專(zhuān)利名稱(chēng)：用于紫外探測(cè)的有機(jī)-無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的制備方法。
背景技術(shù)：
早在20世紀(jì)50年代，人們就開(kāi)始了對(duì)紫外探測(cè)技術(shù)的研究。紫外探測(cè)技 術(shù)是繼紅外和激光探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。僅就 軍用方面，譬如光電對(duì)抗而言，繼紅外對(duì)抗和反對(duì)抗技術(shù)的日趨成熟，紫外對(duì) 抗和反對(duì)抗技術(shù)也越來(lái)越受到軍方的重視。20世紀(jì)80年代后期國(guó)外已開(kāi)始紫外 技術(shù)的軍用研究，并已取得一定的進(jìn)展。美海軍C-130S直升機(jī)和P-3S運(yùn)輸機(jī)上 就有世界上第一臺(tái)紫外線(xiàn)告警器AAR-47。不久就有上千套分別裝備于美、英、 加、澳等國(guó)的飛機(jī)，1991年在海灣戰(zhàn)爭(zhēng)中曾投人實(shí)戰(zhàn)。紫外探測(cè)技術(shù)在醫(yī)學(xué)、 生物學(xué)方面也有著廣泛的應(yīng)用，特別是近兒年在皮膚病診斷方面有著獨(dú)特的應(yīng) 用效果。利用紫外探測(cè)技術(shù)在檢測(cè)診斷皮膚病時(shí)可直接看到病變細(xì)節(jié)。也可用 它來(lái)檢測(cè)癌細(xì)胞、微生物、血色素、紅血球、白血球、細(xì)胞核等，這種檢測(cè)不 但迅速、準(zhǔn)確，而且直觀、清楚。
根據(jù)紫外探測(cè)過(guò)程的機(jī)理，紫外探測(cè)器可分為熱探測(cè)器和光子探測(cè)器。其 中光子探測(cè)器又分為光發(fā)射探測(cè)器，光伏探測(cè)器和光導(dǎo)探測(cè)器。光發(fā)射探測(cè)器 的原理是當(dāng)輻射照射在某些金屬、金屬氧化物或半導(dǎo)體材料表面時(shí)，若該光 子能量足夠大，則足以使材料內(nèi)一些電子完全脫離材料從表面逸出。這種現(xiàn)象 叫做光電子發(fā)射，利用這種效應(yīng)制成的探測(cè)器就是光電子發(fā)射探測(cè)器。光伏探 測(cè)器的原理是對(duì)p-n結(jié)或p-i-n結(jié)加上反向偏壓，則當(dāng)結(jié)區(qū)吸收能量足夠大的 光子后，反向電流就會(huì)增加。這種情況類(lèi)似于光電導(dǎo)現(xiàn)象。這類(lèi)光伏探測(cè)器通 常叫做半導(dǎo)體光電二極管。光導(dǎo)探測(cè)器的原理是半導(dǎo)體吸收能量足夠大的光 子后，會(huì)把其中的一些電子或空穴從原來(lái)不導(dǎo)電的束縛狀態(tài)激活到能導(dǎo)電的自 由狀態(tài)，從而使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加，這種現(xiàn)象叫做光電導(dǎo)效應(yīng)。根據(jù)光電導(dǎo)效 應(yīng)探測(cè)輻射的器件稱(chēng)為光電導(dǎo)(PC)探測(cè)器。目前這種器件品種最多，應(yīng)用最廣。 中國(guó)專(zhuān)利CN1684275A敘述了一種鎳鎂氧化物日盲區(qū)紫外探測(cè)器的制備方法。美 國(guó)專(zhuān)禾JUS6326654敘述了一種無(wú)機(jī)、無(wú)機(jī)復(fù)合型的紫外探測(cè)器。J. Yamaura等人 制得了一種基于無(wú)機(jī)基底的有機(jī)紫外探測(cè)器。
本發(fā)明通過(guò)一種簡(jiǎn)單的方法制得的無(wú)機(jī)一有機(jī)有序復(fù)合紫外探測(cè)器，可以 充分利用有序化的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料陣列響應(yīng)快、穩(wěn)定性好以及傳輸快等優(yōu)點(diǎn)，以及有機(jī)材料價(jià)格低廉、結(jié)構(gòu)易調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，有效地節(jié)約成本，使性能更加優(yōu)越。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的制備 方法。
包括如下步驟
1) 純度為95~99.8%的高純金屬片或沉積有95 99.8%的高純金屬的基底依 次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗漆1 20分鐘后，用去離子水漂洗并烘干，再對(duì) 其進(jìn)行化學(xué)拋光，獲得基底電極；
2) 以鉑片作為陰極，基底電極作為陽(yáng)極，在電解液中，對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行氧化， 電壓為2 30伏，時(shí)間為5 120分鐘，用去離子水沖洗后，置于180 68(TC空氣 或氧氣環(huán)境中熱處理3-9小時(shí)后自然降溫，取出，獲得管狀金屬氧化物陣列；
3) 在管狀金屬氧化物陣列上涂覆一層厚度為2nm 200nm的有機(jī)層；
4) 在有機(jī)層上涂覆一層厚度為2 60nm的電極層。
