專利名稱：寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板。
背景技術(shù)：
目前聚四氟乙烯坡璃布覆銅箔板的介質(zhì)層為帶有聚四氟乙烯的無堿玻璃
布，其介電常數(shù)為2.2、 2. 7,介電常數(shù)的范圍比較小，表面電阻為lxi(TMQ cm，體積電阻為lxl06MQcm,使用過程中出現(xiàn)表面絕緣電阻不夠，易出現(xiàn)通電 接地現(xiàn)象，且孔金屬化難度比較大，大大降低了板材的使用性能，國外一般采 用微纖維來增強，但它的價格比較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它不但擴 大了介電常數(shù)的范圍，而且增大了表面電阻和體積電阻，表面絕緣電阻增強， 同時價格也比較低。
本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案 一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅 箔板，它包括介質(zhì)層和銅箔，介質(zhì)層的兩面為銅箔，所述的介質(zhì)層為覆蓋有混 合液涂層的寬介電常數(shù)無堿玻璃布。所述的混合液涂層包括聚四氟乙烯樹脂、 陶瓷及有機輔助材料。
所述的有機輔助材料中主要包括聚四氟乙烯膜、陶瓷粉。所述的混合液涂 層為幾層到幾十層。所述銅箔與介質(zhì)層的質(zhì)量比為1: 9。
本發(fā)明的介質(zhì)層為帶有聚四氟乙烯樹脂、陶瓷及一些有機輔助材料混 合液涂層的寬介電常數(shù)無堿玻璃布，這樣不但可以降低介質(zhì)的損耗角正切值， 擴大銅箔板的介電常數(shù),介電常數(shù)擴大為2. 25 ~ 10. 2之間，增大了體積電阻值、 表面電阻值和表面絕緣電阻，孔金屬化難度減小，從而增強了板的使用性能。 混合液涂層可以為幾層到幾十層，它可以滿足不同的用戶需求。


圖l為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實施例方式
實施例l，在圖l中本發(fā)明寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板包 括銅箔2和介質(zhì)層1，介質(zhì)層1的兩面為銅箔2，介質(zhì)層1為帶有聚四氟乙烯樹月籮。陶瓷及有機輔助材料混合液涂層的寬介電常數(shù)無堿玻璃布。將原材料聚 四氟乙烯樹脂、陶瓷及有機輔助材料混合后經(jīng)過數(shù)次浸漬烘干燒結(jié)成介質(zhì)層1，
有機輔助材料主要為聚四氟乙烯膜、陶瓷粉；對銅箔2進行表面處理后，將銅 箔在高溫高壓的條件下覆蓋在介質(zhì)層i的兩面，銅箔2與介質(zhì)層l的質(zhì)量比為
1: 9。
實施例2，介質(zhì)層1也可以根據(jù)要求設(shè)置為幾層至幾十層，其余制備過程 與實施例l相同。
權(quán)利要求
1、一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它包括介質(zhì)層(1)和銅箔(2)，介質(zhì)層(1)的兩面為銅箔(2)，其特征是所述的介質(zhì)層(1)為覆蓋有混合液涂層的寬介電帶數(shù)無堿玻璃布。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，其特 征是所述的混合液涂層包括聚四氟乙烯樹脂、陶瓷及有機輔助材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，其特征是所述的有機輔助材料中主要包括聚四氟乙烯膜、陶瓷粉。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，其特 征是所述的混合液涂層為幾層到幾十層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，其特 征是所述銅箔(2)與介質(zhì)層(1)的質(zhì)量比為1: 9。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它包括介質(zhì)層(1)和銅箔(2)，介質(zhì)層(1)的兩面為銅箔(2)，所述的介質(zhì)層(1)為覆蓋有混合液涂層的寬介電常數(shù)無堿玻璃布。本發(fā)明的介質(zhì)層為帶有聚四氟乙烯樹脂、陶瓷及一些有機輔助材料混合液涂層的寬介電常數(shù)無堿玻璃布，這樣不但可以降低介質(zhì)的損耗角正切值，擴大銅箔板的介電常數(shù)，介電常數(shù)擴大為2.25～10.2之間，增大了體積電阻值、表面電阻值和表面絕緣電阻，孔金屬化難度減小，從而增強了板材的使用性能。混合液涂層可以為幾層到幾十層，它可以滿足不同的用戶需求。
文檔編號H01B5/14GK101295556SQ200810123949
公開日2008年10月29日 申請日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月13日
發(fā)明者顧根山 申請人:顧根山