專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法和半導(dǎo)體基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用一次成型方式制造的半導(dǎo)體器件及其制造方法和將半導(dǎo)體 器件進(jìn)行一次成型用的半導(dǎo)體基板。
背景技術(shù)：
以往， 一般在樹脂封裝型的半導(dǎo)體器件中，是在樹脂制成的基板上安裝半 導(dǎo)體元件，在將其置于成型金屬模中的狀態(tài)下，利用熱固化性樹脂進(jìn)行樹脂封 裝。另外，使用僅對(duì)安裝半導(dǎo)體元件的面、即單面進(jìn)行樹脂封裝的半導(dǎo)體器件。另外，作為這些樹脂封裝處理，為了以一次封裝方式高效率地生產(chǎn)半導(dǎo)體 器件，在樹脂封裝后沿著規(guī)定的劃分線來(lái)分割半導(dǎo)體基板，通過(guò)這樣能夠用相 同的生產(chǎn)設(shè)備得到所希望的半導(dǎo)體器件。在以往的半導(dǎo)體器件(例如，參照作為日本國(guó)的專利公開公報(bào)的特開2000-124163號(hào)公報(bào))中，為了提高它們的生產(chǎn)率，對(duì)劃分成多個(gè)半導(dǎo)體元件安 裝區(qū)域的半導(dǎo)體基板，在各自的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域內(nèi)安裝半導(dǎo)體元件，在一 次覆蓋至少2個(gè)以上的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域的狀態(tài)下，將該半導(dǎo)體元件安裝面 一側(cè)進(jìn)行樹脂封裝，然后沿著劃分多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域的劃分線，來(lái)分割 半導(dǎo)體基板，在上述這樣的半導(dǎo)體器件的制造方法中，沿著劃分線設(shè)置縫隙狀 的貫通孔，從而抑制封裝剝離等副作用。但是，在上述那樣的以往的半導(dǎo)體器件中，由于對(duì)半導(dǎo)體基板設(shè)置貫通孔， 因此在用封裝金屬模進(jìn)行一次成型時(shí)，不僅在半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域內(nèi)，而且封 裝樹脂通過(guò)貫通孔與和半導(dǎo)體基板背面?zhèn)冉佑|的封裝用的下金屬模接觸。另外，半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)扔袝r(shí)因整個(gè)基板翹曲或在背面?zhèn)刃纬傻耐獠侩姌O端子連接用的布線圖形等而形成凹凸，有可能在下金屬模與半導(dǎo)體基板之間 產(chǎn)生間隙。在這樣產(chǎn)生間隙的情況下，存在的問(wèn)題是，在進(jìn)行樹脂封裝時(shí)，在半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)葘a(chǎn)生樹脂毛刺，外觀上不好看，同時(shí)導(dǎo)致弄臟封裝金屬模，或 者有的情況下，合格率降低，因工時(shí)增加而導(dǎo)致生產(chǎn)率下降，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠 性降低，成本提高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是解決上述以往的問(wèn)題，其目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造 方法和半導(dǎo)體基板，它是在即使用一次成型方式制造半導(dǎo)體器件時(shí)，也能夠防 止封裝裂紋及封裝剝離，提高產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)消除產(chǎn)品的外觀不良，并減 少制造工序中的工時(shí)，抑制產(chǎn)品的成本上升。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在 背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?，安裝具有多個(gè)外部連接用電極的 半導(dǎo)體元件，將前述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè) 外部電極端子與前述第2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板在其表面?zhèn)鹊倪?緣部，形成凹下部分。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋惭b具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件， 將前述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接， 利用封裝樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與前述第2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板這樣形成表面?zhèn)鹊倪吘壊?，使得作為前述封裝樹脂的厚度在前述半導(dǎo)體基板的邊緣部的上方比除此以外的上方要厚。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，對(duì)于由表面具有第1電極組的第l層及背面 具有第2電極組的第3層及位于前述第1層與前述第3層之間的第2層構(gòu)成的 多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板，在前述第l層的表面?zhèn)?，安裝具有多個(gè)外部連接用電 極的半導(dǎo)體元件，將前述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與前述第1電 極組進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將 多個(gè)外部電極端子與前述第2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板的前述第l 層的面積，大于前述第2層的面積而且小于前述第3層的面積。