技術(shù)編號(hào)：6897557
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及的一種利用納米加工技術(shù)制作III族氮化物基納米微結(jié)構(gòu) LED器件方法，即用納米加工技術(shù)方法制作帶有納米折疊結(jié)構(gòu)有源區(qū)的LED 器件。采用帶有納米折疊結(jié)構(gòu)的有源區(qū)主要有以下優(yōu)點(diǎn)a、納米折疊有 源區(qū)具有納米柱陣列所具有的更大的表面積，有力于LED器件的出光效率 的提高；b、納米折疊有源區(qū)的InGaN量子阱的表面積也比平面結(jié)構(gòu)有源 區(qū)的大，可以發(fā)光的有源區(qū)的面積相應(yīng)也比較大，有利于提高單位面積的 發(fā)光強(qiáng)度；c、采用納米折疊結(jié)構(gòu)以后，有源區(qū)生長時(shí)所受的壓...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。