專利名稱：基片處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基片處理裝置。更具體地，本發(fā)明涉及用于在硅晶片之類的基 片上進行涂層、烘烤和顯影處理的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體處理工藝中，光致抗蝕劑圖形可作為蝕刻掩膜用于蝕刻處理，該 蝕刻處理形成具有電特性的電路圖形。光致抗蝕劑圖形可由基片處理裝置形 成，或由與曝光裝置相連的光致抗蝕劑圖形形成裝置形成?；幚硌b置包括用于在基片上形成抗反射底涂層(BARC層)和光致抗 蝕劑層的涂層單元、用于固化BARC層和光致抗蝕劑層的加熱單元、用于在經(jīng) 曝光處理的基片上進行曝光后烘烤(PEB)處理的加熱單元、用于在經(jīng)曝光處 理的光致抗蝕劑層上進行顯影處理的顯影單元、用于對形成在基片上的光致抗 蝕劑圖形進行固化的加熱單元、用于冷卻被所述加熱單元加熱的基片的冷卻單 元、以及用于容置基片的傳送臺等等?；瑐魉妥詣訖C械可設(shè)置在上述處理單元之間，并根據(jù)預(yù)設(shè)的工藝方案傳 送處理單元之間的基片。因為這些單元處理所需的時間各不相同，會增加基片在處理單元或傳送臺 中的等待時間，晶片傳送自動機械可能超載。根據(jù)工藝方案、光致抗蝕劑組合物、所需的光致抗蝕劑圖樣的寬度等等， 可能不采用BARC層。因此， 一些涂層單元是不必要的。因此，基片處理裝置的處理能力受到損失，從而，需要一種改進的基片處 理裝置以解決上述問題。發(fā)明內(nèi)容木發(fā)明實施例提供一種處理能力提高的基片處理裝置。根據(jù)本發(fā)明一個方面的基片處理裝置中，該裝置包括在基片上進行涂層 處理和顯影處理的第一處理區(qū)塊；與所述第一處理區(qū)塊相對的第二處理區(qū)塊， 用以對所述基片進行熱處理；位于所述第一和第二處理區(qū)塊之間的主傳送區(qū) 塊，用以傳送基片；位于所述主傳送區(qū)塊的、與所述第一和第二處理區(qū)塊的設(shè) 置方向垂直的一側(cè)的第三處理區(qū)塊，用以調(diào)節(jié)所述基片的溫度；以及靠近所述 第二和第三處理區(qū)塊的輔助傳送區(qū)塊，用以在所述第二和第三處理區(qū)塊之間傳 送所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述輔助傳送區(qū)塊包括垂直向延伸的垂直導(dǎo)軌 和與該垂直導(dǎo)軌連接以在垂直方向移動的機械手。該機械手能旋轉(zhuǎn)、伸展和收 縮，以傳送所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述第二處理區(qū)塊包括呈水平方向的并與所述 第一處理區(qū)塊相對的第一、第二和第三單元區(qū)塊。各所述第一和第三單元區(qū)塊 包括以多層形式設(shè)置的多個加熱單元以加熱所述基片，并且，所述第二單元區(qū) 塊包括以多層形式設(shè)置在所述第一和第三單元區(qū)塊之間的多個熱處理單元以 對所述基片進行熱處理。在本發(fā)明的一些實施例中，所述輔助傳送區(qū)塊在所述第一單元區(qū)塊和第三 處理區(qū)塊之間傳送所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，各所述熱處理單元包括用于加熱所述基片的 加熱板；位于所述加熱板的、與所述第一、第二和第三單元區(qū)塊的設(shè)置方向平 行的一側(cè)的冷卻板，用以冷卻所述基片；以及容納所述加熱板和所述冷卻板的 熱處理室，其具有一對用于運入和運出所述基片的門。在本發(fā)明的一些實施例中，各所述熱處理單元還包括位于所述熱處理室 內(nèi)的室內(nèi)自動機械，用以在所述加熱板和所述冷卻板之間傳送所述基片；以及 垂直向可移動地穿過各所述加熱板和冷卻板的提升銷，用以將所述基片裝載至 所述加熱板和所述冷卻板上并從所述加熱板和所述冷卻板卸載所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述室內(nèi)自動機械包括與所述加熱板和所述 冷卻板的設(shè)置方向平行延伸的導(dǎo)軌；以及與所述導(dǎo)軌可移動地連接并以與所述 導(dǎo)軌垂直的方向延伸的機械手。在本發(fā)明的一些實施例中，所述第一處理區(qū)塊包括上單元區(qū)塊，其包括， 至少一個在所述基片上形成層的涂層單元和至少一個在所述基片上顯影光致 抗蝕劑層的顯影單元中的一個；下單元區(qū)塊，其包括，至少一個涂層單元和至 少一個顯影單元中的另一個；以及可拆卸地位于所述上、下單元區(qū)塊之間的中 間單元區(qū)塊，其包括涂層單元和顯影單元中的至少一個。在本發(fā)明的一些實施例中，所述上單元區(qū)塊包括用于形成抗反射底涂層層單元和用于形成光致抗蝕劑層的第二涂層單元。在本發(fā)明的一些實施例中，所述上單元區(qū)塊包括用于在所述基片上形成光 致抗蝕劑層的多個涂層單元。在本發(fā)明的一些實施例中，所述主傳送區(qū)塊包括:上主傳送自動機械，用于在所述上單元區(qū)塊、所述中間單元區(qū)塊、所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片；和下主傳送自動機械，用于在所述下單元區(qū)塊、所述中 間單元區(qū)塊、所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，各所述上、下主傳送自動機械包括垂直延伸 的一對垂直導(dǎo)軌；與所述垂直導(dǎo)軌連接以垂直移動的水平導(dǎo)軌；以及與所述水 平導(dǎo)軌連接以水平移動的機械手，該機械手能旋轉(zhuǎn)、伸展和收縮，以傳送所述 基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述上主傳送自動機械的垂直導(dǎo)軌及所述下主 傳送自動機械的垂直導(dǎo)軌分別靠近所述第一處理區(qū)塊和所述第二處理區(qū)塊。在本發(fā)明的一些實施例中，所述上主傳送自動機械的機械手朝下設(shè)置，而 所述下主傳送自動機械的機械手朝上設(shè)置。在本發(fā)明的一些實施例中，所述上、下主傳送自動機械的所述垂直導(dǎo)軌靠 近所述第一或第二處理區(qū)塊。在本發(fā)明的一些實施例中，所述裝置還包括控制所述上、下主傳送自動機 械操作的自動機械控制器，以防止該上、下主傳送自動機械在靠近所述中間單 元區(qū)塊的所述主傳送區(qū)塊的中間區(qū)域中互相干擾。在本發(fā)明的一些實施例中，所述主傳送區(qū)塊包括在所述上單元區(qū)塊、所述 中間單元區(qū)塊、所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片的上 主傳送自動機械，還包括在所述下單元區(qū)塊、所述中間單元區(qū)塊、所述第二處 理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片的下主傳送自動機械。