專利名稱：：非水電解質(zhì)二次電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及圓筒型的非水電解質(zhì)二次電池，具體地說涉及該電池的負(fù)極的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著電子設(shè)備的便攜化、無繩化，作為其驅(qū)動(dòng)用的電源，小型、輕便、且具有高能量密度的鎳氫或鋰離子等的二次電池倍受關(guān)注。鋰離子二次電池包含由含鋰復(fù)合氧化物形成的正極、含有金屬鋰或鋰合金或者能嵌入和脫嵌鋰離子的負(fù)極活性物質(zhì)的負(fù)極、以及電解質(zhì)。而且，近年來報(bào)道了關(guān)于用具有鋰離子的嵌入性、且理論容量密度超過833mAh/cn^的元素來代替以往一直用作負(fù)極材料的石墨等碳材料的研究。例如，作為理論容量密度超過833mAh/cmS的負(fù)極活性物質(zhì)的元素，有與鋰合金化的硅(Si)、錫(Sn)、鍺(Ge)和它們的氧化物以及合金等。其中，Si粒子和氧化硅粒子等含硅粒子由于價(jià)廉而被廣泛研究。目前，已經(jīng)提出了將Li嵌入性元素用于負(fù)極材料的各種鋰離子二次電池。其中，日本特開2002-83594號(hào)公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)1")中公開了通過CVD法或?yàn)R射法等將Li嵌入性合金的薄膜堆積在集電體上而形成負(fù)極的鋰離子二次電池。但是，在使用上述薄膜狀的負(fù)極材料時(shí)，伴隨鋰離子的嵌入和脫嵌，Li嵌入性元素的膨脹、收縮的程度很大。例如，在使用了包含由Si形成的活性物質(zhì)的負(fù)極時(shí)，在鋰離子被最大量嵌入的狀態(tài)下，所述負(fù)極活性物質(zhì)用LLuSi表示。而且，在從Si變成LLuSi時(shí)的體積增加率為4.12倍。因此，在反復(fù)進(jìn)行充放電時(shí)，集電體和負(fù)極材料的粘附性降低，從而有可能發(fā)生剝離、在負(fù)極上產(chǎn)生皺褶等。而且，由于產(chǎn)生剝離和皺褶，有可能使二次電池的充放電循環(huán)特性降低。因此，為了解決上述問題，日本特開2003-303586號(hào)公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)2")公開了將由柱狀凸部的活性物質(zhì)形成的薄膜以具有空隙的方式離散地設(shè)置在集電體上的二次電池用電極。同樣，日本特開2004-127561號(hào)公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)3")公開了在負(fù)極中活性物質(zhì)的薄膜以具有空隙的方式以規(guī)定的形狀選擇性地設(shè)置在集電體上的二次電池。由此，即使由于鋰離子的嵌入而使得柱狀凸部膨脹，也可以通過空隙來避免相鄰的柱狀凸部之間的接觸，從而可以防止在集電體中產(chǎn)生皺褶和破裂。此外，日本特開2005-196970號(hào)公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)4")公開了在集電體的表面上設(shè)置凹凸，在該凹凸上相對(duì)于與負(fù)極材料的主面垂直的面傾斜形成薄膜狀的負(fù)極材料的方法。由此，使得由充放電的膨脹和收縮產(chǎn)生的應(yīng)力在與負(fù)極材料的主面平行的方向和垂直的方向上分散，從而可以抑制皺褶和剝離的發(fā)生。但是，在專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中所示的二次電池中，Li嵌入性合金的薄膜以具有空隙的方式以柱狀凸部或規(guī)定的圖案選擇性地且在集電體的法線方向上直立地形成。而且，正極活性物質(zhì)與柱狀的薄膜一同與集電體露出的空隙相對(duì)向。因此，在充電開始時(shí)，從正極活性物質(zhì)供給的鋰被吸收到相對(duì)向的薄膜中，同時(shí)析出到露出的集電體上。結(jié)果在放電時(shí)鋰離子無法高效地從薄膜上脫嵌。此外，金屬鋰容易析出，成為安全性和容量降低的要因。而且，這些問題隨著反復(fù)進(jìn)行循環(huán)會(huì)變得更加顯著。另外，根據(jù)專利文獻(xiàn)4所示的二次電池，由傾斜形成的Li嵌入性合金形成的負(fù)極能擴(kuò)大與正極活性物質(zhì)相對(duì)向的面積，并對(duì)鋰能進(jìn)行有效利用，同時(shí)可以防止集電體的露出，并防止金屬鋰析出。即，如圖16A至圖16C所示，在專利文獻(xiàn)4的二次電池中，將具有在集電體110的凸部130上傾斜形成的柱狀的負(fù)極材料150、160的負(fù)極100與隔膜(圖中未示出)和正極(圖中未示出)層疊而形成電極組，將該電極組巻繞而制成圓筒型二次電池。而且，如圖16B和圖16C所示，負(fù)極材料160直立在與巻繞方向直交的集電體110的寬度方向上，在巻繞方向上傾斜形成。但5是，正如圖17所示意性地顯示的那樣，在放電時(shí)，對(duì)于具有寬度W的集電體110而言，通過負(fù)極材料150、160在充電時(shí)嵌入鋰離子，從而相鄰的負(fù)極材料150、160的體積膨脹、接觸并互相推擠，結(jié)果集電體110的寬度延伸6w。