專利名稱：一種生長納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)外延片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的一種利用納米加工技術(shù)制作III族氮化物基納米微結(jié)構(gòu) LED器件方法，即用納米加工技術(shù)方法制作帶有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED 器件。采用帶有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)主要有以下優(yōu)點(diǎn)a、納米折疊有 源區(qū)具有納米柱陣列所具有的更大的表面積，有力于LED器件的出光效率 的提高；b、納米折疊有源區(qū)的InGaN量子阱的表面積也比平面結(jié)構(gòu)有源 區(qū)的大，可以發(fā)光的有源區(qū)的面積相應(yīng)也比較大，有利于提高單位面積的 發(fā)光強(qiáng)度；c、采用納米折疊結(jié)構(gòu)以后，有源區(qū)生長時(shí)所受的壓應(yīng)力可以 得到一定程度緩解，有利于有源區(qū)In組份的提高；d、納米結(jié)構(gòu)可以釋放 應(yīng)力，阻止位錯(cuò)的進(jìn)一步產(chǎn)生或運(yùn)動(dòng)，有力于提高有源區(qū)的晶體質(zhì)量；e、 通過控制納米加工工藝條件來控制納米柱側(cè)面的傾斜度，從而控制 AlInGaN納米柱側(cè)面的極性，可以實(shí)現(xiàn)在GaN的非極性面或者半極性面上 生長有源區(qū)結(jié)構(gòu)，降低極化電場對(duì)量子阱發(fā)光效率的影響；f、采用納米 折疊有源區(qū)有可以制造寬光譜或者單芯片白光LED的潛力。


為了更加明確地說明本發(fā)明的原理，下面以一種具體的實(shí)施例及附圖 來加以描述，其中
圖1是氮化鎵材料模版示意圖。
圖2(a)是AlInGaN納米柱陣列俯視圖；圖2(b)是Al工nGaN納米柱陣列前視圖。
圖3是納米柱陣列上生長的納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)圖4 (a)是帶有納米孔陣列結(jié)構(gòu)的p型GaN層圖4(b)是帶有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED外延片結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的關(guān)鍵在于把利用納米加工技術(shù)制作的納米柱陣列模版引入 LED外延片的生長過程，用納米加工技術(shù)并結(jié)合材料生長的方法制作帶有 納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED的外延片，從而達(dá)到既改善LED器件的內(nèi)部結(jié) 構(gòu)、同時(shí)又改善LED器件的外部結(jié)構(gòu)的目的。本發(fā)明涉及的折疊有源區(qū)LED 結(jié)構(gòu)外延片的制備主要有以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟
步驟1:先制備AlxInyGazN材料模版11，其中x+y+z二l， (Kx， y， z^l(圖
1) ;
步驟2:利用納米加工技術(shù)，在AlInGaN材料模版11上制作Al工nGaN 納米柱陣列21，該AlInGaN納米柱陣列21包括多個(gè)AlInGaN納米柱22 (圖
2) ;所述的AlInGaN納米柱22的頂面和底面的形狀是圓形、多邊形或不 規(guī)則的多邊形；所述的AlInGaN納米柱22的頂面和底面形狀為相同或不 同；所述的AlInGaN納米柱22的頂面和底面面積為相同或不同；所述的 AlInGaN納米柱22的平均直徑為0. 001-100微米；所述的AlInGaN納米柱 22之間的平均距離為0. 001-100微米；
步驟3:在AlInGaN納米柱陣列21、 AlInGaN納米柱22和AlInGaN 材料模版11的上表面生長具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31 (圖3);
步驟4:在具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31上生長帶有納米孔陣列的 p型GaN層41,該p型GaN層41填滿AlInGaN納米柱陣列21的縫隙(圖 4)，完成外延片的制作。
實(shí)施例一參見圖1-圖4所示。先制備并獲得一個(gè)AlInGaN材料模版 11;隨后在AlInGaN材料模版上用化學(xué)汽相淀積方法制備1一1000納米厚 的Si02、 SiNx的介質(zhì)膜；然后在介質(zhì)膜上蒸鍍一層金屬，并通快速退火的 方法使金屬聚集成直徑在10-200納米左右的金屬島。利用金屬島作為掩 模材料，用離子束刻蝕、耦合等離子體刻蝕的方法刻蝕AlInGaN材料模版，
7從而制作AlInGaN納米柱陣列21，該納米柱陣列21包括多個(gè)納米柱22; 然后在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上生長具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有 源區(qū)層31，最后在具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31上生長帶有納米孔陣 列42的p型GaN層41，獲得具有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED外延片；
實(shí)施例二參見圖1-圖4所示。先制備并獲得一個(gè)AlInGaN材料模版 11;隨后在AlInGaN材料模版上用化學(xué)汽相淀積方法制備I一IOOO納米厚 的Si02、 SiNx的介質(zhì)膜；然后在介質(zhì)膜上利用全息曝光、電子束曝光的方 法制作模版圖形；最后利用離子束刻蝕、耦合等離子體刻蝕方法刻蝕 AlInGaN材料模版，從而制作AlInGaN納米柱陣列21，該納米柱陣列21 包括多個(gè)納米柱22;然后在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上生長具 有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31，最后在具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31 上生長帶有納米孔陣列42的p型GaN層41，獲得具有納米折疊結(jié)構(gòu)有源 區(qū)的LED外延片；
實(shí)施例三參見圖l-圖4所示。先制備并獲得一個(gè)AlInGaN材料模版 11;隨后利用激光掃描刻蝕技術(shù)刻蝕AlInGaN材料模版，從而制作AlInGaN 納米柱陣列21，該納米柱陣列21包括多個(gè)22;然后在AlInGaN納米柱陣 列21和納米柱22上生長具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31，最后在具有納 米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31上生長帶有納米孔陣列42的p型GaN層41，獲 得具有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED外延片；
