專利名稱：有機(jī)發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
各方面涉及具有光電二極管的有機(jī)發(fā)光元件及其制造方法，其中該光電二極 管中形成有低濃度P摻雜區(qū)。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光元件是具有自發(fā)光性能的下一代顯示裝置。與液晶顯示裝置
(LCD)相比，有機(jī)發(fā)光元件在諸如視角、對(duì)比度、響應(yīng)時(shí)間、能耗等方面 具有卓越的物理性能。
有機(jī)發(fā)光元件包括具有陽極、有機(jī)薄膜層和陰極的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。有 機(jī)發(fā)光元件的類型包括無源矩陣型，其中有機(jī)發(fā)光二極管以矩陣模式連接 在掃描線和信號(hào)線之間以構(gòu)成像素；以及有源矩陣型，其中各個(gè)像素的操作 由起開關(guān)作用的薄膜晶體管(TFT)來控制。
然而，常規(guī)有機(jī)發(fā)光元件存在如下一些問題由于發(fā)出光的有機(jī)薄膜層 是由有機(jī)材料制成的，因此薄膜品質(zhì)和發(fā)光性能會(huì)隨著時(shí)間的推移而惡化， 這會(huì)導(dǎo)致光的亮度降低。而且，有機(jī)發(fā)光裝置的對(duì)比度可能會(huì)由于外部入射 光被反射而變差。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的各方面提供一種具有光電二極管的有機(jī)發(fā)光元件及其制 造方法，該有機(jī)發(fā)光元件根據(jù)從外部入射的光的數(shù)量控制所發(fā)出光的亮度。
本發(fā)明的各方面還提供一種能夠提高光電二極管的光檢測效率的有機(jī) 發(fā)光元件及其制造方法。
本發(fā)明的各方面還通過在光電二極管中形成低濃度P摻雜區(qū)來提高光
電二極管的電流效率。
另外，本發(fā)明的各方面還提供彼此并聯(lián)的光電二極管以提高光檢測效率。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光元件，該有機(jī)發(fā)光元件包括 形成于基板上的有機(jī)發(fā)光二極管，其連接至具有柵極、源極和漏極的晶體管， 并包括第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極；形成于所述基板上的光電二極管， 其包括具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū) 的半導(dǎo)體層；以及控制器，其通過根據(jù)從所述光電二極管輸出的電壓控制施 加到所述第一電極和第二電極的電壓，來將所述有機(jī)發(fā)光二極管所發(fā)出的光 的亮度控制在恒定的水平。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，該方法包括 在基板上或者形成于所述基板上的緩沖層上形成第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo) 體層；通過在所述第一半導(dǎo)體層中形成高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、 本征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)來形成光電二極管；通過在所述第二半導(dǎo)體層中 形成源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)并形成與所述溝道區(qū)絕緣的^f冊極來形成晶體管；以 及形成電連接至所述晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，該方法包括 在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層； 在所述第一半導(dǎo)體層中形成具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本征區(qū) 和高濃度N摻雜區(qū)的光電二極管，并在所述第二半導(dǎo)體層中形成源區(qū)、漏 區(qū)和溝道區(qū)；在包括所述第一和第二半導(dǎo)體層在內(nèi)的整個(gè)表面上形成柵極絕 緣體，并在形成于溝道區(qū)上的柵極絕緣體上形成柵極；在包括所述柵極在內(nèi) 的整個(gè)表面上形成層間絕緣體，并在所述層間絕緣體和所述柵極絕緣體上制 成圖樣以形成接觸孔從而露出所述源區(qū)和漏區(qū)；形成通過所述接觸孔連接至 所述源區(qū)和漏區(qū)的源極和漏極；在所述整個(gè)表面上形成保護(hù)層，在所述保護(hù) 層中形成通孔以露出所述源極或所述漏極的預(yù)定區(qū)域，并形成通過所述通孔 連接至所述源極或所述漏極的第一電極；形成像素限定層以露出所述第一電
極的部分區(qū)域，并在所露出的第一電極上形成有機(jī)薄膜層；以及在包括所述 機(jī)薄膜層的所述像素限定層上形成陰極。
本發(fā)明并不限于上述各方面和實(shí)施例，因此其它方面和實(shí)施例，除非此 處另外明確指出，可以通過下面的描述而對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員變得易于理解。