所述高純金屬片為鈦、鋅、鎳、鎂、鋁或錫?；诪槠胀úＡА?dǎo)電玻璃、 硅片或高分子樹(shù)脂，高純金屬采用真空蒸鍍或磁控濺射方法沉積在基底上，厚 度為ljim ~ 100nm。電解液是硫酸、醋酸、鹽酸、磷酸、氟化鉀水溶液、氟化 鈉水溶液、硫酸氫鈉水溶液中的一種或幾種的混合物，電解液pH值為1~6.5。 管狀金屬氧化物陣列的管長(zhǎng)為0.02^im 10^im、管徑為10nm 120nm。有機(jī)層 為三苯胺、烷基取代三苯胺、苯腙、萘苯腙、四苯基聯(lián)苯胺、烷基取代四苯基 聯(lián)苯胺、聚乙烯基咔唑、聯(lián)吡啶、吡唑啉、聚苯撐乙烯或烷基取代聚苯撐乙烯。 電極層為金、銀、鋁、鎂、鈣、鉑或碳膠。有機(jī)層的涂覆方法為溶液旋涂、浸 涂或真空蒸鍍。電極層的涂覆方法為磁控濺射、真空蒸鍍或刷涂。
本發(fā)明通過(guò)無(wú)機(jī)材料和有機(jī)材料的協(xié)同效應(yīng)，并利用有序化的無(wú)機(jī)材料陣 列，制得了性能優(yōu)于單組分材料以及普通有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合材料的紫外探測(cè)器。其 工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，在成本增加有限的情況下大幅度提高了性能。


圖1是本發(fā)明的用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的結(jié)構(gòu)示意圖； 自上而下依次由電極層，有機(jī)層，管狀金屬氧化物陣列和基底組成；
圖2是管狀金屬氧化物陣列的掃描電鏡圖片；這種多孔結(jié)構(gòu)有利于有機(jī)小 分子的滲入，從而增大無(wú)機(jī)、有機(jī)材料之間的接觸面積，使更多光生電子-空穴 對(duì)分離,增強(qiáng)光響應(yīng)；
圖3是本發(fā)明的用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的紫外吸收譜圖；從譜圖中可以看出，該探測(cè)器對(duì)280~420nm的光有很強(qiáng)的吸收，表明其在 紫外區(qū)探測(cè)的特點(diǎn)；
圖4是本發(fā)明的用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件在紫外光輻照下 亮態(tài)和暗態(tài)時(shí)的I-V曲線(xiàn)。2V時(shí)光/暗電流之比可達(dá)400。電流的增強(qiáng)來(lái)源于管 狀金屬氧化物陣列和有機(jī)薄膜之間大的接觸面積以及載流子在管狀陣列中的快 速傳輸。
具體實(shí)施例方式
通過(guò)如下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳述 實(shí)施例1:
高純鋅片(純度95%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌10分鐘后，用去 離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pl^6.5的硫酸水溶 液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鋅片作為陽(yáng)極，兩極間的距離 恒定，氧化電壓為30V。反應(yīng)進(jìn)行120分鐘后取出部分氧化的鋅片，用去離子水 沖洗干凈，置于馬富爐中，38(TC空氣環(huán)境中保溫9小時(shí)后自然降溫，獲得管狀 '氧化鋅陣列，在上述陣列上真空蒸鍍200nm的三苯胺薄膜，最后在三苯胺薄膜上 磁控濺射一層60nm厚的金電極。
實(shí)施例2:
高純鎂片(純度99.8°/。)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌20分鐘后，用 去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-l的醋酸水溶 液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鎂片作為陽(yáng)極，兩極間的距離 恒定，氧化電壓為2V。反應(yīng)進(jìn)行5分鐘后取出部分氧化的鎂片，用去離子水沖洗 干凈，置于馬富'爐中，68(TC氧氣環(huán)境中保溫3小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化 鎂陣列，在上述陣列上真空蒸鍍2nm的聯(lián)吡啶薄膜，最后在聯(lián)吡啶薄膜上磁控濺 射一層20nm厚的銀電極。
實(shí)施例3:
高純鈦片(純度99.8%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌l分鐘后，用 去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-3的鹽酸為電 解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鈦片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定， 氧化電壓為10V。反應(yīng)進(jìn)行15分鐘后取出部分氧化的鈦片，用去離子水沖洗干凈， 置于馬富爐中，28(TC氧氣環(huán)境中保溫4小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鈦陣列， 在上述陣列上旋涂20nm的聚乙烯基咔唑薄膜，最后在聚乙烯基咔唑薄膜上真空 蒸鍍一層20nm厚的鋁電極。實(shí)施例4:
高純鎳片(純度96%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌5分鐘后，用去
離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-4的鹽酸為電解
液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鎳片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定，氧
化電壓為20V。反應(yīng)進(jìn)行10分鐘后取出部分氧化的鎳片，用去離子水沖洗千凈， 置于馬富爐中，48(TC氧氣環(huán)境中保溫6小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鎳陣列， 在上述陣列上真空蒸鍍100nm的苯腙薄膜，最后在苯腙薄膜上磁控濺射一層 40nm厚的鎂電極。 實(shí)施例5:
高純鋁片(純度97%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌15分鐘后，用去 離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH二3.3的氟化鉀水 溶液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，錫片作為陽(yáng)極，兩極間的距 離恒定，氧化電壓為25V。反應(yīng)進(jìn)行70分鐘后取出部分氧化的鎳片，用去離子水 沖洗干凈，置于馬富爐中，50(TC氧氣環(huán)境中保溫5.6小時(shí)后自然降溫，獲得管狀 氧化錫陣列，在上述陣列上浸涂73nm的四苯基聯(lián)苯胺薄膜，最后在四苯基聯(lián)苯 胺薄膜上磁控濺射一層15nm厚的鈣電極。
實(shí)施例6:
高純錫片(純度99.8%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌6分鐘后，用 去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-4.8的氟化鉀、 醋酸混合水溶液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，錫片作為陽(yáng)極， 兩極間的距離恒定，氧化電壓為25V。反應(yīng)進(jìn)行70分鐘后取出部分氧化的鎳片， 用去離子水沖洗干凈，置于馬富爐中，30(TC空氣環(huán)境中保溫8.8小時(shí)后自然降溫， 獲得管狀氧化錫陣列，在上述陣列上溶液旋涂47nm的聚苯撐乙烯薄膜，最后在 聚苯撐乙烯薄膜上真空蒸鍍一層15nm厚的鉑電極。
實(shí)施例7:
真空蒸鍍有高純鈦的玻璃基底依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌3分鐘后， 用去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以 11=5.2的氟化 鉀、醋酸、硫酸、鹽酸混合水溶液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極， 沉積有高純鈦的玻璃作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定，氧化電壓為18V。反應(yīng)進(jìn)行 55分鐘后取出，用去離子水沖洗干凈，置于馬富爐中，57(TC空氣環(huán)境中保溫7.2 小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鈦陣列，在上述陣列上溶液旋涂155nm的吡唑啉 薄膜，最后在吡唑啉薄膜上刷涂一層28nm厚的碳膠電極。實(shí)施例8:真空蒸鍍有99.8%高純鎂的導(dǎo)電玻璃基底依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗 滌13分鐘后，用去離子水漂洗并供干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以 pl^2的磷酸水溶液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，沉積有高純鎂 的導(dǎo)電玻璃作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定，氧化電壓為15V。反應(yīng)進(jìn)行30分鐘后 取出，用去離子水沖洗干凈，置于馬富爐中，480。C氧氣環(huán)境中保溫3小時(shí)后自 然降溫，獲得管狀氧化鎂陣列，在上述陣列上真空蒸鍍2nm的4,4-聯(lián)苯二胺薄膜， 最后在4,4-聯(lián)苯二胺薄膜上磁控濺射一層60nm厚的金電極。實(shí)施例9:真空蒸鍍有95%高純鋅的硅片依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌18分鐘后， 用去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pHM.5的氟化 鈉、醋酸、硫酸、鹽酸混合水溶液為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極， 沉積有高純鋅的硅片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定，氧化電壓為12V。