使用例一首先參見圖1-圖4所示，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積 (M0CVD)方法在藍(lán)寶石襯底上外延生長一層1-10微米厚的n型AlInGaN外 延層，其中A1、 In和Ga的組份值可以為0-1之間的任意值，獲得AlInGaN
材料模版11。其次利用包括實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工技術(shù)對(duì) AlInGaN材料模版11進(jìn)行加工，制作AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22， 其中AlInGaN納米柱22的底面和側(cè)面垂直、成0. 1-90度的任意角度，頂 面的形狀為圓型、多邊形。隨后，把加工好的AlInGaN納米柱陣列21和 納米柱22放入真空室內(nèi)，在通NH3保護(hù)的條件下升溫到100-1800度之間， 對(duì)AlInGaN納米柱陣列進(jìn)行退火以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料模版 ll引入的損傷；與此同時(shí)，通過退火對(duì)AlInGaN納米柱陣列21和納米柱 22的側(cè)面、頂面進(jìn)行幾何整形，使AlInGaN納米柱陣列表面漏出的晶面更有利于隨后的材料外延生長。再用M0CVD方法在退火后的AlInGaN納米柱 陣列21和納米柱22上外延生長一層GaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一步降 低納米加工對(duì)AlInGaN材料模版11的損傷，提高AlInGaN納米柱陣列21 和納米柱22的晶體質(zhì)量。接著，在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22 上外延生長AlxInyGai-x—yN/AlJnbGa卜a—bN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層 31，通過控制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生 長的時(shí)間保證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用M0CVD方 法在有源區(qū)層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制 生長參數(shù)使得P型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
使用例二:首先參見圖1-圖4所示，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積 (MOCVD)方法在碳化硅(SiC)襯底上外延生長一層1-10微米厚的n型 AlInGaN外延層，其中Al、 In和Ga的組份值可以為0-1之間的任意值，獲 得AlInGaN材料模版11 。其次利用包括實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工 技術(shù)對(duì)AlInGaN材料模版進(jìn)行加工，制作AlInGaN納米柱陣列21和納米 柱22，其中AlInGaN納米柱的底面和側(cè)面垂直、成0. 1-90度的任意角度， 頂面的形狀為圓型、多邊形。隨后，把加工好的AlInGaN納米柱陣列21 和納米柱22放入真空室內(nèi)，在通NH3保護(hù)的條件下升溫到100-1800度之 間，對(duì)AlInGaN納米柱陣列進(jìn)行退火以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料 模版引入的損傷；與此同時(shí)，通過退火對(duì)AlInGaN納米柱陣列21和納米 柱22的側(cè)面、頂面進(jìn)行幾何整形，使AlInGaN納米柱陣列表面漏出的晶 面更有利于隨后的材料外延生長。再用M0CVD方法在退火后的AlInGaN納 米柱陣列21和納米柱22上外延生長一層GaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一 步降低納米加工對(duì)AlInGaN材料模版的損傷，提高AlInGaN納米柱陣列21 和納米柱22的晶體質(zhì)量。接著，在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22 上外延生長AlxInyGai-x—yN/AlaInbGai—a-bN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層 31，通過控制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生 長的時(shí)間保證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用M0CVD方 法在有源區(qū)層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制 生長參數(shù)使得P型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
使用例三首先，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)方法在硅(Si)襯底上外延生長一層1-10微米厚的n型AlInGaN外延層，其中Al、 In和 Ga的組份值可以為0-1之間的任意值，獲得AlInGaN材料模版11。其次 利用包括實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工技術(shù)對(duì)Al工nGaN材料模版進(jìn)行 加工，制作AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22，其中AlInGaN納米柱的 底面和側(cè)面垂直、成O.卜90度的任意角度，頂面的形狀為圓型、多邊形。 隨后，把加工好的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22放入真空室內(nèi)，在 通則3保護(hù)的條件下升溫到100-1800度之間，對(duì)AlInGaN納米柱陣列進(jìn)行 退火以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料模版引入的損傷；與此同時(shí)，通 過退火對(duì)AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22的側(cè)面、頂面進(jìn)行幾何整形， 使AlInGaN納米柱陣列表面漏出的晶面更有利于隨后的材料外延生長。再 用MOCVD方法在退火后的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上外延生長 一層GaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一步降低納米加工對(duì)AlInGaN材料模版 的損傷，提高AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22的晶體質(zhì)量。接著，在 AlInGaN 納米柱陣列 21 和納米柱 22 上外延生長 AlxInyGa卜x-yN/AUnbGa卜a—bN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層31，通過控 制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生長的時(shí)間保 證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用MOCVD方法在有源區(qū) 層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制生長參數(shù)使 得P型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
