專利名稱：：電極連接用粘結(jié)劑及使用該粘結(jié)劑的連接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于例如用于將相互固定的同時使電極彼行電連接的粘結(jié)技術(shù)。
背景技術(shù)：
：以往，例如作為使配線基板的電極與集成電路芯片的電極以電連接的狀態(tài)而固定的手段，例如，使用在絕緣性粘結(jié)劑中分散導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電糊或者將該糊制成薄膜狀的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜，另外，還l頓不含導(dǎo)電粒子的絕緣性粘結(jié)劑等粘結(jié)材料。在l柳這樣的粘結(jié)劑在基板上安裝集成電路芯片時，首先，在鎌和集成電路芯片的電極之間夾持粘結(jié)材料，在該狀態(tài)下，一邊對其加壓，一邊加熱，使樹脂成分固化，或者根據(jù)柳旨的種類，M5i照射紫外線使粘結(jié)劑的樹脂成分固化。fflil該粘結(jié)劑的固化，集成電路芯片被固定在繊上，同時，實現(xiàn)電極間的連接。以往，例如像多芯片模件那樣，在繊上安裝多個裸芯片(集成電路芯片)時，每次安裝集成電路芯片都需要進行檢查，為此，將J^rr:斜為2個階段，即，使粘結(jié)齊拌固化，將集成電路芯片暫時ife^接在繊上的暫時連接工序，以及至最終階段使該半固化狀態(tài)的粘結(jié)劑固化，將集成電路芯片正式連接在基板上的正式,工序。而且，在暫時連接工序的階段，當(dāng)檢成電路芯片的結(jié)果是不良時，進行將該集成電路芯片從基板上卸下，更換成良好的集成電路芯片的作業(yè)(修理作業(yè))。以往的粘結(jié)劑，大致可以分為熱塑性型、熱固性型和紫外線固化型3種，另外，以往的粘結(jié)齊腿可以舉出顯示熱塑性型和熱固性型的中間性質(zhì)的所謂半熱固性型、以及熱固性型與紫外線固4M的復(fù)合型。但是，如果l頓這樣的以往粘結(jié)劑實行電極間的連接，就有如下的問題。艮P，在使用熱塑性型的粘結(jié)劑的情況下，在進行修理時，從基板卸下集成電路芯片的容易性(修理性)是良好的，但進行熱壓時，由于粘結(jié)劑的耐熱性斷氐，因而導(dǎo)通可靠性惡化。另外，在f頓熱固性型的粘結(jié)劑盼瞎況下，導(dǎo)通可靠性良好，但在完全熱固化時，修理性惡化。另一方面，為了確保修理性、在中途停止熱固化的反應(yīng)，必須設(shè)定加熱纟顯度、加熱時間等諸^#，并且每個的設(shè)定^{牛是不同的，因而粘結(jié)劑的處理十分困難。在使用半熱固性型的粘結(jié)劑盼瞎況下，與熱固性型相比，雖然修理性良好，但導(dǎo)通可靠性不充分。另一方面，在^頓紫外線固化型或者復(fù)合型的粘結(jié)劑盼瞎況下，除了壓制裝置以外，還必須引入用于照射紫外線的紫外線照射裝置，而且，該紫外線照射裝置沒有該目的以外的用途，缺乏通用性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決這樣的以往問題而完成的，其目的在于，提供育,確保修理性和導(dǎo)通可靠性兩者，而且富有通用性的電m^接用粘結(jié)劑。為了超'讓述目的而完成的本發(fā)明，是在配置在對置的基板的電極之間的狀態(tài)，通過加壓或者加熱加壓4肚述繊相互固定的同時，{^±^電極彼雌行電連接的絕緣性粘結(jié)劑，其特征是，其中存在熱固化機理不同的數(shù)種粘結(jié)劑成分。在此情況下，含有熱固化機理不同的2種粘結(jié)劑成分也是效果良好的。另外，2種粘結(jié)劑成分的DSC(差示掃描量熱法)發(fā)熱峰的溫度差是2(TC以上也是^^良好的。進而，2種粘結(jié)齊喊分由低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)、鵬是IO(TC以上，戰(zhàn)高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是14(TC以上也是效果良好的。