反應(yīng)進(jìn)行 5分鐘后取出，用去離子水沖洗千凈，置于馬富爐中，38(TC空氣環(huán)境中保溫9小 時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鋅陣列，在上述陣列上真空蒸鍍200nm的萘苯腙薄 膜，最后在萘苯腙薄膜上磁控濺射一層20nm厚的銀電極。實(shí)施例10:磁控濺射有99.8%高純鈦的高分子樹(shù)脂依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌 8分鐘后，用去離子水漂洗并烘千，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-5 的磷酸、醋酸、氟化鈉、硫酸氫鈉為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極， 沉積有高純鈦的高分子樹(shù)脂作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定，氧化電壓為10V。反 應(yīng)進(jìn)行25分鐘后取出，用去離子水沖洗干凈，置于馬富爐中，18(TC氧氣環(huán)境中 保溫4.5小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鈦陣列，在上述陣列上真空蒸鍍20nm的 4，4，，4"-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺薄膜，最后在4,4，,4"-三-(3-甲基苯基苯胺基) 三苯胺薄膜上真空蒸鍍一層30nm厚的金電極。實(shí)施例11:高純鈦片(純度99.8%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌10分鐘后，用 去離子水漂洗并烘千，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-2.3的鹽酸，氟 化鉀為電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鈦片作為陽(yáng)極，兩極間的距 離恒定，氧化電壓為24V。反應(yīng)進(jìn)行35分鐘后取出部分氧化的鈦片，用去離子水 沖洗干凈，置于馬富爐中，38(TC氧氣環(huán)境中保溫4小時(shí)后自然降溫，獲得管狀 氧化鈦陣列，在上述陣列上旋涂20nm的烷基取代聚苯撐乙烯薄膜，最后在烷基取代聚苯撐乙烯薄膜上真空蒸鍍一層20nm厚的鋁電極。 實(shí)施例12:高純鎳片(純度99.8%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌9分鐘后，用 去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pH-4.3的磷酸為 電解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鎳片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定， 氧化電壓為17V。反應(yīng)進(jìn)行8分鐘后取出部分氧化的鎳片，用去離子水沖洗干凈， 置于馬富爐中，36(TC氧氣環(huán)境中保溫6小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鎳陣列， 在上述陣列上真空蒸鍍100nm的垸基取代四苯基聯(lián)苯胺薄膜，最后在烷基取代四 苯基聯(lián)苯胺薄膜上磁控濺射一層40nm厚的鎂電極。實(shí)施例13:高純鎳片(純度96%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌19分鐘后，用去 離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pHM.3的磷酸為電 解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鎳片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定， 氧化電壓為17V。反應(yīng)進(jìn)行8分鐘后取出部分氧化的鎳片，用去離子水沖洗干凈， 置于馬富爐中，36(TC氧氣環(huán)境中保溫6小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鎳陣列， 在上述陣列上真空蒸鍍lOOnm的N,N'-二苯基-N,N，-雙-(l-萘基-l,l，-聯(lián)苯)-4,4'-二 胺薄膜，最后在N,N，-二苯基-N,N，-雙-(l-萘基-l,l，-聯(lián)苯)-4,4，-二胺薄膜上磁控濺 射一層40nm厚的鎂電極。實(shí)施例14:高純鎂片(純度98%)依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌10分鐘后，用去 離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光。陽(yáng)極氧化過(guò)程以pl^4.3的磷酸為電 解液，采用二電極體系，鉑片作為陰極，鎳片作為陽(yáng)極，兩極間的距離恒定， 氧化電壓為17V。反應(yīng)進(jìn)行8分鐘后取出部分氧化的鎳片，用去離子水沖洗干凈， 置于馬富爐中，36(TC氧氣環(huán)境中保溫6小時(shí)后自然降溫，獲得管狀氧化鎳陣列， 在上述陣列上真空蒸鍍lOOnm的N,N，-二苯基-N,N，-雙-(3-甲基苯基)-l,l，-聯(lián)苯 -4,4，-二胺薄膜，最后在]^^-二苯基-1^，1^-雙-(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4，4'-二胺薄 膜上磁控濺射一層40nm厚的鎂電極。