所述輔助 傳送區(qū)塊包括在所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片的 輔助傳送自動機械。在本發(fā)明的一些實施例中，所述裝置還包括控制所述上、下主傳送自動機 械和所述輔助傳送自動機械的操作的自動機械控制器，以使所述上、下主傳送 自動機械和所述輔助傳送自動機械的操作互補。在本發(fā)明的一些實施例中，所述第三處理區(qū)塊包括以多層方式設(shè)置的多個 冷卻單元，以冷卻所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述第三處理區(qū)塊還包括容置所述基片的傳送 臺。所述傳送臺位于所述冷卻單元之間以在水平方向靠近所述中間單元區(qū)塊。在本發(fā)明的一些實施例中，所述裝置還包括以所述主傳送區(qū)塊為中心與所述第三處理區(qū)塊相對的第四處理區(qū)塊，用以調(diào)節(jié)所述基片的溫度；以及靠近所 述第二處理區(qū)塊和所述第四處理區(qū)塊的第二輔助傳送區(qū)塊，用以在所述第二處 理區(qū)塊和所述第四處理區(qū)塊之間傳送所述基片。在本發(fā)明的一些實施例中，所述裝置還包括與所述第三處理區(qū)塊連接的基 片傳送模塊，用以在容納所述基片的容器和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基 片；及與所述第四處理區(qū)塊連接的接口模塊，用以在曝光裝置和所述第四處理 區(qū)塊之間傳送所述基片。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當在基片處理裝置上進行各單元處理例如涂層處 理、烘烤處理、顯影處理等時，輔助傳送區(qū)塊和熱處理單元的室內(nèi)自動機械可 充分減輕上、下主傳送自動機械的負載。而且，第一處理區(qū)塊的中間單元區(qū)塊 的結(jié)構(gòu)可根據(jù)工藝方案變化，可在各熱處理單元中同時或連續(xù)地利用加熱板進 行烘烤處理或光致抗蝕劑回流處理，以及利用冷卻板進行冷卻處理。因此，基 片處理裝置的處理能力得以提高。
通過下述詳細說明及附圖，本發(fā)明的具體實施方式
將更加清楚，在附圖中圖1是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理裝置；圖2是側(cè)視圖，示出了圖1所示基片處理裝置的第一處理區(qū)塊；圖3是側(cè)視圖，示出了圖1所示基片處理裝置的第二處理區(qū)塊；圖4是平面圖，示出了圖3中的熱處理單元；圖5是側(cè)視圖，示出了圖3中的熱處理單元；圖6是主視圖，示出了圖1中的上傳送自動機械和下傳送自動機械； 圖7是側(cè)視圖，示出了圖6中的上傳送自動機械和下傳送自動機械； 圖8是主視圖，示出了圖6中的上傳送自動機械和下傳送自動機械的另一 實例；及圖9是側(cè)視圖，示出了圖1中的第一和第二輔助傳送自動機械。
具體實施方式
參見示出本發(fā)明實施例的附圖，下文將更詳細地描述本發(fā)明。然而， 本發(fā)明可以以許多不同的形式實現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實施例 的限制。更確切地，提出這些實施例是為了達成充分及完整公開，并且使 本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員完全了解本發(fā)明的范圍。通篇中同樣的附圖標記表 示同樣的元件。應(yīng)理解，當將元件稱為在另一元件"上"之時，其可以為直接在另一元件上，或者存在居于其間的元件。與此相反，當將元件稱為"直接在另一元 件上"，則不存在居于其間的元件或?qū)?。如本文中所使用的，用語"和/或" 包括一或多個相關(guān)的所列項目的任何或所有組合。應(yīng)理解，盡管本文中使用第一、第二等用語來描述各種元件，但這些 元件并不限于這些用語。這些用語僅用于區(qū)分元件。例如，下文所稱之第 一薄膜可稱為第二薄膜，或者第二薄膜可稱為第一薄膜，而不脫離本發(fā)明 的教導(dǎo)。本文中所使用的表述僅用于描述特定的實施例，并不用于限制本發(fā)明。 如本文中所用的，"一"、"所述"可用于包括復(fù)數(shù)形式，除非其上下文明示。 還應(yīng)理解，當本說明書中使用表述"包括"之時，明確說明了存在有所描述 的部件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件及/或組件，但并不排除一或多個 其它部件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件及/或它們的組群的存在 或添加。還有，如"下(lower)"或"底(bottom)"禾口"上(upper)"或"頂(top)" 等，在本文中使用這些用語以描述如圖所示的一個元件與另一元件的關(guān)系。 應(yīng)理解，這些與空間相關(guān)的表述除圖中所示方位之外，還用于涵蓋該設(shè)備 的不同方位。例如，若圖中的該設(shè)備翻轉(zhuǎn)，描述為在其它元件"下"側(cè)的元 件會轉(zhuǎn)而定向為在其它元件"上"側(cè)。由此，根據(jù)附圖的特定朝向，該示例 的用語"下"可同時涵蓋"下"和"上"兩個方位。類似地，附圖中的一個設(shè)備翻 轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件"下方"或"之下"的元件將位于另一元件"之上"。因 此，示例用語"下方"或"之下"可包含上方或下方兩個方位。除非另行詳細說明，本文所使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)的意思 與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所通常理解的一致。還應(yīng)理解，諸如一般字典中 所定義的術(shù)語應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域或本文公開中的意思一致，并且不 應(yīng)解釋為理想化的或過度刻板的含義，除非在文中另有明確定義。根據(jù)剖視圖對本發(fā)明的實施例進行描述，這些剖視圖是本發(fā)明理想的實施 方式的示意圖。同樣地，作為例如制造工藝和/或公差的結(jié)果，示圖形狀的變化 形式是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明的實施方式不應(yīng)解釋為限于本文所示區(qū)域的 特定形狀，而應(yīng)包括例如因制造引起的形狀偏差。例如，顯示或描述為平的區(qū) 域通?？删哂写植诘暮?或非線性的外觀。