另外，2種粘結(jié)齊喊分中的一種成分由4頓過氧化物的具有自由驟合系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，2種粘結(jié)劑成分中的另一種成分由具有環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，也是效果良好的。本發(fā)明是以在絕緣性粘結(jié)劑中分散導(dǎo)電粒子而構(gòu)成為特征的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)劑。另外，是以將上述的絕緣性粘結(jié)劑形成為薄膜狀而構(gòu)成為特征的絕緣性粘結(jié)薄膜。在此場合，形成由熱固化機理不同的數(shù)種粘結(jié)齊喊分構(gòu)成的,，也是效果良好的。另外，本發(fā)明是以在戰(zhàn)絕緣性粘結(jié)劑薄膜中分散導(dǎo)電粒子而構(gòu)成為特征的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)劑薄膜。另一方面，本發(fā)明是電極的雜方法，其特征是，在對置的繊的電&t間配置內(nèi)部存在數(shù)種熱固化機理不同的粘結(jié)劑成分的絕緣性粘結(jié)劑，在上述數(shù)種粘結(jié)劑成分中的一種成分的80%反應(yīng)^^將絕緣性粘結(jié)齊咖熱加壓，然后在Jd^數(shù)種粘結(jié)齊喊分中的另一種成分的80%反應(yīng)《鵬以上將絕緣性粘結(jié)齊咖熱加壓。此外，本發(fā)明是電極的3^接方法，其特征是，置的的電^間配置內(nèi)部存在數(shù)種熱固化機理不同的粘結(jié)齊喊分的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)劑，在上述數(shù)種粘結(jié)齊喊分中的一種成分的80%反應(yīng)^^將各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)齊咖熱加壓，然后在上述數(shù)種粘結(jié)劑成分中的另一種成分的80%反應(yīng)纟鵬以上將各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)齊咖熱加壓。另外，本發(fā)明是電極的連接方法，其特征是，頓置的繊的電&t間配置內(nèi)，在數(shù)種熱固化機理不同的粘結(jié)齊喊分的絕緣性粘結(jié)薄膜，在上述數(shù)種粘結(jié)齊喊分中的一種成分的80%反應(yīng)》鵬將絕緣性粘結(jié)薄職口熱加壓，然后在J^數(shù)種粘結(jié)劑成分中的另一種成分的80%反應(yīng)溫度以上將絕緣性粘結(jié)薄膜加熱加壓。進而，本發(fā)明是電極的連接方法，其特征是，在對置的,的電^tei司配置內(nèi)在數(shù)種熱固化機理不同的粘結(jié)劑成分的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜，在J^數(shù)種粘結(jié)劑成分中的一種成分的80%反應(yīng)鵬將各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜加熱加壓，然后在，數(shù)種粘結(jié)齊喊分中的另一種成分的80%反應(yīng)^^以上將各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜加熱加壓。在本發(fā)明中，首先，在粘結(jié)劑的低溫側(cè)固化成分的熱固4機行至某一階段的溫度(例如80%反應(yīng)溫度)下一邊加熱一iiit行暫時連接，使彼此形成某種程度的固定，進行導(dǎo)通i^^等檢查。在該狀態(tài)，低溫側(cè)固化成分還沒有完全熱固化，另外，高溫側(cè)固化成分還沒有開始熱固化的反應(yīng)，因此，育,容易地卸下檢查結(jié)果為不良的。使檢查過的繊彼此暫時連接后，只要在高溫側(cè)固化成分發(fā)生熱固化的溫度(例如80%反應(yīng)^^以上的纟鵬)進行正式連接，高溫偵睏化成分就會與低溫側(cè)固化成^"起發(fā)生熱固化，因此繊相互完全固定。像這樣，按照本發(fā)明，育^夠提供確保修理性和導(dǎo)通可靠性兩者的電極連接用粘結(jié)劑。而且，本發(fā)明的粘結(jié)齊」僅通過熱壓接就育^進fi^接，因此，例如不需要引入紫外線照射裝置等特^S，富有通用性。