在酸性催化劑存在下酚化合物和,匕合物反應(yīng)制備。例如，第一和第二灃給劑樹脂的重均分子量可以是約1000到約10000。itJ丈產(chǎn)酸劑的例子可包拾輸鹽、鹵4諒才;M匕合物、醌重氮化物(diazideHb^物、雙(磺酰基)重氮曱烷化合物、砜化合物、有機(jī)酸酯化合物、有機(jī)酸酰胺(organicacid-amide)^^物、有機(jī)酸酰亞胺^^物等。交聯(lián)劑的例子可包括烷氧基曱基化的^i^樹脂、烷氧基曱基化的三聚tt樹脂、烷氡基曱基化的烏^(uron)4對脂、烷氧基曱基化的甘Wt脂等。溶劑的例子可包括乙二醇噴glycolether)、乙二醇^4醚乙酸酯、二甘醇等。itJ'J月^且合物可進(jìn)一步包括由下面化學(xué)式3代表的酚化合物?；瘜W(xué)式3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>、R5和R6獨(dú)立地^4具有1到4個碳原子的烷基。)此外，光刻^l且合物可進(jìn)一步包括約0.1到約5重量份的染料。染料的例子可包括基于吡哇偶氮的染料、基于苯胺基偶氮的染料、基于芳基偶氮的染料、基于三苯曱烷的染料、基于蒽醌的染料、基于蒽吡咬酮的染料、基于苯亞曱基的染料、基于oxonol的染料、基于p比"l^哇偶氮的染料、基于p比咬酮偶氮的染料、基于花青的染料、基于吩奮秦的染料、基于吡咯并吡峻偶氮曱堿的染料、基于P占噸的染料、基于酞菁的染料、基于苯并吡喃的染料、基于貧藍(lán)的染津恃。而且，光刻膠組合物可進(jìn)一步包括添加劑，例如增粘劑、表面活性劑和酸擴(kuò)散抑制劑等。例如，添加劑的含量可為約0.1到約10重量份。在本發(fā)明的另一方面中，柵絕緣層、活性層(有源層)、數(shù)據(jù)金屬層順序地形成在具有柵極線和柵電極的基底上。光刻Mi且合物涂覆在數(shù)據(jù)^r屬層上以形成光刻MJ]莫。光刻月&且合物包括約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式1代表的重復(fù)單元的第一粘合劑樹脂、約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式2代表的重復(fù)單元的第二津給劑樹脂、約0.5到約10重量份的光放產(chǎn)酸劑、約1到約20重量份的交聯(lián)劑和約10到約200重量份的溶劑。(其中R！和R2獨(dú)立地^Jl具有1到5個碳原子的烷基，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)。)將光刻MM曝光并顯影形成第一光刻膠圖案。使用第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻數(shù)據(jù)金屬層和活性層以形成數(shù)據(jù)線和溝道部分。去除第一光刻MM的部分以形成暴露數(shù)據(jù)金屬層的部分的第二光刻膠圖案。第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻數(shù)據(jù)金屬層和活性層以形成源電極、漏電極和歐姆接觸圖案。化學(xué)式l<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>化學(xué)式2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>例如，可通過濕蝕刻方法蝕刻數(shù)據(jù)金屬層。第二光刻膠圖案可具有溝道區(qū)，該溝道區(qū)具有相對小的厚度。根據(jù)以上，可以改善光刻膠圖案的耐熱性和粘附能力。因此，可提高薄膜晶體管基底的開口率(孔率，apertureratio)，并可改善顯示裝置的顯示質(zhì)量。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時通過參考下面詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將變得容易明晰，其中圖1是說明根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式制造的薄膜晶體管基底的平面圖2、3、4、5、6、7和8是說明根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的薄膜晶體管基底的制造方法的4黃截面圖9是顯示使用傳統(tǒng)的正性光刻月MEL合物形成的光刻膠圖案的掃描電子顯微4A(SEM)照片；和SEM照片。務(wù)沐實(shí)施方式以下參考附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，在附圖中顯示本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以許多不同的方式體現(xiàn)，且不應(yīng)理解為限于在此所列的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式使得4^Hf內(nèi)容詳盡和完全，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳ii^發(fā)明的范圍。在圖中，為了清楚，可放M和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)理解，當(dāng)一個元件或?qū)臃Q作"在另一元件或?qū)又?、"與另一元件或?qū)酉噙B，，或"結(jié)合到另一元件或?qū)由?時，該元件或?qū)涌芍苯釉诹硪辉驅(qū)又?、與另一元件或?qū)酉噙B或結(jié)合到另一元件或?qū)由?，或者可存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)一個元件稱作"直接在另一元件或?qū)又?