專利名稱：：剝離方法及半導(dǎo)體器件的制造方法剝離方法及半^MI件的制造方法本申請是申請?zhí)枮?2143458.1、申請日為2002年8月9日、發(fā)明名稱為"剝離方法及半*器件的制造方法"的發(fā)明專利申請的分案申請。本發(fā)明涉及一種剝離層的剝離方法，特別涉及一種#^有多種元素的剝離層的剝離方法。j^t，本^發(fā)明涉^^一種包含，薄膜晶體管(下文稱作TFT)組成的電路的半*器件，通過將分離的剝離層粘到基片樹薄膜晶體管，并涉及半科器件的制造方法。例如，本發(fā)明涉狄電器件例如液晶組件、狄器件例如EL組件以及含有這種器^H乍為其內(nèi)元件的電^S殳備。在本說明書中，術(shù)語半"!^器件包括總體上能夠利用半^f襯i^作用的任何器件，光電器件、B器件、半導(dǎo)體電路并且電子設(shè)備都包括在半*器件中。
背景技術(shù)：
：姊，4頓形錄具有會衫綠面的基片上的半科薄膜(厚度約;i^幾百nm)的薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成的技術(shù)已受到關(guān)注。薄膜晶體管廣泛i也應(yīng)用于例如IC、光電器件的電子器件。特別是非常需要開^I于圖像顯示裝置的開關(guān)元件。在這種圖像顯示裝置的多種預(yù)期應(yīng)用中，首M,用于移動裝置的應(yīng)用已受到關(guān)注。目前，雖然在許多情況中使用了玻璃基片、石炎基片等，但它們存在易于破裂和太重的缺陷。jH^卜，就^M^ti產(chǎn)而言，玻璃基片、石M片等是困難的并且不適宜擴大。因此，J脈已嘗試4躺柔性的基片，例如在柔性塑料MJi形成TFT元件。然而，由于塑料膜的熱阻低，因j)t^求低的最高工藝溫度，由此，目前，不可能形成具有與形^J皮璃基片上的TFT—才^尤良的電掙l"生的^f可TFT。因此，采用塑料膜的液晶顯示裝置和;^t件i^殳有實現(xiàn)。jtW卜，現(xiàn)已提出借助隔離層/;j斤述的基片上將存在于基片上的剝離層的剝離方法。例如，在日本未經(jīng)審查專利公開No.10-125929和日本未經(jīng)審查專利公開No.10-125931中介紹的技術(shù)為形成非晶硅(或多晶硅)的隔離層，通過用〗IOt^照射基片#^在非晶硅中的1#^出，由此形成間隙用于分離基片。j)^卜，在日本^i至審查專利公開No.lO-125930中還^h紹了利用該技術(shù)，通過將剝離層(在說明書中，稱做4輛多層)粘貼到塑料層完成液晶顯示裝置。然而，借助以上介紹的方法，鉢上是^躺高半透明度的基片。為了使能量傳送:片并提供足夠的能量#^出含在非晶硅中的氫，需要照射較大強度的激a,因而發(fā)生剝離層受損的問題。而且，在以上介紹的方法中，當(dāng)元件形錄隔離層上時，如^元件制備工藝中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，那么含在隔離層中的氫會擴散并減少。由此，即使^照射在隔離層上，樣在不能充^ifrf'j離的可能性。因此，為了##含在隔離層中的氫量，出現(xiàn)形成隔離層#的工藝受限制的問題。jtl^卜，在以上介紹的說明書中，介紹了為了防止剝離層受損，形成M綠或幼層。此時，3M侏制備透細(xì)液晶顯示裝置。而且，通過以上介紹的方法，4W,剝離具有較大面積的剝離層。
發(fā)明內(nèi)容考慮到以上介紹的問題，完成了本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提^"~種不會損傷剝離層的剝離方法，并且允許不僅能夠分離具有較小表面積的剝離層，而且能夠分離具有較^4面積的剝離層整個表面。j)t^卜，本發(fā)明的目的在于提^""種剝離方法，其中形成剝離層時不錄片的類型等限制。jH^卜，本發(fā)明的目的在于提^""種通過將剝離層粘到多種基片上的輕型半導(dǎo)體器件，及其制備方法，具體地，本發(fā)明的目的在于提^"種通過將^4t元件例如TFT[薄膜^r^及管、包括硅的PIN結(jié)的光電轉(zhuǎn)換元件(太陽能電池、傳感器等)以及硅電阻元件]粘到柔性薄膜上的輕型半^^器件及其制備方法。本發(fā)明的發(fā)明人已進(jìn)fri午多實驗并重復(fù)研究，發(fā)現(xiàn)以下內(nèi)容。即，當(dāng)?shù)谝徊牧蠈有蝆fe基片上，第^^才料層與第一材料層相鄰形成，進(jìn)一步在第^4才料層上或者對于第J^才料層進(jìn)行膜形誠500。C以Ji^500。C進(jìn)行熱處理時,根據(jù)測量各膜的內(nèi)部應(yīng)力，第一材料層具有拉伸應(yīng)力，第J^才料層具有壓縮應(yīng)力。第一材料層和第二材料層的層結(jié)構(gòu)沒有發(fā)生例如工藝中膜剝離(剝離)等異常，然而通過物理方式，例如口才/^成力，例^ifiiA手剝離可以容易:l脈第J^t料層的層內(nèi)或界面很好地分離層結(jié)構(gòu)。即，第一材料層和第^^才料層的結(jié)合力強到足以承受熱能，另一方面，夢u^剝離之前，具有拉伸應(yīng)力的第一材料層和具有壓縮應(yīng)力的第二4才料層之間具有應(yīng)力應(yīng)變，因》b5寸機械能弱并且容易分離。本發(fā)明A^現(xiàn)了剝離現(xiàn)象和膜的內(nèi)應(yīng)力之間的密切關(guān)系。利用膜的內(nèi)應(yīng)力進(jìn)4亍分離的剝離步驟稱估t虔力剝離工藝。涉4本說明書中公開的剝離方法的本發(fā)明的構(gòu)成(constitution)1為一種從基片將剝離層剝離掉的剝離方法。期衫球于方法包括以下步驟形成剝離層，剝離層由基片上具有拉伸應(yīng)力的第一材料層和具有壓縮應(yīng)力并至少與其上支承第一材料層的基片上的第一材料層相鄰的第二4才料層組成，然后通過物理方^第^#料層的層內(nèi)或界面從支承第一材料層的基片上將剝離層剝離。在以上介紹的構(gòu)成l中，上述第一材料層的特征在于該層的拉伸應(yīng)力的范圍為l到lx1010(Dyne/cm2)。如^#料的拉伸應(yīng)力在以上范圍內(nèi)，上迷第一材料層不必特別限定，可以^J]金屬材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir禾口Pt等)、半^##料(例如，Si，Ge等)、絕纟4#料以及有^#料的^封可一種的單層或它們的疊層。順便提及，拉伸應(yīng)力高于1x101Q(Dyne/cm2)的膜在熱處理時容易導(dǎo)致剝離。jtW卜，在以上介紹的構(gòu)成l中，上述的第二4才料層的特征在于該層的壓縮應(yīng)力在-l到-lx1010(Dyne/cm2)的范圍內(nèi)。如^f才料的壓縮應(yīng)力在以上范圍內(nèi)，上述第j^才料層不必特另U限定，可以^^]金屬材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半^#料(例如，Si，Ge等)、絕纟^才料以及有才/U才料的4封可一種的單層或它們的疊層。順便提及，壓縮應(yīng)力高于-1x101Q(Dyne/cm2)的膜在熱處理時容易導(dǎo)致剝離。jt"卜，對于第一材料層，如^#料在剝離前直#^有拉伸應(yīng)力那么就可以使用該材料，即使它在形成之后立即顯示出壓縮應(yīng)力。涉A^^說明書中公開的剝離方法的本發(fā)明的構(gòu)成2為，一種/堪片上將剝離層剝離的剝離方法。^#44于方法包括以下步驟形成剝離層，剝離層由基片上的第一材料層以及具有壓縮應(yīng)力并至少與其上支承第一材料層的基片上的第一材料層相鄰的第二材料層組成，然后通過物理方式在第^r^才料層的層內(nèi)或界面從支承第一材料層的基片上將剝離層剝離。在以上介紹的構(gòu)成2中，上述第一材料層的特征在于該層的拉伸應(yīng)力的范圍為1到lx1010(Dyne/cm2)。在以上介紹的構(gòu)成2中，在剝離之前進(jìn)行熱處理或^it^照射處理。jtl^卜，同樣在以上介紹的構(gòu)成2中，上述的第二浙料層的特征在于該層的壓縮應(yīng)力在-1到-lx1010(Dyne/cm2)的范圍內(nèi)。jtb^卜，用#^劑粘結(jié)支撐#^進(jìn)行剝離。涉4本說明書中公開的剝離方法的本發(fā)明的構(gòu)成3為，一種/堪片將剝離層剝離的剝離方法。^NN4于形成剝離層，剝離層由基片上具有拉伸應(yīng)力的第一材料層和具有壓縮應(yīng)力并至少與其上支承第一材料層的基片上的第一材料層相鄰的第^4才料層組成，將支撐體粘結(jié)到剝離層，然后通過物理方#第^#料層的層內(nèi)或界面，從支承第一材料層的基片上##結(jié)到支撐體的剝離層剝離。當(dāng)將在剝離前就具有拉伸應(yīng)力的材料用估錄一材料層時，即使它在形成^立即顯示出壓縮應(yīng)力，涉Xi^^說明書中公開的剝離方法的本發(fā)明的構(gòu)成4為，一種/堪片上將剝離層剝離的剝離方法。^4衫i^于&^舌以下步驟形成剝離層，剝離層由基片上的第一材料層以及具有壓縮應(yīng)力并至少與其上支承第一材料層的基片上的第一材料層相鄰的第J^才料層組成，將支撐體粘到剝離層，然后通過物理方#第_^才料層的層內(nèi)或界面從支承第一材料層的基片上將剝離層剝離。jH^卜，在上述的構(gòu)成3和上述的構(gòu)成4中，為了在粘結(jié)到上述的支撐^^前^ii剝離，可以進(jìn)行熱處理或^Ut束的照射處理。在這種情況下，選#^及抝11^束的材^H乍為第一材料層，可以加熱第一材料層以改刻莫的內(nèi)應(yīng)力以便容易剝離。然而，在^J^H^的情況下，4頓半透明基片。jH^卜，在各構(gòu)成中，另一層例如絕緣層、金屬層等可以形成^t基片和第一材料層之間以提高粘附強度。然而，為了筒化工藝，仂Cit形成第一材料層與基片接觸。在本說明書中，術(shù)語物理方式是指作為物理而不是化學(xué)的方式，更Jlr^地，動力方式是指包括能夠歸因于動力學(xué)規(guī)則的過禾liU/a^式，并表示轉(zhuǎn)4射封可動能(積械能)的方式。順便提及，在以上介紹的構(gòu)成3和4的4^f可一個中，當(dāng)通過物理方式剝離時，需^ft^一才才一牛層和第J^4才津+層的結(jié)合力j氐于與支撐體的結(jié)合力。jt"卜，在以上介紹的本發(fā)明中，可以^/l]各種基片，不限于具有半透明性的基片，例如，可以采用玻璃基片、石絲片、半^M^基片、陶'緣片和金屬基片，并可以剝離形^ft基片上的剝離層。itl^卜，使用以上介紹的本發(fā)明的剝離方法，通過將形^^基片上的剝離層粘結(jié)(傳送)到傳送體上制造半*器件^:可能的，涉及半*器件的制造方法的本發(fā)明的構(gòu)成為，該方法包括以下步驟在基片上形成具有拉伸應(yīng)力的笫一材料層，在第一材料層上形成具有壓縮應(yīng)力的第二材料層，在第二浙料層上形成彰彖層，在絕緣層上形成元件，將支撐體粘結(jié)^iL件上，接著通過物理方W第J^才料層的層內(nèi)或界面，,堪片上將支撐體剝離，以及^辨送體粘結(jié)到澎象層或第二材料層并將元件夾在支撐糾口傳送狀間。在將剝離前就具有拉伸應(yīng)力的材料用^tf一材料層的情況下，即使它在形成之后立即顯示出壓縮應(yīng)力，涉;5^^說明書中公開的半#器件的制造方法的本發(fā)明的構(gòu)成為，半#器件的制^法包括以下步驟在基片上形成第一材料層，在所述第一材料層上形成具有壓縮應(yīng)力的第^^才料層，在所述第^^f才料層上形成絕緣層，在所必色緣層上形^L件，將支撐體粘結(jié)在所iM/f牛上，接著通過物理方式在所述第二材料層的層內(nèi)或界面，^y^斤錄片上剝離掉所述支撐體，以及將傳送體粘結(jié)到所iii色緣層或所述第^^^料層并將所i^L件夾在所述支撐^^所述傳送粘'司。jtl^卜，為了M剝離，可以在第一材料層上形成澤辯立形氧化物，形^顆粒形氧^4勿的第二浙料層以便容易剝離。在以上介紹的構(gòu)成中，為了^ii剝離，在粘結(jié)上述的支撐^^1K進(jìn)行熱處理或激M照射的處理。在這種情況下，選4^及蹈IL^束的材^H乍為第一材料層并加熱第一材料層以改變膜的內(nèi)應(yīng)力以侵容易剝離。然而，在^^tit束的情況下，4頓半透明基片。jtb^卜，通過^J]以上介紹的本發(fā)明的剝離方法，在剝離^，可以將在基片上形成的剝離層粘結(jié)到第^t送體和第二傳送體以制造半"^器件。jtb^卜，在涉及以上介紹的半^^器^^造方法的上述各構(gòu)成中，上述元件是具有半"^y^ft為有源層的薄膜晶體管，通過熱處理或^it^照射處理晶^^有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層以晶化并形成具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半"!M^層，進(jìn)行形成半^^層的上述步驟。在本說明書中，術(shù)語"傳送體"是指將剝離層剝離4粘結(jié)到剝離層的材料，它不必特別地限定，可以是〗封可成分的基底，例如塑料、玻璃、金屬、陶資等。