圖1(a)、(b)是表示本發(fā)明的絕緣性粘結(jié)薄膜的最佳實M式的概略構(gòu)成圖。圖2(a)、(b)是表示本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜的概略構(gòu)成圖。圖3(a)(e)是^使用本發(fā)明電^^接用粘結(jié)劑的連接方法的最佳實施方式的過程圖。下面對圖中符號加以簡單說明1A、1B:絕緣性粘接薄膜1C、1D:各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜2:剝離膜10:絕緣性粘結(jié)劑層lla、lib:低溫側(cè)固化成分層12:高溫側(cè)固化成分層13:導(dǎo)電粒子具體實施方式以下，參照附圖詳細地說明本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明的絕緣性粘結(jié)劑是以ssg在對置的皿的電極之間的狀態(tài)，通過加壓或者加熱加壓，用于將基板相互固定的同時，使電極彼itkit行電氣的連接。所述的"繊"，除了所謂的母板或子板等電^以外，還為包括例如集成電路芯片等電子器件的基板。而且，本發(fā)明的絕緣性粘結(jié)劑以其中存在具有2種以上(數(shù)種)的熱固化機理的粘結(jié)劑成分為特征。以下，在本說明書中，首先，以含有熱固化機理不同的2種粘結(jié)劑成分(作為低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分)的情況為例進^i兌明。在本發(fā)明中，鑒于粘結(jié)齊喊分的反應(yīng)性，{頓DSC發(fā)熱峰和80%反應(yīng)溫度來規(guī)定粘結(jié)劑成分的熱固化機理。在此，所謂DSC發(fā)熱峰是指差示掃描量熱測定(DifferentialScanningCalorimetry)，S卩，和試料M^—起測定向放置在己調(diào)節(jié)溫度的電爐中的試料和敏隹物質(zhì)的熱量輸入輸出的差的方法而得至啲鵬。另外，所謂80%反應(yīng)纟破是指在規(guī)定的時間(例如10秒)壓接后，該粘結(jié)劑80%以上反應(yīng)的溫度。以該粘結(jié)劑成射舒斗的初期DSC發(fā)熱峰的測定值作為100%，根據(jù)使該試料固化后的DSC發(fā)熱峰的測定值計算出該80%反應(yīng)溫度。在本發(fā)明的場合，如果考慮到暫時壓接和正式壓接中的反應(yīng)性，低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分的DSC發(fā)熱峰的纟鵬差在20°C以上為宜，該纟鵬差最好是3(TC以上。在此，從確傲呆存穩(wěn)定性和反應(yīng)性的觀點出發(fā)，作為低溫側(cè)固化成分，以DSC發(fā)熱峰是60140。C的粘結(jié)劑為佳，該^^最好是80130°C。另外，從確傲乍業(yè)性和連接可靠性的觀點出發(fā)，作為高溫側(cè)固化成分，以f柳DSC發(fā)熱峰是8017(TC的粘結(jié)齊偽佳，該7鵬最好是100150°C。另一方面，從確保作業(yè)性的觀點出發(fā)，作為低溫側(cè)固化成分，以{頓10秒壓接后的80%反應(yīng)驗是IO(TC以上的粘結(jié)齊偽佳，該鵬最好是ll(TC以上。另外，從確保作業(yè)性和連接可靠性的觀點出發(fā)，作為高溫側(cè)固化成分，以10秒壓接后的80%反應(yīng)纟驢是140。C以上的粘結(jié)劑為佳，該纟驢最好是150°C以上。在本發(fā)明的場合，作為低溫側(cè)固化成分，從反應(yīng)速度和保存穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，合適地可以{頓下述的丙烯酸酯系粘結(jié)劑，該丙烯酸酯粘結(jié)劑具有例如4OT過氧化物的自由基聚合系熱固化機理。另一方面，作為高溫側(cè)固化成分，從確^^接可靠性和反應(yīng)的觀點出發(fā)，飽地可以f柳下述的粘結(jié)劑，該粘結(jié)齊l俱有例如4柳潛在性固化齊啲環(huán)氧系熱固化機理。