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，對(duì)于利用劃分線將安裝半導(dǎo)體元 件用的多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域進(jìn)行劃分的半導(dǎo)體基板，在各自的半導(dǎo)體元件 安裝區(qū)域內(nèi)安裝半導(dǎo)體元件，在一次覆蓋至少2個(gè)以上的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域 的狀態(tài)下，將該半導(dǎo)體元件安裝面一側(cè)進(jìn)行樹脂封裝后，沿著前述劃分線來(lái)分 割多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域，通過(guò)這樣對(duì)半導(dǎo)體器件形成單片，其中，在進(jìn)行 前述樹脂封裝之前，沿著前述劃分線，在前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊那笆鰟澐?線上形成凹下部分。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板，為了將半導(dǎo)體器件進(jìn)行一次成型，在表面具 有第1電極組，在背面具有與外部電極端子連接的第2電極組，同時(shí)具有多個(gè) 半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域，其中，沿著劃分前述多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域的劃分線， 在該線上的前述表面?zhèn)刃纬砂枷虏糠?。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?，安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件， 將前述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝 樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與前述第2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板在前述第1電極組位于比從前述半導(dǎo)體 元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的中心點(diǎn)靠近前述半導(dǎo)體基板中心 側(cè)時(shí)，這樣形成表面?zhèn)龋沟迷趶那笆霭雽?dǎo)體元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板 的邊緣端的前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c前述半導(dǎo)體元件的側(cè)面寬度平行 的區(qū)域中，與從前述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到前述第1電極組的區(qū)域表面的面積 相比，從前述第1電極組到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的區(qū)域表面的面積要大。 另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2 電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋惭b具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件， 將前述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝 樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與前述第 2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板在前述第1電極組位于比從前述半導(dǎo)體 元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的中心點(diǎn)靠近前述半導(dǎo)體基板邊緣 側(cè)時(shí)，這樣形成表面?zhèn)?，使得在從前述半?dǎo)體元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板 的邊緣端的前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c前述半導(dǎo)體元件的側(cè)面寬度平行的區(qū)域中，與從前述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到前述中心點(diǎn)的區(qū)域表面的面積相 比，從前述中心點(diǎn)到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的區(qū)域表面的面積要大。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2 電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋惭b具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件， 將前述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝 樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與前述第2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板在前述第1電極組位于比從前述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的中心點(diǎn)靠近前述半導(dǎo)體基板中心 側(cè)時(shí)，這樣形成表面?zhèn)?，使得在從前述半?dǎo)體元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板 的邊緣端的前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c前述半導(dǎo)體元件的側(cè)面近似垂直 的方向中，與從前述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到前述第1電極組的表面距離相比， 從前述第1電極組到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的表面距離要長(zhǎng)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2 電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?