而且，顯示的銳角可以是倒成圓角的。 因此，附圖中所示區(qū)域?qū)嶋H上是示意的，其形狀不用于表示區(qū)域的精確形狀， 也不用于限制本發(fā)明的范圍。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的基片處理裝置的平面圖，圖2是示出了 圖1中的基片處理裝置的第一處理區(qū)塊的側(cè)視圖，而圖3是示出了圖1中的基片處理裝置的第二處理區(qū)塊的側(cè)視圖。參見圖1 圖3，根據(jù)本發(fā)明的實施例，基片處理裝置10可用于處理諸如 硅晶片之類的半導(dǎo)體基片。例如，裝置10可用于進行涂層處理以在半導(dǎo)體基片上形成光致抗蝕劑層或抗反射底涂層(BARC層)、在曝光處理后進行顯影處理以在半導(dǎo)體基片上形成光致抗蝕劑圖形從而將電路圖形轉(zhuǎn)移至光致抗蝕 劑層、進行烘烤處理以固化光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖形，等等。基片處理裝置10包括處理基片的基片處理模塊20、傳送基片的基片傳送 模塊30以及位于基片處理模塊20與曝光裝置2之間的接口模塊40?；瑐魉湍K30包括支撐容器4的多個裝載端32，多個半導(dǎo)體基片分別 容納于所述容器中，該基片傳送模塊30在容器4和基片處理模塊20之間傳送 所述半導(dǎo)體基片。例如，可在各裝載端上放置前開式統(tǒng)一規(guī)格晶片盒(FOUP)?；瑐魉褪?4與基片處理模塊20連接?；瑐魉妥詣訖C械36設(shè)置在基 片傳送室34內(nèi)?；瑐魉妥詣訖C械36設(shè)置成在水平和垂直方向，例如X軸、 Y軸和Z軸方向運動。還有，基片傳送自動機械36的機械手設(shè)置成能轉(zhuǎn)動、 伸展和收縮。風扇過濾單元38設(shè)置在基片傳送室34的上部以向基片傳送室34輸送凈 化空氣。基片傳送模塊30可包括開門工具(未示出)以開啟設(shè)置在裝載端32 上的FOUP的門?；幚砟K20包括第一處理區(qū)塊100。第一處理區(qū)塊100用光致抗蝕劑 組合物或抗反射材料涂敷半導(dǎo)體基片以形成光致抗蝕劑層或BARC層，并使光 致抗蝕劑層顯影于經(jīng)曝光裝置2進行過曝光處理的半導(dǎo)體基片上。第一處理區(qū)塊100包括以多層疊放的上單元區(qū)塊IIO和下單元區(qū)塊130。 上單元區(qū)塊110包括多個涂層單元，下單元區(qū)塊130包括多個顯影單元。反過 來，可以是上單元區(qū)塊110包括多個顯影單元，而下單元區(qū)塊130包括多個涂 層單元。如圖所示，第一處理區(qū)塊IOO包括兩個上單元區(qū)塊IIO和兩個下單元區(qū)塊 130。然而，本發(fā)明的范圍不受上、下單元區(qū)塊110和130的數(shù)量的限制。根據(jù)本發(fā)明的實施例，各上單元區(qū)塊110包括用于形成BARC層的第一涂 層單元112和用于形成光致抗蝕劑層的第二涂層單元114。第一涂層單元112 包括用于支撐半導(dǎo)體基片且轉(zhuǎn)動該半導(dǎo)體基片的旋轉(zhuǎn)夾盤和用于將抗反射材 料輸送至該半導(dǎo)體基片上的噴嘴。第二涂層單元114包括用于支撐半導(dǎo)體基片 且轉(zhuǎn)動該半導(dǎo)體基片的多個旋轉(zhuǎn)夾盤和用于將光致抗蝕劑組合物輸送至該半 導(dǎo)體基片上的多個噴嘴。第一和第二涂層單元112和114可沿X軸方向設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，各上單元區(qū)塊IIO包括沿水平方向，例如X軸方向，設(shè)置的多個涂層單元。各所述涂層單元設(shè)為在半導(dǎo)體基片上形成光致抗 蝕劑層。各涂層單元包括進行涂層處理的涂層室、用于將光致抗蝕劑組合物輸 送至半導(dǎo)體基片上的噴嘴、和用于支撐和轉(zhuǎn)動該半導(dǎo)體基片的旋轉(zhuǎn)夾盤?；蛘?， 可在一個涂層室內(nèi)設(shè)置多個旋轉(zhuǎn)夾盤和多個噴嘴。各下單元區(qū)塊130包括沿X軸方向設(shè)置的多個顯影單元132。各顯影單元 132設(shè)置為將光致抗蝕劑層顯影于經(jīng)曝光裝置2進行過曝光處理的半導(dǎo)體基 片。各顯影單元132包括在其內(nèi)部進行顯影處理的顯影室、用于將顯影溶液輸 送至半導(dǎo)體基片上的噴嘴、和用于支撐和轉(zhuǎn)動該半導(dǎo)體基片的旋轉(zhuǎn)夾盤?；蛘?可將多個旋轉(zhuǎn)夾盤和多個噴嘴設(shè)置在一個顯影室內(nèi)。此外，各顯影單元132包 括清洗噴嘴，以在用顯影溶液處理半導(dǎo)體基片后將清洗溶液噴到該半導(dǎo)體基片 上。根據(jù)本發(fā)明的實施例，中間單元區(qū)塊150設(shè)置在上單元區(qū)塊110和下單元 區(qū)塊130之間。中間單元區(qū)塊150可選擇地包括涂層單元和顯影單元。例如， 中間單元區(qū)塊150包括涂層單元或顯影單元?；蛘撸虚g單元區(qū)塊150可包括 一個涂層單元和多個顯影單元，或多個涂層單元和一個顯影單元。如圖所示，中間單元區(qū)塊150包括一個涂層單元152和兩個顯影單元154。 但是，本發(fā)明的范圍不限于中間單元區(qū)塊150的構(gòu)造，例如不限于涂層單元和 顯影單元的數(shù)量。具體地，中間單元區(qū)塊150的涂層單元和顯影單元可拆卸地設(shè)置在上單元 區(qū)塊110和下單元區(qū)塊130之間。gp，中間單元區(qū)塊150的構(gòu)造可根據(jù)預(yù)定的 工藝方案變化。從而可以提高基片處理裝置10的處理能力?；幚砟K20包括與第一處理區(qū)塊100相對的第二處理區(qū)塊200。第二 處理區(qū)塊200包括沿X軸方向設(shè)置的多個單元區(qū)塊，以對半導(dǎo)體基片進行熱處 理。具體地，第二處理區(qū)塊200進行烘烤處理、光致抗蝕劑回流處理、冷卻處 理等等。烘烤處理可將例如光致抗蝕劑層、BARC層、光致抗蝕劑圖樣等層固 化在半導(dǎo)體基片上。第二處理區(qū)塊200包括第一、第二和第三單元區(qū)塊210、 230和250。第二 單元區(qū)塊230設(shè)置在第一和第三單元區(qū)塊210和250之間。第一和第三單元區(qū) 塊210和250包括多個加熱單元212、 214、 252和254，以加熱半導(dǎo)體基片， 且第二單元區(qū)塊230包括多個熱處理單元232和234，以加熱和冷卻半導(dǎo)體基 片。加熱單元212、 214、 252和254以及熱處理單元232和234呈垂直方向堆 疊。各加熱單元212、 214、 252和254包括用于支撐及加熱半導(dǎo)體基片的加熱 板和用于容納該加熱板的加熱室。雖然圖中未具體示出，各加熱單元212、214、252和254還可包括垂直穿過該加熱板的可移動的提升銷，以載入或卸載半導(dǎo) 體基片。