在此場合，粘結(jié)齊啲配合量，在以低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分的合計量作為100重量份數(shù)時，低溫側(cè)固化成分的配合量在570%重量份數(shù)為宜，該配合量最好是1050重量份數(shù)。如果低溫側(cè)固化粘結(jié)齊啲配合量小于5重量份數(shù)，就不能可靠地保證暫時壓接時的導(dǎo)通，如果大于70%重量份數(shù)，完全固化后的連接可靠倒絵降低。下面，參照本發(fā)明的粘結(jié)薄膜的最佳實施方式。圖1(a)、(b)是表示本發(fā)明的絕緣性粘結(jié)薄膜的最佳實施方式的概略構(gòu)成圖。圖2(a)、(b)是標有關(guān)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜的概略構(gòu)成圖。圖1(a)所示的絕緣性粘結(jié)薄膜1A是，例如在由聚酯樹I瞎構(gòu)成的剝離薄膜2上形成艦具有上述2種熱固化機理的粘結(jié)劑成分的絕緣性粘結(jié)劑層10。在此場合，絕緣性粘結(jié)齊U層10的厚度沒有特另啲限制，但,煩應(yīng)于種種用途的觀點出發(fā)，最好是5100Mm。本實M^式中的絕緣性粘結(jié)薄膜1A，可以按照常規(guī)方法制作。艮P，在規(guī)定的歸忡溶解上述的2種粘結(jié)劑成分，將該粘結(jié)齊嗍涂布在剝離薄膜2上，然后進行干燥，就可以得到。另一方面，在剝離薄膜2上形成低溫側(cè)固化成分層lla、高溫側(cè)固化成分層12、低溫側(cè)固化成分層llb,可以構(gòu)成圖l(b)所示的絕緣性薄膜IB。在此場合，低溫側(cè)固化成分層lla、高溫側(cè)固化成分層12、低溫側(cè)固化成分層iib的厚度沒有特別柳蹄u，ia^確i^i接可靠性的觀點出發(fā)，低溫側(cè)固化成分層lla的厚度最好是250拜，高溫側(cè)固化成分層12的厚度最好是3100Mm，低溫側(cè)固化成分層llb的厚度最好是250Mm。另外，形成低溫側(cè)固化成分層lla、高溫側(cè)固化成分層12、低溫側(cè)固化成分層lib柳醉沒有特別柳蹄ij，但從確保修理性和暫時壓接時的特性的觀點出發(fā)，如圖l(b)所示，最好是利用低溫側(cè)固化成分層lla、llb夾持高溫側(cè)固化成分層12的結(jié)構(gòu)。本實M^式的絕緣性粘結(jié)薄膜1B，可以按照常規(guī)方法制作。即，在各自規(guī)定的蹄忡溶解上述的低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分，然后將這些粘結(jié)劑糊依次地涂布在剝離薄膜2上，再進行千燥，就可以得到。另一方面，圖2(a)所示的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜lC，是在，圖1(a)的絕緣性粘結(jié)薄膜1A的絕緣性粘結(jié)齊喔10中分散導(dǎo)電粒子13。另外，圖2(b)所示的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜1D，是在戰(zhàn)圖1(b)的絕緣性粘結(jié)薄膜1B的低溫側(cè)固化成分層lla、高溫側(cè)固化成分層12、低溫側(cè)固化成分層lib中分散各自的導(dǎo)電粒子13。在此，導(dǎo)電粒子13的配合量沒有特別柳艮制，但從確保導(dǎo)通和絕緣特性的觀點出發(fā)，最好是120體積％。另外，導(dǎo)電粒子13的粒徑也沒有特別柳艮制，但從確保導(dǎo)通可靠性的觀點出發(fā)，最好是l20Mm。本實施方式的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)薄膜1C、1D都可以按照常規(guī)方法制作。即，在規(guī)定的翻忡溶解的上述各粘結(jié)齊喊分中分散導(dǎo)電粒子13，將該粘結(jié)劑涂布在剝離薄膜2上，然后進行千燥就可以得到。圖3(a)圖3(e)是^^OT本發(fā)明的電1S^接用粘結(jié)劑的,方法的最佳實施方式的工藝過程圖。以下，以使用不含導(dǎo)電粒子的絕緣性粘結(jié)的情況為例進行說明。如圖3(a)所示，在電路基阪20的應(yīng)該連接的電極21a上涂布本發(fā)明的絕緣性粘結(jié)劑，在由此形成的絕緣性粘結(jié)薄膜10上載置集成電路芯片30，然后進4，成電路芯片30的定位。