jtbit,在本說明書中，術(shù)語"支撐體，可以是輛過物理方式剝離Ni皮粘結(jié)到剝離層的材料。它不必特別地限定，可以是^f封可成分的M，例如塑料、玻璃、金屬、陶資等。jH^卜，傳送體的形狀和支撐體的形狀不必特別地限定，可以是為平面、曲面、能夠彎曲的、或膜狀形狀。如果，節(jié)約重量最優(yōu)先考慮，優(yōu)選為膜狀的塑料基片，例如，彩十^甲酸乙二酯(PET)、^M砜(PES)、聚^i曱酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酉旨(PC)、尼龍、^i!Sii酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚(PEI)、聚芳基^^4勿(PAR)、f^寸仁甲酸丁二酉旨(PBT)等。在以上介紹的涉及以上半^器件的制造方法的各構(gòu)成中，當(dāng)制備液晶顯示器件時，支撐體用作反襯底(countersubstrate)，利用密封才村ff乍粘結(jié)劑將支撐體粘結(jié)到剝離層。此時，形成在上述剝離層上的元件具有像素電極，液晶^像素電才及禾口上iiA電才及之間。jtk^卜，在涉及以上介紹的半*器^^妙法的以上介紹的各構(gòu)成中，制造發(fā)錄置例如EL狄器件時，伊Ci^頓密封材^Ht為支撐體，以防止^ii有才/U匕^4勿層退化的物質(zhì)如水份、氧等夕h"^物質(zhì)滲透的方式，將發(fā)^L件完全與夕一卩隔離。如果優(yōu)先考慮重量輕，那么仂Ci^ft^l膜形的塑料基片，然而，由于塑料防止力口速有才;Mt^4勿層退化的物質(zhì)如外界7jc份、氧的物質(zhì)滲透的爻t^很差，因此可以在支撐體上形成笫一絕纟M、第二^^I莫和第三纟&^M，以便有^i也防jU/口速有才/Mt^4勿層退化的物質(zhì)例如外界的7K分、氧的滲入。然而，將夾在上述第一《^彖膜(P到當(dāng)膜)和上述第三鄉(xiāng)&4M(陶當(dāng)膜)之間的上述第二慰刻莫(應(yīng)力緩沖膜)制成它的膜的應(yīng)力小于上述第一纟^刻莫和第三絕緣膜的膜的應(yīng)力。制備發(fā)錄置例如EL發(fā)光器件時，不^^"于支撐體，而，十于傳送體，仂述類^"也形成第一絕纟、第二纟^4M和笫三纟fe^漢，以充分地防ibi卩速有4M給物層退化的物質(zhì)如夕M卩的水《沐^;參透。在本說明書中，膜的內(nèi)應(yīng)力意味著，考慮形^_基片上的膜內(nèi)部的任意##1面，4械面"H則的4j封M4面積的力影響另"^f則。因此可以il^t過真空蒸發(fā)、賊射和汽相淀積形成的薄膜中不可i^^M^多或少地產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。該值趙U最大10/m2。根據(jù)薄膜的材料、基片的物質(zhì)、以&蓴膜的形成^^牛內(nèi)應(yīng)力值變化。熱處理也改變內(nèi)應(yīng)力值。Al^卜，具有通過相對于物質(zhì)表面垂直地分布的單^4滅表面積對對方有影響的力在4立伸方向^M乍用的狀態(tài)，稱^Ui伸狀態(tài)，此時的內(nèi)部應(yīng)力稱做拉伸應(yīng)力，力在推擠方向中起作用的狀態(tài)，稱^^b于壓縮狀態(tài)，此時的內(nèi)部應(yīng)力稱做壓縮應(yīng)力。順便提及,在本說明書中當(dāng)#^在圖中或表示^4中時，拉伸應(yīng)力標(biāo)為正(+)，壓縮應(yīng)力標(biāo)為負(fù)(-)。^^]氮^4太作為第一材料層，氧^^圭作為第J^杉牛層，形成第J^才料層時接觸第一材料層。為了確認(rèn)形錄第^^才料層上的剝離層是否育^^片剝離，進(jìn)行以下實-驗。首先，在基片上形成圖3A所示的疊層結(jié)構(gòu)。對于基片30,4頓玻璃基片(#1737)?！?amp;卜，在基片30上，通過賄法形^!"度300ran的4^硅^r層31。通過'減射法形^f度100nm的氮^l;t^32。通過效謝法形成^^度200nm的氧^^圭層33。氧^/圭罷33的膜形成^f牛為^^)RF型效謝裝置和氧^/圭耙(直徑，30.5cm),在150。C的基片溫度，0.4Pa的膜形離力，3kW的膜形成功率，氬的'》tt/氧的^ii二35sccm/15sccm。F艇，通過等離子體CVD法在氧^^g33上形^A^絕緣層。對于獻(xiàn)絕緣層，通過等離子體CVD法在300°C的膜形成溫度下形成厚度50ran由原材料氣體S線、NH3和N2。制備的氮氧^^爐34a(組分比Si二32。/。，0=27%,N=24%和H47y。)。之后，用臭氧水清;樣面之后，用稀釋的氫氟酸(1/100,希釋)除去表面上的氧化膜。接著，通過等離子體CVD法在300。C的膜形成溫度下其Ji^疊形成100nm厚由原材料氣體S線和N20制備的氮氧^^M34b(組分比Si=32%，0=59%,N=7°/(^H=2%),jtW卜，通過等離子體CVD法在300。C的溫度^^]S線的膜形成氣^不暴露空氣下形成具有非晶結(jié)構(gòu)和厚度54nm的半導(dǎo)體層(此時為非晶硅層35)(圖3A疊層結(jié)構(gòu)的形成)。接下來，用旋涂器涂敷含重量10ppm鎳的乙酸銜容液。代替涂敷法，可以使用通過濺射在整個表面上散布4I^L素的方法。隨后，通iii^f亍熱處理用于晶化形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半^^膜(此時為多晶/抜36)(圖3B結(jié)晶化(熱處理))。這里，ii4亍用于脫氫的熱處理(500°C，1小時)之后，進(jìn)行用于晶化的熱處理(550°C,4小時)得到具有晶體結(jié)構(gòu)的石娥。順便提及，此時，4頓鎳作為金屬元素用于^ii硅晶化的晶^t支術(shù)，但是也可以^J^其它的/i^口晶^^支術(shù)，例如固相生長法或^L^晶4b法。卩能，^^環(huán)Wt脂作為4封妄層37，月tt片38(此時為^^^曱酸乙二酯(PET))被粘貼在多晶石拔36上(圖3C麟片38的粘貼)。得到圖3C所示的狀態(tài)^，用人手#片38和基片30,以便將它們相互襯。在已剝離的基片30中，發(fā)5M少氮^4財口鋁-硅^^^f呆留。才財居該實驗，推測剝離勝在氧^^圭33的層內(nèi)或界面。如上所述，通過形成與第一材料層相鄰的第二浙料層并剝離形成在笫二材料層上的剝離層，可以/媒片30的整個表面上將剝離層剝離。圖3D示出基片30的剝離。(實驗2)M，當(dāng)^J]TiN、W、WN、Ta和TaN作為第一材料層時，形成第>^#料層(氧^^圭M/f"度，200nm)，同時接觸第一材料層，為了證實形成在第二4才料層上的剝離層是否f&媒片剝離，進(jìn)行以下實驗。作為樣品l,通iti謝法^i皮璃基片上形成^l度100nm的TiN,之后，形成200nm月錄的氧^^娥。形成氧4t^E^，類似于實驗1進(jìn)行疊置和晶化。作為樣品2，通過';5!謝法^^i皮璃基片上形^W50nm的W，#，形成200nmM^的氧^^娥。形成氧"f^W^，類似于實驗l進(jìn)行疊置和晶化。對于樣品3，通過效謝法^i皮璃基片上形^U錄50nm的WN^，形成200nm的氧^^莫。形成IU^W^，刻以于實驗l進(jìn)行疊置和晶化。對于樣品4，通過效謝法^i皮璃基片上形^1^50nm的TiN^,形成200nmTO的氧^^婦莫。形成氧^^婦莫"^，類似于實驗l進(jìn)行疊置和晶化。對于樣品5,通過濺射法^i皮璃基片上形^錄50nm的Ta^，形成200nm月錄的氧^^娥。形成勤WM^，類似于實驗l進(jìn)行疊置和晶化。對于樣品6,通it^謝法^^i皮璃基片上形^l莫厚50nm的TaN之后,形成200nm的氧^5爐。形成氧^^i^^，刻以于實驗l進(jìn)行疊置和晶化。在以上面介紹的方式中形成樣品1~6，通過將粘結(jié)帶粘貼到每個剝離層進(jìn)行實驗以確認(rèn)是否可能剝離。結(jié)果顯示^4l中。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>5Ta(50nm)氧她(200nm)未剝離樣品6TaN(50nm)氧似圭(200nm)未剝離jtb^卜，測量熱處理(55(TC，4小時)之前和^r的氧4^圭膜、TiN膜、W膜和Ta膜每個上的內(nèi)應(yīng)力。結(jié)絲示絲2中。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>順便提及，測量通過淚謝法^^圭基片上形成的400nm膜厚的氧^^娥，對于TiN膜、W膜和Ta膜，^i皮璃基片上形成的400nm麟的^^,測量內(nèi)應(yīng)力，然后疊置氧^^M作為帽^^f^行熱處理之后，除去帽蓋膜，并再次測量內(nèi)應(yīng)力。jtb^卜，每個才f。制備2件進(jìn)行測量。對于W膜，雖然形^fe后立即具有了壓縮應(yīng)力(約-7xl09(Dyne/cm2))，通過熱處SM具有了拉伸應(yīng)力(約8xl()9-9x109(Dyne/cm2))，并且剝離狀態(tài)優(yōu)良。對于TiN膜，熱處理之前牙n^r應(yīng)力幾乎沒有改變，膜具有拉伸應(yīng)力(約3.9xlOM.5x109(Dyne/cm2)),變4W艮小。然而，當(dāng)月M為50nm或更薄時，剝離較差。對于Ta膜，雖然形^莫之后立即具有了拉伸應(yīng)力(約5.1xl09-9.2x109(Dyne/cm2)),通過熱處J劃莫具有了壓縮應(yīng)力(約-2x109~-7.8x109(Dyne/cm2)),通過帶測試，沒有剝離。itb^卜，對于氧^^婦莫，熱處理之前R后應(yīng)力幾乎沒改變，膜具有壓縮應(yīng)力(約-9.4乂109~-1.3乂109(Dyne/cm2))，變4W艮小。,Ail些結(jié)果中，剝離現(xiàn)象與粘附性有關(guān)i^夬于多種因素，J"^地，主要與內(nèi)應(yīng)力有關(guān)，使用熱處理^r具有壓縮應(yīng)力的第^^^才料層和具有拉伸應(yīng)力的第一材料層，發(fā)M^基片的整個表面中將剝離層剝離。Jt。卜，通過熱處魏^U謝處理改變應(yīng)力時，伏選佳月與熱處理或^^謝處理之前相J^立伸力的值增加的材^Ht為第一材料層。圖1A到1C示出了實施例1;圖2A到2C示出了實施例2;圖3A到3D示出了實驗；圖4A到4C示出了實施例3;圖5A到5C示出了實施例4;圖6A到6D示出了有源矩陣基片的制造步驟；圖7A到7C示出了有源矩陣基片的制造步驟；圖8示出了有源矩陣基片；圖9A到9D示出了例2;圖10A到10E示出了例3;圖11示出了例4;圖12示出了例5;圖BA到13D示出了例6;圖14A到14C示出了例7;圖15A和15B示出了例8;圖16示出了例8;圖17示出了例9;圖18A到18F示出了電子設(shè)備的例子；圖19A到19C示出了電子i殳備的例子。下面介^紹本發(fā)明的各實施例。實施例1下面，參考圖1簡^h紹本發(fā)明典型的剝離過程，其中圖1A為剝離基片10之前的視圖，圖1B為剝離基片10步驟的視圖，圖1C為剝離后狀態(tài)的視圖。在圖1A中，參考數(shù)字10表示基片，ll表示具有拉伸應(yīng)力的第一材料層，12表示具有壓縮應(yīng)力的第二材料層，13表示剝離層。在圖1A中，基片10可以為石絲片、陶f^片等。jtMh也可以^f錢石錄片、^r屬基片或不4^ltt片。首先，如圖1A所示，第一材料層11形il^基片10上。第一材料層11具有拉伸應(yīng)力，甚至形之后立即具有壓縮應(yīng)力，對于層，嫂月通過熱處理m秀謝處理在剝離層形成中不會產(chǎn)生異常例如剝離并且剝離層形成^具有1到1x1010(Dyne/cm2)范圍內(nèi)拉伸應(yīng)力的材料很重要。典型的例子為選自W、WN、TiN、Tils的元素作為^^材^h^含有以Jiit素作為主要成分的^^4勿的單層和它們的疊層結(jié)構(gòu)。接下來，第二材料層12形^第一材料層11上。對于第^r^才料層12，4頓通過熱處理或激^^照射處理在剝離層形成中不會產(chǎn)生異常例如剝離并且剝離層形成^具有1到1xl01G(Dyne/cm2)范圍內(nèi)拉伸應(yīng)力的材料很重要。典型的例子為氧^^圭、氮氧^f沐金屬氧^4勿材料的單層和它們的疊層結(jié)構(gòu)。第J^才料層12,可以通過4封可膜形成法形成，例如效謝法、等離子體CVD法、涂敷法等。在本發(fā)明中，重要的是^^>=^才料層12具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層11具有拉伸應(yīng)力。各膜的厚度適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在lm到1000nm的范圍內(nèi)，以調(diào)節(jié)第一材料層11中的內(nèi)應(yīng)力和第二4才料層12中的內(nèi)應(yīng)力。