該加熱板下設(shè)有驅(qū)動部，該驅(qū)動部與提升銷相連接以在垂直方向移動 該提升銷。加熱單元212、 214、 252和254用于進行疏水處理、軟烘處理、曝光后烘 烤(PEB)處理、硬烘處理等。進行疏水處理使得半導(dǎo)體基片的表面特性轉(zhuǎn)變成具有疏水性。例如， 一些 加熱單元212、 214、 252和254可各包括用于向半導(dǎo)體基片上輸送六甲基二硅 氮烷(HMDS)氣體的噴嘴。進行軟烘處理以從通過光致抗蝕劑涂層處理形成在半導(dǎo)體基片上的光致 抗蝕劑層上除去溶劑，從而硬化該光致抗蝕劑層。進行PEB處理以改善曝光處理后光致抗蝕劑圖形的側(cè)表面輪廓，并進行 硬烘處理以在顯影處理后硬化光致抗蝕劑圖樣。例如，第一單元區(qū)塊210包括用于疏水處理(或HMDS處理)的第一加 熱單元212和用于硬烘處理的第二加熱單元214。第三單元區(qū)塊250包括用于 軟烘處理的第三加熱單元252和用于PEB處理的第四加熱單元254。第一加熱單元212設(shè)置在第一單元區(qū)塊210的上部，第二加熱單元214設(shè) 置在第一單元區(qū)塊210的下部。第三加熱單元252設(shè)置在第三單元區(qū)塊250的 上部，第四加熱單元254設(shè)置在第三單元區(qū)塊250的下部。即，用于疏水處理 和軟烘處理的第一和第三加熱單元212和252設(shè)置成靠近涂層單元112和114、 而用于硬烘處理及PEB處理的第二和第四加熱單元214和254設(shè)置成靠近顯 影單元132。然而，本發(fā)明的范圍并不受加熱單元212、 214、 252和254的位 置的限制。圖4和圖5為平面圖和側(cè)視圖，示出了圖3中的加熱單元。參考圖4和圖5，各熱處理單元232、 234包括用于加熱半導(dǎo)體基片的加熱 板240、用于冷卻半導(dǎo)體基片的、設(shè)置在加熱板240的X軸方向的一側(cè)的冷卻 板242、和用于容納加熱板240和冷卻板242且具有的對用于送入和送出半 導(dǎo)體基片的門244a和244b的熱處理室244。熱處理單元232和234用于在半導(dǎo)體基片上進行烘烤處理及進行光致抗蝕 劑回流處理。例如，第二單元區(qū)塊230包括用于進行烘烤處理和冷卻處理以固 化BARC層的上熱處理單元232、和用于進行光致抗蝕劑回流處理和冷卻處理 的下熱處理單元234。還有，各熱處理單元232和234包括用于在熱處理室244內(nèi)的加熱板240 與冷卻板242之間傳送半導(dǎo)體基片的室內(nèi)自動機械246。室內(nèi)自動機械246包括用于在X軸方向移動機械手246b的導(dǎo)軌246a。機械手246b與導(dǎo)軌246a在X軸方向可移動地連接，且沿Y軸方向朝加熱板240 和冷卻板242延伸。雖然圖中未具體表示，各熱處理單元232和234還可包括可移動地垂直穿 過加熱板240和冷卻板242的提升銷248a和248b。驅(qū)動部249分別設(shè)置在加 熱板240和冷卻板242下面，且可與提升銷248a和248b相連接以垂直移動提 升銷248a和248b。加熱板240與加熱器連接以加熱半導(dǎo)體基片，而冷卻板242具有冷卻管線 以冷卻半導(dǎo)體基片。具體地，在加熱板240內(nèi)設(shè)有電加熱線，而冷卻板242內(nèi) 設(shè)有循環(huán)管供冷卻劑循環(huán)。此外，各加熱和冷卻板240和242具有多個突起以支撐半導(dǎo)體基片。例如， 所述突起使半導(dǎo)體基片離開加熱和冷卻板240和242的高度為約0.1mm 約 0.3mm。參考圖1至圖3，主傳送區(qū)塊300設(shè)在第一處理區(qū)塊100和第二處理區(qū)塊 200之間以傳送半導(dǎo)體基片。主傳送自動機械310和320設(shè)在主傳送區(qū)塊300 內(nèi)以傳送半導(dǎo)體基片。例如，主傳送區(qū)塊300內(nèi)設(shè)有上主傳送區(qū)塊310和下主 傳送區(qū)塊320。圖6是主視圖，示出了圖1中的上傳送自動機械和下傳送自動機械。圖7 是側(cè)視圖，示出了圖6中的上傳送自動機械和下傳送自動機械。圖8是主視圖， 示出了圖6中的上傳送自動機械和下傳送自動機械的另一實例。參見圖6和圖7，上主傳送自動機械310包括一對上垂直導(dǎo)軌312、在垂 直方向上可移動地連接上垂直導(dǎo)軌312的上水平導(dǎo)軌314、和在水平方向可移 動地連接上水平導(dǎo)軌314的上機械手316，該機械手設(shè)置成能旋轉(zhuǎn)、伸展和收 縮以傳送半導(dǎo)體基片。下主傳送自動機械320包括一對下垂直導(dǎo)軌322、垂直方向可移動地連接 該下垂直導(dǎo)軌322的下水平導(dǎo)軌324、和在水平方向可移動地連接下水平導(dǎo)軌 324的下機械手326，該機械手設(shè)置成能旋轉(zhuǎn)、伸展和收縮以傳送半導(dǎo)體基片。同時，基片處理模塊20還包括用來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體基片溫度的第三處理區(qū)塊 400和第四處理區(qū)塊500。該第三和第四處理區(qū)塊400和500位于主傳送區(qū)塊 300的、與第一和第二處理區(qū)塊100和200的設(shè)置方向垂直的，例如在X軸方 向的，兩側(cè)。具體地，第三和第四處理區(qū)塊400和500可各自位于基片傳送模 塊30、主傳送區(qū)塊300和接口模塊40之間。上主傳送自動機械310用于，在曝光處理之前，在第一、第二、第三和第 四處理區(qū)塊IOO、 200、 400和500之間傳送半導(dǎo)體基片。具體地，上主傳送自 動機械310設(shè)置成在上單元區(qū)塊110、中間單元區(qū)塊150、第一和第三加熱單13元212和252、上熱處理單元232和第三及第四處理區(qū)塊400和500之間傳送 半導(dǎo)體基片。下主傳送自動機械320用于，在曝光處理后，在第一、第二、第三和第四 處理區(qū)塊100、 200、 400和500之間傳送半導(dǎo)體基片。具體地，下主傳送自動 機械320設(shè)置成在下單元區(qū)塊130、中間單元區(qū)塊150、第二和第四加熱單元 214和254、下熱處理單元234和第三及第四處理區(qū)塊400和500之間傳送半 導(dǎo)體基片。上垂直導(dǎo)軌312靠近第一處理區(qū)塊100，而下垂直導(dǎo)軌322靠近第二處理 區(qū)塊200。從而，上、下主傳送自動機械310和320可攜帶半導(dǎo)體基片進出中 間區(qū)塊150。當上、下主傳送自動機械310和320在靠近中間單元區(qū)塊150的 區(qū)域，例如在主傳送區(qū)塊300的中間區(qū)域操作時，可由自動機械控制器330控 制上、下主傳送自動機械310和320的操作，以防止上、下主傳送自動機械310 和320相互干擾。