、"與另一元件或?qū)又苯酉噙B"或"直接結(jié)合到另一元件或?qū)由?，，時，不存在中間元件或?qū)印Ｏ嗤臄?shù)字始終是指相同的元件。在此使用的術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列條目的任意和所有組合。應(yīng)理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等在此可用于描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部件，但這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部件不必受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組分、區(qū)域、層或部件區(qū)別于另一個區(qū)域、層或部件。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部件可稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部件，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。空間相對術(shù)語例如"在...之下"、"低于"、"下部的"、"在…c、"上部的"等為了便于描述可在此用來描述如圖中所示的一個元件或特征與另一個元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，除了如圖所示的方向外，該空間相對術(shù)語意在包括在使用或操作時器件的不同方向。例如，如果圖中的器件翻轉(zhuǎn)，描述為"低于其他元件或特征"或"在其他元件或特征之下"的元件然后將定向成"在其他元件或特征之上"。因此，示例性術(shù)語"低于，，可以包括在...以上和低于兩個方向。器件可以另外定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其他方向)并且在此使用的空間相對描述^目應(yīng)地解釋。在此使用的術(shù)語<義<義是為了描述特定實(shí)施方式的目的，而不用于限制本發(fā)明。如在此^J)的單數(shù)形式"一個(a，an)"和"該(the)"意在也包括復(fù)數(shù)的形式，除非文中另外清楚表明。進(jìn)一步應(yīng)理解，當(dāng)在說明書中使用時，術(shù)語"包括(comprises)"和/或"包^(comprising)"規(guī)定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排除一個或多個其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組#/或其組合的存在或力口入。在此參考橫截面圖解描述本發(fā)明的實(shí)施方式，該橫截面圖解是本發(fā)明理想化實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖解。這樣，將預(yù)計(jì)到由于例如制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的圖解形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式不應(yīng)理解為這里說明的區(qū)域的具體形狀，而包括由例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，作為矩形說明的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A形或曲線特征和/或在其邊緣的注入濃度梯度，而不是從注入到未注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū)域可導(dǎo)致在掩埋區(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，而且其形狀不用于說明器件的區(qū)域的實(shí)際形狀，且不用于限制本發(fā)明的范圍。除非另有限定，所有在此^JD的術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。進(jìn)一步應(yīng)理解，術(shù)語例如在通常使用的字典中定義的那些應(yīng)當(dāng)解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的含義一致的含義，而不以理想化或i^l形式的意義解釋，除非本文中清楚地如此限定。光刻腦合物根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的it^月ME合物包括約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式1代表的重復(fù)單元的第一津給劑樹脂、約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式2代表的重復(fù)單元的第二粘^^樹脂、約0.5到約10重量份的M產(chǎn)酸劑.約1到約20重量份的交聯(lián)劑和約10到約200重量4分的溶劑。化學(xué)式l化學(xué)式2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(其中R！和R2獨(dú)立地/RA具有1到5個石1^子的^^,n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)。)第一粘合劑樹月旨在ii;容液中是可溶的。例如，第一凈給劑樹脂可通錄酸性催化劑存在下酚化合物和,匕合物反應(yīng)制備。