由此，預(yù)先考慮到集電體110的寬度等的形狀變化，必須設(shè)計(jì)成小尺寸，使得能收容在電池殼中。結(jié)果在電池殼內(nèi)的空間無法得到有效利用，存在電池容量的提高受到限制的問題。此外，如果不考慮形狀的變化，則通過集電體的延伸，在電池殼內(nèi)與設(shè)置在電極組上下的絕緣板接觸，集電體110產(chǎn)生壓曲等變形。結(jié)果集電體110和負(fù)極材料150、160的接合部上產(chǎn)生較大的應(yīng)力，存在負(fù)極材料從集電體上剝離的問題。此外，即使在不剝離的情況下，也可能在集電體上產(chǎn)生皺褶或變形。結(jié)果有時(shí)使得循環(huán)特性和可靠性降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池具有下述結(jié)構(gòu)至少具備負(fù)極，其具有在兩面具有凹凸的集電體的一個(gè)面的凸部上斜立形成的第1柱狀體和在另一個(gè)面的凸部上斜立形成的第2柱狀體；正極，其在正極集電體的兩面上具有包含能可逆地嵌入和脫嵌鋰離子的正極活性物質(zhì)的正極合劑層；和隔膜，其在正極和負(fù)極之間相對(duì)向設(shè)置；并且負(fù)極的第l柱狀體和第2柱狀體斜立在與集電體的巻繞方向直交的方向上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以抑制集電體在寬度方向的延伸。結(jié)果集電體的寬度可以達(dá)到電池殼的有效高度程度，因此通過與正極合劑層相對(duì)向的電極面積的擴(kuò)大，可以提高電池容量。此外，不易由于充放電而在集電體上產(chǎn)生皺褶和破裂等，因此可以實(shí)現(xiàn)循環(huán)特性等可靠性高的非水電解質(zhì)二次電池。圖1為本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的剖面圖；圖2為示意性地表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組的巻繞狀態(tài)的平面圖；圖3A為示意性地表示從本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組中只將負(fù)極抽出并巻繞的狀態(tài)的立體圖；圖3B為沿圖3A的B-B線的剖面圖；圖3C為沿圖3A的C-C線的剖面圖；圖4A為說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖4B為說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖5為說明形成本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的制造裝置的示意圖；圖6為表示本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的其它例子的部分剖面示意圖；圖7A為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖；圖7B為說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的活性物質(zhì)的寬度方向的x值的變化的示意圖；圖8A為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的柱狀體的充電前的狀態(tài)的部分剖面示意圖；圖8B為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的柱狀體的充電后的狀態(tài)的部分剖面示意圖；圖9為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式3的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖；圖10A為示意性地表示從本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組中只將負(fù)極抽出并巻繞的狀態(tài)的立體圖；圖10B為沿圖10A的B-B線的剖面圖；圖10C為沿圖10A的C-C線的剖面圖；圖11A為說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n=3段的柱狀體部形成的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖11B為說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n=3段的柱狀體部形成的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖11C為說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n=3段的柱狀體部形成的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖11D為說明本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n=3段的柱狀體部形成的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖；圖12為說明形成本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n二3段的柱狀體部形成的柱狀體的制造裝置的部分剖面示意圖；圖13為表示本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的其它例子的剖面圖；圖14A為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式4的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖；圖14B為說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的活性物質(zhì)的寬度方向的x值的變化的示意圖；圖15為表示實(shí)施例和比較例中的樣品的充放電循環(huán)特性的例子的圖；圖16A為示意性地表示從以往的非水電解質(zhì)二次電池的電極組中只將負(fù)極抽出并巻繞的狀態(tài)的立體圖；圖16B為沿圖16A的B-B線的剖面圖；圖16C為沿圖16A的C-C線的剖面圖；圖17為說明以往的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的充電前后的集電體的寬度方向的狀態(tài)的圖。具體實(shí)施方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明只要是基于本說明書中所述的基本特征就行，并不受如下所述的內(nèi)容限定。(實(shí)施方式l)圖1為本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的剖面圖。圖2為示意性地表示從本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組的巻繞狀態(tài)的平面圖。此外，圖3A為示意性地表示從本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組中只將負(fù)極抽出并巻繞的狀態(tài)的立體圖。圖3B為沿圖3A的B-B線的剖面圖。圖3C為沿圖3A的C-C線的剖面圖。如圖1所示，圓筒型的非水電解質(zhì)二次電池(以下稱為"電池")具有電極組4，該電極組4是將隔膜3介入到具有例如鋁制的正極引線8的正極1和與該正極1相對(duì)向且在一端具有例如銅制的負(fù)極引線9的負(fù)極2之間，并按圖2所示進(jìn)行巻繞而成的。而且，在電極組4的上下安裝絕緣板10a、10b，然后插入到電池殼5中，正極引線8的另一端部焊接到封口板6上，負(fù)極引線9的另一端部焊接到電池殼5的底部。而且還具有下述的結(jié)構(gòu)將傳導(dǎo)鋰離子的非水電解質(zhì)(圖中未示出)注入到電池殼5內(nèi)，將電池殼5的開放端部隔著密封墊圈7斂縫連接在封口板6。此外，正極1包含正極集電體la和含正極活性物質(zhì)的正極合劑層lb。此外，如圖3B所示，負(fù)極2包括具有凹部12和凸部13的負(fù)極集電體11(以下稱為"集電體")；在集電體11的一個(gè)面的凸部13上斜立并離散設(shè)置的由例如由SiOx表示的活性物質(zhì)形成的第1柱狀體15;和在另一個(gè)面的凸部13上斜立并離散設(shè)置的由例如由SiOx表示的活性物質(zhì)形成的第2柱狀體16。此時(shí)，如圖3B所示，第1柱狀體15和第2柱狀體16斜立設(shè)置在與將正極1、負(fù)極2和隔膜3巻繞形成的電極組4的巻繞方向直交的方向(以下稱為"寬度方向")上。此外，第1柱狀體15和第2柱狀體16相對(duì)于集電體11對(duì)稱地設(shè)置。而且，如圖3C所示，在集電體11的巻繞方向上第1柱狀體15和第2柱狀體16大致平行地設(shè)置。這里，正極合劑層lb含有LiCo02、LiNi02、LiMn204、或者它們的混合或復(fù)合化合物等含鋰復(fù)合氧化物來作為正極活性物質(zhì)。作為正極活性物質(zhì)除上述之外，還可以使用由通式LiMP04(M=V、Fe、Ni、Mn)表示的橄欖石型磷酸鋰、由通式Li2MP04F(M=V、Fe、Ni、Mn)表示的氟代磷酸鋰等。還可以是將這些含鋰化合物中的一部分用異種元素取代?？梢酝ㄟ^金屬氧化物、鋰氧化物、導(dǎo)電劑等進(jìn)行表面處理，也可以對(duì)表面進(jìn)行疏水化處理。正極合劑層lb還含有導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑。作為導(dǎo)電劑可以使用天然石墨或人造石墨的石墨類、乙炔黑、科琴黑、槽法炭黑、爐黑、燈黑、熱裂法炭黑等炭黑類、碳纖維或金屬纖維等導(dǎo)電性纖維類、氟化碳、鋁等金屬粉末類、氧化鋅或鈦酸鉀等導(dǎo)電性晶須類、氧化鈦等導(dǎo)電性金屬氧化物、亞苯基衍生物等有機(jī)導(dǎo)電性材料。