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，如圖8所示，上機械手346與上水平導(dǎo)軌344 連接以朝下設(shè)置，下機械手356與下水平導(dǎo)軌354連接以朝上設(shè)置。這樣，上 垂直導(dǎo)軌342和下垂直導(dǎo)軌352靠近第一處理區(qū)塊100或第二處理區(qū)塊200。再參見圖4和圖5，半導(dǎo)體基片可通過熱處理室244的第一門244a裝載在 熱處理室244中，然后由穿過加熱板240的提升銷248a裝載到加熱板240上。 在加熱板240上進行烘烤處理或光致抗蝕劑回流處理后，半導(dǎo)體基片由提升銷 248a從加熱板240上提升。室內(nèi)自動機械246的機械手246b移動至被提升的 半導(dǎo)體基片下面，然后提升銷248a向下移動使得半導(dǎo)體基片由室內(nèi)自動機械 246的機械手246b支撐。支撐著半導(dǎo)體基片的機械手246b移動經(jīng)過冷卻板242 上方，而提升銷248b穿過冷卻板242向上移動以提升該半導(dǎo)體基片。在機械 手246b回來后，提升銷248b向下移動以將半導(dǎo)體基片裝至冷卻板242上。半 導(dǎo)體基片在冷卻板242上被冷卻至約3(TC 50。C，并通過熱處理室244的第二 門244b送出。如上所述，因為半導(dǎo)體基片在熱處理室內(nèi)244由室內(nèi)自動機械246在加熱 和冷卻板240和242之間傳送，主傳送區(qū)塊300中的上、下主傳送自動機械310 和320的負載得以降低。此外，在該半導(dǎo)體基片由冷卻板242冷卻時，另一半 導(dǎo)體基片同時或連續(xù)地接受加熱板240的烘烤處理或光致抗蝕劑回流處理。因 此，基片處理裝置10的處理能力得以提高。參考圖1至圖3，第三和第四處理區(qū)塊400和500用于冷卻由第二處理區(qū) 塊200加熱的半導(dǎo)體基片。例如，第三和第四處理區(qū)塊400和500分別包括多 個冷卻單元410和510，用于將半導(dǎo)體基片冷卻至預(yù)定溫度，例如冷卻至溫度約23'C。冷卻單元410和510以多層疊放。此外，第三和第四處理區(qū)塊400和500用于將首先由上、下熱處理單元232 或234的冷卻板242冷卻的半導(dǎo)體基片再冷卻至溫度約23°C。熱處理單元232 或234的冷卻板242首先將半導(dǎo)體基片的溫度冷卻至約3(TC 約50°C。各冷卻單元410和510包括冷卻室和置于其內(nèi)部的冷卻板。雖然圖中未具 體示出，冷卻板內(nèi)部可設(shè)有冷卻盤管以使冷卻劑通過其循環(huán)，使得冷卻板維持 約23匸的溫度。 各冷卻單元410和510包括可移動地垂直穿過冷卻板的多個提升銷，以裝 載和卸載半導(dǎo)體基片。冷卻板下面設(shè)有驅(qū)動部，該驅(qū)動部與提升銷連接以垂直 移動提升銷。此外，第三和第四處理區(qū)塊400和500分別包括第一傳送臺420和第二傳 送臺520，以容納半導(dǎo)體基片。第一和第二傳送臺420和520各自設(shè)置在冷卻 單元410和510之間。例如，第一和第二傳送臺420和520在水平方向上靠近 第一處理區(qū)塊100的中間單元區(qū)塊150。因此，上、下主傳送自動機械310和 320均可經(jīng)第一和第二傳送臺420和520傳送半導(dǎo)體基片。圖9是表示圖1中的第一和第二輔助傳送自動機械的側(cè)視圖。 參見圖1和圖9，基片處理模塊20還包括第一輔助傳送區(qū)塊600和第二輔 助傳送區(qū)塊700。第一輔助傳送區(qū)塊600用于在第三處理區(qū)塊400和第二處理 區(qū)塊200的第一單元區(qū)塊210之間傳送半導(dǎo)體基片，而第二輔助傳送區(qū)塊700 用于在第四處理區(qū)塊500和第二處理區(qū)塊200的第三單元區(qū)塊250之間傳送半 導(dǎo)體基片。第一輔助傳送區(qū)塊600位于第三處理區(qū)塊400、第一單元區(qū)塊210和基片 傳送模塊30之間，且包括垂直方向可移動的第一輔助傳送自動機械610。第一 輔助傳送自動機械610包括在第一輔助傳送區(qū)塊600內(nèi)垂直延伸的第一垂直導(dǎo) 軌612和在垂直方向可移動地連接第一垂直導(dǎo)軌612的第一機械手614。第一 機械手614設(shè)置成能旋轉(zhuǎn)、伸展和收縮，以傳送半導(dǎo)體基片。第一輔助傳送區(qū)塊600用于將經(jīng)第一單元區(qū)塊210的加熱單元，即第一和 第二加熱單元212和214，處理的半導(dǎo)體基片傳送至第三處理區(qū)塊400的冷卻 單元410。第一和第二加熱單元212和214各自具有靠近主傳送區(qū)塊300的前門220 及靠,近第一輔助傳送區(qū)塊600的側(cè)門222。還有，第三處理區(qū)塊400的各冷卻 單元'410具有靠近主傳送區(qū)塊300的前門412及靠近第一輔助傳送區(qū)塊600的 側(cè)門414。半導(dǎo)體基片由上、下主傳送自動機械310和320通過第一單元區(qū)塊210的前門220運送入第一單元區(qū)塊210，且由第一輔助傳送自動機械610通過第一 單元區(qū)塊210的側(cè)門222運送出第一單元區(qū)塊210。還有，半導(dǎo)體基片由第一 輔助傳送自動機械610經(jīng)第三處理區(qū)塊400的側(cè)門414送入第三處理區(qū)塊400。 因此，第一和第二主傳送自動機械310和320的負載得以減輕，且基片處理裝 置IO的處理能力得以提高。第二輔助傳送區(qū)塊700位于第四處理區(qū)塊500、第三單元區(qū)塊250和接口 模塊40之間，且包括在垂直方向可移動的第二輔助傳送自動機械710。第二輔 助傳送自動機械710包括在第二輔助傳送區(qū)塊700內(nèi)垂直延伸的第二垂直導(dǎo)軌 712、和在垂直方向可移動地連接第二垂直導(dǎo)軌712的第二機械手714。第二機 械手714可旋轉(zhuǎn)、伸展和收縮，以傳送半導(dǎo)體基片。第二輔助傳送區(qū)塊700用于將經(jīng)第三單元區(qū)塊250的加熱單元，即第三和 第四加熱單元252及254處理的半導(dǎo)體基片傳送至第四處理區(qū)塊500的冷卻單 元510。第三和第四加熱單元252和254各具有靠近主傳送區(qū)塊300的前門260和 靠近第二輔助傳送區(qū)塊700的側(cè)門。還有，第四處理區(qū)塊500的各冷卻單元510 具有靠近主傳送區(qū)塊300的前門512和靠近第二輔助傳送區(qū)塊700的側(cè)門514。半導(dǎo)體基片由上、下主傳送自動機械310和320經(jīng)第三單元區(qū)塊250的前 門送入第三單元區(qū)塊250，并由第二輔助傳送自動機械710經(jīng)第三單元區(qū)塊250 的側(cè)門262送出第三單元區(qū)塊250。