特別地，該第一粘合劑樹脂可通過酚^^物和7j^為醛^jS制備。第二粘合劑樹脂在石総液中是可溶的。例如，第二津給劑樹脂可通錄酸性催化劑存在下酚化合物和斷t合物反應(yīng)制備。特別地，該第二津給劑樹脂可通過酚^R^物和曱醛^JS制備。酚化合物的例子包括苯酚、鄰曱酚、間曱酚、對曱酚、2,3-二曱^、3，4-二曱^、3，5-二曱^1^、2，4-二曱^、2,6-二曱^、2,3,6-三曱_&^、2-叔丁^S^、3-叔丁l^i^，4-叔丁_^\2-曱基間#酚、4-曱基間#酚、5-曱基間#酚、4-叔丁基鄰^i酚、2-甲攀J^S^、3-曱llJ^、2-丙差^i^、3-丙J^i^、4-丙J^i^、2-異丙1^\2-曱^^-5-曱_^、2-叔丁基-5-曱基苯酚、麝香草酚、異麝香草酚等。這些可單獨(dú)或組^ft^)。優(yōu)選，考慮到控制光刻月Ma合物的靈每t復(fù)，可使用間曱酚和對曱酚的混合物。間曱酚與對曱酚的重量比可為約80:20到約20:80,并且優(yōu)選約70:30到約50:50。光刻月&且合物可進(jìn)一步包括用于傳統(tǒng)光刻Mia合物的酚醛清漆樹脂。該酚醛清漆樹脂，駒t^物的例子可包括曱醛、福爾馬林、對曱斷-fomialdehyde)、三哺烷、乙醛、苯曱醛、苯基乙醛、a-苯基丙醛、p-苯基丙醛、鄰羥^曱醛、間羥^曱醛、對羥基苯曱醛、鄰氯苯曱醛、間氯苯曱醛、對氯苯曱醛、鄰曱基苯曱醛、間曱基苯曱醛、對曱基苯曱醛、對乙基苯曱醛、對正丁基苯曱醛、對苯二曱酸醛等。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)JD。酮化合物的例子可包括丙酮、曱乙酮、二乙酮、二苯曱酮等。這些可以單獨(dú)或組"錢。通ii!O交滲透色譜法(GPC)測量的第一粘合劑樹脂和第二粘合劑樹脂的聚苯乙烯折^(polystyrene-reduced)重均分子量可為約1000到約10000，優(yōu)選約3000到約9000。當(dāng)?shù)谝唤蚪o劑樹脂和第二津給劑樹脂的襯量過小時，堿性顯影溶液可破壞由光刻月&且合物形成的光刻膠圖案。當(dāng)?shù)谝唤蚪o劑樹脂和第二津給劑樹脂的分子量過大時，由于暴露部#露部分之間溶解度的差異小，光刻膠圖案可不清晰。第一粘合劑樹脂具有相對高的耐熱性。第二凈給劑樹脂具有相對高的津給能力。因此，光刻l&且合物優(yōu)選包括第一津給劑樹脂和第二津給劑樹脂兩者。第一斗'給劑樹脂和第二津給劑樹脂的重量比可為約70:30到約40:60。當(dāng)?shù)谝唤蚪o劑樹脂的含量過大時，由光刻膠組合物形成的光刻膠圖案的粘附能力可下降。當(dāng)?shù)诙柦o劑樹脂的^J:過大時，光刻膠圖案的耐熱性可降低。向光致產(chǎn)酸劑提供光以產(chǎn)生酸，例如布朗斯臺德(Bronsted)酸、路易斯(Lewis)酸等。M產(chǎn)酸劑的例子可包拾翁鹽、卣代有才;M^物、醌重氮化物4^物、^(磺it^)重氮曱烷化合物、砜化合物、有機(jī)酸酯^S^物、有機(jī)酸S^^^4勿、有機(jī)酸酰亞斷^物等。這些可單獨(dú)或組^ft^1。錄鹽的例子可包括重氮鹽、銨鹽、碘錄鹽如三氟曱磺酸(triflate)二苯碘錄、锍鹽如三氟曱磺酸三苯基锍、鱗鹽、砷鹽、氧錯鹽等。這些可單獨(dú)或組^f吏用。卣^^"才A/H^4勿的例子可包括含卣素的^二峻^^物、含卣素的三^^/^4勿、含卣素的三。l^匕合物、含囟素的乙it^化合物、含卣素的二苯曱酮化合物、含卣素的亞砜化合物、含鹵素的磺酸化合物、含卣素的瘞哇化合物、含鹵素的哺峻化合物、含鹵素的三。坐化合物、含鹵素的2-吡喃酮4b^f勿、含鹵素的雜環(huán)4b^物、含卣素的脂肪族烴、含鹵素的芳香族烴、辟在卣(sulfenylhalideyR^4勿等。這些可單獨(dú)或組^M。特別地，鹵4諒才;M匕合物的例子可包括三(2,3-二溴丙基)^酸酯、三(2,3-二溴-3-12氯丙差》磷酸酯、四溴氯丁烷、2-[2-(3,4-二曱氧^^基)乙烯基]-4,6-=<三氯曱基)-8-三嗪、六氯苯、六溴苯、六溴環(huán)十二烷、六溴環(huán)十二烯、六溴聯(lián)苯、烯丙基三澳苯基醚、四氯^J^A、四溴雙酚A、四氯雙酚A的^氯乙基)醚、四氯乂XI^S、四溴雙iS、四氯只膽A的^(2,3-二氯丙基)醚、四溴雙酚A的Ji(2，3-二溴丙l0醚、四氯雙酚S的^(氯乙基)醚、四溴雙IS的^溴乙基)醚、雙酚S的^(2,3-二氯丙基)醚、雙酚S的^(2，3-二溴丙基)醚、三(2,3-二溴丙基)異氰尿酸酯、2，2-^<4-羥基-3，5-二溴苯基)丙烷、2，2-^(4-(2-輕基乙llJ0-3，5-二溴苯基)丙烷、二t^苯三氯乙烷、五氯苯酚、2，4,6-三氯苯基-4-硝^^基醚、4，5,6，7-四氯苯酞、1，1-=<4-氯苯基)乙醇、1,l-二(4-氯苯基)-2^2;三氯乙醇、2，4,4，,5-四氯二笨琉醚、2，4,4，，5-四ll^苯_^5風(fēng)等。這些可單獨(dú)或組^fM。醌重氮化物化合物的例子可包括醌重氮化物衍生物的磺酸酯例如1,2-苯醌重氛_4-磺酸酯、1，2-萘醌重氮-4-磺酸酯；醌重氮化物衍生物的磺酰氯例如1,2-勒昆-2-重氮-4-磺酰氯、1>^@昆-2-重氮-4-磺酰氯、1，2-萘醌-2-重氮-5-磺酰氯、1,2-^1昆-1-重氮-6-磺酰氯、1，2-勒昆-1-重氮-5-磺酰氯等。這些可單獨(dú)或組^fM。^(磺^JO重氮曱烷^^物的例子可包括含有烷基、烯基、芳烷基、芳香1^戈雜環(huán)基團(tuán)的a,a，-^(磺^tJO重氮曱烷，其可為對稱取代的、非對稱4又代的或可為未取代的。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)月。砜"j^物的例子可包括砜4^物和^^W^物，其含有烷基、烯基、芳坑基、芳香基或雜環(huán)基團(tuán)，其可為對稱取代的、非對稱取代的或可為未取代的。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)月。