然后，f柳絕緣性粘結(jié)薄膜10的纟鵬被調(diào)^^低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)》驢(例如130°C)的壓接頭40例如以3MPa/(cm2.凸點)的壓力，進行10秒作為暫時壓接的l次壓接(暫時連接)(圖3(b))。在該狀態(tài)中，絕緣性粘結(jié)薄膜10的低溫側(cè)固化成分沒有完全熱固化，并且高溫側(cè)固化成分還沒有開始熱固化的反應(yīng)。進行己暫時連接的電極21a、31之間的導(dǎo)通試驗，在其結(jié)果是良好時，如圖3(c)、(d)所示，調(diào)整壓接頭40，使絕緣性粘結(jié)薄膜10的溫度成為高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)驢以上(例如n(TC)，例如以3MPa/(cm人凸點)的壓力，進行10秒作為正式壓接的2次壓接(正式連接)。這樣，絕緣性粘結(jié)薄膜10的低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分進行熱固化，因此繊相互完全固定。此后，如圖3(d)所示，在電路基板20的其他電極21b上，按照上述的禾聘，進行使另夕卜的集成電路芯片30暫時壓接的1次壓接，然后進行規(guī)定的導(dǎo)通i微。如上所述，在該狀態(tài)，絕緣性粘結(jié)薄膜10的低溫側(cè)固化成分沒有完射也熱固化，并且，高溫側(cè)固化成分還沒有開始熱固化的反應(yīng)，因此在導(dǎo)通i微的結(jié)果是不良時，如圖3(e)所示,可以很容易將該不良的集成電路芯片30從電路繊20上卸下。然后，再按照戰(zhàn)相同的禾聘，將另夕卜的集成電路芯片30暫時壓接，在新的導(dǎo)通試驗的結(jié)果是良好時，按照上述的順序進行正式壓接。以下同樣地將集成電路芯片30暫時壓接在電路M20的電極21a、21b上，進行導(dǎo)通試驗，根據(jù)其結(jié)果，一iiiS行適宜的修理，一邊僅將導(dǎo)通i^的結(jié)果是良好的集成電路芯片30正式壓接在電路基板20上。如上所述，采用本實施方式的絕緣性粘結(jié)劑在電路20上安裝集成電路芯片30時，會,確保修理性和導(dǎo)通可靠性兩者。而且，采用本實臟式的絕緣性粘結(jié)劑，可以僅M熱壓接進行連接，因而具有不需要弓l入例如紫外線照射體等的特麟置的優(yōu)點。在上述實施方式中，雖然是以^ffl不含導(dǎo)電粒子的絕緣性粘結(jié)劑的情況為例進行說明，但在4吏用含有導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)劑或者各向異性導(dǎo)電性粘結(jié)齊'J薄膜時，也可以按照相同的禾歸進fi^接。另外，在，的實"式中，雖然是以含有熱固化機理不同的2種粘結(jié)劑成分的情況為例進fiH兌明，但本發(fā)明也適用矜有熱固化機理不同的3種以上的粘結(jié)劑成分。實施例以下，同時詳細地說明本發(fā)明的實施例和比較例。首先，如表1所示，作為實施例和比較例的絕緣性粘結(jié)劑的配合材料，調(diào)制具有自由錢合系熱固化機理的粘結(jié)劑A—1A_3、具有環(huán)氧系熱固化機理的粘結(jié)劑B。鄰結(jié)劑A—1>作為絕緣性粘結(jié)劑樹脂，配合15重量份數(shù)雙酚F型環(huán)氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯(東亞合成公司制，商品名M—208)、作為引發(fā)劑的5重量份數(shù)1，1，3，3—四甲基丁基過氧化一2—甲基己酸酯(1,1,3,3—亍卜，乂于幾:/于A八'一才牛少2乂于^工牛廿氺一卜)(日本油脂公司制，商品名"?！畔ο)。該粘結(jié)劑A—1，DSC發(fā)熱峰是80。C，80X反應(yīng)^g是130。C?！凑辰Y(jié)劑A—2〉作為絕緣性粘結(jié)齊,脂，配合15重量份數(shù)的J^酚F型環(huán)氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯、作為引發(fā)劑的5重量份數(shù)的過氧化苯甲酸叔丁酯(日本油脂公司制，商品名"一7f"^Z)。