此外，半導(dǎo)體基片由第二輔助傳送自動機 械710經(jīng)第四處理區(qū)塊500的側(cè)門514送入第四處理區(qū)塊500。因此，第一和 第二主傳送自動機械310和320的負載得以減輕，且基片處理裝置10的處理 能力得以提高。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，半導(dǎo)體基片由上、下主傳送自動機械310和320 從第一單元區(qū)塊210傳送至第三處理區(qū)塊400。而且，半導(dǎo)體基片由上、下主 傳送自動機械310和320從第三單元區(qū)塊250傳送至第四處理區(qū)塊500。也就 是說，半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310、下主傳送自動機械320、第一輔 助傳送自動機械610和第二輔助傳送自動機械710有選擇地傳送，從而可縮短 傳送半導(dǎo)體基片所需的時間。此外，經(jīng)第三處理區(qū)塊400的冷卻單元410處理的半導(dǎo)體基片由上或下主 傳送自動機械310或320或第一輔助傳送自動機械610傳送至第一傳送臺420。 經(jīng)第四處理區(qū)塊500的冷卻單元510處理的半導(dǎo)體基片由上或下主傳送自動機 械310或320或第二輔助傳送自動機械710傳送至第二傳送臺520。還有，容納在第一傳送臺420中的半導(dǎo)體基片由第-一輔助傳送自動機械 610傳送至第一單元區(qū)塊210或第三處理區(qū)塊400的冷卻單元410。容納在第二傳送臺520中的半導(dǎo)體基片由第二輔助傳送自動機械710傳送至第三單元區(qū)塊250或第四處理區(qū)塊500的冷卻單元510。自動機械控制器330控制第一和第二輔助傳送自動機械610和710的操作。 例如，自動機械控制器330控制上、下主傳送自動機械310和320及第一和第 二輔助傳送自動機械610和710的操作，使得上、下主傳送自動機械310和320 及第一和第二輔助傳送自動機械610和710的操作互補。從而，得以降低或避 免上、下主傳送自動機械310和320過載。接口模塊40位于第四處理區(qū)塊500和曝光裝置2之間。接口自動機械42 位于接口模塊40內(nèi)，以在基片處理模塊20和曝光裝置2之間傳送半導(dǎo)體基片。 接口自動機械42設(shè)置成在垂直方向移動，且接口自動機械42的機械手能旋轉(zhuǎn)、 伸展和收縮，以傳送半導(dǎo)體基片。此外，接口模塊40內(nèi)設(shè)置有邊緣曝光單元44和接收臺46。邊緣曝光單元 44用于從半導(dǎo)體基片的邊緣部除去光致抗蝕劑層的邊緣部。在曝光處理之前或 之后，半導(dǎo)體基片位于該接收臺46中。邊緣曝光單元44和接收單元46在Y 軸方向上以接口自動機械42為中心相對設(shè)置。邊緣曝光單元44包括支撐和轉(zhuǎn)動半導(dǎo)體基片的旋轉(zhuǎn)夾盤和將光束照射到 由該旋轉(zhuǎn)夾盤支撐的半導(dǎo)體基片的邊緣部上的光源。同時，上、下主傳送自動機械310和320的操作由自動機械控制器330控 帝IJ。例如，自動機械控制器330控制上、下主傳送自動機械310和320的操作， 使得上、下主傳送自動機械310和320不會在主傳送區(qū)塊300中的中間區(qū)域， 即靠近中間單元區(qū)塊150的區(qū)域內(nèi)互相干擾。例如，半導(dǎo)體基片由基片傳送模塊30的基片傳送自動機械36容置在第一 傳送臺420中。半導(dǎo)體基片由主傳送區(qū)塊300的上主傳送自動機械310傳送至 第一加熱單元212中的一個，以進行疏水處理。半導(dǎo)體基片由第一加熱單元212 的加熱板加熱至溫度約85t: 約12(TC，可將HMDS氣體輸送至半導(dǎo)體基片 上。經(jīng)第一加熱單元212處理的半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310傳送至第 三或第四處理區(qū)塊400或500，然后冷卻至溫度約23。C?；蛘撸?jīng)第一加熱單 元212處理的半導(dǎo)體基片由第一輔助傳送自動機械610傳送至第三處理區(qū)塊 400，然后冷卻至溫度約23。C。半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310從第三或第四處理區(qū)塊400或500傳 送至上單元區(qū)塊110的第一涂層單元112和中間單元區(qū)塊150的涂層單元152 中的一個，并在該半導(dǎo)體基片上形成BARC層。其上形成BARC層的半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310傳送至第二單元區(qū)塊230的上熱處理單元232的其中一個。由上熱處理單元232進行烘烤處理 以固化RARC層(下文稱為"BARC烘烤處理")和冷卻處理。具體地，由上 熱處理單元232，在溫度約12(TC 約18(TC下進行第一BRARC烘烤處理，然 后在比第一 BARC烘烤溫度更高的溫度下進行第二 BARC烘烤處理，比如 150'C 約25(TC。進行BARC烘烤處理后，由室內(nèi)自動機械246將半導(dǎo)體基 片從加熱板240傳送至上熱處理單元232中的冷卻板242上，然后由冷卻板242 冷卻至溫度約3(TC 約5(TC。經(jīng)上熱處理單元232處理的半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310傳送至第 三或第四處理區(qū)塊400或500，然后冷卻至溫度約23°C。半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310從第三或第四處理區(qū)塊400或500傳 送至上單元區(qū)塊110的第二涂層單元114及中間單元區(qū)塊150的涂層單元152 中的一個，然后由第二涂層單元114或涂層單元152在半導(dǎo)體基片上形成光致 抗蝕劑層。其上形成了光致抗蝕劑層的半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310傳送至第 三單元區(qū)塊250的第三加熱單元252的其中一個，然后由第三加熱單元252在 半導(dǎo)體基片上進行軟烘處理。例如，由第三加熱單元252將半導(dǎo)體基片加熱至 溫度約7CTC 約120°C。進行軟烘處理后，半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機械310或第二輔助傳送自 動機械710傳送至第四處理區(qū)塊500，然后由第四處理區(qū)塊500的其中一個冷 卻單元510冷卻至溫度約23°C。