jH^卜進(jìn)行熱處理或〗IUt^照射處理以調(diào)節(jié)第一材料層11中的內(nèi)應(yīng)力和第二4杉+層12中的內(nèi)應(yīng)力。》W卜，在圖l中，雖然為了筒化工藝，示出了形成與基片104財矣的笫一材料層ll的"HS列子，將變?yōu)榫彌_層的^^彖層或金屬層也可以形^_基片IO和第一材料層ll之間，以增強與基片10的粘附性。隨后，在第二4才料層12上形成剝離層13(圖1A)。剝離層13可以是含有多種元件例如TFT(薄膜_^及管、具有硅的PIN結(jié)的光電轉(zhuǎn)4奐元件以;Sj圭電FiUt件)的層。可以進(jìn)行基片10能夠承受范圍的熱處理。^^發(fā)明中，即^^>^#料層12的內(nèi)應(yīng)力與第一材料層11的內(nèi)應(yīng)力&t匕不同，通*剝離層13的形成步驟中的熱處理中不會M膜剝離。卩能，用物理方式剝離掉形絲第一材料層ll的基片10(圖1B)。由于第>^#料層12具有拉伸應(yīng)力和第一材料層11具-有壓縮應(yīng)力，因此用4交小的力就可以進(jìn)4tf'j離。此時，顯示了假設(shè)剝離層13有足夠的對M成強度的"HM列子，當(dāng)剝離層13的積械強度不夠時，優(yōu)選剝離層粘貼到將剝離層13固定的支撐體(未示出)"^進(jìn)糊離。以此方式，形絲第^^才料層12上的剝離層13與基片10甜。剝離^的狀態(tài)顯示在圖1C中。jtb^卜，剝離U，剝離掉的物體，即剝離層13粘貼在傳送體(未示出)上本發(fā)明適用于多種半*器件的制備方法。特別是，^/1]塑料基片作為傳送#支撐體，重量棘。當(dāng)制備液晶顯示裝置時，支撐體作為錄片(countersubstrate)，密封材泮辨為粘結(jié)劑將支撐體粘貼到剝離層。此時，形tt剝離層中的元件具有像素電極，液晶材津軸#在<象素電才及和以_1^目對的電才及之間。jtb^卜，制備液晶顯示器件的工藝順序不必特另'J限定，可以下面的方式進(jìn)行粘貼^J^片作為支撐體并且^7v液晶■^，將基片剝離并粘貼塑料基片作為傳送體，或形成像素電極^，剝離基片，然后粘貼塑料基片作為第"Mt送R后，接著粘貼反基片作為第二傳送體。制備發(fā)錄置例如EL發(fā)光器件時，伊Ci^f頓密封材^H乍為支撐體，將發(fā)脫件完全與夕陶斷開，以防iU/口速有才/M^4勿層退化的夕h^卩物質(zhì)例如水斜口li;參透。jtb^卜，制備發(fā)錄置例如EL發(fā)光器件時，不僅伊Ci^錢支撐體而且伊Ci^f錢傳送體，以便能夠充分地防止加速有才/M^4勿層退化的夕h^物質(zhì)例如水斜口l^參透。制備液晶顯示裝置的工藝順序不必特另'〗限定，可以下面方式進(jìn)行形政^L件^，粘貼作為支撐體的塑料基片，將基片剝離。然后，粘貼作為傳il體的塑^j"基片，或形MitiL件^，剝離基片，然后粘貼塑料基片作為第^#送體，接著粘貼反基片作為第二傳送體。實施例2對于本實施例，將參考圖2筒單M4苗述剝離掉基片同時在形成與剝離B財妻的基底^^彖層^，防止雜質(zhì)由第一材料層和基片擴散的剝離過程，其中，圖2A為剝離基片20之前的視圖，圖2B為基片20剝離的視圖，圖2C為剝離后狀態(tài)的視圖。在圖2A中，參考數(shù)字20表示基片，21表示具有拉伸應(yīng)力的第一材料層，22表示具有壓縮應(yīng)力的第二材料層，23a和23b各^M^^^彖層，24表示剝離層。在圖2A中，基片20可以為玻璃基片、石M片、陶'緣片等?！穞^卜，可以^JI]石i4片、^4基片或不##1^片。首先，如圖2A所示，第一材料層21形成在基片20上。第一材料層21在膜形^后立即具有壓縮應(yīng)力或拉伸應(yīng)力，對于層，^^通過熱處理或^t^謝處理在剝離層形成中不會產(chǎn)生異常例如剝離并且剝離層形成^具有1到1xl01G(Dyne/cm2)范圍內(nèi)拉伸應(yīng)力的材料很重要。典型的例子為選自W、WN、TiN、Tils的元素作為^r材fl^含有以JiiL素作為主要成分的^^4勿材料的單層和它們的疊層結(jié)構(gòu)。接下來，第二浙料層22形成在第一材料層21上。對于第^#料層2,佳月通過熱處理或激it^照射處理在剝離層形成中不會產(chǎn)生異常例如剝離并且剝離層形成^具有1到1xl01Q(Dyne/cm2)范圍內(nèi)壓縮應(yīng)力的材料很重要。第^=4才料層22的典型例子為氧"f^^圭、氮氧^封口金屬氧^4勿材料以及它們的疊層結(jié)構(gòu)。第二材料層22，可以通iif封可膜形成法形成，例如i謝法、等離子體CVD法、涂敷錄在本發(fā)明中，重要的是^f>^#料層22具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層21具有拉伸應(yīng)力。各膜的厚度適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在lnm到lOOOnm的范圍內(nèi)，以調(diào)節(jié)第一材料層21中的內(nèi)應(yīng)力和第^^杉牛層22中的內(nèi)應(yīng)力。jtl^卜，進(jìn)行熱處理或^tit^照射處理以調(diào)節(jié)第一材料層21中的內(nèi)應(yīng)力和第^t才料層22中的內(nèi)應(yīng)力。jtl^卜，在圖2中，雖然為了簡化工藝，示出了形成與基片204財妾的第一材料層21的""HM列子，將變?yōu)榫彌_層的鄉(xiāng)衫彖層或金屬層也可以形^^基片20和第一材料層21之間，以增強與基片20的粘附性。F能，在第^^^才料層22上形^4底絕緣層23a和23b。此時，通過等離子體CVD法在400"的膜形成溫度下^J^原材料氣體SiH4、NH3和NzO形^f度50nm(伏選10到200nm)的氮氧^^皿23a(組分比Si=32%，027%，N=24°/4。H=17%),接著，通過等離子體CVD法在40(TC的膜形成溫度下^^原材料氣體S線和N20疊置形成lOOnm厚(優(yōu)選50到200nm)的氮氧^^il莫23b(組分比Si=32%,0=59%,N=7°/4。H=2%)。^^必特別限定這些層，可以^JI]單層結(jié)構(gòu)或具有三層或更多層的疊層結(jié)構(gòu)。隨后，剝離層24形成在J^i^彖層23b上(圖2A)。對于這種兩層M鄉(xiāng)^彖層23a、23b結(jié)構(gòu)，在形成剝離層24的工藝中，可以防止雜質(zhì)由第一材料層21、第二射料層22和基片20擴散。jH^卜，由于基底鄉(xiāng)^彖層23a、23b可以增強第二材料層22和剝離層24之間的粘附性。jt"卜，當(dāng)?shù)谝徊牧蠈?1或第^^H"料層22的表面*14造時，形tt^絕緣層之前或之后應(yīng)平坦4汰面。通過平坦化剝離層24的M變得更好，形成含有元件的剝離層24時，由于元件的特性變得容易穩(wěn)定，因jtb^it。順便提及，對于平坦化處理，可以<躺通過形成涂|爐(抗蝕劑膜等)然后可以采用腐蝕、化學(xué)才/L^fe光法(CMP法)等的用于平坦化的深腐蝕(etchingback)法。Fte，通過物理方式剝離掉其上提供有第一材料層21的基片20(圖2B)。由于第二射料層22具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層21具有拉伸應(yīng)力，因此可以較小的力進(jìn)4f^離。jtM卜，雖然示出了假設(shè)剝離層24有足夠才M戒強度的一^H列子，然而當(dāng)剝離層24的枳片成強度不夠時，伊逃粘貼固定剝離層24的支撐體(^示)^進(jìn)糊離。以此方式，形^^M鄉(xiāng)^彖層22上的剝離層24可以與基片20分離。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖2C中。然而，剝離之后，剝離層24粘貼在傳送體(未顯示)上。本發(fā)明適用于多種半科器件的制備方法。特別是，<躺塑料基片作為傳送糾口支撐體時，重量很輕。當(dāng)制備液晶顯示裝置時，支撐體作為錄片，密封材津辨為粘結(jié)劑將支撐體粘貼到剝離層。此時，形a剝離層中的元件具有像素電極，液晶材并+#在像素電極和上述相對的電極之間。jtW卜，制備液晶顯示裝置的工藝順序不必特另'j限定，可以下面的方式進(jìn)行粘貝占^片作為支撐體并且注入液晶^，將基片剝離并粘貼塑料基片作為傳送體，或形成像素電極^，剝離基片，然后粘貼塑料基片作為第"^專送體，接著粘貼a片作為第二傳送體。制備發(fā)錄置例如EL狄器件時，伊Ci^f錢密封材^H乍為支撐體，將^L件完全與外部隔開，以防iU口速有才/L^^4勿層退化的夕h^物質(zhì)例如水和liJ^透。itb^卜，制備發(fā)錄置例如ELB器件時，不僅仂述支撐^L^^4傳送體以能夠充分地防止加速有才;M^4勿層退化的夕t^物質(zhì)例如水和勤參透。制備發(fā)錄置的工藝順序不必特另'JP艮定，可以下面方式進(jìn)行形獻(xiàn)^L件U,粘貼塑料基片作為支撐體，將基片剝離，然后，粘貼塑料基片作為傳送體，或形Mi^L件之后，剝離基片，然后粘貼塑料基片作為第""^送體，接著粘貼塑料基片作為第二傳送體。實施例3在本實施例中，將參考圖4描述除了實施例1"卜，進(jìn)傷^^照射或熱處理以^ii剝離的一^H列子，其中圖4A為剝離基片40之前的視圖，圖4B為剝離基片40步驟的視圖，圖4C為剝離后狀態(tài)的視圖。在圖4A中，參考數(shù)字40表示基片，參考數(shù)字41表示拉伸應(yīng)力的第一材料層，參考數(shù)字42表示壓縮應(yīng)力的第二浙料層，參考數(shù)字43表示剝離層。由于直到形成剝離層43的工藝都與實施例1相同，因jtL^略了介紹。形成剝離層43之后，進(jìn)布Hit^照射(圖3A)?？梢允褂玫摹紿^包括例如準(zhǔn)襯〗狄器的氣體器，例如yv04^t^器、YAG就器的固態(tài)^t^器，以及半導(dǎo)體^tit器。〗Hiy展蕩的狀態(tài)可以是連續(xù)振蕩或脈中振蕩，^t^的形狀可以是直線、矩形、圓形或橢圓形中的^^可一種。使用的波長可以是基波、二次諧波或三次諧波。jH^卜，掃描方法可以在垂直方向、橫向、或?qū)蔷€方向中進(jìn)行，并JL^回往復(fù)。對于作為第一材料層41的材料，伏選能夠容易吸^^t^的材料，并且可以^f狄金屬材料，優(yōu)選金屬氮^4勿材^f列如氮^4太。順《更4是及，為了傳^r^^,^f]具有，明度的基片作為基片40。f紹，通過物理方式剝離其上提供有第一材料層41的基片40(圖4B)。由于第_=浙料層42具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層41具有拉伸應(yīng)力，因此可以較小的力ii^^'J離。;lUt^照射加熱了第一材料層41和第^r^才料層42以致改變了兩層的內(nèi)應(yīng)力，^ii了剝離，可以用較小的力進(jìn)frf'J離。jtM卜，此時，雖然示出了假設(shè)剝離層43有足夠才M成強度的一^H列子，然而，當(dāng)剝離層43的才M成強度不夠時，伊述粘貼固定剝離層43的支撐體(^示)^^進(jìn)ef'J離。以此方式，形成在第二4才料層42上的剝離層24可以與基片40分離。剝離之后的狀態(tài)顯示在圖4C中。jtk^卜，不限于l0^,可以^JI]可見光、紅外線、紫外線、鹵素?zé)舭l(fā)出的《敬波等。jH^卜，代替^束，可以在電爐中進(jìn)行熱處理。jtl^卜，粘貼支撐^前，或通過物理方式進(jìn)行以上剝離之前，可以進(jìn)行熱處理或^照射。itl^卜，本實施例可以與實施例2結(jié)合。實施例4#實施例中，除了實施例1，參考圖5介紹在第一材料層和第二4才料層之間的界面上形成顆恭形氧^4勿以^ii剝離的一^H列子，其中，圖5A示出剝離基片50之前的視圖，圖5B為剝離基片50步驟的視圖，圖5C為剝離后狀態(tài)的視圖。在圖5A中，參考數(shù)字50表示基片，51表示拉伸應(yīng)力的第一材料層，52a表示孝顛立形氧化物，52b表示壓縮應(yīng)力的第^^f才料層，53表示剝離層。由于直到形成笫一材料層51的步-卩與實施例1相同，因jtt^f略了介紹。形成第一材料層51形成顆4立形氧^4勿52a。對于顆4立形氧^4勿52a，可以佳月金屬氧^4勿材料，例如HO(氧^4^氧^^金)、氧^M"氧化鋅^r(In2OrZnO)、氧化鋅(ZnO)等。P話，當(dāng);t^顆恭形氧4t4勿52a時形成第^r^才料層52b。對于第^r^才料層52b，可以^^]例如氧化硅、氮氧^fi^金屬氧^4勿材料。順便提及，可以通過例如濺射法、等離子體CVD法、涂數(shù)法等的膜形成法形成第^^才料層52b。隨后，在第二材料層52b上形成剝離層53(圖5A)。F能，用物理方式剝離提供在第一材料層51上的基片50(圖5B)。由于第^r4才料層52b具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層51具有拉伸應(yīng)力，用較小的力就可以進(jìn)糊離。