此外，作為粘結(jié)劑，例如可以使用PVDF、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、芳香族聚酰胺樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸己酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸己酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚醚、聚醚砜、聚六氟丙烯、丁苯橡膠、羧甲基纖維素等。此外，也可以使用選自四氟乙烯、六氟乙烯、六氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、偏二氟乙烯、氯三氟乙烯、乙烯、丙烯、五氟丙烯、氟甲基乙烯基醚、丙烯酸、己二烯中的兩種以上的材料的共聚物。此外，也可以從其中選擇兩種以上混合使用。作為正極l中使用的正極集電體la，可以使用鋁(Al)、碳、導(dǎo)電性樹脂等。此外，也可以用碳等對(duì)上述任意一種材料進(jìn)行表面處理。對(duì)于非水電解質(zhì)，可以使用在有機(jī)溶劑中溶解溶質(zhì)而成的電解質(zhì)溶液、或含有這些電解質(zhì)溶液并由高分子進(jìn)行非流動(dòng)化后的所謂聚合物電解質(zhì)層。在至少使用電解質(zhì)溶液時(shí)，在正極1和負(fù)極2之間使用隔膜3，該隔膜3是通過由聚乙烯、聚丙烯、芳香族聚酰胺樹脂、酰胺酰亞胺、聚苯硫醚、聚酰亞胺等形成的單層或多層無紡布或微多孔膜。優(yōu)選在隔膜3中浸漬電解質(zhì)溶液。此外，隔膜3的內(nèi)部或表面也可以含有氧化鋁、氧化鎂、氧化硅、氧化鈦等耐熱性填料。除了隔膜3之外，也可以設(shè)置由這些耐熱性填料和與正極1以及負(fù)極2中使用的相同的粘結(jié)劑構(gòu)成的耐熱層。作為非水電解質(zhì)材料，可以根據(jù)各種活性物質(zhì)的氧化還原電位等進(jìn)行選擇。作為非水電解質(zhì)中使用的優(yōu)選的溶質(zhì)，可以使用LiPF6、LiBF4、LiC104、LiAlCU、LiSbF6、LiSCN、LiCF3S03、LiNCF3C02、LiAsF6、LiB10Cl10、低級(jí)脂肪族羧酸鋰、LiF、LiCl、LiBr、Lil、氯硼烷鋰、二[1，2-苯二酚根合(2-)-0,0，]硼酸鋰、二[2，3-萘二酚根合(2-)-0,0，]硼酸鋰、二[2,2,-聯(lián)苯二酚合根(2-)-0,0']硼酸鋰、二(5-氟-2-羥基-l-苯磺酸-0，0')硼酸鋰等硼酸鹽類、(CF3S02)2NLi、LiN(CF3S02)(C4F9S02)、(C2F5S02)2NLi、四苯基硼酸鋰等通常在鋰離子電池中使用的鹽類。另外，用于溶解上述鹽的有機(jī)溶劑可以使用下述物質(zhì)中的一種或一種以上的混合物等通常在鋰離子電池中使用的溶劑碳酸亞乙酯(EC)、碳酸亞丙酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙烯酯、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二丙酯、甲酸甲酯、乙酸甲酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、二甲氧基甲烷、Y-丁內(nèi)酯、Y-戊內(nèi)酯、1,2-二乙氧基乙垸、1,2-二甲氧基乙烷、甲氧基乙氧基乙烷、三甲氧基甲垸、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等四氫呋喃衍生物、二甲基亞砜、1，3-二氧雜戊環(huán)、4-甲基-1,3-二氧雜戊環(huán)等二氧雜戊環(huán)衍生物、甲酰胺、乙酰胺、二甲基甲酰胺、乙腈、丙腈、硝基甲垸、乙二醇二乙醚、磷酸三酯、乙酸酯、丙酸酯、環(huán)丁砜、3-甲基環(huán)丁砜、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-2-噁唑烷酮、碳酸亞丙酯衍生物、乙醚、二乙醚、1,3-丙磺酸內(nèi)酯、苯甲醚、氟苯等。此外，還可以含有碳酸亞乙烯酯、環(huán)己基苯、聯(lián)苯、二苯醚、碳酸乙烯亞乙酯、碳酸二乙烯亞乙酯、碳酸苯亞乙酯、碳酸二烯丙酯、氟代碳酸亞乙酯、碳酸兒茶酚酯、乙酸乙烯酯、亞硫酸亞乙酯、丙磺酸內(nèi)酯、三氟代碳酸亞丙酯、氧芴、2,4-二氟苯甲醚、鄰三聯(lián)苯、間三聯(lián)苯等添加劑。另外，非水電解質(zhì)也可以將上述溶質(zhì)混合到聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚膦腈、聚氮丙啶、聚乙烯硫化物、聚乙烯醇、聚偏二氟乙烯、聚六氟丙烯等高分子材料中的一種或一種以上的混合物等中來作為固體電解質(zhì)使用。此外，也可以與上述有機(jī)溶劑混合而以凝膠狀來使用。也可以將鋰氮化物、鋰鹵化物、鋰含氧酸鹽、Li4Si04、Li4Si04-LiI-LiOH、Li3P04-Li4Si04、Li2SiS"Li3P04-Li2S-SiS2、硫化磷化合物等無機(jī)材料作為固體電解質(zhì)使用。在使用凝膠狀的非水電解質(zhì)時(shí)，也可以用凝膠狀的非水電解質(zhì)代替隔膜來設(shè)置在正極1和負(fù)極2之間。