經(jīng)第四處理區(qū)塊500的冷卻單元510冷卻的半導(dǎo)體基片由上主傳送自動機 械310或第二輔助傳送自動機械710傳送至第二傳送臺520，然后由接口自動 機械42傳送至曝光裝置2或邊緣曝光單元44。經(jīng)曝光裝置2處理的半導(dǎo)體基片由接口自動機械42傳送至第二傳送臺 520，然后由下主傳送自動機械320或第二輔助傳送自動機械710傳送至第四 加熱單元254的其中一個。由第四加熱單元254在半導(dǎo)體基片上進行PEB處理。例如，由第四加熱 單元254將半導(dǎo)體基片加熱至溫度約9(TC 約150°C。經(jīng)PEB處理的半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320從第四加熱單元254 傳送至第三和第四區(qū)塊400和500的冷卻單元410和510中的一個，然后由冷 卻單元410或510冷卻至溫度約23。C?；蛘?，經(jīng)PEB處理的半導(dǎo)體基片由第 二輔助傳送自動機械710從第四加熱單元254傳送至第四處理區(qū)塊500的的其 中一個冷卻單元510，然后由冷卻單元510冷卻至溫度約23°C。半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320從第三或第四處理區(qū)塊400或500傳送至下單元區(qū)塊130的顯影單元132和154的其中一個，然后由顯影單元132 或154進行顯影處理以在半導(dǎo)體基片上形成光致抗蝕劑圖樣。經(jīng)顯影處理的半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320傳送至第一單元區(qū)塊 210的其中一個第二加熱單元214，然后由第二加熱單元214進行硬烘處理。 例如，由第二加熱單元214將半導(dǎo)體基片加熱至溫度約11(TC 約15(TC?；蛘?，經(jīng)顯影處理的半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320傳送至其中一個 下熱處理單元234，然后由下熱處理單元234進行光致抗蝕劑回流處理。例如， 由下熱處理單元234的加熱板240將半導(dǎo)體基片加熱至溫度約15(TC 約 180°C。經(jīng)光致抗蝕劑回流處理的半導(dǎo)體基片由下熱處理單元234的室內(nèi)自動 機械246從加熱板240傳送至在下熱處理單元234中的冷卻板242。然后，由 冷卻板242將半導(dǎo)體基片冷卻至溫度約3(TC 約50°C 。經(jīng)硬烘處理或光致抗蝕劑回流處理的半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320 或第一輔助傳送自動機械610傳送至第三處理區(qū)塊400的其中一個冷卻單元 410,然后用冷卻單元410冷卻至溫度約23。C。半導(dǎo)體基片由下主傳送自動機械320或第一輔助傳送自動機械610從冷卻 單元410傳送至第三處理區(qū)塊400的第一傳送臺420，然后由基片傳送自動機 械36送出基片處理裝置10。這樣，烘烤處理和光致抗蝕劑回流處理的溫度范圍根據(jù)單元處理中所用光 致抗蝕劑組合物及抗反射材料、所需光致抗蝕劑圖形的寬度等而改變，本發(fā)明 的范圍不限于該溫度范圍?？稍谝话雽?dǎo)體基片上依次進行單元處理?；蛘?，可在多個半導(dǎo)體基片上同 時進行單元處理。在進行單元處理時，上、下主傳送自動機械310和320的操 作由自動機械控制器330控制，以防止上、下主傳送自動機械310和320互相 干擾，熱處理單元232和234的室內(nèi)自動機械246可降低上、下主傳送自動機 械310和320的負載。此外，第一和第二輔助傳送自動機械610和710可進一 步降低上、下主傳送自動機械310和320的負載。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在基片處理裝置中進行如涂層處理、烘烤處理、顯 影處理、冷卻處理等等單元處理時，通過熱處理單元的第一和第二輔助傳送自 動機械及室內(nèi)自動機械，可降低上、下主傳送自動機械的負載。還有，第一處理區(qū)塊的中間單元區(qū)塊的結(jié)構(gòu)可根據(jù)工藝方案變化，且可在 熱處理單元中同時或連續(xù)地，用加熱板進行烘烤處理或光致抗蝕劑回流處理并 用冷卻板進行冷卻處理。從而，通過降低上、下主傳送自動機械的負載及改變中間單元區(qū)塊的結(jié)構(gòu)， 基片處理裝置的生產(chǎn)能力得以提高。已對本發(fā)明的實施例作了描述，但應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍不限于這些實施 例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)進行各種變更和修正。
權(quán)利要求
1.一種基片處理裝置，包括在基片上進行涂層處理和顯影處理的第一處理區(qū)塊；與所述第一處理區(qū)塊相對的第二處理區(qū)塊，用以對所述基片進行熱處理；位于所述第一和第二處理區(qū)塊之間的主傳送區(qū)塊，用以傳送基片；位于所述主傳送區(qū)塊的、與所述第一和第二處理區(qū)塊的設(shè)置方向垂直的一側(cè)的第三處理區(qū)塊，用以調(diào)節(jié)所述基片的溫度；以及靠近所述第二和第三處理區(qū)塊的輔助傳送區(qū)塊，用以在所述第二和第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助傳送區(qū)塊包括垂直向延 伸的垂直導(dǎo)軌和與該垂直導(dǎo)軌連接以在垂直方向移動的機械手，該機械手 能旋轉(zhuǎn)、伸展和收縮，以傳送所述基片。
3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二處理區(qū)塊包括呈水平方 向的、并與所述第一處理區(qū)塊相對的第一、第二和第三單元區(qū)塊，各所述第一和第三單元區(qū)塊包括以多層形式設(shè)置的多個加熱單元以加 熱所述基片，并且，所述第二單元區(qū)塊包括以多層形式設(shè)置在所述第一和第三單元區(qū)塊之 間的多個熱處理單元以對所述基片進行熱處理。
4. 如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述輔助傳送區(qū)塊在所述第一單 元區(qū)塊和第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片。