有機(jī)酸酯的例子可包括羧酸酯、磺酸酯、磷酸酯等。有機(jī)酰胺的例子可包括羧酸酰胺、磺酰胺、磷酸酰胺等。有機(jī)酸酰亞胺的例子可包括羧酸酰亞胺、磺酸酰亞胺、磷酸酰亞胺等。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)月。此外，M產(chǎn)酸劑的例子可進(jìn)一步包括三氟曱磺酸環(huán)己基曱勤2-氧代環(huán)己基)锍、三氟曱磺酸二環(huán)己基曱勤2-氧代環(huán)己基)4危、三氟曱磺酸2-氧代環(huán)己勒2-降水片基)it、2-環(huán)己基磺Stt環(huán)己酮、三氟曱磺酸二曱勒2-氧代環(huán)己基)it、三氟曱磺酸三苯基锍、三氟甲磺酸二苯^典鏞、N-羥l^珀酰亞胺"氟曱磺醋、苯基對曱^t酸酯、含有》錄、烯基、芳》錄、芳香_&^雜環(huán)基團(tuán)并可為對#^代的、非對稱取代的或可為未取代的a-類基-a-磺醃基重氮曱烷。這些可單獨(dú)或組^f賴。當(dāng)光致產(chǎn)酸劑的含量過小時，由于通過曝光產(chǎn)生的酸的量不足，由光刻/I^且合物形成的光刻膠圖案可不清楚。當(dāng)光致產(chǎn)酸劑的含量過大時，由光刻月^且合物形成的光刻膠圖案可具有圓邊，或可在顯影過程中被破壞。交聯(lián)劑可由光致產(chǎn)酸劑產(chǎn)生的酸活化以與津給劑樹脂結(jié)合。因此，津給劑樹脂是交聯(lián)的。交聯(lián)劑的例子可以包括烷氧基甲基化的^i羞樹脂例如烷氡基曱基化的脲醛樹脂、烷M甲基化的烏龍j對脂、烷氡基甲基化的甘^t脂。此外，交聯(lián)劑的例子可以進(jìn)一步包括^S醚化的三聚li^樹脂、苯并胍胺樹脂、^_&醚化的苯并胍胺樹脂、朋l^樹脂、^&醚化的朋l^樹脂、M曱酸酯-曱醛樹脂、曱階酚醛樹脂型酚醛樹脂、烷基醚化的曱階酚醛樹脂型酚醛樹脂、環(huán)，脂等。特別地，可使用曱氣基曱基化的奠基樹脂、曱氡基乙基化的嚴(yán)J^樹脂、正丁氡基曱基化的^J^t脂等。這些可單獨(dú)或組合使用。優(yōu)選，考慮到光刻月B且合物的分辨率，可使用曱tt乙基化的^J^樹脂例如六曱tt曱l^聚IUfe、六羥曱J^聚I^六曱基醚等。當(dāng)交聯(lián)劑的含量過小時，交^^應(yīng)不能充分地進(jìn)行。因此，光刻膠圖案的剩余率可降低，或光刻膠圖案可容易地變形。當(dāng)交聯(lián)劑的含量過大時，光刻膠圖案的分辨率可降低，或光刻膠與基底間的津給可惡化。例如，考慮到分辨率、耐熱性和與基底的粘合，M產(chǎn)酸劑與交聯(lián)劑的重量比可為約1:1到約1:40，優(yōu)選約1:2到約1:20，更優(yōu)選約1:3到約1:10。溶劑的例子可包括醇例如曱醇和乙醇，醚例如四氫呋喃，乙二醇醚例如乙二醇單曱基醚和乙二醇單乙基醚，乙二醇烷基醚乙酸酯例如曱基溶纖劑乙酸酯和乙基溶纖劑乙酸酯，二甘醇例如二甘醇單曱基醚、二甘醇單乙基醚和二甘醇二曱基醚，丙二醇單烷基醚例如丙二醇曱基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇丙基醚和丙二醇丁基醚，丙二醇烷基醚乙酸酯例如丙二醇曱基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯和丙二醇丁基醚乙酸酯，丙二醇烷基醚丙酸酯例如丙二醇曱基醚丙酸酯、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯和丙二醇丁基醚丙酸西旨，芳香族^^物例如曱苯和二甲苯，酮例如曱乙酮、環(huán)己酮和4-羥基-4-曱基-2-戊酮，和酉旨^^物例如乙酸曱酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-曱基丙酸曱酯、2-羥基-2-曱基丙酸乙酯、羥基乙酸曱酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、乳酸曱酯、乳酸乙酯、丙基乳酸酉旨硫酸酯(propyllactatesulfate)、乳酸丁酯、3-羥基丙酸曱酯、3-羥基丙酸乙酯、3-羥基丙酸丙酯、3-羥基丙酸丁酯、2_羥基_3-曱基丁酸曱酯、曱M乙酸曱酯、曱氡基乙酸乙酯、曱to乙酸丙酯、曱氡基乙酸丁酯、乙氡基乙酸曱酯、乙tt乙酸乙酯、乙M乙酸丙酯、乙to乙酸丁酯、丙tt乙酸曱酯、丙^乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙tt乙酸丁酯、丁氡基乙酸曱酯、丁氧基乙酸乙酯、丁M乙酸丙酯、丁tt乙酸丁酯、2-曱氡基丙酸曱酯、2-曱tt丙酸乙酯、2-曱M丙酸丙酯、2-曱tt丙酸丁酯、2-乙氡基丙酸曱酯、2-乙氣基丙酸乙酯、2-乙氡基丙酸丙酯、2-乙tt丙酸丁酯、2-丁氡基丙酸曱酯、2-丁tt丙酸乙酯、2-丁氡基丙酸丙酯、2-丁氡基丙酸丁酯、3-曱tt丙酸曱酯、3-曱tt丙酸乙酯、3-曱tt丙酸丙酯、3-曱to丙酸丁酯、3-乙lu4丙酸曱酯、3-乙tt丙酸乙酯、3-乙tt丙酸丙酯、3-乙to丙酸丁酯、3-丙tt丙酸曱酯、3-丙llJ^丙酸乙酯、3-丙tt丙酸丙酯、3-丙tt丙酸丁酯、3-丁氣基丙酸曱酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁to丙酸丙酯、3-丁tt丙酸丁酯等。在上述例子中，考慮到構(gòu)成光刻^l且合物每種組分的溶解度和活性以及涂層的制造條件，優(yōu)選使用乙二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯和二甘醇。光刻"^且合物可進(jìn)一步包括約0.1到約10重量份的具有相對低分子量的酚化合物。酚化合物可以改善光刻膠圖案的耐蝕刻性和粘附能力。