專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，屬于有機電致發(fā)光技術領域。
技術背景有機電致發(fā)光器件(有機發(fā)光二極管，Organic Light-emitting diodes,簡 稱OLEDs)作為一種新型的、下一代平板顯示技術及光源，兼具主動發(fā)光、寬視 角、全彩色、可彎曲、高效率、低功耗、低成本等許多優(yōu)點，符合信息時代移動 通信和信息顯示的發(fā)展趨勢對顯示技術的要求，其廣闊的應用前景及近年來在材 料和器件的突破性進展使之成為目前和未來極有競爭力的新型平板顯示技術與 照明技術之一。1987年，美國柯達(Kodak)公司發(fā)表了以胺類衍生物為空穴傳輸層，以8-羥基喹啉鋁(Alq3)薄膜為發(fā)光層的雙層結構0LEDs，器件電致發(fā)光外部量子效 率約為1%。 (C. W. Tang and S. A. VanSlyke， Appl. Phys. Lett. 51， 913 (1987))。近二十年，Alq3是有機電致發(fā)光技術領域應用最廣泛的發(fā)光材料和電子傳輸 材料，但是由于Alq3薄膜的熒光效率不高(約為32%)，現(xiàn)有技術以Alq3為發(fā)光 材料的器件其電致發(fā)光外部量子效率不高(小于2%)。2002年，Ma等人發(fā)表了以Alq3和胺類衍生物(NPB)的混合薄膜為發(fā)光層 的0LEDs，將器件電致發(fā)光外部量子效率從0.63%提高到0.96%。 (D. G. Ma, C. S. Ue, S. T. Lee, L S. Himg， Applied Physics Letters, Vol. 80， pp. 3641， (2002))。2005年，F(xiàn)ukuno等人發(fā)表了以Alq3和2， 9-二甲基-4, 7-二苯基-1， 10-二氮 雜菲(BCP)的混合薄膜為發(fā)光層的OLEDs，將器件電致發(fā)光的外部量子效率從約 1. 1%提高至lj約1. 3%。 (K. Fukuno, T. 0sasa， Y. Iwasaki， A. Kimura, M. Matsumura ， Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 44, pp. 6245 (2005))。2006年，Chen等人發(fā)表并公開了以Alq3和4,4' -二 (咔唑-9-基)-聯(lián)苯 (CBP)的混合薄膜為發(fā)光層的0LEDs，將器件電致發(fā)光的外部量子效率從約 1.0%提高到約1.4%。
(B, J. Chen， X. W. Sun' K. R. Sa雇，Applied Physics Letters, Vol. 88, pp. 243505 (2006)和已公開的中國專利申請申請?zhí)?200710019921.2，公開號CN101030624A)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是改善現(xiàn)有技術以Alq3為發(fā)光材料的器件其電致發(fā)光效率外 部量子效率不高的問題，進一步提高器件電致發(fā)光外部量子效率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所述的有機電致發(fā)光器件由依次設置的基底(1)、 底電極(2)、載流子傳輸層(3)、發(fā)光層(4)、載流子傳輸層(5)、上電極(6) 構成，其特征是所述的發(fā)光層(4)由發(fā)光材料8-羥基喹啉鋁(Alq3)摻雜的 9， 10-二萘基蒽(ADN)構成。發(fā)光層(4)中發(fā)光材料Alq3的摻雜質量百分比濃度為0. 1% - 90%。發(fā)光層(4)的厚度為1 nm - 1000 nm。發(fā)光層(4)由真空熱(共)蒸發(fā)鍍膜方法制備。基底(1)可以由金屬材料或無機非金屬材料或有機高分子材料構成，可以 由單一材料構成，也可以由復合材料(兩種或多種材料摻雜或互混)構成，主要 用于起支撐作用底電極(2)可以由金屬材料或無機非金屬材料或有機高分子材料構成，可 以是單層，也可以是多層，各層可以由單一材料構成，也可以由復合材料(兩種 或多種材料摻雜或互混)構成，主要用于載流子注入和接觸電極。載流子傳輸層(3)可以由金屬材料或無機非金屬材料或有機高分子材料構 成，可以是單層，也可以是多層(實現(xiàn)載流子注入、傳輸、阻擋功能)，各層可 以由單一材料構成，也可以由復合材料(兩種或多種材料摻雜或互混)構成，主 要用于注入或傳輸或阻擋載流子。載流子傳輸層(5)可以由金屬材料或無機非金屬材料或有機高分子材料構 成，可以是單層，也可以是多層(實現(xiàn)載流子注入、傳輸、阻擋功能)，各層可 以由單一材料構成，也可以由復合材料(兩種或多種材料摻雜或互混)構成，主要用于注入或傳輸或阻擋載流子。上電極(6)可以由金屬材料或無機非金屬材料或有機高分子材料構成，可 以是單層，也可以是多層，各層可以由單一材料構成，也可以由復合材料(兩種 或多種材料摻雜或互混)構成，主要用于載流子注入和接觸電極。載流子傳輸層(3)、發(fā)光層(4)、載流子傳輸層(5)，可以是由相同材料構 成，也可以是由不同材料構成。底電極(2)和上電極(6)可以是由相同材料構成，也可以是由不同材料構成。


圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。圖1中，本發(fā)明有機電致發(fā) 光器件由基底(1)、底電極(2)、載流子傳輸層(3)、發(fā)光層(4)、載流子傳輸 層(5)、上電極(6)構成，其特征是發(fā)光層(4)由發(fā)光材料8-羥基喹啉鋁(AlQ3) 摻雜的9， 10-二萘基蒽(ADN)構成。圖2是Alq3分子結構示意圖。圖3是ADN分子結構示意圖。
具體實施方式
首先在表面覆蓋有銦錫氧化物(IT0)底電極的玻璃基底上利用真空熱蒸發(fā) 鍍膜的方法制備厚度為60 nm的胺類衍生物(NPB)薄膜作為空穴傳輸層，然后 在其上利用真空熱(共)蒸發(fā)鍍膜的方法制備厚度為60 nm的8-羥基喹啉鋁(Alq3) 摻雜的9,10-二萘基蒽(ADN)薄膜作為發(fā)光層，再利用真空熱蒸發(fā)鍍膜的方法 制備厚度為1.5 mn的CS2C03薄膜作為電子注入層，最后利用真空熱蒸發(fā)鍍膜的 方法制備厚度為100 nm的Al薄膜作為上電極，器件結構為ITO/NPB (60 nm) / Alq3: ADN (60 nm) /Cs^ft (1.5 run) /Al (100 nm)。對比現(xiàn)有技術器件(器件 結構為ITO/NPB (60 nm) / Alq3 (60 nm) /Cs2C03 (1.5 nm) /Al (100 nm)，發(fā) 光層為AlQ3薄膜，上述本發(fā)明實例器件的電致發(fā)光外部量子效率有顯著的提高， 如表1所示。本發(fā)明的要點是發(fā)光層4由發(fā)光材料8-羥基喹啉鋁(Alq3)摻雜的9， IO-二萘基蒽(ADN)構成。除此以外，所述的基底l、底電極2、載流子傳輸層3、載 流子傳輸層5、上電極6的材料和制備方法還可以釆用現(xiàn)有的各種材料和方法， 并不受本實施例所述的材料和制備方法所限制。表1各種有機電致發(fā)光器件的電致發(fā)光外部量子效率比較有機電致發(fā)光器件最大電致發(fā)光外部量子效率本發(fā)明器件l (Alq3摻雜濃度為1 %)2. 2%本發(fā)明器件2 (Alq3摻雜濃度為3 %)2. 3%本發(fā)明器件3 (Alq3摻雜濃度為5 %)2. 4%本發(fā)明器件4 (Alq3摻雜濃度為10%)2. 7%本發(fā)明器件5 (Alq3摻雜濃度為20%)2. 5%本發(fā)明器件6 (Alq3摻雜濃度為50 %)1. 7%現(xiàn)有技術器件1. 2%
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，該器件由依次設置的基底(1)、底電極(2)、載流子傳輸層(3)、發(fā)光層(4)、載流子傳輸層(5)、上電極(6)構成，其特征是所述的有機材料發(fā)光層(4)由發(fā)光材料8-羥基喹啉鋁(Alq3)摻雜的9，10-二萘基蒽(ADN)構成。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述的發(fā)光層中 發(fā)光材料Alqs的摻雜質量百分比濃度為O. 1% - 90%。
3. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述的發(fā)光層厚 度為1 nm - 1000 nm。
4. 根據(jù)權利要求1所述的有機電致命發(fā)光器件，其特征是所述的發(fā)光層 采用真空熱(共)蒸發(fā)鍍膜方法制備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，該器件由基底(1)、底電極(2)、載流子傳輸層(3)、發(fā)光層(4)、載流子傳輸層(5)、上電極(6)構成，其特征是有機材料發(fā)光層(4)由發(fā)光材料8-羥基喹啉鋁(Alq₃)摻雜的9，10-二萘基蒽(ADN)構成。本發(fā)明公開的器件比現(xiàn)有技術器件具有更高的電致發(fā)光外部量子效率。
文檔編號H01L51/50GK101217186SQ20081002595
公開日2008年7月9日 申請日期2008年1月21日 優(yōu)先權日2008年1月21日
發(fā)明者翔 周, 爽 李, 袁永波, 連加榮 申請人:中山大學