5. 如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，各所述熱處理單元包括用于加熱所述基片的加熱板；位于所述加熱板的、與所述第一、第二和第三單元區(qū)塊的設(shè)置方向平 行的一側(cè)的冷卻板，用以冷卻所述基片；及容納所述加熱板和所述冷卻板、且具有用于運入和運出所述基片的一 對門的熱處理室。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，各所述熱處理單元還包括位于所述熱處理室內(nèi)的室內(nèi)自動機械，用以在所述加熱板和所述冷卻 板之間傳送所述基片；及垂直向可移動地穿過各所述加熱板和冷卻板的提升銷，用以將所述基 片裝載至所述加熱板和所述冷卻板上并從所述加熱板和所述冷卻板卸載所述基片。
7. 如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述室內(nèi)自動機械包括與所述加熱板和所述冷卻板的設(shè)置方向平行延伸的導(dǎo)軌；及 與所述導(dǎo)軌可移動地連接并以與所述導(dǎo)軌垂直的方向延伸的機械手。
8. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于，所述第一處理區(qū)塊包括上單元區(qū)塊，其包括，至少一個在所述基片上形成層的涂層單元和至 少一個在所述基片上顯影光致抗蝕劑層的顯影單元中的一個；下單元區(qū)塊，其包括，至少一個涂層單元和至少一個顯影單元中的另 一個；及可拆卸地位于所述上、下單元區(qū)塊之間的中間單元區(qū)塊，其包括涂層 單元和顯影單元中的至少一個。
9. 權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述上單元區(qū)塊包括用于形成抗反 射底涂層的第一涂層單元和用于形成光致抗蝕劑層的第二涂層單元。
10. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述上單元區(qū)塊包括用于在所述 基片上形成光致抗蝕劑層的多個涂層單元。
11. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述主傳送區(qū)塊包括上主傳送自動機械，用于在所述上單元區(qū)塊、所述中間單元區(qū)塊、所 述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片；和下主傳送自動機械，用于在所述下單元區(qū)塊、所述中間單元區(qū)塊、所 述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片。
12. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，各所述上、下主傳送自動機械 包括垂直延伸的一對垂直導(dǎo)軌；與所述垂直導(dǎo)軌連接以垂直移動的水平導(dǎo)軌；及與所述水平導(dǎo)軌連接以水平移動的機械手，該機械手能旋轉(zhuǎn)、伸展和 收縮，以傳送所述基片。
13. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述上主傳送自動機械的垂直 導(dǎo)軌及所述下主傳送自動機械的垂直導(dǎo)軌分別靠近所述第一處理區(qū)塊和 所述第二處理區(qū)塊。
14. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述上主傳送自動機械的機械 手朝下設(shè)置，而所述下主傳送自動機械的機械手朝上設(shè)置。
15. 如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述上、下主傳送自動機械的 所述垂直導(dǎo)軌靠近所述第一或第二處理區(qū)塊。
16. 權(quán)利要求11所述的裝置，還包括控制所述上、下主傳送自動機械的操作的自動機械控制器，以防止該上、下主傳送自動機械在靠近所述中間單元 區(qū)塊的所述主傳送區(qū)塊的中間區(qū)域中互相干擾。
17. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述主傳送區(qū)塊包括在所述上單 元區(qū)塊、所述中間單元區(qū)塊、所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間 傳送所述基片的上主傳送自動機械，還包括在所述下單元區(qū)塊、所述中間 單元區(qū)塊、所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片的下 主傳送自動機械，并且，所述輔助傳送區(qū)塊包括在所述第二處理區(qū)塊和所述第三處理區(qū)塊之 間傳送所述基片的輔助傳送自動機械。
18. 如權(quán)利要求17所述的裝置，還包括控制所述上、下主傳送自動機械以及所述輔助傳送自動機械的操作的自動機械控制器，以使所述上、下主傳送 自動機械和所述輔助傳送自動機械的操作互補。
19. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第三處理區(qū)塊包括以多層方 式設(shè)置的多個冷卻單元，以冷卻所述基片。
20. 如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于，所述第三處理區(qū)塊還包括容置 所述基片的傳送臺，且其中所述傳送臺位于所述冷卻單元之間以在水平方 向靠近所述中間單元區(qū)塊。
21. 如權(quán)利要求l所述的裝置，還包括以所述主傳送區(qū)塊為中心與所述第三處理區(qū)塊相對的第四處理區(qū)塊，用以調(diào)節(jié)所述基片的溫度；及靠近所述第二處理區(qū)塊和所述第四處理區(qū)塊的第二輔助傳送區(qū)塊，用 以在所述第二處理區(qū)塊和所述第四處理區(qū)塊之間傳送所述基片。
22. 如權(quán)利要求21所述的裝置，還包括與所述第三處理區(qū)塊連接的基片傳送模塊，用以在容納所述基片的容 器和所述第三處理區(qū)塊之間傳送所述基片；及與所述第四處理區(qū)塊連接的接口模塊，用以在曝光裝置和所述第四處 理區(qū)塊之間傳送所述基片。
全文摘要
用于在半導(dǎo)體基片上進行涂層、烘烤和顯影處理的基片處理裝置中，第一處理區(qū)塊進行涂層處理和顯影處理。第二處理區(qū)塊與第一處理區(qū)塊相對，用以對基片作熱處理。主傳送區(qū)塊位于第一和第二處理區(qū)塊之間以傳送基片。第三處理區(qū)塊位于主傳送區(qū)塊的、與第一和第二處理區(qū)塊的設(shè)置方向垂直的一側(cè)，以調(diào)節(jié)基片的溫度。輔助傳送區(qū)塊靠近第二和第三處理區(qū)塊，以在第二和第三處理區(qū)塊之間傳送基片。從而，可減輕主傳送區(qū)塊的負載。
文檔編號H01L21/677GK101329996SQ200810125149
公開日2008年12月24日 申請日期2008年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月18日
發(fā)明者吳昌石 申請人:細美事有限公司