酚化合物的例子可包括4,4，,4"-次曱t微、4,4，,4，，-次乙J^微、4-[^4-羥苯基)曱基]-2-曱tt^i^、、4-[^(4-羥苯基)曱基]-2-乙#^\4,4，-[(2-羥苯基)亞曱基]二[2-曱1^1^]、4,4，-[(4-羥苯基)亞曱基]二[2-曱差^^]、4,4，-[(3-羥苯基)亞曱基]二[2,6-二曱_|^^]等。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)月。特別地，酚化合物的例子可以包括由下面化學(xué)式3代表的4^物。(其中R3、R4、R5和R6獨(dú)立地^4具有1到4個碳原子的烷基。)顏，JMi且合物可進(jìn)一步包括約0.1到約5重量份的染料。當(dāng)染料的^t小于0.1重量份時，不能形成具有半色調(diào)(halftone)的光刻膠圖案。當(dāng)染料的含量大于5重量份時，曝光過程中所需的曝光量可tt增加。染料可用于控制光刻膠圖案的對比度。染料可根據(jù)溶解度和耐熱性來選擇。染料的例子可包括基于吡哇偶氮的染料、基于苯胺基偶氮的染料、基于芳基偶氮化學(xué)式3的染料、基于三苯曱烷的染料、基于蒽醌的染料、基于蒽吡咬酮的染料、基于苯亞曱基的染料、基于oxonol的染料、基于p比wii^峻偶氮的染料、基于他定酮偶氮的染料、基于花青的染料、基于吩p塞，秦的染料、基于p比咯并吡哇偶氮曱堿的染料、基于p占噸的染料、基于酞菁的染料、基于苯并吡喃的染料、基于靛青的染料等。這些可單獨(dú)或組^f關(guān)月。光刻"&且合物可進(jìn)一步包括添加劑例如增粘劑、表面活性劑、酸擴(kuò)散抑制劑等。例如，添加劑的^J:可為約0.1到約10重量份。增粘劑可以文善基底和由光刻膠組合物形成的光刻膠圖案之間的粘附力。增粘劑的例子可包括含有反應(yīng)性取代基的;封克偶聯(lián)劑，該反應(yīng)性取^J^例如^J^基團(tuán)、曱基丙烯to團(tuán)、異氰酸酯基團(tuán)、環(huán)tt團(tuán)等。特別地，石衫克偶聯(lián)劑的例子可包括Y-曱基丙烯酰tt丙l^曱^J^^克、乙烯"乙氧J^i^克、乙烯J^曱tt^圭烷、y-異氰酸酯丙基三乙氧J^圭烷、Y-縮水甘油氧基丙基三曱氧J^圭烷、卩-(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙^曱M^封克等。表面活性劑可以改善光刻"Ma合物的涂覆性能和顯影性能。表面活性劑的例子可包括聚氧乙烯辛_^^基醚、聚氧乙烯壬J^:基醚、F171、F172、F173(商品名，由曰本Dainipponlnk制造)、FC430、FC431(商品名，由日本Sumitomo3M制造)、KP341(商品名，由曰本Shin-EtsuChemical制造)等。酸擴(kuò)散抑制劑可以防止S臾擴(kuò)散到未曝光的區(qū)域。光敏劑的例子可包括胺、氫氧化銨、光敏堿等。特別地，酸擴(kuò)散抑制劑的例子可包括氫氧化四丁基銨、三乙醇胺、二乙醇胺、三辛基胺、正辛基胺、氬氧化三曱基4t、氫氧化三苯基4t等。根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的光刻"^且合物可以改善光刻膠圖案的耐熱性和粘附能力。特別地，光刻月MEL合物可用于四掩模方法以形成具有不同厚度的光刻膠圖案。在下文中，將參考附圖更充分地描述根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的制造薄膜晶體管基底的方法。制造薄膜晶體管^&底的方法圖l是說明根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式制造的薄膜晶體管基底的平面圖。圖2、3、4、5、6、7和8是說明根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的薄膜晶體管基底制造方法的橫截面圖。特別地，圖2、3、4、5、6、7和8分別說明圖1沿線l-l，的橫截面。參照圖1和2,在J^出基底110上形成柵金屬層后，使用第一掩模通過光刻法使柵金屬層圖案化以形成包括柵極線122和與柵極線122電連接的4冊電極124的柵圖案120。例如，柵金屬層可通過賊射法在勤出基底110上形成。柵金屬層可以通過濕蝕刻方法蝕刻。勤出基底110可為透明絕緣基底?？捎糜贘^出基底110的材料的例子可包括玻璃等?？捎糜跂艌D案120的材料的例子可包括鋁(A1)、鉬(Mo)、杉^Nd)、4^(Cr)、4a(Ta)、鈥(Ti)、鉤W)、銅(Cu)、4MAg)、其*等。沖冊圖案120可具有包括至少兩個具有不同物理性能的金屬層的雙層結(jié)構(gòu)。例如，柵圖案120可具有包括Al層和Mo層的Al/Mo雙層結(jié)構(gòu)以降4氐電阻。柵極線122可在第一方向Ji^伸并限定像素P的第一邊界和與第一邊界平行的第二邊界。柵電極124與柵極線122電連接并用作在像素P中形成的薄膜晶體管TFT的柵極端子(gateterminal)。參考圖3，柵絕緣層130和活性層140順序i脈具有柵圖案120的勤出基底110上形成。在一個例子中，所述柵絕緣層130和活性層140可通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)^i目沉積(PECVD)形成。柵絕緣層130可保護(hù)柵圖案120并使其絕緣。可用于柵絕緣層130的材料的例子可包括氮化硅、氧4W圭等。例如，柵絕緣層130的厚度可以是約4500A?；钚詫?40包括半導(dǎo)體層142和歐姆接觸層144?？捎糜诎雽?dǎo)體層142的材料的例子可包括非晶硅，可用于歐姆接觸層133的材料的例子可包括其中以高濃度注入n+雜質(zhì)的非晶硅。數(shù)據(jù)金屬層150在活性層140上形成。在一個實(shí)例中，數(shù)據(jù)金屬層150可具有Mo/Al/Mo三層結(jié)構(gòu)以降^lt據(jù)金屬層150的電阻。或者，數(shù)據(jù)金屬層150可具有包括Mo、Al等的單層。