形成顆4i形氧化物52a減弱了第一材料層51和第二射料層52的結(jié)合力，并改變了相互之間的粘附性，^i^了剝離，可以用專交小的力進(jìn)^f'J離。jtt^卜，此時示出了假設(shè)剝離層53有足夠才M成強度的"HS列子，然而，當(dāng)剝離層53的才M成強度不夠時，伊Cit粘貼固定剝離層53的支撐體(^示)^進(jìn)^^離。以此方式，形成在第^^^才料層52b上的剝離層53可以與基片50分離。剝離U的狀態(tài)顯示在圖5C中。本實施例可以與實施例2或?qū)嵤├?結(jié)合。下面參考實例詳細(xì)地介紹具有上述各構(gòu)成的本發(fā)明。實例例l下面參考圖6到圖8介紹本發(fā)明的各例。逸￡，將詳細(xì)地介鄉(xiāng)勁是供在像素部分的周邊中形成的像素部^H區(qū)動電路的TFT(n溝道型TFT和p溝道型TFT)同時制^^在一個基片上的方法。首先，第一材料層101、第^r^才料層102和基底鄉(xiāng)^彖層103形^^基片100上，得到具有晶體結(jié)構(gòu)的半^^膜，然后進(jìn)^^要形狀的腐蝕處理以形成島形隔離的半導(dǎo)體層104-108。玻璃基片(#1737)可以用偶漆片100。此外，對于第一材料層101,可以使用任何材料，而不必特另u限定，只要它在以后要進(jìn)行的剝離步驟之前立即具有范圍為1-1x101G(Dyne/cm2)的拉伸應(yīng)力，可以賴金屬材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半導(dǎo)體材料(例如，Si、Ge等)、絕緣材料、有機材料的任何一種的單層或它們的疊層。此時，使用通過濺射法形成膜厚100nm的氮化鈦膜。此外，對于第二材料層102,可以使用任何材料，而不必特別限定，只要它在以后要進(jìn)行的剝離步驟之前立即具有范圍為-1至-1x10"Dyne/cm2)的壓縮應(yīng)力，可以使用金屬材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt等)、半導(dǎo)體材料(例如，Si、Ge等)、絕緣材料、有機材料的任何一種的單層或它們的疊層。可以使用氧化硅材料或金屬氧化物材津衫且成的單層，或它們的疊層。熱處理期間，金屬層101和第二封料層102之間的結(jié)合力很強，不會發(fā)生膜剝離(也僅稱為"剝離")。然而，通過物理方式在第二材料層內(nèi)或界面上容易進(jìn)行剝離。隨后，對于M絕緣層103，通過使用等離子體CVD法在40(TC的膜形成溫度下形威J"度50nm(伏選10到200ran)由原材料氣體SiH4、NH^oN20(組分比Si-32。/。，0=27%,N=24°/c^H=17%)形成的氮氧化珪103a。隨后，用臭氧水清洗表面之后，用稀釋的氫氟酸(1/100稀釋)除去表面上的氧化膜。之后，通過使用等離子體CVD法在400。C的膜形成溫度下在其上形成100nm厚(伊逸，50-200nm)由原材料氣體S線和N20(組分比Si=32%,059%，N二7。/。和H=2%)形成的氮氧化硅膜l03b,由此形成疊層。此外，不暴露到大氣，通過使月等離子體CVD法用SiH4作為膜形成氣體在300。C的膜形成溫度下形成厚度54nm(優(yōu)逸，25-80nm)具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層(逸里為非晶硅層)。在本例中，m絕緣層103顯示為兩層結(jié)構(gòu)，但也可以采用以上鄉(xiāng)&m的單層膜或疊置兩層或兩層以上的膜結(jié)構(gòu)。此外，對于半導(dǎo)體膜的材料沒有限制。但優(yōu)選，通過公知的方式(賊射、LPCVD、等離子體CVD等)使用硅或硅鍺(SixGek(X^0.0001"0.02))合金形成。此外，等離子體CVD裝置可以是單晶片型或分批型。此外，基底絕緣膜和半導(dǎo)體膜可以斜目同的膜形成室中不接觸空氣下連續(xù)地形成。隨后，清決Jr有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體M4面之后，a面上用臭^/K形^^度約2ran極薄的氧化膜。接著，為了控制TFT的閾值，摻雜微量的雜質(zhì)元素(硼或磷)。M，^fM離子摻雜法，其中等離子體激活的乙硼烷(B2H6)同時不大量分離(mass-separation)，在下面的摻^f牛下將硼添加到非晶硅膜15kV的加速電壓；用氫稀釋為ly。乙硼烷的氣體:^il為30sccm，2乂1012/0012的劑量。Fte，用旋涂器涂敷含10ppm重量鎳的乙酸鎳鹽溶液。也可以^j]效謝法代^T涂IMWL素噴射在^^表面的方法。接著，進(jìn)行熱處理以進(jìn)行晶化，由此形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半"^g提。對于所迷熱處理，進(jìn)行使用電爐或強光照射的熱處理。當(dāng)利用電爐進(jìn)行熱處理時，可以在500。C-650。C進(jìn)行4-24小時。這里，進(jìn)行脫氫作用的熱處理(5(XTC，1小時)之后，進(jìn)行用于晶化的熱處理(550°C，4小時)，得到具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜。應(yīng)該注意，雖然^賴通過電爐的熱處理進(jìn)^亍晶4b，然而，也可以通ii^T退火裝置進(jìn)行晶化。還應(yīng)該注意，處4細(xì)鎳作為^ii硅晶化的金屬元素的晶^^支術(shù)，然而，也可以使用其它爿/^p的晶^^支術(shù)，例如，固相生長法禾^激光晶化法。#,通過稀釋的氫氟酸等除去具有晶體結(jié)構(gòu)的^II表面上的氧^IR后，在大^氧1中進(jìn)行笫一就(XeCl:波長308nm)的照射以提高晶4摔刑奮復(fù)保留在晶粒內(nèi)的缺陷。對于〗線，4悄波長400nm或400nm以下的準(zhǔn)襯〗膚、或YAG激光的二次諧波或三次諧波?？傊琟^]具有約10-1000Hz重復(fù)頻率的脈沖激光，月W中^t^it過光學(xué)系統(tǒng)聚光為100-500mJ/cm2，用90-95%的重合度照射，由jtb43描,劃錄面。紐，在空氣中30Hz的重復(fù)頻率、393mJ/cm2的能量密度進(jìn)行第一^bt的照射。應(yīng)該指出由于照射在空氣中或在氧^A中進(jìn)行，通過第一激光的照射，氧^M形^4面上。隨后，用稀釋的氫氟酸除去第一JlUt^照射形成的氧^fe后，在氮^A^真空中進(jìn)行第二IL光的照射，因此平坦化了半"^g漢的表面。波長400nm或以下的準(zhǔn)^ilbt、或YAG〗lUt的二欠諧波或三次諧;;^條lt^(第二0。第二^t^的能量密度大于第一^bt^的能量密度，伊述，大于30-60mJ/cm2。紐，在30Hz的重復(fù)頻率、453mJ/cm2的能量密度進(jìn)行第二激光的照射，由此設(shè)置半導(dǎo)體膜表面中不均勻度的P-V值(峰到谷，最大值到最小值之間的差異)為50nm或50nm以下。通過AFM(原子力顯微鏡)可得到P-V值。j)t^卜，^^f列中，雖然在整個表面上進(jìn)行第二就的照射，然而，由于OFF狀態(tài)電流的減小影響了像素部分的TFT，因此可采耳^^行選擇l^也照射至少像素部賴步驟。F能，通湖臭luK處錄面120秒形成總厚度l-5ran氧"11且成的[^當(dāng)層。接著，通ii賤射法在F到當(dāng)層上形^il"150nm含有^t素作為吸氣告M立的非晶,。本例溯謝法的膜形成^f牛為0.3Pa的膜形扭力、50sccm的氣體(Ar)力tii、3kW的膜形成功率和15(TC的基片溫度。應(yīng)該注意在以上^(牛下，非晶硅膜中含有的I^t素的原子濃度在3x10^/cm3到6x1(P/cm3的范圍內(nèi)，氧的原子濃度在lxl(P/cm3到3xl(y9/cm3的范圍內(nèi)。然后，^^燈退火裝置進(jìn)行650。C、3^4中的熱處理i^f^及氣。之后，阻擋^f乍為腐蝕終止層選擇'l^也除^"有I^素作為吸氣"^立的非晶石M，然后用稀釋的氫氟S臾選擇魁也除去陶當(dāng)層。應(yīng)該注意由于吸氣時，存在鎳容易移動到較高氧密度區(qū)域的趨勢，因jt傳望吸^^除去由氧W^且成的陶當(dāng)層。接下來，薄氧化膜用臭氧水形成在具有晶體結(jié)構(gòu)的硅膜(也稱做多晶硅膜)表面上^，形成由抗蝕劑制成的掩模，進(jìn)行腐蝕工藝得到需要的形狀，由此形^目互隔離的島形半"!^^層104-108。形成半^M^層^，除去由抗蝕劑制成的掩樣itt^，用含氬氟酸的腐蝕劑除去氧4，同時，清-^^it表面。形成硅作為主要成分并且將為4fi&維109的纟&練。^^f列中，通過等離子體CVD形^l"度115ran的氮氧^^M(組分比Si二32。/0,0=59°/。，N=7%~H=2%)。接著，如圖6A(圖6A示出半^!M^層的形^y多^刻莫的形^/第一導(dǎo)電膜和笫二導(dǎo)電膜的形成)所示，在4鵬色纟皿109上，疊置地形成具有20-100nmiJ錄的第一導(dǎo)電膜nOa和具有100400nm麟的第二導(dǎo)電膜110b。在本例中，M"度50nm的氮^4iM和M4度370nm的4l』莫依次疊置^fcf鵬^韌莫109上。對于形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的導(dǎo)電材料，4躺選自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或含以J^t素作為它的主要成分的^r材料或^^4勿材料。jtk^卜，可以^^如摻^#雜質(zhì)元素的多晶石iM^4的半"^^膜，或AgPdCuM怍為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。j):l^卜，本發(fā)明不限于兩層結(jié)構(gòu)。例如，可以采用三層結(jié)構(gòu)，其中依次疊置50nm膜厚的鴒膜、500nm月錄的鋁-硅(Al-Si)合金，以;O^30nm的氮^l爐。Jtl^卜，對于三層結(jié)構(gòu)，代賴的第一導(dǎo)電膜，可以4頓氮化鴒，代彰呂-硅(Al-Si)合金的第二導(dǎo)電膜，可以使用鋁-鈥(Al-Ti)^r膜，或4錢鈦膜代替氮^4爐的第三導(dǎo)電膜。j^卜，也可以采用單層結(jié)構(gòu)。接下來，如圖6B所示(圖6B示出第一腐蝕工藝)，通過曝光步驟形^i奄模112-117,進(jìn)行形&脅電招糸布線的第一腐蝕工藝。在第一和第二腐蝕條件下進(jìn)行第一腐蝕工藝。伊Ci^頓ICP(感應(yīng)M^離子體)腐蝕法用^^蝕工藝。{銅ICP腐蝕法，通iiit當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)腐蝕條件(口到線圈型電極的電能、口到基片一側(cè)電極的電能、基片一側(cè)電極的溫度等)將"魏蝕成需要的錐形。應(yīng)該注意，可以適當(dāng)?shù)豝^]由Cl2、BC13、SiCU、CCI4等^^的I1S氣體、由OVSF6、NF3等^C4的|14氣#02作為腐蝕氣體。在本例中，提供150W的RF(13.56MHz)電源^t!lifc^到基片(樣品臺)，J4U^口負(fù)自偏置電壓。應(yīng)該注意基片的電極面積的尺寸為12.5cmx12.5cm,線圈型電極(ii^為提供有線圈的石英圓盤)的尺寸為直徑25cm。在第一腐蝕條件下，腐蝕W膜將第一導(dǎo)電層的端部形成錐形。第一腐蝕條件下，對W的腐蝕速率為200.39nm/min,對TaN的腐蝕速率為80.32nm/min，W對TaN的選擇率約為2.5。jH^卜，w的錐角約26。。jtt^，不除去由抗蝕劑組成的掩模110-115第一腐蝕條件變?yōu)榈诙g制牛。^il]CF4和Cl2作為腐蝕氣體，氣體的矛uii設(shè)置成30/30sccm，在1Pa壓力下將線圈型電極接通500W的RF(13.56MHz)電源以產(chǎn)生等離子體，由》bii行約30秒的腐蝕。也接通20W的RF(13.56MHz)電源也口到基片一側(cè)(樣品臺)，^i4Ui^口負(fù)自偏置電壓。在第二腐蝕^f牛下，混合CF4和Cl2,W膜和TaN膜以同等水平腐蝕。在第二腐蝕^f牛下對W的腐々4ii率為58.97nm/min，對TaN的腐燭速率為66.34nm/min。應(yīng)該注意為了進(jìn)行腐蝕同時在4鵬^4J^Ji沒有剩余的殘留物，以約10-20%的比例增力口腐蝕時間。在以上介紹的第一腐蝕工藝中，適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)由抗蝕劑組成的掩模形狀，由于施加到基片側(cè)上的偏壓的影響，第一導(dǎo)電層的端部和第二導(dǎo)電層的端部為錐形。4焦形部分的角a分地i殳置為15到45°。由此，通過第一腐蝕工藝形成由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層(第一導(dǎo)電層119a-124a和第二導(dǎo)電層119b424b)組成的第一形狀的導(dǎo)電層119-124。