權(quán)利要求
1.一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)-無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的制備方法，其特征在于包括如下步驟1)純度為95～99.8％的高純金屬片或沉積有95～99.8％的高純金屬的基底依次用丙酮、異丙醇、甲醇超聲洗滌1～20分鐘后，用去離子水漂洗并烘干，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)拋光，獲得基底電極；2)以鉑片作為陰極，基底電極作為陽(yáng)極，在電解液中，對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行氧化，電壓為2～30伏，時(shí)間為5～120分鐘，用去離子水沖洗后，置于180～680℃空氣或氧氣環(huán)境中熱處理3-9小時(shí)后自然降溫，取出，獲得管狀金屬氧化物陣列；3)在管狀金屬氧化物陣列上涂覆一層厚度為2nm～200nm的有機(jī)層；4)在有機(jī)層上涂覆一層厚度為2～60nm的電極層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于所述高純金屬片為鈦、鋅、鎳、鎂、鋁或錫。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于所述的基底為普通玻璃、導(dǎo)電玻璃、硅片或高分子樹(shù)脂， 高純金屬采用真空蒸鍍或磁控濺射方法沉積在基底上，厚度為lpm 100|im。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于所述的電解液是硫酸、醋酸、鹽酸、磷酸、氟化鉀水溶 液、氟化鈉水溶液、硫酸氫鈉水溶液中的一種或幾種的混合物，電解液pH值為 1~6.5。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于所述的管狀金屬氧化物陣列的管長(zhǎng)為0.02iam 10iam、管 徑為10nm 120nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于所述的有機(jī)層為三苯胺、垸基取代三苯胺、苯腙、萘苯 腙、四苯基聯(lián)苯胺、烷基取代四苯基聯(lián)苯胺、聚乙烯基咔唑、聯(lián)吡啶、吡唑啉、 聚苯撐乙烯或垸基取代聚苯撐乙烯。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于電極層為金、銀、鋁、鎂、鈣、鉑或碳膠。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于有機(jī)層的涂覆方法為溶液旋涂、浸涂或真空蒸鍍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外探測(cè)的有機(jī)一無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的 制備方法，其特征在于電極層的涂覆方法為磁控濺射、真空蒸鍍或刷涂。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了用于紫外探測(cè)的有機(jī)-無(wú)機(jī)有序復(fù)合器件的制備方法。首先采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化的方法將高純金屬基片或沉積在基底上的高純金屬部分氧化，獲得管狀金屬氧化物陣列，然后依次涂有機(jī)層和電極層。通過(guò)合適的工藝控制管狀金屬氧化物陣列的長(zhǎng)度以及有機(jī)層與電極層厚度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)有機(jī)、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的組合，充分綜合了有機(jī)材料價(jià)格低廉、結(jié)構(gòu)易調(diào)、可大面積制作，以及無(wú)機(jī)材料穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)利用陣列化的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料，提高響應(yīng)度，其工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L51/48GK101246952SQ200810059558
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者剛 吳, 茫 汪, 陳紅征, 韓延剛 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)