參照圖4，i^'JMI且^4勿涂覆在數(shù)據(jù)金屬層150上以形成光刻月繼。所述it^'J月^莫通過^J^第^^模例如狹^(slit)^?；虬肷{(diào)(網(wǎng)目，halftone)^r模曝光，然后顯影形成第一^']膠圖案160。所述光刻Mi且^4勿包括約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式1代耒的重復(fù)單元的第一津給劑樹脂、約1到約70重量份的含有由下面化學(xué)式2代耒的重復(fù)單元的第二津給劑樹脂、約0.5到約10重量份的光3丈產(chǎn)酸劑、約1到約20重量份的交聯(lián)劑和約10到約200重量份的溶劑?；瘜W(xué)式l化學(xué)式2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(其中R!和R2獨(dú)立地/RJ^具有1到5個石1^子的;^&，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)。)第一粘合劑樹脂在石i;容液中是可溶的。例如，所述第一粘合劑樹脂可在酸性催化劑存在下通過酚化合物和斷七合物反應(yīng)制備。特別地，該第一津給劑樹脂可通itiH^^物和7K^醛^制備。第二粘合劑樹脂在堿溶液中是可溶的。例如，所述第二津給劑樹脂可在酸性催化劑存在下通過酚化合物與駒匕合物反應(yīng)制備。特別地，該第二粘合劑樹脂可通ita^^^物與曱醛^JS制備。所述光刻MI且合物與上述光刻^^且合物實(shí)質(zhì)上相同。因此，省略進(jìn)一步的描述。第一光刻膠圖案160具有與其它部分相比相對小的厚度的溝道區(qū)域CR。例如，溝道區(qū)域CR的厚度可為約5,000至約8，000A。參照圖1和5，釆用第一it^膠圖案160作為掩模蝕刻數(shù)據(jù)金屬層150。例如，金屬lt據(jù)層150可以通過濕蝕刻方法蝕刻。在^J]第一it^膠圖案160通過濕蝕刻方法蝕刻數(shù)據(jù)金屬層150后，數(shù)據(jù)線155和源/漏金屬圖案156殘留。數(shù)據(jù)線155可在M與第一方向垂直的第二方向Ji^伸，并限定像素P的第三邊界和與第三邊界平行的第四邊界，第三和第四邊界垂直于第一和第二邊界。由于通過濕蝕刻方法蝕刻數(shù)據(jù)金屬層150，數(shù)據(jù)線155的邊和源/漏金屬圖案156的邊不與第一光刻膠圖案160的邊重合以形成側(cè)凹(undercut)。光刻Mi且^4勿可以改善^'j膠圖案的粘附能力以降低側(cè)凹的寬度Ad。當(dāng)側(cè)凹寬度Ad降低時，溝道部分的伸出部分的長度可降低。因此，像素的開口率可提高。此后，^JD第一^'j膠圖案160作為掩模蝕刻活性層140。例如，可以通過干蝕刻方法蝕刻活性層140。在蝕刻活性層140后，剩余半導(dǎo)體層142形成薄膜晶體管TFT的溝道部分。參照圖5和6，蝕刻第一光刻膠圖案160預(yù)定的厚度以形成具有與溝道區(qū)域CR對應(yīng)的開口的第二光刻膠圖案162。從而，使與溝道區(qū)域CR對應(yīng)的源/漏金屬圖案156的部分暴露?；蛘?，活性層140可以在形成第二光刻膠圖案之后蝕刻。參照圖1和7，將通過第二光刻膠圖案162的開口暴露的源/漏金屬圖案156的部分采用第二光刻膠圖案162作為掩模蝕刻，以形成源電極157和漏電極158。源/漏金屬圖案156可以通過濕蝕刻方法蝕刻。源電極157與數(shù)據(jù)線155電連接，并用作薄膜晶體管TFT的源極端子。漏電極158與源電極157隔開，并用作薄膜晶體管TFT的漏極端子。此后，^J]第二顏U膠圖案162作為掩模蝕刻與溝道區(qū)域CR對應(yīng)的歐姆接觸層的暴露部分，以在溝道部分146上形成一對歐:if接觸圖案148。歐姆接觸圖案148彼此隔開。此后，去除第二光刻膠圖案162。例如，第二光刻膠圖案162可使用M^幾stripping)溶液通itM^莫方法去除。參照圖1和8，在具有薄膜晶體管TFT的勤出基底上110上形成鈍化層170。鈍化層170保護(hù)薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線155并使其絕緣。可用于鈍化層170的材料的例子可包括氛俗f圭、氧^5圭等。例如，鈍化層170可通過化學(xué)^目沉積(VCD)方法形成，鈍化層170的厚度可為約500到約2000A。鈍化層170使用第三掩模通過光刻法圖案化以形M露部分漏電極158的接觸孔172。在形成接觸孔172后，在鈍化層170上形成透明導(dǎo)電層。該透明導(dǎo)電層^J^第四掩模通過it^法圖案化以在像素P中形成像素電極180。像素電極180通過穿過鈍化層170形成的接觸孔172與漏電極158電連接?？捎糜谙袼仉姌O180的材料的例子可包括氧^4因鋅、氧^t因錫等?；蛘撸谛纬上袼仉姌O180前，可以在鈍化層170上形^才Jii色緣層(未示出)以^S^出基底110平面化。根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的薄膜晶體管基底制造方法可以提高光刻膠圖案的粘附能力和耐熱性。從而，可以降^^光刻膠圖案下形成的側(cè)凹寬度。因此，可以降低溝道部分的伸出的長度，使得薄膜晶體管的開口率提高。在下文中，通過實(shí)施例和對比例進(jìn)一步描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光刻MI且合物和薄膜晶體管基底制造方法。實(shí)施例1使包括重量比約為40:60的間曱S^對曱酚的酚混合物與7K^醛^^以制備第一粘合劑樹脂，其重均分子量為約7000。使包括重量比約為40:60的間曱酚和對曱酚的酚f洽物與曱醛反應(yīng)以制備第二粘合劑樹脂，其重均分子量為約4000。