腐蝕成為4鵬&彰莫的^iM109約10-20nm，成為4鵬色鄉(xiāng)繊118，其中沒有^l^一形狀的導(dǎo)電層119-124覆蓋的區(qū)域減薄DFte，進(jìn)行第二腐蝕處理同時不除去由抗蝕劑組成的掩模。^j]SF6、Cl2和O2用做腐蝕氣體，使氣體的流速設(shè)置為24/12/24sccm，700W的RF(13.56MHz)電源施加到線圈型電極，產(chǎn)生L3Pa壓力的等離子體。IOW的RF(13.56MHz)電源口到基片一側(cè)(樣品臺)，MJi^口負(fù)自偏置電壓。在第二腐蝕工藝中，對W的腐蝕速率為227.3nm/min,對TaN的腐蝕速率為32.1mn/min,W對TaN的選擇率為7.1,對為參&維118的SiON腐蝕速率為33.7nm/min,W對SiON的選擇率為6.83。當(dāng)sf6用^^蝕氣體時，如上所斷纟&彖膜118的選擇率很高，因此可以抑制月錄減少。在本例中，在*^媒118的厚度^f叉減少約8nm。通過第二腐蝕工藝，W的錐角變成70。。通itf二腐蝕工藝，形成第二導(dǎo)電層126b"131b。另一方面，幾乎不腐蝕笫一導(dǎo)電層，成為第一導(dǎo)電層126a-131a。應(yīng)該注意第一導(dǎo)電層126a-131a的尺寸幾乎與第一導(dǎo)電層119a-124a相同。實際上，雖然有時與第^^^蝕工藝之前相比第一導(dǎo)電層的^^減少約0.3mhi，即，整個線寬減少約0.6)um。然而，第一導(dǎo)電層的尺寸幾乎沒有變化。jH^卜，代替兩層結(jié)構(gòu)，采用三層結(jié)構(gòu)，其中麟50nm的鴒膜、麟500nm的膜厚的鋁-硅(Al-Si)合金，以及30nm的氮^iy莫依次疊置，對于第一腐蝕工藝的第一腐蝕條f牛，其中BC13、Cb和02作為原材料氣體；氣體的流速設(shè)置為65/10/5(sccm);300W的RF(13.56MHz)電源口到基片^(則(樣品臺)；在1.2Pa壓力下450W的RF(13.56MHz)電源^口到線圈型電極，產(chǎn)生等離子體，腐蝕進(jìn)行117秒。對于第一腐蝕工藝的第二腐蝕條件，^ffiCF4、Cl2和02，氣體的^iti殳置為25/25/1Osccm,20W的RF(13.56MHz)電源;^口到基片"H則(樣品臺)；在1Pa壓力下500W的RF(13.56MHz)電源施加到線圈型電極以產(chǎn)生等離子體。采用以上條件，可以充分^ii行約30秒的腐蝕。在第二腐蝕工藝中，使用BCl3和Cl2，氣體的^iii殳置為20/60sccm,100W的RF(13.56MHz)電源淑口到基片"W(樣品臺)，在l,2Pa壓力下將600W的RF(13.56MHz)電源口到線圈型電極以產(chǎn)生等離子體，由jtbii行腐蝕。F能,除去由抗蝕劑組成的掩模，然后進(jìn)行第一摻雜工藝得到圖6D的狀態(tài)(圖6D示出第二腐蝕工藝)。通過離子摻雜法和離子^^v法進(jìn)4豫雜工藝。在為1.5x10Matom/ci^的劑量，60-100keV的力口速電壓的^f牛下進(jìn)行離子摻雜。對于賦予n型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素，通常^^磷(P)或砷(As)。此時，針對賦予n型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素掩^一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層126-130,以自對準(zhǔn)方式形成第一雜質(zhì)區(qū)132-136。在1x1016到1x1017/cm3的濃度范圍內(nèi)添加賦予n型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素到第一雜質(zhì)區(qū)132-136。逸￡,具有與第一雜質(zhì)區(qū)域相同濃度的區(qū)域"^f爾做n—區(qū)。應(yīng)該注意在本例中，除去由抗蝕劑組成的掩才軟后，進(jìn)行第一摻雜工藝，也可以同時不除去由抗蝕劑制成的掩模進(jìn)行第一摻雜工藝。接著，如圖7A所示(圖7A示出第^^l參雜工藝)，形^fet蟲劑構(gòu)成的掩模137-139，進(jìn)行第4雜工藝。掩模137為保護形^m動電路的p溝道型TFT的半"!H^層的周邊區(qū)和溝道形成區(qū)的掩模，掩模138為保護形^J區(qū)動電路的n溝道型TFT之一的半^^層的溝道形成區(qū)的掩模，掩模139為^f呆護形威i象素部分的TFT半"^^層的周邊區(qū)和^^諸電容器的溝道形成區(qū)的掩模。第4雜工藝中離子摻雜的^f牛為劑量1.5xl(y5atom/cm2;60-100keV的加速電壓，摻磷(P)。這里，用第二導(dǎo)電層126W28b作為掩模，以自對準(zhǔn)方式在抖"^^層中形成雜質(zhì)區(qū)。當(dāng)然，用掩模137-139綠的區(qū)域不添加磷。由此，形成第二雜質(zhì)區(qū)140-142和第三雜質(zhì)區(qū)144。在1xlWo到1xlWVcm3的濃度范圍內(nèi)將賦予n型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素添加到第二雜質(zhì)區(qū)140-142。M，與第二雜質(zhì)區(qū)域具有相同濃度范圍的區(qū)域^i爾做n+區(qū)。jtt^卜，由第一導(dǎo)電層以低于第二雜質(zhì)區(qū)的濃度形成第三雜質(zhì)區(qū)，在lxl0"到1x10，cn^的濃度范圍內(nèi)添加賦予n型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素。應(yīng)該注意由于通過使雜質(zhì)穿過具有錐形的第一導(dǎo)電層進(jìn)4嫌雜，因此第三雜質(zhì)區(qū)具有雜質(zhì)濃度朝錐形部分的端部雜質(zhì)濃度增加的濃度梯度。這里，與第三雜質(zhì)區(qū)域具有相同密度的區(qū)域^爾做n—區(qū)。jtb^卜，在第二摻雜工藝中由掩模138和139M的區(qū)域沒有添加雜質(zhì)元素，由此變成第一雜質(zhì)區(qū)146和147。接著，除去由抗蝕劑制成的掩模137-139,新形成由抗蝕劑制成的掩模148-150,如圖7B所示(圖7B示出第三摻雜工藝)，進(jìn)行第三摻雜工藝。在驅(qū)動電路中，通過以上介紹的第三摻雜工藝，形成第四雜質(zhì)區(qū)151、152和第五雜質(zhì)區(qū)153、154，其中將賦予p導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素添加到形成p溝道型TFT^#^電容器的半^^層。jH^卜,賦予p導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素以1x1(^到1x1021/0113的濃度范圍添加到第四雜質(zhì)區(qū)151、152。應(yīng)該注意，第四雜質(zhì)區(qū)151、152中，為在前面步驟中已添加磷(P)的區(qū)域(n—區(qū))，但以1.5到3倍磷濃度的濃度添加賦予p型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素。由此，第四雜質(zhì)區(qū)151、152具有p型導(dǎo)電類型。這里，與第四雜質(zhì)區(qū)域具有一目同沐度范圍的區(qū)域^f爾做p+區(qū)。it(^卜，在與笫二導(dǎo)電層127a的錐形部分重疊的區(qū)咸上形成第五雜質(zhì)區(qū)153、154。在lxl0化到lxltfO/cmS的濃度范圍內(nèi)添加賦予p型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素。這里，與第五雜質(zhì)區(qū)域具有相同濃度范圍的區(qū)域^^爾做p-區(qū)。通過以上介紹的步驟，具有n型或p型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)形il^M^^層中。導(dǎo)電層126429變?yōu)門FT的柵電極。oH^卜，導(dǎo)電層130變?yōu)殡姌O之一，形成像素部分中的存4諸電容器。》M卜，導(dǎo)電層131形成j象素部分中的源布線。卩話，形ilM幾乎整個表面的絕緣漢(未示出)。#例中，通過等離子體CVD法形成50nm厚的氧^^J]莫。當(dāng)然，絕鄉(xiāng)繊不P艮于氧^^1莫，也可以4頓其它含石B衫勅頻于單層或疊層結(jié)構(gòu)中。接著，進(jìn)布敫活添加到M^H^層的雜質(zhì)元素的步驟。在該激活步驟中，使用燈光源的'fcii熱退火方法(RTA法)、或從背表面照射從YAG^bt器或準(zhǔn)分子^bt器;^射的光的方法、或這些方法的組合的方法。jll^卜，在本例中，雖然示出了激活之前形成鄉(xiāng)&的例子，但也可以在激活^進(jìn)行形;^繊的步驟。接下來，形成由氮4bfii且成的第一層間鄉(xiāng)fe^M155，進(jìn)行熱處理(在300-55(TC進(jìn)行1-12小時的熱處理)，由;tb^行氪化半^!M^層的步驟(圖7C激活/氬化)。該步驟為通過^"在第一層間鄉(xiāng)fe^M155中的IU冬止半"M^層的懸桂鍵的步驟。無論是否存在由氧^/圭形成的絕纟勤莫(未示出)，諸阿以氪化半"^^層。順便提及，在本例中，含有主要成分為鋁的材料用啦錄二導(dǎo)電層，因此熱處理^f牛很重要，以使篇二導(dǎo)電層能夠承受氬化步驟。對于其它的氬化方法，可以進(jìn)行等離子體氬化(使用等離子體激活氫)。隨后，在第一層間鄉(xiāng)&刻莫155上形成由有才Ai色纟斜杉i"形成的第二層間^^M156。在本例中，形^j^l.6Mm的丙烯樹脂膜。接著，形彭)J達(dá)源布線131的接觸孑L、分別到達(dá)導(dǎo)電層129、130的接觸孔以^J)J達(dá)M質(zhì)區(qū)的接觸孑L在本例中，依次進(jìn)行幾個腐蝕工藝。在本例中，利用第一層間纟fe^M作為腐蝕終止層腐蝕第二層間鄉(xiāng)fe4fe^,利用絕纟刻莫(未示出)作為腐蝕終止層腐蝕第一層間纟^繊，然后腐蝕纟衫維(未示出)。it(^",使用A1、Ti、Mo、W等形成布線和像素電極。作為電極和像素電極的材料，需^ft^a性優(yōu)良的材料，例如含Al或Ag作為它的主要成分的膜或以M的疊層。由此，形成源電極或漏電極157-162、柵極布線164、連接布線163和像素電極165。如上所述，可以擬目同的基片上形成具有n溝道型TFT210、p溝道型TFT202和n溝道型TFT203的驅(qū)動電路206、具有由n溝道型TFT和4i者電容器205組成的像素TFT204的像素部分207(圖8層間《^勤莫的形^/象素電極和布線的形成)。在本說明書中，為方i"^L，這種基片稱做有源矩陣基片。在像素部分207中，像素TFT204(n溝道型TFT)具有溝道形成區(qū)169、在形成柵電極的導(dǎo)電層129的夕KP形成的第一雜質(zhì)區(qū)(n—區(qū))147、以a源區(qū)或漏區(qū)作用的笫二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))142和171。jtUt，在作為務(wù)賭電容器205的一個電極的半導(dǎo)體層中，形成第四雜質(zhì)區(qū)152、第五雜質(zhì)區(qū)154。用纟^iM(與相J^^M相同的膜)116作為介質(zhì)的由第二電極130和半"fH^層152、154和170構(gòu)^4^者電容器205。jHi^卜，在驅(qū)動電路206中，n溝道型TFT201(第一n溝道型TFT)具有溝道形成區(qū)166、通it^^M與形成柵電極的導(dǎo)電層126的-"t卩分重疊的第三雜質(zhì)區(qū)(n—區(qū))144、以及怍為源區(qū)或漏區(qū)的第二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))140。jtb^卜，在驅(qū)動電路206中，p溝道型TFT202具有溝道形成區(qū)167、通擊&彖膜與形威柵電極的導(dǎo)電層127的""^分重疊的第五雜質(zhì)區(qū)(p-區(qū))153、以及作為源區(qū)或漏區(qū)的第四雜質(zhì)區(qū)(p+區(qū))151。iH^卜，在驅(qū)動電路206中，n溝道型TFT203(第二n溝道TFT)具有溝道形成區(qū)168、在形^敗電極的導(dǎo)電層128的夕陶形成的第一雜質(zhì)區(qū)(n—區(qū))146、以及怍為源區(qū)或漏區(qū)的第二雜質(zhì)區(qū)(n+區(qū))141。通itit當(dāng)iMa合這些TFT201-203，形^#位寄存器電路、緩沖電路、電平移相器電路、鎖存電路等，由此形^r驅(qū)動電路206。