此外，也可以將凝膠狀的非水電解質(zhì)與隔膜3相鄰接地設(shè)置。此外，負(fù)極2的集電體11可以使用不銹鋼、鎳、銅、鈦等金屬箔、碳或?qū)щ娦詷渲谋∧さ取＿€可以對(duì)碳、鎳、鈦等實(shí)施表面處理。另外，作為構(gòu)成負(fù)極2的各柱狀體的柱狀體部，可以使用如硅(Si)或錫(Sn)等能可逆地嵌入、脫嵌鋰離子的理論容量密度超過833mAh/cm3的負(fù)極活性物質(zhì)。只要是這樣的活性物質(zhì)即可，即使是單質(zhì)、合金、化合物、固溶體以及含有含硅材料和/或含錫材料的復(fù)合活性物質(zhì)中的任意一種，均能發(fā)揮本發(fā)明的效果。即、作為含硅材料，可以使用Si、SiOx(0<x《2.0)、或者對(duì)它們中的任意一者用選自由Al、In、Cd、Bi、Sb、B、Mg、Ni、Ti、Mo、Co、Ca、Cr、Cu、Fe、Mn、Nb、Ta、V、W、Zn、C、N、Sn組成的組中的至少一種元素替換一部分Si而得到的合金、化合物、或固溶體等。作為含錫材料，可以使用Ni2Sn4、Mg2Sn、SnOx(0《x<2.0)、Sn02、SnSi03、LiSnO等。這些材料可以單獨(dú)構(gòu)成負(fù)極活性物質(zhì)，也可以由多種材料構(gòu)成負(fù)極活性物質(zhì)。作為由上述多種材料構(gòu)成負(fù)極活性物質(zhì)的例子，可以舉出含Si、氧和氮的化合物；含Si和氧、且Si和氧的構(gòu)成比例不同的多種化合物的復(fù)合物等。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過在集電體的寬度方向上離散地斜立設(shè)置第1柱狀體和第2柱狀體，可以抑制集電體在寬度方向的延伸。由此，可以防止由于各柱狀體的膨脹而使得集電體與電池殼的絕緣板或封口板接觸來發(fā)生壓曲等變形。結(jié)果集電體的寬度可以增大到電池殼的有效高度程度，因此通過與正極合劑層相對(duì)的電極面積擴(kuò)大，從而可以提高電池容量。此外，在充放電時(shí)，通過將各柱狀體與集電體的凸部的接合部的應(yīng)力緩和，不易發(fā)生皺褶和破裂等，因此，可以實(shí)現(xiàn)循環(huán)特性等的可靠性高的非水二次電池。下面，使用圖4A、圖4B和圖5對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1中的非水二次電解質(zhì)電池的負(fù)極的柱狀體的制造方法進(jìn)行說明。圖4A和圖4B為說明本發(fā)明實(shí)施方式1中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的形成方法的部分剖面示意圖，圖5為說明其制造裝置的示意圖。另外，以下為了簡化說明，以在集電體的一個(gè)面的凸部上僅形成第1柱狀體的例子進(jìn)行說明，但在另一個(gè)面上形成第2柱狀體的情況也是相同的。此外，例如以至少含硅的由SiOx(0<x<2.0)表示的負(fù)極活性物質(zhì)(以下有時(shí)稱為"活性物質(zhì)")為例進(jìn)行說明。這里，圖5所示的形成柱狀體的制造裝置40具有如下結(jié)構(gòu)在真空容器46中具有開巻及巻取滾筒41;成膜滾筒44a;巻取及開巻滾筒45;蒸鍍?cè)?3a;掩模42;和氧噴嘴48a;并且通過真空泵47進(jìn)行減壓。另外，雖然顯示的是制造裝置40在集電體的單面上制作第1柱狀體的一個(gè)例子，但是，實(shí)際中，通常是在集電體的兩面上制作第1柱狀體和第2柱狀體的裝置結(jié)構(gòu)。首先，如圖4A和圖5所示，準(zhǔn)備集電體ll，所述集電體ll使用厚度為30um的帶狀電解銅箔，在其表面上通過鍍覆法形成凹部12和凸部13，凸部13形成為例如高為5um、寬為10um、間隔為20um。然后，在如圖5所示的開巻及巻取滾筒41和巻取及幵巻滾筒45之間設(shè)置集電體11。然后，如圖4B和圖5所示，使用蒸鍍單元(由蒸鍍?cè)?、坩堝、電子束發(fā)生裝置一體化而成)，從設(shè)置在相對(duì)于集電體11的法線方向?yàn)榻嵌葁,(例如55°)的位置上的蒸鍍?cè)?3a，將例如Si(廢料硅純度為99.999%)等活性物質(zhì)蒸發(fā)，從圖面中的箭頭方向射入到集電體11的凸部13上。此時(shí)，根據(jù)需要，從氧噴嘴48a向集電體ll供給氧(02)。此時(shí)，例如真空容器46的內(nèi)部形成壓力為3.5Pa的氧氣氛。另外，氧噴嘴48a如圖5所示設(shè)置在與蒸鍍?cè)?3a不同的位置上。此外，送出到成膜滾筒44a上的集電體11在由掩模42限制的成膜范圍的區(qū)域內(nèi)，由Si和氧結(jié)合的SiOx形成且組成幾乎均質(zhì)的活性物質(zhì)在凸部13上以角度9i、規(guī)定的高度(厚度)例如30um形成第l柱狀體15。由此，由SiOx構(gòu)成的第l柱狀體15形成。另外，通過調(diào)整氧的導(dǎo)入量，從而考慮由鋰離子的嵌入產(chǎn)生的膨脹量與第1柱狀體15間的空隙率來設(shè)計(jì)SiOx的x值，具體為0<x<2的范圍。由此，制作具有第1柱狀體15的負(fù)極。