該粘結(jié)劑A—2，DSC發(fā)熱峰是100。C，80%反應(yīng)溫度是150°(:。<粘結(jié)劑八一3>作為絕緣性粘結(jié)齊附脂，配合15重量份數(shù)的J^X酚F型環(huán)氧乙烷(EO)改性二丙烯酸酯、作為引發(fā)劑的5重量份數(shù)有禾/Ul氧化物(日本油脂公司制，f品'名八°—*-7HB)。該粘結(jié)劑A—3，DSC發(fā)熱峰是120。C，80%反應(yīng)^^是170°"〈粘結(jié)劑B〉作為絕緣性粘結(jié)劑樹脂，配合50重量份數(shù)固形雙酚A型環(huán)氧樹脂(固形環(huán)ftM脂油化)二A公司制，商品名EP1009)、作為潛在性固化劑的50重量份數(shù)咪唑系固化劑(旭化成公司制，商品名HX3941HP)、作為偶合劑的l重量份數(shù)環(huán)氧g(日本二二力一公司制，商品名A187)。該粘結(jié)劑B，DSC發(fā)熱峰是12(TC，80%反應(yīng)，是170°〇。表1粘結(jié)劑的配合材料<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>然后，改變粘結(jié)劑A—1A—3的配合量、粘結(jié)劑B的配合量，制成實施例14的試料、比較例15的i舒斗。實施例1在配合5重量份數(shù)粘結(jié)劑A—1、95重量份數(shù)粘結(jié)劑B的粘結(jié)齊U溶液中，加入15SS份數(shù)導(dǎo)電粒子，并形^ie狀，作為實施例l的i釾斗。實施例2除了配合25重量份數(shù)粘結(jié)劑A—1、75重量份數(shù)粘結(jié)劑B以外，按照與實施例1相同的方法制成實施例2的試料。實施例3除了配合70重量份數(shù)粘結(jié)劑A—1、30重量份數(shù)粘結(jié)劑B以外，按照與實施例1相同的方法制成實施例3的試料。實施例4除了配合25重量份數(shù)粘結(jié)劑A—1、75重量份數(shù)粘結(jié)劑A-2以外，按照與實施例1相同的方法制成實施例4的i舒斗。比較例1除了不配合粘結(jié)劑B、粘結(jié)劑A—1的配合量是100重量份數(shù)以外，按照與實施例1相同的方法制成比較例1的i舒斗。比較例2用與實施例4的i舒斗相同的試料作為比較例2的試料。比較例3除了配合25重量份數(shù)粘結(jié)劑A—1、75重量份數(shù)粘結(jié)劑A-3以外，按照與實施例1相同的方法制成比較例3的i舒斗。比較例4除了不配合粘結(jié)劑A、粘結(jié)劑B的配合量是100重量傷、數(shù)以外，按照與實施例1相同的方法制成比較例4的試料。比較例5用與比較例4的i舒斗相同的試料作為比較例5的試料。<評價方法及評價結(jié)果〉1次壓接后的導(dǎo)通電阻在電S^^上涂布戰(zhàn)i舒斗，使千燥后的厚度成為40拜，將集成電路芯片定位后，對電路和集成電路芯片進行1次壓接(暫時壓接)。在此場合，作為電路M，^ffi在厚度0.7mm的耐熱性玻璃基材環(huán)氧樹月旨包銅疊層板(FR—5)上形成厚度18fjm、寬IOO拜、間距150(jm的銅(Cu)圖案，在其上施力條—^g層的岡勝繊。另一方面，作為集成電路芯片，{頓在外形lOmmxlOmm的繊上形戯卜形20Mmx20Mm、高20拜的凸點電極的集成電路芯片。并且，在凸點電極上施加鍍鎳—金層。17，接的^{牛，對于實施例13和比較例1、2來說，是皿為130°C、壓力為3MPa/(cn^凸點)、時間為10秒。另外，對于實施例4和比較例5來說，是鵬為150°C、壓力為3MPa/(cm2-凸點)、時間為10秒。對于比較例3、4來說，是鵬為170。C、壓力為3MPa/(cm2.凸點)、時間為10秒。在1次壓接后，對所有的電極之間須啶導(dǎo)通電阻，并進4fi平價。導(dǎo)通電阻的i刊介，以不到lOOmH為良好(〇)，以100500mQ為稍微不良(△)，以大于500mQ為不良(x)。其結(jié)^^表2中。修理性將集成電路芯片進纟亍1次壓接的上述電路,在加熱至溫度IO(TC的金屬板上，加熱30秒后，將集成電路芯片剝離，用丙酮鵬電￡^上的實施例和比較例的試料的殘渣。