使用例四首先，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)方法在氮化鎵 (GaN)自支撐襯底上外延生長一層1-10微米厚的n型AlInGaN外延層，其 中Al、 In和Ga的組份值可以為0-1之間的任意值，獲得AlInGaN材料模 版11。其次利用包括實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工技術(shù)對(duì)AlInGaN 材料模版進(jìn)行加工，制作AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22，其中AlInGaN 納米柱的底面和惻面垂直、成O.卜90度的任意角度，頂面的形狀為圓型、 多邊形。隨后，把加工好的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22放入真空 室內(nèi)，在通NH3保護(hù)的條件下升溫到100-1800度之間，對(duì)AlInGaN納米柱 陣列進(jìn)行退火以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料模版引入的損傷；與此 同時(shí)，通過退火對(duì)AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22的側(cè)面、頂面進(jìn)行 幾何整形，使AlInGaN納米柱陣列表面漏出的晶面更有利于隨后的材料外延生長。再用M0CVD方法在退火后的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22 上外延生長一層GaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一步降低納米加工對(duì) AlInGaN材料模版的損傷，提高AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22的晶 體質(zhì)量。接著，在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上外延生長 ALInyGa卜x—yN/AlJnbGai—a-bN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層31，通過控 制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生長的時(shí)間保 證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用M0CVD方法在有源區(qū) 層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制生長參數(shù)使 得p型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
使用例五首先，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)方法在SOI襯 底上外延生長一層1-10微米厚的n型AlInGaN外延層，其中Al、 In和Ga 的組份值可以為0-1之間的任意值，獲得AlInGaN材料模版11。其次利用 包括實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工技術(shù)對(duì)AlInGaN材料模版進(jìn)行加 工，制作AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22，其中AlInGaN納米柱的底 面和側(cè)面垂直、成0. 1-90度的任意角度，頂面的形狀為圓型、多邊形。 隨后，把加工好的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22放入真空室內(nèi)，在 通NH3保護(hù)的條件下升溫到100-1800度之間，對(duì)AlInGaN納米柱陣列進(jìn)行 退火以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料模版引入的損傷；與此同時(shí)，通 過退火對(duì)AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22的側(cè)面、頂面進(jìn)行幾何整形， 使AlInGaN納米柱陣列表面漏出的晶面更有利于隨后的材料外延生長。再 用M0CVD方法在退火后的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上外延生長 一層GaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一步降低納米加工對(duì)AlInGaN材料模版 的損傷，提高Al工nGaN納米柱陣列21和納米柱22的晶體質(zhì)量。接著，在 AlInGaN 納米柱陣列 21 和納米柱 22 上夕卜延生長 AlxInyGai—x-yN/AlJnbGai—a-bN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層31，通過控 制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生長的時(shí)間保 證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用M0CVD方法在有源區(qū) 層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制生長參數(shù)使 得p型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