，安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件， 將前述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與前述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝 樹脂覆蓋前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與前述第 2電極組連接，其中，前述半導(dǎo)體基板在前述第1電極組位于比從前述半導(dǎo)體 元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的中心點(diǎn)靠近前述半導(dǎo)體基板邊緣 側(cè)時(shí)，這樣形成表面?zhèn)?，使得在從前述半?dǎo)體元件的側(cè)端面到前述半導(dǎo)體基板 的邊緣端的前述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c前述半導(dǎo)體元件的側(cè)面近似垂直 的方向中，與從前述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到前述中心點(diǎn)的表面距離相比，從前 述中心點(diǎn)到前述半導(dǎo)體基板的邊緣端的表面距離要長(zhǎng)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使封裝樹脂的厚度形成為半導(dǎo)體器件的邊緣 部的厚度比中心部附近要厚，從而利用封裝樹脂起到從邊緣部向中心部方向?qū)?半導(dǎo)體基板鉚接的作用，結(jié)果能夠提高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力。因此，即使在以一次成型方式制造半導(dǎo)體器件時(shí)，也能夠防止封裝裂紋及 封裝剝離，提高產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)消除產(chǎn)品的外觀不良，并減少制造工序中 的工時(shí)，抑制產(chǎn)品的成本上升。


圖l所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例1的剖視圖。 圖2所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例2的剖視圖。圖3所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例3的剖視圖。 圖4所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例4的平面圖。 圖5所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例5的剖視圖。 圖6所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)例1的平面圖。 圖7A所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(a)的剖視圖。圖7B所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(b)的 剖視圖。圖7C所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(c)的 剖視圖。圖7D所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(d)的 剖視圖。圖7E所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(e)的 剖視圖。圖7F所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的制造工序(f)的 剖視圖。圖8A所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例6(6-A、6-B)的剖視圖。 圖8B所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例6(6-A)的平面圖。 圖8C所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例6(6-B)的平面圖。 圖9所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例7的剖視圖。 圖IO所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例8的剖視圖。 圖11所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例9的剖視圖。 圖12A所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例10(10-A)的剖視圖。 圖12B所示為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例10(10-B)的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下， 一面參照附圖， 一面具體說(shuō)明表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件及 其制造方法和半導(dǎo)體基板。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例1的說(shuō)明)首先，開始說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例1。 圖1所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例1的剖視圖。這里說(shuō)明的半 導(dǎo)體器件如圖1所示，作為半導(dǎo)體基板4，在表面形成第1電極組1，同時(shí)在背面形成第2電極組3，再在表面?zhèn)鹊倪吘壊啃纬砂枷虏糠?。對(duì)該半導(dǎo)體基 板4，安裝在其表面?zhèn)染哂卸鄠€(gè)外部連接用電極(未圖示)的半導(dǎo)體元件5。另 外，上述凹下部分6例如利用刻紋機(jī)加工或激光加工等形成。另外，半導(dǎo)體基 板4的基材部分例如由樹脂構(gòu)成。