本發(fā)明的另外方面和/或優(yōu)勢將在下文的描述中被部分地闡述，而且將 通過描述而部分地顯而易見，或者可通過本發(fā)明的實(shí)踐而獲悉。
通過下文結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)
勢將變得明顯且更易于理解。其中
圖1是示出具有薄膜晶體管的常規(guī)有機(jī)發(fā)光元件的剖面示意圖2是示出根據(jù)本發(fā)明各方面的具有光電二極管的有機(jī)發(fā)光元件的剖
面示意圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光電二極管的半導(dǎo)體層的示意圖； 圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的具有并聯(lián)結(jié)構(gòu)的光電二極管的示 意圖；以及
圖4A至圖4G是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其中將參照附圖對(duì)本發(fā)明 的示例進(jìn)行說明，而且全文中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在下文中將 對(duì)各實(shí)施例進(jìn)行描述，從而參照附圖來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。
這里，可以理解的是，此處表達(dá)的第一層"形成于，'或"設(shè)置于，，第二 層，可以是第一層直接形成于或設(shè)置于第二層，或者是在第一層和第二層之 間存在有中間層。進(jìn)一步，如這里所使用的那樣，術(shù)語"形成于"與"位于" 或"設(shè)置于"的意思一樣，并不是要限定于任何特定的制作過程。
常規(guī)有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光層存在隨著時(shí)間的推移發(fā)光層產(chǎn)生的光的亮 度會(huì)減小的問題，這是因?yàn)椋瑯?gòu)成發(fā)光層的有機(jī)材料的薄膜品質(zhì)以及發(fā)光性 能會(huì)隨著時(shí)間的推移而惡化。為了解決以上問題和/或其它問題，本發(fā)明的 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了 一種利用光電二極管檢測外部的入射光或內(nèi)部發(fā)出的光，從而 將發(fā)出的光的亮度控制在恒定水平的方法。然而，因?yàn)殡S著顯示裝置的尺寸 及厚度的減小，光電二極管的尺寸會(huì)變小，因此顯示裝置的光檢測區(qū)域和效 率可能會(huì)減小。
根據(jù)本發(fā)明的各方面，在光從外部入射進(jìn)來且允許光入射到光電二極管 時(shí)，通過反射透過光電二極管傳輸?shù)墓夂椭赶蚧宓墓猓岣吡斯鈾z測效率。 圖1是示出具有薄膜晶體管的普通有機(jī)發(fā)光元件的剖面示意圖。緩沖層
11形成于基板10上，具有源區(qū)12a、漏區(qū)12b和溝道區(qū)12c的半導(dǎo)體層12 形成于緩沖層11上。利用柵極絕緣體13與半導(dǎo)體層12絕緣的柵極14形成 于半導(dǎo)體層12的上方，而層間絕緣體15形成于包括柵極14在內(nèi)的整個(gè)上 表面上。在層間絕緣體15中形成有接觸孔，以露出源區(qū)12a和漏區(qū)12b。源 極16a和漏極16b形成于層間絕緣體15上，并通過接觸孔連接至源區(qū)12a 和漏區(qū)12b。保護(hù)層(overcoat) 17形成于包括源極16a和漏極16b在內(nèi)的 整個(gè)上表面。在保護(hù)層17中形成有通孔，以露出源極16a或漏極16b。陽極 18和像素限定層19形成于保護(hù)層17上，其中陽極18通過所述通孔連接至 源極16a或漏極16b，而像素限定層19露出陽極18的預(yù)定區(qū)域以限定發(fā)光 區(qū)域。有機(jī)薄膜層20和陰極21形成于陽極18上。
如上所述，包括陽極18、有機(jī)薄膜層20和陰極21的有機(jī)發(fā)光元件由 于存在能量間隙而發(fā)光。在向陽極18和陰極21施加預(yù)定電壓時(shí)，通過陰極 2注入的電子與通過陽極18注入的空穴在有機(jī)薄膜層20中復(fù)合，從而使 有機(jī)發(fā)光元件發(fā)光。
如圖1所示的有機(jī)發(fā)光元件存在的問題在于，由于有機(jī)薄膜層20是由 有機(jī)材料制成的，因此有機(jī)發(fā)光元件的薄膜品質(zhì)和發(fā)光性能會(huì)隨著時(shí)間的推 移而變差。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明各方面的具有光電二極管的有機(jī)發(fā)光元件的剖