在此場合，修理性的判定，以能夠剝離集成電路芯片、育,全部去除i舒斗的歹^^為良好(〇)，以育,剝離集成電路芯片、但不能飾去除試料的殘渣為稍微不良(△)，以難以剝離集成電路芯片為不良(x)。其結(jié)果^表2中。2^il接后的導(dǎo)通電阻在1次壓接后，在規(guī)定的條件下對實施例和比較例的i舒斗進行2次壓接(正式壓接)。2次壓接的條件，比較例1是溫度為150°C，壓力為3MPa(cm2.凸點)、時間為10秒。對于實施例14和比較例25來說，是鵬為170。C，壓力為3MPaCcm2.凸點)、時間為10秒。在2次壓接后，對所有的電極之間觀啶導(dǎo)通電阻，并謝fi平價。導(dǎo)通電阻的評價，以不到100mQ為良好(〇)，以100500mQ為稍微不良(△)，以大于500m^為不良(x)。其結(jié)果示于表2中。PCT后的導(dǎo)通可靠性裕U^121°C、相贈顯度100%RH、2^h大氣壓的條件下it^亍加壓蒸煮試驗(PressureCookerTest)后，對所有的電tfc間測定導(dǎo)通電阻，并進行i啊介。導(dǎo)通電阻的評價，同上所述，以不到lOOmn為良好(O)，以100500mQ為稍微不良(△)，以大于500mQ為不良(x)。其結(jié)果^表2中。表2實施阿和比較例的刑介結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如表2所示，實施例14都得到修理性和導(dǎo)通可靠性同時良好的結(jié)果。與此相反，僅使用粘結(jié)劑A—1的比較例1，PCT后的導(dǎo)通可靠性不良。另外，1次壓接的纟鵬與粘結(jié)劑A—1的80X反應(yīng)溫度相等的比較例2，因為粘結(jié)劑A—2的固化不充分，所以1次壓接后的導(dǎo)通電阻不良。1次壓接的溫度高到17(TC的比較例3，在1次壓接時粘結(jié)劑A—1及A—3發(fā)生反應(yīng)而固化，因此修理性不良。僅4頓粘結(jié)劑B的比較例4，在1次壓接時粘結(jié)劑B發(fā)生反應(yīng)而固化，因此修理性不良。另一方面，在使用與比較例4相同的材料，斷氏1次壓接時的溫度的比較例5中，粘結(jié)劑B沒有充分固化，l次壓接后的導(dǎo)通電阻不良。如上所述，按照本發(fā)明，能供能確保修理性和導(dǎo)通可靠性兩者、而且富有通用性的電IS^接用粘結(jié)劑。權(quán)利要求1.一種絕緣性粘結(jié)劑，它是用于使基板的電極相互進行電連接的絕緣性粘結(jié)劑，其中，該絕緣性粘結(jié)劑中存在熱固化機理不同的兩種粘結(jié)劑成分，上述兩種粘結(jié)劑成分由低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分由使用過氧化物的具有自由基聚合系熱固化機理的丙烯酸酯系樹脂構(gòu)成，上述高溫側(cè)固化成分由具有使用潛在性固化劑的環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分和上述高溫側(cè)固化成分的DSC發(fā)熱峰的溫度差是20℃以上，上述低溫側(cè)固化成分的80％反應(yīng)溫度是100℃以上，上述高溫側(cè)固化成分的80％反應(yīng)溫度是140℃以上。2.—種絕緣性粘結(jié)劑薄膜，它是具有形成為薄膜狀的絕緣性粘結(jié)劑、用于使基板的電極相互進行電連接的絕緣性粘結(jié)劑薄膜，其中，上述絕緣性粘結(jié)劑中存在熱固化機理不同的兩種粘結(jié)劑成分，上述兩種粘結(jié)劑成分由低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分由使用過氧化物的具有自由基聚合系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述高溫側(cè)固化成分由具有環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分和上述高溫側(cè)固化成分的DSC發(fā)熱峰的溫度差是20。C以上，上述低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是IO(TC以上，上述高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是14(TC以上。3.