然后，將半導(dǎo)體元件5的外部連接用電極與半導(dǎo)體基板4的第1電極組1 用電氣導(dǎo)通的某種金屬制的細(xì)線7例如金線等進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂8覆 蓋安裝半導(dǎo)體元件5的半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，包含全部半導(dǎo)體元 件5及細(xì)線7，再將焊錫球等形成的外部電極端子2與半導(dǎo)體基板4的第2電 極組連接。另外，對(duì)半導(dǎo)體基板4的邊緣部形成的凹下部分6，也充填封裝樹 脂8。根據(jù)上述構(gòu)成，由于在半導(dǎo)體基板4的邊緣部形成凹下部分6，因此形成 能取得較大的封裝樹脂8與半導(dǎo)體基板4的粘接面積的結(jié)構(gòu)，從而附著力提高， 能夠提高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力，容易提高半導(dǎo)體器件的可靠性。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例2的說(shuō)明)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例2。圖2所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例2的剖視圖。這里說(shuō)明的半 導(dǎo)體器件，作為整體結(jié)構(gòu)，與圖l所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，但這里，如 圖2所示，半導(dǎo)體基板4這樣形成其表面?zhèn)鹊倪吘壊?，使得作為封裝樹脂8的 厚度，在半導(dǎo)體基板4的邊緣部的上方形成的封裝樹脂8的厚度T1，比除此以 外的上方(也包含半導(dǎo)體器件的中心部附近)的封裝樹脂8的厚度T2要厚。根據(jù)該構(gòu)成，與結(jié)構(gòu)例l的情況相同，起到從邊緣部將半導(dǎo)體基板4鉚接 的效果，結(jié)果能夠提高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力，容易提高半導(dǎo)體器件 的可靠性。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例3的說(shuō)明)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例3。圖3所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例3的剖視圖。這里說(shuō)明的半導(dǎo)體器件，作為整體結(jié)構(gòu)，與圖l所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，但這里，如圖3所示，半導(dǎo)體基板4的其邊緣部形成的凹下部分6的距離半導(dǎo)體基板4的 表面在厚度方向的長(zhǎng)度(深度)D1，形成為大于(厚于)在其正下方形成的半導(dǎo)體 基板4的厚度D2。根據(jù)上述構(gòu)成，能夠確保在半導(dǎo)體基板4的邊緣部有更大的封裝樹脂8與 半導(dǎo)體基板4的附著面積，封裝樹脂8與半導(dǎo)體基板4的附著力提高，能夠提 高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力，容易提高半導(dǎo)體器件的可靠性。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例4的說(shuō)明)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例4。圖4所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例4的平面圖。這里說(shuō)明的半 導(dǎo)體器件，作為整體結(jié)構(gòu)，與圖l所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，但這里，如 圖4所示，半導(dǎo)體基板4這樣形成凹下部分6，使得沿著其表面周邊的方向的 凹下部分6的長(zhǎng)度為，其第1邊11一側(cè)的凹下部分6的長(zhǎng)度L1、與和第l邊 11垂直相交的第2邊12 —側(cè)的凹下部分6的長(zhǎng)度L2不同。這在例如半導(dǎo)體基板4上安裝的半導(dǎo)體元件5是長(zhǎng)方形的形狀時(shí)，由于在 半導(dǎo)體基板4的第1邊11及第2邊的半導(dǎo)體元件5的長(zhǎng)度不同，因此產(chǎn)生的 封裝剝離力不同。與該剝離力之差相對(duì)應(yīng)，將半導(dǎo)體基板4的邊緣部形成的凹下部分6的長(zhǎng) 度調(diào)整為所希望的長(zhǎng)度，通過(guò)這樣能夠與安裝的半導(dǎo)體元件5的尺寸無(wú)關(guān)，容 易得到所希望的抑制封裝裂紋的結(jié)構(gòu)。另外，上述半導(dǎo)體基板4這樣形成，使得在其表面上，在第l邊ll一側(cè)， 相對(duì)于表面周邊垂直方向的凹下部分6的長(zhǎng)度(寬度)Wll，比從凹下部分6的 半導(dǎo)體基板4的表面中心部一側(cè)的端部到第1電極組1的細(xì)線7的連接點(diǎn)的距 離W12要長(zhǎng)，在第2邊12—側(cè)，相對(duì)于表面周邊垂直方向的凹下部分6的長(zhǎng) 度(寬度)W21，比從凹下部分6的半導(dǎo)體基板4的表面中心部一側(cè)的端部到第1 電極組1的細(xì)線7的連接點(diǎn)的距離W22要長(zhǎng)。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例5的說(shuō)明)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例5。圖5所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例5的剖視圖。這里說(shuō)明的半導(dǎo)體器件如圖5所示，半導(dǎo)體基板106由表面形成第1電極組101的第1層102 及背面形成第2電極組103的第3層104及在第1層102與第3層104之間形 成的第2層105以多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，對(duì)該多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板106，在其第l 層102的表面上安裝半導(dǎo)體元件107。該半導(dǎo)體基板106的基材部分例如利用 樹脂構(gòu)成。