使用例六首先，用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)方法在襯底上外延生長一層卜IO微米厚的n型AlInGaN外延層，其中Al、 In和Ga的組 份值可以為0-1之間的任意值，獲得AlInGaN材料模版11。其次利用包括 實(shí)施例一至三在內(nèi)的方法納米加工技術(shù)對(duì)AlInGaN材料模版進(jìn)行加工，制 作AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22，其中AlInGaN納米柱的底面和側(cè) 面成0.1-90度的任意角度，頂面的形狀為圓型、多邊形。隨后，把加工 好的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22放入AlInGaN材料的腐蝕液中， 并把腐蝕液加溫到30-900度之間，以去除納米加工過程對(duì)AlInGaN材料 模版引入的損傷。再用MOCVD方法在退火后的AlInGaN納米柱陣列21和 納米柱22上外延生長一層AlInGaN材料，利用同質(zhì)外延來進(jìn)一步降低納 米加工對(duì)AlInGaN材料模版的損傷，提高AlInGaN納米柱陣列21和納米 柱22的晶體質(zhì)量。接著，在AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上外延 生長AlxInyGah-yN/AlJnbGanbN單量子阱、多量子阱的有源區(qū)層31，通 過控制外延生長時(shí)的溫度、壓力、流量、氣相化學(xué)組分的比例、生長的時(shí) 間保證量子阱有源區(qū)的晶體質(zhì)量和發(fā)光波長。最后，利用MOCVD方法在有 源區(qū)層31上利用橫向外延的方法外延生長p型GaN層41，并控制生長參 數(shù)使得P型GaN層41的表面平整光滑，達(dá)到器件制作的要求。
本發(fā)明公幵了一種能在改善LED內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高內(nèi)量子效率的同時(shí)兼 顧LED外部結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，提高外外量子效率的方法。具體涉及這樣一種利 用納米加工技術(shù)制作III族氮化物基納米微結(jié)構(gòu)LED器件方法，即先制備 如圖1中所示的AlInGaN材料模版11。然后利用納米加工技術(shù)對(duì)AlInGaN 材料模版進(jìn)行加工，制作出如圖2(a)所示的AlInGaN納米柱陣列21，其 中剩余平板狀的AlInGaN材料模版11用于連接和支撐AlInGaN納米柱22 組成的陣列。隨后在如圖2所示的AlInGaN納米柱陣列上繼續(xù)生長制備具 有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31，如圖3所示。其中有源區(qū)層31覆蓋了剩 余平板狀的AlInGaN材料模版21露出的所有表面和AlInGaN納米柱的上 表面和側(cè)面。最后在有源區(qū)層的上面生長帶有納米孔42陣列結(jié)構(gòu)的p型 GaN層41 (如圖4)。完成上述步驟以后就可以獲得具有納米折疊結(jié)構(gòu)有源 區(qū)的外延片，利用這種外延片可以制作更高效率的LED器件。
具體來講，就是制備一定厚度的如圖l中所示的AlInGaN材料模版ll。 然后利用納米加工技術(shù)對(duì)AlInGaN材料模版11進(jìn)行加工，制作出如圖2 (a)
12所示的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22，其中剩余平板狀的AlInGaN 材料模版21用于連接和支撐AlInGaN納米柱22組成的陣列。隨后在如圖 2所示的AlInGaN納米柱陣列21和納米柱22上繼續(xù)生長制備具有納米折 疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層31，如圖3所示。其中有源區(qū)層31覆蓋了剩余平板狀 的AlInGaN材料模版21露出的所有表面和AlInGaN納米柱22的上表面和 側(cè)面。最后在有源區(qū)層的上面生長帶有納米孔42陣列結(jié)構(gòu)的p型GaN層 41(如圖4)。完成上述步驟以后就可以獲得具有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的外 延片，利用這種外延片可以制作更高效率的LED器件。
權(quán)利要求
1、一種制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片的方法，其特征在于，包括如下步驟步驟1先制備AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步驟2利用納米加工技術(shù)，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN納米柱陣列，該AlInGaN納米柱陣列包括多個(gè)AlInGaN納米柱；步驟3在AlInGaN納米柱陣列、AlInGaN納米柱和AlInGaN材料模版的上表面生長具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層；步驟4在具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層上生長帶有納米孔陣列的p型GaN層，該p型GaN層填滿AlInGaN納米柱陣列的縫隙，完成外延片的制作。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片的方 法，其特征在于，其中所述的AlInGaN納米柱的頂面和底面的形狀是圓形、 多邊形或不規(guī)則的多邊形。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片 的方法，其特征在于，其中所述的AlInGaN納米柱的頂面和底面形狀為相 同或不同。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片 的方法，其特征在于，其中所述的AlInGaN納米柱的頂面和底面面積為相 同或不同。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片 的方法，其特征在于，其中所述的AlInGaN納米柱的平均直徑為0. 001-100 微米。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片 的方法，其特征在于，其中所述的AlInGaN納米柱之間的平均距離為 0. 001-100微米。
全文摘要
一種制備具有納米折疊有源區(qū)結(jié)構(gòu)外延片的方法，其特征在于，包括如下步驟步驟1先制備Al_xIn_yGa_zN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步驟2利用納米加工技術(shù)，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN納米柱陣列，該AlInGaN納米柱陣列包括多個(gè)AlInGaN納米柱；步驟3在AlInGaN納米柱陣列、AlInGaN納米柱和AlInGaN材料模版的上表面生長具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層；步驟4在具有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)層上生長帶有納米孔陣列的p型GaN層，該p型GaN層填滿AlInGaN納米柱陣列的縫隙，完成外延片的制作。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101593675SQ20081011332
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2008年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月28日
發(fā)明者朱建軍 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所