面圖。反射膜110形成于基板100的預(yù)定區(qū)域。反射膜110形成于與發(fā)光區(qū) 域鄰近的非發(fā)光區(qū)域，并且由至少一種諸如Ag、 Mo、 Ti、 Al或Ni之類的 金屬制成。緩沖層120形成于基板IOO的包括反射膜IIO在內(nèi)的整個(gè)表面上。 具有高濃度P摻雜區(qū)131a、低濃度P摻雜區(qū)131b、高濃度N摻雜區(qū)132和 本征區(qū)133的第一半導(dǎo)體層130a形成于在反射膜IIO上形成的緩沖層120 上。具有源區(qū)134、漏區(qū)135和溝道區(qū)136的第二半導(dǎo)體層130b與第一半 導(dǎo)體層130a相鄰地形成于緩沖層120上。通過柵極絕緣體140與第二半導(dǎo) 體層130b絕緣的柵極150形成于第二半導(dǎo)體層130b上方。層間絕緣體160 形成于包括柵極150在內(nèi)的整個(gè)上表面上，在層間絕緣體160中形成有接觸 孔，以露出源區(qū)134和漏區(qū)135。源極170a和漏極170b形成于層間絕緣體 160上，并通過所述接觸孔連接至源區(qū)134和漏區(qū)135。保護(hù)層180形成于 包括源極170a和漏極170b在內(nèi)的整個(gè)上表面上，在保護(hù)層180中形成有通 孔，以露出源極170a或漏極170b。在保護(hù)層180上形成有第一電極l卯(通 常為陽極)，該第一電極190通過所述通孔連接至源極170a或漏極170b。 像素限定層200露出第一電極190的預(yù)定區(qū)域以限定發(fā)光區(qū)域。有機(jī)薄膜層 210和第二電極220 (通常為陰極)形成于第一電極190上。有機(jī)薄膜層210 由如下結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中該結(jié)構(gòu)包括制成薄片狀的空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和 電子傳輸層，還可以進(jìn)一步包括空穴注入層和電子注入層。
如上所述，在第一電極l卯為陽極且第二電極220為陰極的情況下，如 果將預(yù)定電壓施加到第一電極190以及第二電極220上，則通過第二電極 220注入的電子與通過第一電極190注入的空穴在有機(jī)薄膜層210中復(fù)合， 然后，有機(jī)發(fā)光二極管400由于該過程中產(chǎn)生的能量間隙而發(fā)光?？梢岳斫?的是，有機(jī)發(fā)光二極管400并不僅限于這種結(jié)構(gòu)，而且陽極和陰極的位置可 以顛倒。如果在如上所述發(fā)出所產(chǎn)生的光的同時(shí)，光從外部光源入射到有機(jī) 發(fā)光元件上，則由包括高濃度P摻雜區(qū)131a、低濃度P摻雜區(qū)131b、高濃 度N摻雜區(qū)132以及本征區(qū)133的第一半導(dǎo)體層130a所形成的光電二極管300檢測外部入射的光，以根據(jù)光的數(shù)量生成電信號(hào)。
光電二極管300是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體元件。因此，如果在 反向偏壓狀態(tài)下，也就是說，在負(fù)(-)電壓施加到高濃度P^^雜區(qū)131a且 正(+ )電壓施加到高濃度N摻雜區(qū)132的情況下，光入射到光電二極管上， 那么由于電子和空穴沿本征區(qū)133上形成的耗盡區(qū)移動(dòng)，使得電流在光電二 極管中流動(dòng)。從而，光電二極管300輸出與光的數(shù)量成比例的電壓?？刂破?接收由光電二極管300輸出的電壓，并控制施加到發(fā)光二極管400上的電壓。 從而，根據(jù)外部入射的光的數(shù)量所發(fā)出的光的亮度可以通過根據(jù)光電二極管 300輸出的電壓控制施加到發(fā)光二極管400的第一電極190和第二電極220 上的電壓來控制。
現(xiàn)在如圖3A所示詳細(xì)描述第一半導(dǎo)體層130a。如上所述，根據(jù)本發(fā)明 的各方面，從外部入射的光和透過光電二極管300傳輸或指向基板100的光 由反射膜110進(jìn)行反射，然后所反射的光入射在光電二極管300上，從而提 高了光檢測效率。
通常，形成光電二極管300的第一半導(dǎo)體層130a由多晶硅構(gòu)成。因此， 由于第一半導(dǎo)體層130a通常形成的厚度很薄，大約為500A,所以很難確保 足夠的光檢測效率。而且，由于為了適應(yīng)顯示裝置的尺寸和厚度的減小而將 光電二極管制作的比較小，所以具有光電二極管300的顯示裝置的光檢測效 率可能由此變得更差。然而，由于反射膜IIO的存在提高了光檢測效率，因 此使得減小光電二極管300的尺寸成為可能。
常規(guī)地，'光電二極管的半導(dǎo)體層由高濃度P摻雜區(qū)、本征區(qū)和高濃度N
摻雜區(qū)構(gòu)成。在具有這種一般PIN結(jié)構(gòu)的常規(guī)光電二極管情況下，電子空穴
對(duì)主要在作為該半導(dǎo)體層中心區(qū)的本征區(qū)中產(chǎn)生。由于空穴與其它電子更快
復(fù)合的可能性較大，所以與電子相比，空穴的移動(dòng)相對(duì)較慢且壽命相對(duì)較短。
電流向空穴流動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的各方面，與具有對(duì)稱PIN結(jié)構(gòu)的光電二極管
的情況相比，如果在本征區(qū)和高濃度P摻雜區(qū)之間設(shè)置有低濃度P摻雜區(qū)，
使得生成電子空穴對(duì)的點(diǎn)移向低濃度P摻雜區(qū)，則更多的空穴能夠向電極移 動(dòng)而不會(huì)被復(fù)合。因此，由于空穴的平均壽命被延長，因此在相同的入射光 條件下可能提供更大的電流。
如果通過筒單地加寬高濃度P摻雜區(qū)，與本征區(qū) 一起形成光電二極管來 吸收入射光，那么空穴的壽命將更短，這是因?yàn)楫?dāng)空穴穿過高濃度P摻雜區(qū) 時(shí)，空穴將與摻雜物發(fā)生碰撞。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明各方面，形 成低濃度P摻雜區(qū)而不是加寬高濃度P摻雜區(qū)。
圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光電二極管300的第一半導(dǎo)體層 130a的示意圖。如圖3A所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光電二極管300由第 一半導(dǎo)體層130a構(gòu)成，該第一半導(dǎo)體層130a包括高濃度P摻雜區(qū)131a、低 濃度P摻雜區(qū)131b、高濃度N摻雜區(qū)132以及本征區(qū)133。
高濃度P摻雜區(qū)131a和低濃度P摻雜區(qū)131b形成于本征區(qū)133的一側(cè)， 而高濃度N摻雜區(qū)132形成于本征區(qū)133的另一側(cè)。因此，光電二極管300 具有關(guān)于本征區(qū)133中心的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)。由于電子空穴對(duì)主要在低濃度P摻 雜區(qū)131b形成，所以空穴的壽命被延長。因此，與具有對(duì)稱PIN結(jié)構(gòu)的常 規(guī)光電二極管相比，在相同的入射光條件下可能提供更大的電流。
圖3B是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有并聯(lián)結(jié)構(gòu)的光電二極管300 的示意圖。如圖3B所示，通過將多個(gè)第一半導(dǎo)體層130c和130d并聯(lián)連接 至具有高濃度P摻雜區(qū)131a、低濃度P摻雜區(qū)131b、高濃度N摻雜區(qū)132 和本征區(qū)133的第一半導(dǎo)體層130a，來形成光電二極管300，其中第一半導(dǎo) 體層130c、 130d的結(jié)構(gòu)與第一半導(dǎo)體層130a的結(jié)構(gòu)相同。
如上所述，通過并聯(lián)形成第一半導(dǎo)體層130a、 130c和130d，能夠提高 光電二才及管300的光^:測效率。
下面，將參考圖4A至圖4G詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 元件的制造方法。
參見圖4A,通過利用濺射工藝等將一種或多種諸如Ag、 Mo、 Ti、 Al 或Ni之類的金屬沉積到基板100上，接著使用預(yù)定的掩模通過曝光和顯影 工藝在基板100上制成圖樣，從而在預(yù)定區(qū)域形成反射膜110。將形成反射
膜110的金屬沉積合適的厚度，例如，100至5,000A的厚度，以反射到達(dá) 反射膜110的光。
參見圖4B,在基板100的包括反射膜110在內(nèi)的整個(gè)表面上依次形成 緩沖層120和半導(dǎo)體層，然后在半導(dǎo)體層上制成圖樣，以在反射膜110上方 設(shè)置第一半導(dǎo)體層130a,并在與反射膜IIO鄰近的緩沖層120的區(qū)域上設(shè)置 第二半導(dǎo)體層130b。緩沖層120可以由絕緣體制成，例如，由二氧化硅(Si02) 薄膜或氮化硅(SiNx)薄膜制成，并防止由于加熱對(duì)基板IOO造成損害。半 導(dǎo)體層由非晶硅或多晶硅制成。例如，如果使用非晶硅，則通過熱處理使非
晶硅結(jié)晶。利用N型和P型摻雜離子注入工藝在第一半導(dǎo)體層130a中形成 高濃度P摻雜區(qū)131a、低濃度P摻雜區(qū)131b、高濃度N摻雜區(qū)132以及本 征區(qū)133,從而制成光電二極管300。
參見圖4C,在第二半導(dǎo)體層130b中形成源區(qū)134和漏區(qū)135以及設(shè)置 于源區(qū)134和漏區(qū)135之間的溝道區(qū)136, 乂人而制成晶體管。
參見圖4D,在圖4C中所形成的包括第一半導(dǎo)體層130a和第二半導(dǎo)體 層130b在內(nèi)的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成柵極絕緣體140，然后在柵極絕緣體 140位于溝道區(qū)136上的部分上形成柵極150。
參見圖4E,在圖4D中所形成的包括柵極150在內(nèi)的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上 形成層間絕緣體160。然后在層間絕緣體160和柵極絕緣體140上制成圖樣 以形成接觸孔，從而露出第二半導(dǎo)體層130b的源區(qū)134和漏區(qū)135。通過 該才妾觸孔將源極170a和漏極170b連4妾至源區(qū)134和漏區(qū)135。
參見圖4F,在圖4E中所形成的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成保護(hù)層180,以 制成平坦表面。然后在保護(hù)層180中形成通孔，以露出源才及170a或漏才及170b 的預(yù)定區(qū)域。通過所述通孔將陽極190連接至源極170a或漏才及170b。在保 護(hù)層180上形成像素限定層200以露出陽極190的區(qū)域，然后在陽極190的 露出區(qū)域形成有機(jī)薄膜層210。有機(jī)薄膜層210可以包括成薄片狀的空穴傳 輸層、有機(jī)發(fā)光層以及電子傳輸層，還可以進(jìn)一步包括空穴注入層和電子注 入層。參見圖4G,在包括有機(jī)薄膜層210在內(nèi)的像素限定層200上形成陰極 220，以制成具有陽極190、有機(jī)薄膜層210以及陰極220的有機(jī)發(fā)光二極 管400。