該半導(dǎo)體基板106的第1層102的平面面積形成為大于第2層105 的平面面積，而且小于第3層104的平面面積。這樣的多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板 106 --般用稱為層疊基板的材料構(gòu)成，將各層層疊，形成作為半導(dǎo)體基板106。 然后，半導(dǎo)體元件107上的外部連接用電極與半導(dǎo)體基板106上的第1電 極組IOI用金線等細(xì)線108進(jìn)行電連接。利用封裝樹脂109覆蓋安裝半導(dǎo)體元 件107的半導(dǎo)體基板106上的整個(gè)區(qū)域，包含半導(dǎo)體元件107及細(xì)線108。將 焊錫球等的外部電極端子110與半導(dǎo)體基板106的背面?zhèn)鹊牡?電極組103連 接。對(duì)半導(dǎo)體基板106的邊緣部形成的凹下部分，也充填封裝樹脂109，對(duì)多 層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板106的第1層102及第2層105的臺(tái)階部也同樣充填封裝 樹脂109。。根據(jù)上述構(gòu)成，由于在半導(dǎo)體基板106的邊緣部形成凹下部分，因此形成 能取得較大的封裝樹脂109與半導(dǎo)體基板106的粘接面積的結(jié)構(gòu)，從而附著力 提高，能夠提高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力，容易提高半導(dǎo)體器件的可靠 性。(半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體器件的制造方法的說(shuō)明)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體基板及半導(dǎo)體器件的制造方法。 圖6所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中所使用的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖7A 圖7F所示為本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件的制造方法中的各制造工序，是圖6的A-A'的剖視圖。在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，首先準(zhǔn)備從晶片(未圖示)切成芯片狀的多個(gè)半導(dǎo)體元件204、以及安裝這多個(gè)半導(dǎo)體元件204的半導(dǎo)體基板201。該半導(dǎo)體基板201如圖6所示，是形成長(zhǎng)條狀的薄的平板結(jié)構(gòu)的基板，其基材部分例如由樹脂構(gòu)成。該半導(dǎo)體基板201利用縱橫的劃分線202，劃分成 多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203，對(duì)各個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203分別安裝1個(gè) 半導(dǎo)體元件204。再在樹脂封裝時(shí)，將互相相鄰的被劃分成4個(gè)的半導(dǎo)體元件 安裝區(qū)域203以一起覆蓋的狀態(tài)，將表面?zhèn)冗M(jìn)行樹脂封裝。另外，在半導(dǎo)體基板201上，如圖7A所示，在表面具有第1電極組206， 在背面具有與外部電極端子212連接的第2電極組211，沿著劃分各個(gè)半導(dǎo)體 元件安裝區(qū)域203的劃分線202，在該線上的表面?zhèn)刃纬砂枷虏糠?05。這些 凹下部分205例如在半導(dǎo)體基板201進(jìn)行外形加工時(shí)利用刻紋機(jī)加工或激光加 工，形成在所希望的地方。接著，對(duì)上述那樣進(jìn)行了形成加工的半導(dǎo)體基板201，在各個(gè)半導(dǎo)體元件 安裝區(qū)域203的中心部涂布裸芯片接合材料等，從其上方，如圖7B所示，安 裝例如用吸附夾頭吸附的半導(dǎo)體元件204，通過(guò)加熱加壓，從而在半導(dǎo)體基板 201上的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203的中心部進(jìn)行裸芯片接合而固定。再如圖7C所示，為了將半導(dǎo)體基板201與其上安裝的半導(dǎo)體元件204進(jìn) 行電連接，將半導(dǎo)體元件204上形成的多個(gè)外部連接用電極(未圖示)與半導(dǎo)體 基板201上形成的第1電極組206通過(guò)金線等細(xì)線207進(jìn)行電連接。接著，如圖7D所示，將安裝了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體基板201置于成型金 屬模中，進(jìn)行樹脂封裝。關(guān)于該樹脂封裝，是用成型金屬模的上模208及下模 209夾住半導(dǎo)體基板201。這時(shí)，在上模208形成的各空腔內(nèi)，分別配置多個(gè) 半導(dǎo)體元件204。 gp，如果是圖6的半導(dǎo)體基板結(jié)構(gòu)，則在1個(gè)空腔內(nèi)配置4 個(gè)半導(dǎo)體元件204。在這樣用成型金屬模夾住半導(dǎo)體基板201的狀態(tài)下，從各澆注口注入、充 填封裝樹脂210，通過(guò)這樣在半導(dǎo)體基板201的表面的半導(dǎo)體元件安裝面一側(cè)， 將包含半導(dǎo)體元件204、細(xì)線207的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203以一起覆蓋的狀 態(tài)進(jìn)行樹脂封裝。這時(shí)，在沿著半導(dǎo)體基板201的劃分線202形成的凹下部分 205中也充填封裝樹脂210。這時(shí)，由于在下模209與封裝樹脂210之間存在半導(dǎo)體基板201，因此樹 脂毛剌不會(huì)繞到半導(dǎo)體基板201的背面?zhèn)龋軌蚍€(wěn)定生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。另外，雖然因半導(dǎo)體基板201與封裝樹脂210的膨脹系數(shù)之差而在內(nèi)部產(chǎn) 生應(yīng)力，但由于沿著各自的劃分線202形成凹下部分205，因此能夠分散其內(nèi) 部應(yīng)力，能夠有效地防止制造工序中的封裝剝離。接著，如圖7E所示，利用回流焊等，使焊錫球等外部電極端子212與在 半導(dǎo)體基板201的背面?zhèn)刃纬傻牡?電極組211進(jìn)行熔融連接。