權(quán)利要求2所述的絕緣性粘結(jié)劑薄膜，其中，上述低溫側(cè)固化成分由使用過氧化物的具有自由基聚合系熱固化機理的丙烯酸酯系樹脂構(gòu)成，上述高溫側(cè)固化成分由具有使用潛在性固化劑的環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成。4.權(quán)利要求2所述的絕緣性粘結(jié)劑薄膜，其中，形成由熱固化機理不同的數(shù)種粘結(jié)劑成分構(gòu)成的數(shù)層。5.—種基板的電極的連接方法，其中，在對置的基板的電極之間，配置絕緣性粘結(jié)劑，上述絕緣性粘結(jié)劑中存在熱固化機理不同的兩種粘結(jié)劑成分，上述兩種粘結(jié)劑成分由低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分由使用過氧化物的具有自由基聚合系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述高溫側(cè)固化成分由具有環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分和上述高溫側(cè)固化成分的DSC發(fā)熱峰的溫度差是2(TC以上，上述低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是IO(TC以上，上述高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是14CTC以上，以上述兩種粘結(jié)劑成分中的低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度對絕緣性粘結(jié)劑加熱加壓，之后，以上述兩種粘結(jié)劑成分中的高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度以上對絕緣性粘結(jié)劑加熱加壓。6.—種基板的電極的連接方法，其中，在對置的基板的電極之間，配置具有形成為薄膜狀的絕緣性粘結(jié)劑薄膜，上述絕緣性粘結(jié)劑中存在熱固化機理不同的兩種粘結(jié)劑成分，上述兩種粘結(jié)劑成分由低溫側(cè)固化成分和高溫側(cè)固化成分構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分由使用過氧化物的具有自由基聚合系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述高溫側(cè)周化成分由具有環(huán)氧系熱固化機理的樹脂構(gòu)成，上述低溫側(cè)固化成分和上述高溫側(cè)固化成分的DSC發(fā)熱峰的溫度差是2(TC以上，上述低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是IO(TC以上，上述高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度是14(TC以上，以上述兩種粘結(jié)劑成分中的低溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度對上述絕緣性粘結(jié)劑薄膜加熱加壓，之后，以上述兩種粘結(jié)劑成分中的高溫側(cè)固化成分的80%反應(yīng)溫度以上對上述絕緣性粘結(jié)劑薄膜加熱加壓。全文摘要提供了能確保修理性和導(dǎo)通可靠性的絕緣性粘結(jié)劑或者粘結(jié)薄膜，同時提供了它們的連接方法。使用將具有自由基聚合系熱固化機理的低溫固化粘結(jié)劑和具有環(huán)氧系熱固化機理的高溫固化粘結(jié)劑混合而成的絕緣性粘結(jié)劑10，在低溫固化粘結(jié)劑的80％反應(yīng)溫度下將集成電路芯片30一次壓接(暫時壓接)在電路基板20上。此后，在高溫固化粘結(jié)劑的80％反應(yīng)溫度以上將集成電路芯片30二次壓接(正式壓接)在電路基板20上。文檔編號H01L21/56GK101250386SQ20081009009公開日2008年8月27日申請日期2001年3月6日優(yōu)先權(quán)日2000年3月7日發(fā)明者山田幸男,石松朋之,高松修,齊藤雅男申請人:索尼化學(xué)株式會社