在所述示例性實(shí)施例中，反射膜110可以具有比第一半導(dǎo)體層130a更 寬的區(qū)域，從而有效地對(duì)指向基板100的光進(jìn)行反射。同樣，雖然所述實(shí)施 例描述了將光電二極管設(shè)置為能夠檢測從外面入射的光的情況，但本發(fā)明并 不僅限于此。例如，光電二極管300可以設(shè)置為能夠檢測從有機(jī)發(fā)光元件內(nèi) 部發(fā)出的光并控制施加在有機(jī)發(fā)光二極管的陽極190和陰極220上的電壓。 同樣，有機(jī)發(fā)光元件可以設(shè)置為利用光電二極管300與觸控板一起操作。
雖然已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的 一些實(shí)施例進(jìn)行了顯示和描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)認(rèn)識(shí)到的是，在不偏離本發(fā)明的原理和精神的情況下可對(duì)所示實(shí)施例進(jìn)行 改變，而本發(fā)明的范圍是由權(quán)利要求及其等同物所限定的。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光元件，包括有機(jī)發(fā)光二極管；光電二極管，其包括具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)的半導(dǎo)體層；以及控制器，其通過根據(jù)從所述光電二極管輸出的電壓控制施加到所述有機(jī)發(fā)光二極管的電壓，來將所述有機(jī)發(fā)光二極管所發(fā)出的光的亮度控制在恒定的水平。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管包 括第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管被 連接至具有柵極、源極和漏極的晶體管。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述光電二極管的低濃 度P摻雜區(qū)位于所述高濃度P摻雜區(qū)與所述本征區(qū)之間，以使所述光電二極 管具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，從而與具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的光電二極管相比，對(duì)光進(jìn)行響應(yīng) 所產(chǎn)生電子空穴對(duì)的點(diǎn)移向所述低濃度P摻雜區(qū)，并且所產(chǎn)生空穴的平均壽 命被延長。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，進(jìn)一步包括反射膜，該反射
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，進(jìn)一步包括反射膜，該反射
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述反射膜由從包含Ag、 Mo、 Ti、 Al和Ni的組中選擇的至少一種金屬制成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述反射膜的厚度為100 至5,000A。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件，其中所述光電二極管包括多 個(gè)彼此并聯(lián)的半導(dǎo)體層，且每個(gè)半導(dǎo)體層均具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P 摻雜區(qū)、本征區(qū)和高濃度N^^雜區(qū)。
10、 一種制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，該方法包括在基板上或者形成于所述基板上的緩沖層上形成第一半導(dǎo)體層和第二 半導(dǎo)體層；通過在所述第一半導(dǎo)體層中形成高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本 征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)來形成光電二極管；通過在所述第二半導(dǎo)體層中形成源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)并通過形成與所述 溝道區(qū)絕緣的柵極來形成晶體管；以及形成電連接至所述晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，進(jìn)一步包括在所述基板上形成反射膜，其中所述反射膜設(shè)置為將從所述有機(jī)發(fā)光元件外部 入射的光反射至所述光電二極管。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述反射膜由從包含Ag、 Mo、 Ti、 Al和Ni的組中選擇的至少一種金屬制成。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述反射膜形成的厚度為100至5000A。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述光電二極管的低濃度P摻雜區(qū)位于所述高濃度P摻雜區(qū)與所述本征區(qū)之間，而所 述高濃度N摻雜區(qū)形成于所述本征區(qū)的與所述低濃度P摻雜區(qū)相對(duì)的側(cè)上。