另外，本實(shí)施方式中，雖然就第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體對(duì)稱地設(shè)置的例子進(jìn)行了說明，但是并不限定于此。例如，如圖6所示，第1柱狀體15和第2柱狀體16也可以相對(duì)于集電體11非對(duì)稱地設(shè)置。此外，雖然就第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體的斜立角度、間隔和高度(厚度)相同的例子進(jìn)行了說明，但是并不限定于此，它們也可以不同。由此，夾住集電體進(jìn)行巻繞時(shí)，可以將內(nèi)周與外周的第l柱狀體和第2柱狀體、與其相對(duì)向的正極合劑層和保持在空隙部中的電解液的量最優(yōu)化。(實(shí)施方式2)下面使用圖7A和圖7B以及圖8A和圖8B對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極進(jìn)行說明。圖7A為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖，圖7B為說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的活性物質(zhì)的寬度方向的x值的變化的示意圖。另外，雖然柱狀體是設(shè)置在集電體的兩面上，但是，以下就在集電體11的一個(gè)面的凸部13上設(shè)置的第1柱狀體15進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極在使構(gòu)成第1柱狀體的元素的含有比例在集電體的寬度方向上變化的方面與實(shí)施方式1不同。艮口，如圖7A所示，與實(shí)施方式l相同，在由例如銅(Cu)箔等導(dǎo)電性金屬材料形成的集電體11的一個(gè)面上設(shè)置有凹部12和凸部13。然后，構(gòu)成負(fù)極2的由SiOx表示的活性物質(zhì)通過使用了例如濺射法或真空蒸鍍法等的斜方蒸鍍法在凸部13的上部斜立形成第1柱狀體15。此時(shí)，第1柱狀體15沿集電體11的寬度方向斜立設(shè)置。而且，如圖7A所示，第1柱狀體15至少在集電體11的凸部13上形成，使得第1柱狀體15的斜立方向的中心線(A)與集電體11的厚度方向的中心線(AA-AA)形成交叉角度(下面稱為"斜立角度")91Q而且第1柱狀體15按照下述方式形成正如圖7B所示意性地顯示的那樣，第1柱狀體15的寬度方向的元素的含有比例的x值從第1柱狀體15的形成銳角的斜立角度側(cè)向形成鈍角的一側(cè)依次增大。另外，在圖7B中，x值顯示為呈線性變化，但是并不限定于此。另外，斜立形成在集電體11的凸部13上的第1柱狀體15在非水電解質(zhì)二次電池充電時(shí)，通過嵌入鋰離子，其體積膨脹。此時(shí)，在體積膨脹的同時(shí)，第1柱狀體15的斜立角度e^變大，從而第1柱狀體15例如向上立起變形。相反，在放電時(shí)，通過脫嵌鋰離子，其體積收縮，同時(shí)斜立角度e,變小，從而成為與初期的第1柱狀體15的形狀接近的狀態(tài)。由此，在放電時(shí)，可以縮短從第1柱狀體脫嵌的鋰離子向正極合劑移動(dòng)的距離。結(jié)果，得到與實(shí)施方式l相同的效果，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)低溫時(shí)的放電特性和高速率放電特性優(yōu)良的非水二次電池。下面，使用圖8A和圖8B對(duì)第1柱狀體15通過鋰離子的嵌入、脫嵌，斜立角度可逆變化的原理進(jìn)行說明。圖8A為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的柱狀體的充電前的狀態(tài)的部分剖面示意圖，圖8B為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的負(fù)極的柱狀體的充電后的狀態(tài)的部分剖面示意圖。如圖8A和圖8B所示的第1柱狀體15中，如圖7B所示，從第1柱狀體15的中心線(A-A)和集電體11的中心線(AA-AA)形成銳角的下部側(cè)15a向第1柱狀體15的形成鈍角的上部側(cè)15b，由SiOx形成的活性物質(zhì)的元素的含有比例變化，使得x值連續(xù)變大。而且，通常由SiOx形成的活性物質(zhì)隨著x值從0增加到2，由鋰離子的嵌入引起的膨脹量減少。也就是說，如圖8A所示，由充電時(shí)通過嵌入鋰離子引起的膨脹所產(chǎn)生的膨脹應(yīng)力從第1柱狀體15的下部側(cè)15a的膨脹應(yīng)力Fl到上部側(cè)15b的膨脹應(yīng)力F2連續(xù)變小。結(jié)果，由第1柱狀體15的中心線(A-A)和集電體11的中心線(AA-AA)形成的斜立角度6從0k)向6變化，第1柱狀體15向如圖8A的箭頭所示的方向立起。相反，由于在放電時(shí)通過脫嵌鋰離子引起的收縮，膨脹應(yīng)力變小。結(jié)果，第1柱狀體15的斜立角度e從en向e1()變化，第l柱狀體15向如圖8B的箭頭所示的方向變形。如上所述，第1柱狀體15通過嵌入、脫嵌鋰離子，其斜立角度能可逆地變化。