例如，形成CMOS電路時，n溝道型TFT201和p溝道型TFT202可以互^4iki^接。特別是，對于驅(qū)動電壓高的緩沖電路，為了防止由于熱載流子步i^造成的退化，n溝道型TFT203的結(jié)構(gòu)4^it合。itt^卜，對于可靠性被認(rèn)為是頭等重要的電路，適合采用GOLD結(jié)構(gòu)的n溝道型TTT201的結(jié)構(gòu)。jtl^卜，通過提高半"^^膜的表面平坦度可以提高可靠性。由此，在具有GOLD結(jié)構(gòu)的TFT中，即使減少借助4鵬^維與柵電極重疊的雜質(zhì)區(qū)面積，也可以獲得足夠的可靠性。"I^M也，在具有GOLD結(jié)構(gòu)的TFT中，通選咸少為柵電極錐形部分的尺寸可以獲得足夠的可靠性。it"卜，在具有GOLD結(jié)構(gòu)的TFT中，當(dāng)柵^^4I莫辟&蓴時，寄生電容增加。然而，柵電極(第一導(dǎo)電層)錐形部分的尺寸較小，寄生電容咸少，由此'N爭性(頻率特性)改善，進(jìn)而可以高速操怍，具有足夠的可靠性。應(yīng)該注意，同樣在像素部分207的像素TFT中，通it^二';lt^的照射可以減少OFF電^if口減少護C動?！?amp;卜，在本例中，顯示了用于形^^型顯示器件的有源矩陣基片的例子。然而，如果像素電極由透明導(dǎo)電膜形成，雖然光掩模的數(shù)量增加一個，但可以形^it，顯示器件。otW卜，在本例中，^J]玻璃基片；然而，基片不必特別限定為玻璃基片，也可以使用石M片、半^M^基片、陶變基片和^r屬基片。itW卜，得到圖8的狀態(tài)^，如果提供在第^^才料層102上含TFT的層(剝離層)具有足夠的才;a成強度，那么基片ioo可以剝離掉。第3才料層具有壓縮應(yīng)力；第一材料層具有拉伸應(yīng)力，所以可以較小的力剝離。由于剝離層的才M成強度不夠，因此需要粘貼到用于固定的支撐R后，將剝離層剝離。例2^^例中，下面將介紹從例l中制備的有源矩陣基片上剝離掉基片100制備有源矩陣型液晶顯示裝置，并粘貼塑料基片的步驟。用圖9介紹，其中圖9A示出形絲源矩陣基片后的狀態(tài)，圖9B示出粘結(jié)支撐^^;iA液晶后的狀態(tài)，圖9C示出剝離基片后的狀態(tài)，圖9D示出粘結(jié)傳送體后的狀態(tài)。在圖9A中，參考數(shù)字400表示基片，401表示第一材料層，402表示第二4才料層，403表示M絕緣層，404a表示驅(qū)動電路413的元件，404b表示像素部分414的元件，405表示像素電極。處術(shù)語元件是指用做像素的開關(guān)元件的半科元件(通常為TFT)、MM元件等。圖9A中所示的有源矩陣基片為簡化的圖8所示有源矩P車基片，圖8中的基片IOO對應(yīng)于圖9A中的基片400。翻W也，圖9A中的參考數(shù)字401對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字101,圖9A中的參考數(shù)字402對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字102，圖9A中的參考數(shù)字403對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字103,圖9A中的參考數(shù)字404a對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字201和202，圖9A中的參考數(shù)字404b對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字204，圖9A中的參考數(shù)字405分別對應(yīng)于圖8中的參考數(shù)字165。首先，根才MU,得到圖8狀態(tài)的有源矩P車基片^，在圖8的有源矩陣基片上形成耳又向膜(orientedfilm)406a,進(jìn)行摩擦(rubbing)處理。順便4是及，在本例中，形成取向膜之前，通過圖#[匕如丙烯@交樹脂的有才/1#脂膜在需要的位置形成^#基片間隔的柱狀的隔離層(spacer)(未示出)。jtt^卜，代4奪柱^大隔離層，球形隔離層可以口在基片的整個表面上。Fte,制桐夸成為支撐體407的M片。a片酉e^-有根據(jù)各像素設(shè)置彩色層和儲紅的濾色器(未示出)。絲IL^lL形絲部分驅(qū)動電路中。形腿蓋彩色濾光器和M蔽層的平坦化膜(未示出)。接著，透明導(dǎo)電膜的反電極(counterelectrode)408形M像素部分中的平坦^^上，取向膜406b形^反基片的整個表面上，并進(jìn)行摩^^:理。然后，將包^f象素部斜口驅(qū)動電路于其內(nèi)的有源矩陣基片400和支撐體407用密封材料相互粘貼在-^，該密封材料^津M妄層409。填料添加到密封材料，借助4^^口柱狀隔離層，兩片基片以均勻的間隔相互粘貼在""^。然后，在兩個基片之間，^/v液晶材料410并用密封劑(未示出)完全密封(圖9B)?？梢允褂胇f可已知的液晶材料作為液晶材料410。#，剝離掉其上形賄第一材料層的基片400(圖9C)。由于第^#料層402具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層401具有拉伸應(yīng)力，因此用較小的力就可以進(jìn)根'J離。接著，通過環(huán)M"脂或類似物的津W妄層411將所得支撐體粘貼到傳送體412。在本例中，傳送體412為塑料im片使它重量較輕。以此方式，完成了柔性和有源矩陣型液晶顯示裝置。如果需要，將柔性基片412或M片切割成需要的形狀。jtb^卜，^^]//^口的技極當(dāng)?shù)卦O(shè)置極^^反(未示出)。之后，^^]/^口的技術(shù)粘貼FPC(未示出)。例3在例2中，示出了粘貼作為支撐體的a片和注入液晶^，剝離基片并粘貼塑料基片作為傳送體步驟的一個例子。在例3中，如圖8所示，下面將介紹形^源矩陣基片^，剝離基片，粘貼塑料基片作為第4送體以及塑料基片作為第二傳送體的例子。使用圖IO進(jìn)行介紹，其中圖10A示出形成有源矩P車基片后的狀態(tài)，圖10B示出剝離基片后的狀態(tài)，圖IOC示出粘結(jié)傳送體后的狀態(tài)，圖IOD示出粘結(jié)基片后的狀態(tài)，圖10E示出^/v液晶后的狀態(tài)。在圖IOA中，參考數(shù)字500表示基片，501表示第一材料層，502表示第J^才料層，503表示絲纟^彖層，504a表示驅(qū)動電路514的元件，504b表示像素部分515的元件，505表示像素電極。圖10A中所示的有源矩陣基片為簡化的圖8所示的有源矩陣基片，圖8中的基片IOO對應(yīng)于圖9A中的基片500。類^i也，圖10A中的502對應(yīng)于圖8中的102，圖10A中的503對應(yīng)于圖8中的103，圖10A中的504a對應(yīng)于圖8中的201和202,圖10A中的504b對應(yīng)于圖8中的204，圖10A中的505分別對應(yīng)于圖8中的165。首先，根據(jù)例l,得到圖8狀態(tài)的有源矩陣基片^，剝離掉其上形賄第一材料層的基片500(圖10b)。由于第^f才料層502具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層501具有拉伸應(yīng)力，因此用較小的力就可以進(jìn)刊喇離。接著，用環(huán)氧樹脂或類似物的粘接層506將所得支撐體粘貼在傳送體507(第"H專送體)上。在本例中，傳送體507為塑料片使它重量較輕(圖10C)。P紹，形力十準(zhǔn)膜506a^ii行摩搭^:理。順便提及，在本例中，形勿于準(zhǔn)膜之前，通過構(gòu)圖例如丙烯樹脂等有^^對脂膜在需要的位置形成##基片間隔的柱狀的隔離層(未示出)。代替柱狀隔離層，也可以在基片的整個表面上分布球形隔離層。F紹，制翻夸成為支撐體510的錄片。錄片酉沐根據(jù)各像素設(shè)置彩色層和iW^的彩色濾光器(未示出)。^#1^也形#部分驅(qū)動電路上。形成復(fù)氛彩色濾光器和iW蔽層的平坦化膜(未示出)。接著，透明導(dǎo)電膜的反電極509形^f^像素部分中的平坦^M上，取向膜508b形^v^片的整個表面上，進(jìn)行摩躲理。然后，連接像素部^^口驅(qū)動電路的塑料膜基片507和支撐體510用將成為粘4婁層512的密封材泮牛相互粘貼(圖10D)。填料添加到密封材料，借助i顛輛口柱狀隔離層，兩片基片以均勾的間隔粘貼在^fe。然后，在兩個基片之間，注入液晶材泮+513并用密去于劑(未示出)完全密封(圖10D)?？梢?錢/>^的液晶材泮，為液晶才才術(shù)牛513。以此方式，完成了柔性和有源矩P車型液晶顯示裝置。如果需要，將柔性基片507或a片切割成需要的形狀。jt!^卜，^^7^口的技極當(dāng)?shù)卦O(shè)置極4^反(未示出)。之后，佳月/z^口的技扣阽貼FPC(未示出)。例4參考圖11中的俯視圖介紹根l刷列2或例3得到的液晶組件的結(jié)構(gòu)。根才射列2的基片507或根據(jù)例3中的基片507對應(yīng)于基片301。像素部分304設(shè)置在基片301的中央。驅(qū)動源極信號線的源極信號線驅(qū)動電路302設(shè)置在像素部分304上。驅(qū)動?xùn)艠O信號線的柵極信號線驅(qū)動電路303設(shè)置在像素部分304上的左#右邊。雖然在本例中柵極信號^r驅(qū)動電路303相對于像素部分對稱，但是液晶組件中也可以僅有一個柵極信號線驅(qū)動電路設(shè)置在像素部分的一邊。對于以上兩種選擇，設(shè)計者可以根據(jù)液晶組件的基片尺寸等選擇更適合的布局。然而，就電路工作的可靠性、驅(qū)動效率等而言，伊述圖11所示的柵極信號線驅(qū)動電路的對稱布局。信號由柔性印制電路板(FPC)305輸AiiJ驅(qū)動電路。在層間^^維^H^脂膜中開出接觸孑L^^^i^接電極309^,壓入FPCs305穿過各向異性導(dǎo)電膜等以到達(dá)設(shè)置在基片301給定位置的布線。在本例中連接布線由ITO形成。沿環(huán)繞驅(qū)動電路和像素部分的基片周i^口密封劑307。通過密封劑307錄片4'M妄到基片301,同時預(yù)先在M4片上形成隔離層，以j緣兩個基片之間的距離不變。通選殳有被密封劑307M的基片區(qū)域;認(rèn)液晶材料。然后通^tt端密封材料308密封基片。通過以上步驟完成了液晶組件。雖然^il^顯示的例子中在膜基片上形成了所有的驅(qū)動電路，但是一些IC也可以用做一些驅(qū)動電路。該例可與例1自由結(jié)合的扭J亍。例5例1示出了示范性由具有反射性的金屬材料制成的像素電極的^^型顯示器件。在本例中，顯示的是像素電極由itit導(dǎo)電膜形成的示范'hiit射顯示器件的一頓子。直到形成層間會衫刻莫的步驟的制造工藝都與例1的工藝相同，因jH^il^省略了介紹。根才刷列1形錯間纟&^，形成由透光導(dǎo)電膜形絲光的像素電極601。對于透光的導(dǎo)電膜，可以使用rro(氧^40*金)膜、氧^l因-氧化鋅(In2OrZnO)膜、氧化鋅(ZnO)等。jtb^，在層間鄉(xiāng)^iM600中形威j妄觸孔。接下來形成與像素電極重疊的連接電極602。連接電極602通過接觸孑L^接到漏區(qū)。形^i^接電極的同時，也形成另一TFT的源區(qū)或漏區(qū)。i!E，顯示除了在基片上形成了所有的驅(qū)動電路的一^S列子。然而，一些IC也可以用做驅(qū)動電路的一p分。如上所述形成了有源矩陣基片。^^]該有源矩P車基片，剝離基片^，具有壓縮應(yīng)力(未示出)和拉伸應(yīng)力的塑料基片相互粘貼，才財居例24制造液晶組件，提供有背光604和導(dǎo)光板605，并設(shè)置蓋板606,由此完成了圖12所示部分剖面圖的有源矩陣液晶顯示器件。佳月一對絲d或有才A4對脂將蓋板606和液晶組件相互粘貼。jtb^卜，通錄框架和基片之間的空間填絲才/^對脂以環(huán)^f匡架，將塑料基片津M妻到a片。由于顯示器件為透光型，因此塑料基片和a片都需要津材斜及^41603。該例可以與例1到4自由地i且合。例6在本例中，參考圖13介紹制造具有形成在塑料基片上EL(電l汰光)元件的B器件的一個例子，其中圖13A示出形^t件后的狀態(tài)，圖13B示出粘結(jié)支撐^^的狀態(tài)，圖13C示出剝離基片后的狀態(tài)，圖13D示出粘結(jié)傳送體后的狀態(tài)。在圖13A中，參考數(shù)字700表示基片，701表示第一材料層，702表示第_=4才料層，703表示tt纟^彖層，704a表示驅(qū)動電路711的元件，704b和704c表示像素部分712的元件，705表示OLED(有才復(fù)光器件)。此時，紐術(shù)語元件是指在有源矩陣型發(fā)光器件中用做像素的開關(guān)元件的半導(dǎo)體元件(通常為TFT)或MM元件、OLED等。然后形^&這些元件的層間^^l莫706。伏g間鄉(xiāng)^彖膜706比形m^后的表面更平坦。