技術(shù)編號(hào):6891656
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。剝離方法及半^MI件的制造方法本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?2143458.1、申請(qǐng)日為2002年8月9日、發(fā)明 名稱(chēng)為"剝離方法及半*器件的制造方法"的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。本發(fā)明涉及一種剝離層的剝離方法,特別涉及一種#^有多種元素的剝離層的剝離方法。j^t,本^發(fā)明涉^^一種包含,薄膜晶體管(下文稱(chēng)作TFT)組成的 電路的半*器件,通過(guò)將分離的剝離層粘到基片樹(shù) 薄膜晶體管,并涉及半 科器件的制造方法。例如,本發(fā)明涉狄電器件例如液晶組件、狄器件例如 EL組件以及含...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。