下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2中的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的制造方法進(jìn)行說明。另外，基本上與實(shí)施方式l相同，但不同點(diǎn)是導(dǎo)入氧以使得在形成第1柱狀體時(shí)在第1柱狀體的斜立方向上SiOx的x值變化。因此，參照實(shí)施方式1的圖4A和圖4B和圖5，主要說明不同點(diǎn)。也就是說，本發(fā)明的實(shí)施方式2中的非水二次電池的負(fù)極的柱狀體，將如圖5所示的形成柱狀體的制造裝置40的氧噴嘴48a設(shè)置在例如巻取及開巻滾筒45側(cè)的掩模42附近。由此，隨著集電體向離開蒸鍍?cè)吹姆较蛞苿?dòng)，從蒸鍍?cè)凑舭l(fā)的硅量減少，從氧噴嘴供給的氧濃度增加。結(jié)果，相對(duì)于第l柱狀體的斜立方向SiOx的x值變化的第1柱狀體以角度e,、規(guī)定的高度(厚度)例如30um的高度形成到凸部13上。另外，通過調(diào)整氧氣的導(dǎo)入量，從而考慮由嵌入鋰離子引起的膨脹量與第1柱狀體15間的空隙率來設(shè)計(jì)Si(X的x值，具體為0〈x〈2的范圍。由此，制作具有第1柱狀體15的負(fù)極。另外，本實(shí)施方式中與實(shí)施方式1相同，以第1柱狀體和第2柱狀體也可以相對(duì)于集電體非對(duì)稱地設(shè)置。第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體的斜立角度、間隔和高度(厚度)也可以設(shè)置得不同。由此，夾住集電體進(jìn)行巻繞時(shí)，可以將內(nèi)周與外周的第1柱狀體和第2柱狀體、與其相對(duì)向的正極合劑層和保持在空隙部中的電解液的量最優(yōu)化。(實(shí)施方式3)下面，使用圖9和圖IOA至圖10C對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極進(jìn)行說明。圖9為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式3的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖。圖10A為示意性地表示從本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池的電極組中只將負(fù)極抽出并巻繞的狀態(tài)的立體圖；圖10B為沿圖IOA的B-B線的剖面圖；圖IOC為沿圖IOA的C-C線的剖面圖。另外，本發(fā)明實(shí)施方式3的負(fù)極在下述方面與實(shí)施方式1不同在集電體的凸部上形成的第1柱狀體和第2柱狀體由n(n》2)段構(gòu)成，以及在奇數(shù)段與偶數(shù)段的斜立方向不同。這里，在圖9中，為了簡化說明，以只在集電體的一個(gè)面的凸部上形成第1柱狀體25的例子進(jìn)行說明，但是，基本上是如圖IOA至圖IOC所示，在集電體的兩面上具有第1柱狀體25和第2柱狀體26。艮口，如圖9所示，在由例如銅(Cu)箔等導(dǎo)電性金屬材料形成的集電體21的至少上表面設(shè)置有凹部22和凸部23。然后，構(gòu)成負(fù)極2的由SiOx表示的活性物質(zhì)通過使用了例如濺射法或真空蒸鍍法等的斜方蒸鍍法在凸部23的上部沿集電體21的寬度方向斜立形成由n=3段的柱狀體部構(gòu)成的第1柱狀體25。此時(shí)，第1柱狀體25例如由奇數(shù)段和偶數(shù)段的斜立方向不同的多個(gè)柱狀體部形成。而且，如圖IOB所示，第2柱狀體26也同樣例如由奇數(shù)段和偶數(shù)段的斜立方向不同的多個(gè)柱狀體部形成為例如曲折形狀(鋸齒形狀)。下面，以n二3段的柱狀體部251、252、253層疊構(gòu)成的第1柱狀體25為例進(jìn)行具體說明，但是并不限定于此，只要n》2段即可。首先，第1柱狀體25的柱狀體部251至少在集電體21的凸部23上形成，使得柱狀體部251的斜立方向的中心線(A)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度6,。然后，第1柱狀體25的柱狀體部252形成在柱狀體部251上，使得柱狀體部252的斜立方向的中心線(B)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度62。此外，第1柱狀體25的柱狀體部253形成在柱狀體部252上，使得柱狀體部253的斜立方向的中心線(C)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度93。另外，斜立角度e!、e2、93只要使得相鄰的第1柱狀體25不接觸即可，可以是相同的角度，也可以是不同的角度。此時(shí)，如圖10B所示，第1柱狀體25和第2柱狀體26相對(duì)于將正極、負(fù)極24和隔膜3巻繞形成的電極組的巻繞方向，在寬度方向上奇數(shù)段和偶數(shù)段的柱狀體部沿不同的方向斜立設(shè)置。此外，第1柱狀體25和第2柱狀體26相對(duì)于集電體21對(duì)稱地設(shè)置。而且，如圖10C所示，在集電體21的巻繞方向上第1柱狀體25和第2柱狀體26大致平行地設(shè)置。