然后，如圖7F所示，沿著劃分多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203的劃分線202， 分割半導(dǎo)體基板201及封裝樹脂210。該分割加工，例如可將樹脂封裝完成的 半導(dǎo)體基板201置于切割裝置上，使高速旋轉(zhuǎn)的刀片213沿著縱橫而且沿著劃 分線202進(jìn)行移動(dòng)，通過(guò)這樣進(jìn)行分割。這樣將半導(dǎo)體基板201進(jìn)行分割后得 到的半導(dǎo)體器件，形成在半導(dǎo)體基板201的邊緣部具有凹下部分205的結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述構(gòu)成，由于在半導(dǎo)體基板201的邊緣部形成凹下部分205，因此 形成能取得較大的封裝樹脂210與半導(dǎo)體基板201的粘接面積的結(jié)構(gòu)，因此它 們的附著力提高，能夠提高對(duì)封裝裂紋及封裝剝離的抵抗力。其結(jié)果，能夠防止封裝裂紋及封裝剝離，提高產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)消除產(chǎn) 品的外觀不良，并減少制造工序中的工時(shí)，抑制產(chǎn)品的成本上升。另外，為了解決以往技術(shù)中的問(wèn)題，作為半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例，除了上述 實(shí)施形態(tài)中說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)例以外，也可以以下那樣構(gòu)成。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例6的說(shuō)明)作為半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例6，例如如圖8A所示，中心點(diǎn)P是從半導(dǎo)體元件 5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的距離A的1/2的點(diǎn)，在第1電極組1位 于比該中心點(diǎn)P靠近半導(dǎo)體基板4的中心側(cè)的位置Kl時(shí)，半導(dǎo)體基板4如圖 8B所示，這樣形成表面?zhèn)?，使得在考慮從半導(dǎo)體元件5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基板 4的邊緣端的半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)壬系呐c半導(dǎo)體元件5的側(cè)面寬度平行的區(qū) 域時(shí)，在該區(qū)域中，也包含凹下部分6的內(nèi)壁面，而且與從半導(dǎo)體元件5的側(cè) 端面到位于Kl上的第1電極組1的區(qū)域表面的面積Sl相比，從位于Kl上的 第1電極組1到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的區(qū)域表面的面積S2要大。另外，半導(dǎo)體基板4如圖8C所示，這樣形成表面?zhèn)?，使得在考慮從半導(dǎo) 體元件5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)壬系呐c半 導(dǎo)體元件5的側(cè)面近似垂直的方向時(shí)，在該方向中，也包含凹下部分6的內(nèi)壁面，而且與從半導(dǎo)體元件5的側(cè)端面到位于Kl上的第1電極組1的表面距離Ll相比，從位于Kl上的第1電極組1到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的表面距離L2要長(zhǎng)。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例7的說(shuō)明)接著，作為半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例7，例如如圖9所示，中心點(diǎn)P是從半導(dǎo) 體元件5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的距離A的1/2的點(diǎn)，在第1電極 組1位于比該中心點(diǎn)P靠近半導(dǎo)體基板4的邊緣側(cè)的位置時(shí)，將中心點(diǎn)P看作 為圖8A 圖8C中的Kl，半導(dǎo)體基板4與圖8B所示的情況相同，這樣形成表 面?zhèn)?，使得在考慮從半導(dǎo)體元件5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的半導(dǎo)體 基板4的表面?zhèn)壬系呐c半導(dǎo)體元件5的側(cè)面寬度平行的區(qū)域時(shí)，在該區(qū)域中， 也包含凹下部分6的內(nèi)壁面，而且與從半導(dǎo)體元件5的側(cè)端面到中心點(diǎn)P(K1) 的區(qū)域表面的面積Sl相比，從中心點(diǎn)P(K1)到半導(dǎo)體基板4的邊緣端的區(qū)域表 面的面積S2要大。另外，將中心點(diǎn)P看作為圖8A 圖8C中的Kl，半導(dǎo)體基板4與圖8C的 情況相同，這樣形成表面?zhèn)?，使得在考慮從半導(dǎo)體元件5的側(cè)端面到半導(dǎo)體基 板4的邊緣端的半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)壬系呐c半導(dǎo)體元件5的側(cè)面近似垂直的 方向時(shí)，在該方向中，也包含凹下部分6的內(nèi)壁面，而且與從半導(dǎo)體元件5的 側(cè)端面到中心點(diǎn)P(K1)的表面距離Ll相比，從中心點(diǎn)P(K1)到半導(dǎo)體基板4的 邊緣端的表面距離L2要長(zhǎng)。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例8的說(shuō)明)另外，在上述實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)例中，作為半導(dǎo)體元件5，是舉出采 用通過(guò)細(xì)線7與第1電極組進(jìn)行電連接的絲焊型的情況，但不限于此，使用在 以其它方式能夠與半導(dǎo)體基板4上的第1電極組l進(jìn)行電信號(hào)輸入輸出的狀態(tài) 下安裝在半導(dǎo)體基板4上的半導(dǎo)體元件5，也能夠同樣實(shí)施，例如，可舉出以 下那樣構(gòu)成的情況。