將約30g的第一津給劑樹脂、約70g的第二津給劑樹脂、約2g作為M產(chǎn)酸劑的由以下化學(xué)式4代表的化洽物、約5g作為交聯(lián)劑的六羥曱^聚f^六甲基醚、約0.6g作為基于偶氮的染料的UV黃1549、約lg作為添加劑的三辛JJfe和約400g作為溶劑的丙二醇曱基醚丙酸酯相互混合以制備it^月^且合物?；瘜W(xué)式4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>實(shí)施例2除了光刻力&且合物包括約70g的第一津給劑樹脂和約30g的第二粘合劑樹脂"卜，按與實(shí)施例l!^目同的方法制備i^'j月Ma合物。實(shí)施例3除了光刻MI且^4勿進(jìn)一步包括約3g由下面化學(xué)式5代表的^^物0卜，按與實(shí)施例1J^目同的方法制備^^月Ma合物?；瘜W(xué)式5<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>實(shí)施例4除了光刻月^且合物包括約6g由實(shí)施例3的化學(xué)式5代表的^^物0卜，按與實(shí)施例3J44目同的方法制備h']月Ma合物。實(shí)施例5除了光刻Mi且合物包括約9g由實(shí)施例3的化學(xué)式5代表的化4^勿"卜，按與實(shí)施例3J4^目同的方法制備^'j月&且合物。對比例1除了光刻爿Ma合物包括約ioog的第二粘合劑樹脂而不含第一津給劑樹脂之外，按與實(shí)施例1^4^目同的方法制備it^^i且合物。對比例2除了光刻爿^且合物包括約100g的第一粘合劑樹脂而不含第二粘合劑樹脂之外，按與實(shí)施例11^目同的方法制備光刻月3且^^勿。實(shí)施例i到5以及對比例i和2的^'WMa合物分別涂覆在基底上形成光刻膠膜。將該光刻MM曝光并顯影(顯影速度約25秒)以形成光刻膠圖案。加熱光刻膠圖案以測量每個光刻膠圖案的回^(reflow)溫度。此外，通過4頓包括磷酸、硝酸和乙酸的蝕刻劑，對每個光刻膠圖案進(jìn)行金屬蝕刻試r^(噴霧，在約4(TC下，約65秒)以測量每個光刻膠圖案的歪^(skew)長度。因此，所得結(jié)果列于下表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>參照表1，對比例1的光刻膠圖案與實(shí)施例1到5的光刻膠圖案相比在相對低的溫度下回流，對比例2的光刻膠圖案與實(shí)施例1到5的光刻膠圖案相比具有相對長的歪斜。從而，可以注意到僅包括由曱醛形成的第二粘合劑樹脂的光刻月Ma合物可使耐熱性惡化，和僅包括由水楊醛形成的第一^^劑樹脂的光刻Mi且合物可使粘附能力和耐蝕刻性惡化。參照實(shí)施例3到5的結(jié)果，可注意到包括具有低分子量的酚^^物的光刻膠組合物可改善光刻膠圖案的粘附能力和耐蝕刻性，而不使耐熱性惡化。圖9是顯示用傳統(tǒng)正性光刻膠組合物形成的光刻膠圖案的掃描電子顯微鏡(SEM)照片。圖10是顯示^^根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的itt'J月ME^4勿形成的it^膠圖案的SEM照片。特別地，圖10顯示了^JI]實(shí)施例3的光刻Mi且合物形成的顏'J膠圖案。圖10的基底和光刻膠圖案的邊之間的角度與圖9的相比相對大，圖10的側(cè)凹寬度與圖9相比相對短。特別地，圖9的^'J膠圖案的側(cè)凹寬紋約0.86|om，圖10的光刻膠圖案的側(cè)凹寬yl^約0.82ijm。因而，可注意到根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的光刻Mi且合物可以降低活性層的伸出的長度以改善薄膜晶體管基底的開口率。根據(jù)上述，根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施方式的光刻膠組合物可以支善光刻膠圖案的耐熱性和粘附能力。因而，可以提高薄膜晶體管基底的開口率，和可以改善顯示裝置的顯示質(zhì)量。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明實(shí)施方式，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式，在所要求保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域4支術(shù)人員可進(jìn)行各種改變和改進(jìn)。權(quán)利要求1.一種光刻膠組合物，包括1到70重量份的包括由下式表示的重復(fù)單元的第一粘合劑樹脂；1到70重量份的包括由下式表示的重復(fù)單元的第二粘合劑樹脂；其中R1和R2獨(dú)立地代表具有1到5個碳原子的烷基，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)；0.5到10重量份的光致產(chǎn)酸劑；1到20重量份的交聯(lián)劑；和10到200重量份的溶劑。2.權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中該第一粘合劑樹脂由水楊醛與間甲酚和對甲酚反應(yīng)制備。3.權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中該第二粘合劑樹脂由曱醛與間甲酚和對甲酚反應(yīng)制備。4.權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中該第一和第二粘合劑樹脂的重均分子量是1000到10000。5.權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中該光致產(chǎn)酸劑包括選自下列的至少一種化合物鎓鹽、鹵代有機(jī)化合物、醌重氮化物化合物、二(磺?；?重氮曱烷化合物、砜化合物、有機(jī)酸西旨化合物、有機(jī)酸酰胺化合物、和有機(jī)酸酰亞胺化合物。6.