順便提及，可以不需要提供層間絕鄉(xiāng)勤莫706。才艮據(jù)實施例2到4中的4—個，在基片700上形獻(xiàn)701到703?？梢愿鶕?jù)以上介紹的例1的n溝道型TFT201和以上^H召的p溝道型TFT202形錄些元件(包4舌704a、704b和704c)。OLED705包括能夠通ii^。電場產(chǎn)生電致發(fā)光的有^/f給物(有機發(fā)^i才料)的層(下文稱做有機發(fā)獻(xiàn))、陽才X^和陰才^。有才/U^4勿中的發(fā)光，包括當(dāng)由單^^態(tài)返回到基態(tài)時的J^it(熒光)和當(dāng)由三重^t^態(tài)返回到基態(tài)時的發(fā)光(磷光)，本發(fā)明的狄器件基于兩種類型狄的一種或兩種。在本說明書中，形^^OLED的陽極和陰極之間的所有層都P艮^有才^H有扭發(fā)MM包4舌發(fā)ib^、空穴注M、電子;i7v層、空穴傳輸層、電子傳輸層等。M上，OLED具有似匕;^^疊置的陽才l/發(fā)i"e^/陰極的層結(jié)構(gòu)，除了該結(jié)構(gòu)^卜，還有以此次序的層結(jié)構(gòu)陽才l/空穴注A^/發(fā)^^/陰極，或陽fe/空穴注/v^/發(fā)^^/電子傳輸層/陰極。通過以上介紹的方法得到圖13A的4大態(tài)時，通ii^對秦層707粘貼支撐體708(圖13B)。在本例中，塑料基片用估i^撐體708。JW^地，對于支撐體，可以使用具有l(wèi)O^m或lOpm以J^I"度的樹脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、^十笨二曱酸乙二酯(PET)、或聚恭二曱酸乙二酯(PEN)。此時當(dāng)乂人OLED看支撐體708和粘接層707位于，I^者一側(cè)(發(fā)光器件的使用者一側(cè))時，支撐基片708和津財妾層707為透ib^料。卩能，通過物理方式剝離￡4是供有第一材料層701的基片700(圖13C)。由于第j^杉牛層702具有壓縮應(yīng)力并且第一材料層701具有拉伸應(yīng)力，因此用較小的力就可以進(jìn)^f'j離。接著，用環(huán)氧樹脂或類似物的粘接層709將所得基片粘貼到傳送體710(圖13D)。在本例中，傳送體710為塑料月tt片以使它重量較輕。以此方式，可以得到夾在具有柔性的支撐體708和具有柔性的傳送體710之間的柔性發(fā)光器件。順便提及，如果支撐體708和傳送體710為一種材料，那么熱膨脹系數(shù)相等，因此器件4M,忍受溫度變化引起的應(yīng)力變形的影響。如果需要，可將具有乘1"生的支撐體708或柔性傳送體710切割成需要的形狀。^j^^口的技^f'占貼FPC(未示出)。例7在例6中，介紹了剝離基片^，粘貼支撐體，并粘貝W乍為傳送體的塑料基片步驟的"HM列子。在例7中，將介紹通過步驟剝離基片、粘貝W乍為第"Hi送體的塑料基片和作為第二傳送體的塑料基片在""^^制造EL(具有元件的發(fā)M示器件)的一^H列子。參考圖14進(jìn)行介紹，其中圖14A示出形^t件后的狀態(tài)，圖14B示出剝離基片后的狀態(tài)，圖14C示出粘結(jié)傳送^^口基^i才料后的狀態(tài)。在圖14A中，參考數(shù)字800表示基片，801表示第一材料層，802表示第^4才料層，803表示基底纟^彖層，804a表示驅(qū)動電路811的元件，804b和804c表示像素部分812的iU牛，參考數(shù)字805表示OLED(有才玻光器件)。此時術(shù)語元件是指在有源矩陣類型發(fā)光器件中用做像素的開關(guān)元件的半"M^元件(通常為TFT)或MM元件、OLED等。然后形成層間^4J漢806M所有這些元件。伏選層間鄉(xiāng)&維806比形^的表面更平坦。順便提及，可以不需要提供層間彰練806。根據(jù)實施例2到4中的j封可一個，在基片700上形成層801-803?？梢愿鶕?jù)以上介紹的例1的n溝道型TFT201和以上^h紹的p溝道型TFT202制備這些元件(包括804a、804b和804c)。通過以上介紹的方法得到圖14A的狀態(tài)時，通過物理方式剝離掉其上已形成有第一材料層801的基片800(圖14B)。由于第J^才料層802具有壓縮應(yīng)力并且第一材泮+層801具有拉伸應(yīng)力，因此用較小的力就可以進(jìn)frl'J離。接著，用環(huán)IU^脂或類似物的4對妄層809將所得基片粘貼到傳送體(第一傳送體)810。在本例中，傳送體810為塑料片可以使它重量較輕。F始，^f^M妄層807將獲得的村底粘貼到JJ^才料(第二傳送體圖14C)。在本實施例中，塑料基片用^^^#料808。^rfr地，對于傳送體810和基^#料808，可以4狄具有IOmiii或10pm以JJ^度的樹脂基片，例如，^M砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、彩十苯二曱酸乙二酯(PET)、或聚萘二曱酸乙二酯(PEN)。此時，當(dāng)從OLED看^I^^料808和津^姿層807位于M^者"H則(發(fā)光器件的使用者"~)時，基;1#料808和蜂對妄層807為透>^才料。以此方式，可以得到夾在具有柔性的^#料808和具有柔性的傳送體810之間的柔4嫂光器件。順便提及，如^^才料808和傳送體810為一種材料，那么熱膨脹系數(shù)相等，因》&#以承受溫度變化引起的應(yīng)力應(yīng)變的影響。如果需要，可將具有柔性的Mi才料808和傳送體810切割成需要的形狀。^j]/;^p的技^^占貼FPC(未示出)。例8下面參考圖15的4脈f見圖"^紹4財居例6或例7得到的EL(電lt^光)的結(jié)構(gòu)。根據(jù)例子傳送體810對應(yīng)于月片900。圖15A示出了EL組件的《射見圖，圖15B為沿圖15A的線A-A'的剖面圖。在圖15A中，具有柔性的月m片900上(例如，塑料基片等)形成具有壓縮應(yīng)力的膜901(例如氧^^勤莫)，在其上形成像素部分902、源極側(cè)驅(qū)動電路904以及柵極側(cè)馬區(qū)動電路903。根據(jù)以上^h紹的例子1或2可以得到像素部^H區(qū)動電路。踏，參考數(shù)字918表示有城脂，參考數(shù)字919表示保護膜。像素部妙驅(qū)動電路部分由有才/l^脂918覆墓，有積樹脂由保護膜919覆蓋。jtb^卜，4躺粘結(jié)劑用蓋部件920密封保護膜919。在剝離作為支撐座之前連接蓋部件920。伊遞為了承受由于熱和外力變形，蓋部件920由與基片900相同的材料制成，例如，為一塑料基片處理材料以具有圖15B所示的凹形(深度3-10jum)，用于蓋部件920。jtb^卜，進(jìn)一步加工材料形成能設(shè)置干燥劑921的凹形部分(深度50-200Mm)。jtb^卜，制造多個EL組件時，將基片和蓋部件粘貼在^^^，^f躺COJ狄等切省'H吏端面相互匹配。應(yīng)該注意參考數(shù)字908表示用于傳送輸A^j源驅(qū)動電路904和一斷刑驅(qū)動電路903的信號的布線，并接收來自為夕陶輸入端的EPC(柔性印制電路)909的視顛信號和時鐘信號。應(yīng)該注意M^l^圖中示出了FPC，但是印制布^i反(PWB)安#FPC上。本說明書中的發(fā)光器件不僅包括發(fā)光器件的主體也包括安彭UFPC或PWB的發(fā)光器件。接下來，參考圖15B介紹剖面圖。具有熱傳導(dǎo)性的膜901形^y^4片900上，并i!J^彖膜910提供在其上，像素部分902和##販動電路903已形成在絕鄉(xiāng)910上，多個像素組成像素部分902，像素包括電連接到電矛ii空制TFT911漏極的電^i空制TFT911和像素電極912。jM^卜，^^其中組合n溝道型TFT913和p溝道型TFT914的CMOS電路形^f射則驅(qū)動電路903。沖艮據(jù)例1的n溝道型TFT和p溝道型TFT制造以上TFTs(包括911、913和914)。順便提及，根據(jù)例1和2擬目同的基片上形成像素部分902、源側(cè)驅(qū)動電路904和##鵬動電路903^r，根據(jù)實施方式，進(jìn)一步連接支撐座(處指蓋部件)jW^剝離基片(未示出)，粘貼麟片900。jtMh蓋部件920制成圖15B所示的凹狀時，連接變?yōu)橹巫纳w部件920部分布線引出端(連接部分)^^為^^M910,由jH^;a成強度變?nèi)?，因此需要剝離之前需要粘貼FPC909^H頓有才/^t脂922用于固定。注意，對于提供在TFT和OLBD之間^^l莫的材料，優(yōu)選材料不僅能I^當(dāng)例如堿金屬離子、石Ai金屬離子等的雜質(zhì)離子的擴散，也可以主動地吸收例如堿金屬離子、石肚金屬離子等的雜質(zhì)離子，》t^卜，材料能夠承錄續(xù)工藝的溫度。對于滿足這些條件的材料，作為一個例子，列舉了含大量氟的氮^^圭膜。含在氮化石娥中的氟密度為lxl0，cm3或以上，伏選，氮^5M中氟的組分比為1到50/。。氮^5爐中的IU吉合到堿金屬離子或石肚金屬離子，并吸^J)J膜中。jtl^卜，對于另一個例子，存在含有吸收堿金屬離子，石i^金屬離子等的由銻(SbH^4勿、錫(Sn)4^物、或銦(In)^^物組成的細(xì)小顆粒的有才;U對脂膜，例如含五氧化銻細(xì)小顆粒(Sb205.nH20)的有扭樹脂膜。應(yīng)該注意該有4M對脂膜含有平均顆粒尺寸為10-20叫的細(xì)小顆4立，透MW艮高。由該五氧^4弟細(xì)小顆4^4示的銻^^^勿可能吸收例如堿金屬離子或;Ai金屬離子的雜質(zhì)離子。像素電極912敞^L件(OLED)的陰極的作用。jtM卜，堤岸(bank)915形絲像素電極912的兩端，發(fā)it^L件的有枳^^物層916和陽極917形錄像素電極912上。對于有才/M給物層916，通過自由地i且合發(fā)光層、電荷傳輸層和電荷注M可以形M才/^lb^4勿層(用于發(fā)光^H吏載流子為此遷移的層)。例如，可以4^H氐襯量有才/M^4勿材^^高襯量有才A^^4勿材料。jtb^卜，對于有才A4^4勿層，可以使用由于單重激發(fā)態(tài)發(fā)光(熒光)的發(fā)光材料(單重態(tài)^^物)組成的薄膜，或由于三重^t^態(tài)發(fā)光(磷光)的發(fā)i^才料(三重態(tài)^^f勿)組成的薄膜。jtl^卜，例如碳化珪的無機材料能夠用做電荷傳輸層或電荷';認(rèn)層。對于可以佳月的已知的材料用于有機EL材料或^^H"料。陰極917也作為所有的像素共同的布線，^H昔助連接布線908電連接到FPC909。jtM卜，含在像素部分902中和柵極側(cè)驅(qū)動電路903上的元件都由陰極917、有才贈脂918以及保護膜919亂應(yīng)該指出對于有才/l^脂918，伊逸采用夠透過可見^t4半透明的材料。jtb^卜，希望有才M對脂918由盡可能少穿透濕氣或氧的材料形成。jH^卜，利用有才A^t脂918完全lJj^^t件^,仂Ci&保護膜919至少提供絲才/L^脂918的表面(露出的表面)上，如圖15所示。jtb^卜，保護膜可提供在包括基片背面的整個表面上。這里，需要注意保護膜沒有淀積在提供夕h"^輸入端子(FPC)的那部分上。為了不形成保護膜可利用掩模。、換句^i兌為了不形成4呆護膜，夕陶輸入端子部分可用由Teflon(注冊商標(biāo))形成的帶等M,該帶在CVD裝置中用作掩蔽帶。通過用以上介紹結(jié)構(gòu)中的保護膜919密封發(fā)it^L件，發(fā)^L件可以完全FiUL外部影響。由此，可以防止^ii由于有才/M^物層氧^it成的退化，例如,WI^卩滲透的濕氣或氧。Jt^卜，由具有導(dǎo)熱性的膜也可以發(fā)散，因此可以得到具有高可靠性的發(fā)光器件。然而，可以釆用像素電極為陽極，有才;i4^物層和陰極疊置的結(jié)構(gòu)，由》化與圖15中相反的方向中發(fā)光。圖16示出了它的一個例子。應(yīng)該指出，由于該例子的俯-見圖與圖15的相同，因jH^皮省略。下面介4召顯示在圖16中的剖面結(jié)構(gòu)。^^Ml010提供在膜基片1000上，形成像素部分1002和柵極#鵬動電路1003在纟&維1010上，通過由具有電連接到電^i空制TFT的漏極的控制電流TFTlOll和像素電極1012的多^f象素組成。注意根據(jù)實施方式，剝離掉形^^基片上的剝離層^，粘貼麟片l歸?！?amp;卜，^J]組合n溝道型TFT1013和p溝道型TFT1014的CMOS電路形^#極側(cè)驅(qū)動電路訓(xùn)。根據(jù)以上例1的n溝道TFT201、p溝道TFT202可以制造il些TFT(^i舌1011,1013，1014)。像素電極1012作為發(fā)itiL件的陽極。jtW卜，堤岸1015形成在像素電極1012的兩端，發(fā)i"^L件的有才;U^4勿層1016和陽極1017形成在像素電極1012上。陰極1017也作為所有像素的公共布線，并借助連接布線1008電連接到FPC1009。jt"卜，含在像素部分1002和柵極,媽區(qū)動電路1003中的所有元件由陰極1017、有^N^t脂1018和保護膜1019M。