15、 一種制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，該方法包括在基板上或形成于所述基板上的緩沖層上形成第二半導(dǎo)體層和多個(gè)第 一半導(dǎo)體層；通過在各個(gè)第一半導(dǎo)體層中形成高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本 征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)并將所述多個(gè)第一半導(dǎo)體層并聯(lián)來形成光電二極管； 通過在所述第二半導(dǎo)體層中形成源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)并形成與所述溝道 區(qū)絕緣的柵極來形成晶體管；以及形成電連接至所述晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管。
16、 一種制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，該方法包括 在基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層中形成具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、本 征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)的光電二極管，并在所述第二半導(dǎo)體層中形成源區(qū)、 漏區(qū)和溝道區(qū)；在包括所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層在內(nèi)的整個(gè)表面上形成柵極 絕緣體，并在形成于所述溝道區(qū)上的柵極絕緣體上形成柵極；在包括所述柵極在內(nèi)的整個(gè)表面上形成層間絕緣體，并在所述層間絕緣 體和所述柵極絕緣體上制成圖樣以形成接觸孔，從而露出所述源區(qū)和所述漏區(qū)；形成通過所述接觸孔連接至所述源區(qū)和所述漏區(qū)的源極和漏極； 在所述整個(gè)表面上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層中形成通孔以露出所述源極或漏極的預(yù)定區(qū)域，并形成通過所述通孔連接至所述源極或所述漏極的第一電極；形成像素限定層以露出所述第一電極的部分區(qū)域，并在所露出的第一電 極上形成有機(jī)薄膜層；以及在包括所述機(jī)薄膜層的所述像素限定層上形成陰極。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，進(jìn)一步包括在 所述基板上形成反射膜，其中所述反射膜設(shè)置為將從所述有機(jī)發(fā)光元件外部 入射的光反射至所述光電二極管。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述反射 膜由從包含Ag、 Mo、 Ti、 Al和Ni的組中選擇的至少一種金屬制成。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述反射 膜形成的厚度為100至5000A。
20、根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)發(fā)光元件的方法，其中所述形成 光電二極管的步驟包括形成多個(gè)第一半導(dǎo)體層，并將所述多個(gè)第一半導(dǎo)體 層彼此并聯(lián)，其中每個(gè)第一半導(dǎo)體層均具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜 區(qū)、本征區(qū)和高濃度N摻雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有機(jī)發(fā)光元件及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光元件包括形成于基板上的有機(jī)發(fā)光二極管，其連接至具有柵極、源極和漏極的晶體管，并包括第一電極、有機(jī)薄膜層和第二電極；形成于基板上的光電二極管，其包括具有高濃度P摻雜區(qū)、低濃度P摻雜區(qū)、高濃度N摻雜區(qū)和本征區(qū)的半導(dǎo)體層；以及控制器，其通過根據(jù)從所述光電二極管輸出的電壓控制施加到第一電極和第二電極的電壓，來將有機(jī)發(fā)光二極管所發(fā)出光的亮度控制在恒定的水平。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101339953SQ20081011124
公開日2009年1月7日 申請日期2008年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者崔炳悳, 樸惠香, 李侖揆, 林基主 申請人:三星Sdi株式會(huì)社