權(quán)利要求1的光刻膠組合物，其中該交聯(lián)劑包括選自下列的至少一種樹脂烷氧基曱基化的脲醛樹脂、烷氧基曱基化的三聚氰胺樹脂、烷氡基曱基化的烏龍樹月旨和烷tt曱基化的甘WW旨。7.權(quán)利要求1的光刻Mi且合物，其中該溶劑包括選自下列的至少一種溶劑乙二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯和二甘醇。8.權(quán)利要求1的光刻MM合物，進(jìn)一步包括O.l到10重JM分由下^A示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中Rs、Rt、R5和R6獨(dú)立地^4具有1到4個碳原子的烷基。9.權(quán)利要求1的i^丈抗蝕劑^'j月Ma^4勿，進(jìn)一步包括約0.1到約5重量份的染料，該染料包括選自下列的至少一種染料基于吡唑偶氮的染料、基于^^基偶氮的染料、基于芳基偶氮的染料、基于三苯甲烷的染料、基于蒽醌的染料、基于蒽p比咬酮的染料、基于苯亞曱基的染料、基于oxonol的染料、基于吡峻三哇偶氮的染料、基于p比咬酮偶氮的染料、基于花青的染料、基于吩奮秦的染料、基于吡咯并吡哇偶氮曱堿的染料、基于P占噸的染料、基于酞菁的染料、基于苯并吡喃的染料、和基于錠青的染料。10.權(quán)利要求1的i^t'JMI且合物，進(jìn)一步包括O.l到10重量份的添加劑，該添加劑包括選自下列的至少一種增粘劑、表面活性劑和酸擴(kuò)^:抑制劑。11.一種制造薄膜晶體管基底的方法，所述方法包括在具有柵極線和柵電極的勤出基底上順序形成柵絕緣層、活性層和數(shù)據(jù)金屬層；在該數(shù)據(jù)金屬層上涂;iJb刻Mi且合物以形成光刻Ml莫，該i^'JMi且合物包括1到70重量份的包括由下式表示的重復(fù)單元的第一粘合劑樹脂；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>1到70重量份的包括由下式表示的重復(fù)單元的第二粘合劑樹脂;OH、R2m其中R！和R2獨(dú)立地/f^具有1到5個碳原子的烷基，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)，0.5到10重量份的iti丈產(chǎn)酸劑；l到20重量份的交聯(lián)劑；和10到200重量4分的溶劑；將該光刻^I莫曝光并使該光刻MI莫顯影以形成第一光刻膠圖案；使用該第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻該數(shù)據(jù)金屬層和活性層以形成數(shù)據(jù)線和溝道部分；去除部分第一光刻MM以形成第二光刻膠圖案，該第二光刻膠圖案暴露部分?jǐn)?shù)據(jù)金屬層；和使用第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻該數(shù)據(jù)金屬層和活性層以形成源電極、漏電極和歐姆接觸圖案。12.權(quán)利要求11的方法，其中該第一i^']膠圖案有具有相對小厚度的溝道區(qū)域。13.權(quán)利要求11的方法，其中所述數(shù)據(jù)金屬層通過濕法蝕刻方法蝕刻。14.權(quán)利要求ll的方法，其中該光致產(chǎn)酸劑包括選自下列的至少一種化合物錯鹽、鹵^^才/M給物、醌重氮化物化合物、一磺Si4)重氮曱烷^^勿、砜化合物、有機(jī)酸酯^^物、有機(jī)酸@^^物和有機(jī)酸酰亞胺^^物。15.權(quán)利要求11的方法，其中該交聯(lián)劑包括選自下列的至少一種樹脂烷氧基曱基化的脲醛樹脂、烷氧基曱基化的三聚，樹脂、烷氧基曱基化的烏;W月旨和烷tt曱基化的甘Wt脂。16.權(quán)利要求11的方法，其中該溶劑包括選自下列的至少一種溶劑乙二醇醚、乙二醇^s^醚乙酸酯和二甘醇。17.權(quán)利要求11的方法，其中該光刻Mi且合物進(jìn)一步包括O.l到10重量份由下iC4示的^^物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中R3、R4、Rs和R6獨(dú)立地^4具有l(wèi)到4個碳原子的烷基。18.權(quán)利要求11的方法,其中該^'j月MEL合物進(jìn)一步包括0.1到5重量份染料,該染料包括選自下列的至少一種染料基于吡峻偶氮的染料、基于苯胺基偶氮的染料、基于芳基偶氮的染料、基于三苯曱烷的染料、基于蒽醌的染料、基于蒽吡咬酮的染料、基于苯亞曱基的染料、基于oxonol的染料、基于吡哇三峻偶氮的染料、基于吡啶酮偶氮的染料、基于花青的染料、基于吩p塞秦的染料、基于吡咯并p比峻偶氮曱堿的染料、基于P占噸的染料、基于酞菁的染料、基于苯并吡喃的染料、和基于靛青的染料。19.權(quán)利要求11的方法，其中該光刻Mi且合物進(jìn)一步包括O.l到10重量份添加劑，該添加劑包括選自下列的至少一種增粘劑、表面活性劑和酸擴(kuò)散抑制劑。全文摘要本發(fā)明涉及光刻膠組合物和使用其制造薄膜晶體管基底的方法。在一實(shí)例中，光刻膠組合物包括約1到約70重量份的含有由右面化學(xué)式1代表的重復(fù)單元的第一粘合劑樹脂、約1到約70重量份的含有由右面化學(xué)式2代表的重復(fù)單元的第二粘合劑樹脂、約0.5到約10重量份的光致產(chǎn)酸劑、約1到約20重量份的交聯(lián)劑和約10到約200重量份的溶劑，在式中R₁和R₂獨(dú)立地代表具有1到5個碳原子的烷基，n和m獨(dú)立地代表自然數(shù)。該光刻膠組合物可改善光刻膠圖案的耐熱性和粘附能力。文檔編號H01L21/84GK101295135SQ20081012770公開日2008年10月29日申請日期2008年4月14日優(yōu)先權(quán)日2007年4月13日發(fā)明者丘冀赫,尹赫敏,樸廷敏,李羲國,鄭斗喜申請人:三星電子株式會社;東進(jìn)瑟彌侃株式會社