jt!^卜，^^津M絲'J連接蓋部件1020。jtb^卜，在蓋部件中提供凹陷部分，干歸'U02Utt在其中。jtt^卜，當(dāng)蓋部件1020制成圖16所示的凹4犬時，連接變?yōu)橹巫纳w部件1020部分布線引出端(部^i^接)僅變?yōu)猷l(xiāng)&1010，由j^M成強度變?nèi)酰虼诵枰獎冸x之前需要粘貼FPC1009^H躺有才;U^脂922用于固定。jtk^卜，在圖16中，像素電極為陽極，有才A4b^4勿層和陰極疊置，因jt汰光的方向為圖16中箭頭所指的方向。注意雖然在例8中介紹了頂柵TFT，然而，本發(fā)明可以適用而不考慮TFT的結(jié)構(gòu)，可以采用^4冊(反相交錯)TFT和交錯TFT作為例子。例9在例8中，示出了^f錢頂柵TFT的一^H列子，然而也可以^^^ft^TFT。il^f細(xì);^冊型TFT的一^H列子顯示在圖17中。如圖17所示，所有的n溝道型TFT1113、p溝道型TFT1114以及n溝道型TFT1111都制成具有^f孵吉構(gòu)?？梢酝ㄟ^已知的技術(shù)制造它們的底4鵬吉構(gòu)。順便提及，這些TFT的有源層可以是具有晶體結(jié)構(gòu)的半^^膜(多晶硅等)或具有非晶結(jié)構(gòu)的半"^^膜(非晶石圭等)。》!^卜，在圖17中，參考數(shù)字1100表示柔^^片(例如，塑料基片等)，1101表示具有壓縮應(yīng)力的膜(例如，氧^f娥)，1102表示像素部分，1103表示柵極側(cè)驅(qū)動電路，1110表示纟^泰膜，1112表示像素電極(陰極)，1115表示iM，1116表示有才/M^4勿層，1117表示陽極，1118表示有才/L^脂，1119表示保護膜，1120表示蓋材料，1121表示干縣'h1122表示有才A^脂。由于除了n溝道型TFT1113、p溝道型TFT1114、n溝道型TFT1111"卜的結(jié)構(gòu)與例8相同，因jtki!E省略了介紹。例10通itt用本發(fā)明形成的驅(qū)動電路和像素部分可以用在M組件(有源矩陣液晶組件、有源矩陣EL組件以及有源矩陣EC組件)。即，本發(fā)明可以體^L^i且件M在它的顯示部分的所有的電子裝置中。對于所述電子裝置，有攝^^幾；數(shù)字?jǐn)z象機頭戴式顯示器(護目鏡型顯示器)；汽車^^元系統(tǒng)；投執(zhí)義；汽車音響；個人計算機；便攜信息終端(移動式計算機、移動電話或電子圖書)等。這些例子顯示在圖18和19中。圖18A為個人計期幾，包-給主才幾2001;圖傢輸入部分2002;顯示部分2003;以及4M2004。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2003。圖18B為攝^^幾，包括主體2101;顯示部分2102;聲音輸入部分2103;操作開關(guān)2104;電池2105以及圖像接收部分2106。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2102。圖18C為移動式計^^幾，包括主才幾2201;攝像部分2202;圖像接收部分2203;4喿怍開關(guān)2204以M示部分2205。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2205。圖18D為護目鏡型顯示器，包括主體2301;顯示部分2302;以及臂部分2303。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2302。圖18E為^頓記^f辨的記錄介質(zhì)(下文稱做記錄介質(zhì))的播放器，包拾主體2401;顯示部分2402;揚聲器部分2403;ie^介質(zhì)2404;操作開關(guān)2405。該裝置^^DVD(數(shù)字多用途盤)或CD作為"^f:介質(zhì)，能夠進(jìn)行音樂欣賞、電影欣賞、游勁口用于因特網(wǎng)。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2402。圖18F為數(shù)字?jǐn)zf^幾，包拾主體2501，顯示部分2502;取景器2503;#ft開關(guān)2504以及圖像接收部分(圖中未示出)。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2502。圖19A為移動電話，包括；主體2901,聲音輸出部分2902;聲音輸入部分2903;顯示部分2904;操作開關(guān)2905;天線2906;以及圖#1#入部分(CCD、圖像傳感器等)2907。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分2904。圖19B為便攜書(電子圖書)，主體3001;顯示部分3002和3003;iif^h質(zhì)3004;才喿怍開關(guān)3005;天線3006。本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分3002。圖19C為顯示器，包-fe主體3101;支撐部分3102;以M示部分3103本發(fā)明可以應(yīng)用到顯示部分3103。jtb^卜，圖19C中示出的顯示器具有小型和中型或大型，例如5到20英寸的顯示屏幕。jtW卜，為了制造具有所iiA寸的顯示部分，優(yōu)選"f頓尺寸為lxlm的基片通過實行多重圖形^ii行^M^勝產(chǎn)。如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍很廣，本發(fā)明能應(yīng)用到所有領(lǐng)域的電子裝置。通過例1到9的構(gòu)成的自由組合可以獲得本發(fā)明中的電子裝置。例ll在本例中，在圖IO中示出了使用電泳顯示器件作為顯示部分的一個例子。通常，電泳顯示器件適用于圖19B中所示的顯示部分3002或便攜書(電子圖書)的顯示部分3003。電泳顯示器件^U爾做電子紙。它具有與紙一才羊的可讀性，與其它顯示器件相比，功耗低并且形抝蓴重量輕的優(yōu)點。電泳顯示器件可以為多種形式，例如含有帶正電荷的第一4斜財口帶負(fù)電荷的第JLf斜立的多個微嚢(capsules)分布^i^絲溶質(zhì)中。通過向微嚢淑口電場，微嚢中的微粒反方向相互移動，由此發(fā)出聚集在一側(cè)的微粒顏色。jtb^卜，第一存妍立和第JLf結(jié)立^"有染料。沒有電場擇勁立不^f多動。jH^卜，第一#*^口第_=4勁立的顏色相互不同(包括無色)。由此，電泳顯示器件^^]稱做介質(zhì)遷移歲夂應(yīng)，即高介電常數(shù)材料移動到高電場區(qū)。電泳顯示器件不需要液晶顯示器件需要的^4t板和反基片，由iWI"度和重量減半。溶劑中綠的微嚢稱做電子墨水。電子墨水印刷^i皮璃、塑料、織物和紙的表面上。jtb^卜，通過^^具有彩色濾光器和顏料的果射立可以形成彩色顯示。通過在兩個電極之間適當(dāng)?shù)靥峁┮陨咸岬降亩鄠€微嚢，可以完成有源矩陣型顯示器件。如果電場口到微嚢，那么器件可以顯示圖像。通itA/o選自以下材料的一種材料或^^勿材料可以形成微嚢中的第一孩妍封口第J^斜立導(dǎo)電材料、嫩^才料、半^#料、磁對才料、液晶材料、鐵電材料、電至&^i才料、電致變色材一+、和石茲性電》j^才灃+。本例可以自由地與實施例1到4,以及例1到10組合。在本發(fā)明中，通過物理方式進(jìn)行基片的剝離，由》化半^^層上沒有產(chǎn)生損傷，可以提高元件的可靠性。jll^卜，本發(fā)明能高產(chǎn)額率;^i^t^離，不僅小面積剝離層而且可以在整個表面中大面積J也剝離層。jtb^卜，本發(fā)明可以用物理方式，例如^v手容易地^^H^')離，由jtb^發(fā)明的工藝可以^it合于^M^牲產(chǎn)。Jt^卜，制賴于^M^姓產(chǎn)的將剝離層剝離的制造裝置時，甚至可以^A^也制造^M^莫的制錄置。權(quán)利要求1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟形成包括基片上的第一材料層和所述第一材料層上的第二材料層的多層，其中所述第二材料層具有壓縮應(yīng)力；在所述第二材料層上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、柵電極和介于所述半導(dǎo)體層和所述柵電極之間的柵絕緣膜；在形成所述薄膜晶體管后，利用激光照射所述多層；并且在所述第一材料層和所述第二材料層的界面處從所述基片將所述第二材料層剝離。2.—種形;^半*器4牛的方法，包括下列步驟-.形成包括基片上的第一材料層和所述第一材料層上的第二材料層的多層；在所述第〉才料層上形娜彖層；在所iti色緣層上形成薄膜晶體管，其中所ii;蓴膜晶體管包括半"!M^層、柵電極和^H^所述半^^層和所述柵電極之間的4鵬fe^M;在形成所池蓴膜晶體管后，利用^LiL照射所述多層，使得所述第^^才料層具有壓縮應(yīng)力；并且在所述笫一材料層和所述第^^才料層的界面處/A^斤述基片將所述第^^才料層剝離。3.—種形成半,器件的方法，包括下列步驟形成包括基片上的第一材料層和所述第一材料層上的第二材料層的多層，其中所述第^^才料層具有壓縮應(yīng)力；在所述第^^才料層上形成慰彖層；在所必色緣層上形成包括薄膜晶體管的元件層，其中所i^蓴膜晶體管包括半^^層、柵電招iNH^所述半"!H^層和所迷柵電極之間的柵^^繊；在形成所it;蓴膜晶體管后，利用、fct照射所述多層；將支撐體粘結(jié)到所iiiL件層；在所述第JL^料層中或在所述第一材料層和所述第^^才料層的界面處/W斤述基片將所述支撐^^剝離；并且##送體粘結(jié)到所彭色緣層或所述第>^#料層，以便將所ii^L件層夾在所述支4掌^^o所i^傳i^^間。4.一種形成半科器件的方法，^i舌下列步驟形成包括基片上的第一材料層和所述第一材料層上的笫二封料層的多層；在所述第^"料層上形成彰彖層；在所必色緣層上形成包括薄膜晶體管的元件層，其中所述薄膜晶體管包括半^M^層、柵電才1^襯所述半^^層和所述柵電極之間的4鵬^維；在形成所池蓴膜晶體管后，利用^l^照射所述多層，以使得所述第^^杉牛層4^有壓縮應(yīng)力；將支撐體粘結(jié)到所i^L件層；在所述笫_^才料層中或在所述第一材料層和所述第>=~#料層的界面處從所述基片將所述支撐體剝離，并且將傳送體粘結(jié)到所彭色緣層或所述第^#料層，以便將所^t件層夾在所述支撐#所述傳送糾'司。5.如權(quán)牙'虔求1和3中^f可一個所述的方法，^4衫球于，所述第一材料層具有4i伸應(yīng)力。6.如權(quán)利要求2和4中^f可一個所述的方法，^4封球于，利用^L^ii行照射，使得第一材料層具有拉伸應(yīng)力。7.如權(quán)牙'溪求14中<封可一個所述的方法，還包拾在利用〗>^行照射以前，形成電連接到所&蓴膜晶體管的薄膜，其中所ii;蓴膜包^5或銀。8.如權(quán)矛虔求1~4中^^可一個所述的方法，還包括在利用〗^行照射以前，形成電連接到所1蓴膜晶體管的象素電極。9.如權(quán)牙'虔求14中^f可一個所述的方法，還^i舌在利用';W^行照射以前，形成電連接到所ii;蓴膜晶體管的有才/U^t^及管，其中所述有才A^it^f及管包括^"有有才A4^4勿的層、陽極和陰極。10.如權(quán)利要求1和2中4封可一個所述的方法，^#4球于，所ii;蓴膜晶體管是n溝道型薄膜晶體管。11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括在利用^^ii行照射以前，在所必色緣層上形成p溝道型薄膜晶體管。12.如權(quán)矛J^求3和4中4封可一個所述的方法，^#44于，所南蓴膜晶體13.如權(quán)矛j^求12所述的方法，^4封iL^于，所i^L件層還包括p溝道型薄膜晶體管。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種剝離方法，不會損傷剝離層，不僅能夠剝離具有較小面積的剝離層，而且能夠剝離掉具有較大面積的剝離層整個表面。此外本發(fā)明的目的在于通過將剝離層粘貼到多種基片上提供一種輕型半導(dǎo)體器件，及其制備方法。具體地，本發(fā)明的目的在于通過粘貼多種元件例如TFT到柔性膜提供一種輕型半導(dǎo)體器件及其制備方法。即使第一材料層形成在基片上，第二材料層與上述第一材料層相鄰形成，進(jìn)一步進(jìn)行層疊膜形成，在500℃或更高的溫度進(jìn)行熱處理或激光束照射處理，如果第一材料層在剝離之前具有拉伸應(yīng)力，第二材料層具有壓縮應(yīng)力，通過物理方式，可以容易地在第二材料層的層內(nèi)或界面中很好地分離層。文檔編號H01L27/12GK101246814SQ200810009858公開日2008年8月20日申請日期2002年8月9日優(yōu)先權(quán)日2001年8月10日發(fā)明者丸山純矢,山崎舜平,高山徹申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所