如圖IO所示，考慮在半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)戎行母浇惭b倒裝芯片型的 半導(dǎo)體元件5、以代替絲焊型的半導(dǎo)體元件的情況，在這種情況下，與半導(dǎo)體 元件5進(jìn)行電連接的第1電極組1形成在半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)鹊陌雽?dǎo)體元件 5的安裝區(qū)域內(nèi)，與圖9所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，形成半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)?。再有，雖未圖示，但作為半導(dǎo)體元件5，即使使用對(duì)半導(dǎo)體基板4利用光(例 如，激光等)或無(wú)線電波(高頻)等電磁波、能夠以非接觸方式進(jìn)行電信號(hào)的輸 入輸出的半導(dǎo)體元件5，也能夠與使用倒裝芯片型的情況同樣實(shí)施，在這種情況下，也與圖9所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，形成半導(dǎo)體基板4的表面?zhèn)取?(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例9的說(shuō)明)另外，在上述實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)例中，作為半導(dǎo)體基板4，是舉出在 其表面?zhèn)鹊倪吘壊啃纬捎?個(gè)溝槽構(gòu)成的凹下部分6的情況，但如圖11所示， 考慮形成由例如2個(gè)(也可以是2個(gè)以上)的溝槽構(gòu)成的凹下部分116，在這種 情況下，能夠更提高半導(dǎo)體基板4的邊緣部與封裝樹脂8的粘接力。(半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)例10的說(shuō)明)另外，在上述實(shí)施形態(tài)說(shuō)明的各結(jié)構(gòu)例中，作為半導(dǎo)體基板4，是舉出在 其表面?zhèn)鹊倪吘壊啃纬捎?個(gè)或1個(gè)以上的溝槽構(gòu)成的凹下部分的情況，但例 如如圖12A所示，考慮形成由l個(gè)筋條構(gòu)成的凸起部分126，或者如圖12B所 示，考慮形成由2個(gè)(也可以是2個(gè)以上)筋條構(gòu)成的凸起部分127，在這種情況下，也與圖ll所示的半導(dǎo)體器件的情況相同，能夠更提高半導(dǎo)體基板4的 邊緣部與封裝樹脂8的粘接力。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋惭b具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域，將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板在其表面?zhèn)鹊倪吘壊浚纬砂枷虏糠帧?br> 2. —種半導(dǎo)體器件，在表面具有第l電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面 安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板這樣形成表面?zhèn)鹊倪吘壊?，使得作為所述封裝樹脂的厚度在所述半導(dǎo)體基 板的邊緣部的上方比除此部分以外的上方要厚。
3. —種半導(dǎo)體器件，對(duì)于由表面具有第1電極組的第1層及背面具有第2電極組的第3層及位 于所述第1層與所述第3層之間的第2層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板， 在所述第l層的表面?zhèn)龋?安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)鹊耐獠窟B接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接，利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板的所述第1層的面積，大于所述第2層的面積而且小于所述第3層的面積。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基板的沿著其表面周邊的方向的所述凹下部分的長(zhǎng)度，在所述表面周邊的第1邊一側(cè)與和所述第l邊垂直的第2邊一側(cè)不同。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板的距離其表面在厚度方向的所述凹下部分的長(zhǎng)度，大于所述半導(dǎo)體基板的所 述凹下部分的正下方的厚度。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板的在其表面上對(duì)于表面周邊的垂直方向的所述凹下部分的長(zhǎng)度，比從所述凹 下部分的所述半導(dǎo)體基板的表面中心部一側(cè)的端部到所述第1電極組的進(jìn)行所 述電連接的點(diǎn)的距離要長(zhǎng)。
7. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，對(duì)于利用劃分線將安裝半導(dǎo)體元件用的多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域進(jìn)行劃 分的半導(dǎo)體基板，在各自的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域內(nèi)安裝所述半導(dǎo)體元件，在一次覆蓋至少2個(gè)以上的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域的狀態(tài)下，將該半導(dǎo)體元件安裝面一側(cè)進(jìn)行樹脂封裝后，沿著所述劃分線來(lái)分割多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域， 通過(guò)這樣對(duì)半導(dǎo)體器件形成單片，其特征在于，在進(jìn)行所述樹脂封裝之前，沿著所述劃分線，在所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?的所述劃分線上形成凹下部分。
8. —種半導(dǎo)體基板，為了將半導(dǎo)體器件進(jìn)行一次成型，在表面具有第l電極組，在背面具有與外部 電極端子連接的第2電極組，同時(shí)具有多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域，其特征在于， 沿著劃分所述多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域的劃分線，在該線上的所述表面?zhèn)?形成凹下部分。
9. 一種半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面 安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接， 利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述第1電極組位于比從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的 邊緣端的中心點(diǎn)更靠近所述半導(dǎo)體基板中心側(cè)時(shí)， 這樣形成表面?zhèn)?，使得在從所述半?dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的所述半 導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c所述半導(dǎo)體元件的側(cè)面寬度平行的區(qū)域中，與從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述第1電極組的區(qū)域表面的面積相比， 從所述第1電極組到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的區(qū)域表面的面積要更大。
10. —種半導(dǎo)體器件，在表面具有第1電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面 安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接， 利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述第1電極組位于比從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的 邊緣端的中心點(diǎn)更靠近所述半導(dǎo)體基板邊緣側(cè)時(shí)，這樣形成表面?zhèn)龋沟迷趶乃霭雽?dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的所述半 導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c所述半導(dǎo)體元件的側(cè)面寬度平行的區(qū)域中，與從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述中心點(diǎn)的區(qū)域表面的面積相比，從所 述中心點(diǎn)到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的區(qū)域表面的面積要更大。
11. 一種半導(dǎo)體器件，在表面具有第l電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面 安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接， 利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述第1電極組位于比從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的 邊緣端的中心點(diǎn)更靠近所述半導(dǎo)體基板中心側(cè)時(shí)， 這樣形成表面?zhèn)龋沟迷趶乃霭雽?dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的所述半 導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c所述半導(dǎo)體元件的側(cè)面近似垂直的方向中，與從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述第1電極組的表面距離相比，從所述 第1電極組到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的表面距離要更長(zhǎng)。
12. —種半導(dǎo)體器件，在表面具有第l電極組同時(shí)在背面具有第2電極組的半導(dǎo)體基板的表面 安裝具有多個(gè)外部連接用電極的半導(dǎo)體元件，將所述半導(dǎo)體元件的外部連接用電極與所述第1電極組進(jìn)行電連接， 利用封裝樹脂覆蓋所述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)鹊恼麄€(gè)區(qū)域， 將多個(gè)外部電極端子與所述第2電極組連接，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基板在所述第1電極組位于比從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的中心點(diǎn)更靠近所述半導(dǎo)體基板邊緣側(cè)時(shí)， 這樣形成表面?zhèn)龋沟迷趶乃霭雽?dǎo)體元件的側(cè)端面到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的所述半 導(dǎo)體基板的表面?zhèn)壬系呐c所述半導(dǎo)體元件的側(cè)面近似垂直的方向中，與從所述半導(dǎo)體元件的側(cè)端面到所述中心點(diǎn)的表面距離相比，從所述中心 點(diǎn)到所述半導(dǎo)體基板的邊緣端的表面距離要更長(zhǎng)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和半導(dǎo)體基板。為了將半導(dǎo)體器件進(jìn)行一次成型，在半導(dǎo)體基板中，在表面具有第1電極組，在背面具有與外部電極端子連接的第2電極組，同時(shí)具有多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203，沿著劃分多個(gè)半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域203的劃分線202，在該劃分線202上的表面?zhèn)刃纬砂枷虏糠?05。
文檔編號(hào)H01L21/48GK101404270SQ20081009271
公開日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月3日
發(fā)明者赤星年隆 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社