此外，在集電體21的凸部23上以3段曲折形狀(鋸齒形狀)斜立形成的第1柱狀體25在非水電解質(zhì)二次電池充電時(shí)，通過鋰離子的嵌入，其體積膨脹。此外，在放電時(shí)，通過鋰離子的脫嵌，其體積收縮。由此，在例如第1柱狀體25和第2柱狀體26的集電體21的法線方向的高度相等時(shí)，通過構(gòu)成n段，可以增加各柱狀體的體積。結(jié)果，可以嵌入、脫嵌更多的鋰離子，因此可以進(jìn)一步提高電池容量。此外，在與正極合劑層接觸時(shí)，與1段結(jié)構(gòu)的柱狀體相比，在柱狀體和集電體的凸部的接合部產(chǎn)生的應(yīng)力能由n段結(jié)構(gòu)的各彎曲部分散吸收，因此不易產(chǎn)生接合部的剝離或破裂等，可以實(shí)現(xiàn)可靠性優(yōu)良的非水電解質(zhì)二次電池。此外，如圖10B所示，在充電開始時(shí)，具有3段的柱狀體部的第1柱狀體25和第2柱狀體26斜立在集電體21的凸部23上，因此從正極的投影觀察第1柱狀體25和第2柱狀體26時(shí)，相對(duì)于正極，集電體21的凹部22被第l柱狀體25和第2柱狀體26部分地遮蓋。因此，充電時(shí)可以通過負(fù)極的第1柱狀體25和第2柱狀體26遮擋從正極脫嵌的鋰離子直接進(jìn)入集電體21的凹部22，使得鋰離子幾乎全部嵌入到第1柱狀體25和第2柱狀體26中，從而可以抑制金屬鋰的析出。由此，可以實(shí)現(xiàn)可靠性和循環(huán)特性優(yōu)良的非水電解質(zhì)二次電池。下面使用圖IIA至圖IID和圖12對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的制造方法進(jìn)行說明。圖11A至圖11D為對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3中的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極的由n二3段的柱狀體部形成的柱狀體的形成方法進(jìn)行說明的部分剖面示意圖；圖12為說明其制造裝置的示意圖。另外，下面為了簡化說明，以只在集電體的一個(gè)面的凸部上形成第1柱狀體的例子進(jìn)行說明，但是，在另一個(gè)面上形成第2柱狀體的情況也是相同的。此外，以例如至少含硅的由SiOx(0<x<2.0)表示的活性物質(zhì)為例進(jìn)行說明。這里，圖12所示的形成柱狀體的制造裝置240基本上與圖5所示的制造裝置相同，其具有如下結(jié)構(gòu)在真空容器46中具有開巻及巻取滾筒41;成膜滾筒44a、44b;巻取及開巻滾筒45;蒸鍍?cè)?3a、43b;掩模42;和氧噴嘴48a、48b;并且通過真空泵47進(jìn)行減壓。另外，雖然顯示了制造裝置240在集電體的單面上形成n段的柱狀體部來制作柱狀體的一個(gè)例子，但是，實(shí)際中，通常是在集電體的兩面制作柱狀體的裝置結(jié)構(gòu)。首先，如圖IIA和圖12所示形成集電體21，所述集電體21使用厚度為30Um的帶狀電解銅箔，在其表面上通過鍍覆法形成凹部22和凸部23，凸部23形成為例如高為5um、寬為10um、間隔為20um。然后，在如圖12所示的開巻及巻取滾筒41和巻取及開巻滾筒45之間設(shè)置集電體21。然后，如圖11B和圖12所示，使用蒸鍍單元(由蒸鍍?cè)?、坩堝、電子束發(fā)生裝置一體化而成)，從設(shè)置在相對(duì)于集電體21的法線方向?yàn)榻嵌?!(例如55°)的位置上的蒸鍍?cè)?3a，將例如Si(廢料硅純度為99.999%)等活性物質(zhì)蒸發(fā)，從圖面中的箭頭方向射入到集電體21的凸部23上。此時(shí)，根據(jù)需要，從氧噴嘴48a向集電體21供給氧(02)。此時(shí)，例如真空容器46的內(nèi)部形成壓力為3.5Pa的氧氣氛。此外，送出到成膜滾筒44a上的集電體21在由掩模42限制的成膜范圍的區(qū)域內(nèi)，由Si和氧結(jié)合的SiOx形成且組成幾乎均質(zhì)的活性物質(zhì)在凸部13上以角度e,、規(guī)定的高度(厚度)例如5um形成第l段柱狀體部251。然后，如圖11C和圖12所示，將在凸部23上形成有第1段柱狀體部251的集電體21依次送到成膜滾筒44b中。然后，使用與成膜滾筒44b相對(duì)向設(shè)置的蒸鍍單元(由蒸鍍?cè)?、坩堝、電子束發(fā)生裝置一體化而成)，從設(shè)置在相對(duì)于集電體21的法線方向?yàn)榻嵌萟2(例如55°)的位置上的蒸鍍?cè)?3b，將例如Si(廢料硅純度為99.999%)等活性物質(zhì)蒸發(fā)，從圖面中的箭頭方向射入到集電體21的第1段的柱狀體部251上。此時(shí)，根據(jù)需要，從氧噴嘴48b向集電體21供給氧(02)。此外，送出到成膜滾筒44b上的集電體21在由掩模42限制的成膜范圍的區(qū)域內(nèi)，由Si和氧結(jié)合的SiOx形成且組成幾乎均質(zhì)的活性物質(zhì)在第1段柱狀體部251上以角度62、規(guī)定的高度(厚度)例如12.5Um形成第2段柱狀體部252。由此，第1段柱狀體部251和第2段柱狀體部252按照如下所述的方式進(jìn)行制作x值的變化方向與集電體的移動(dòng)方向相反，同時(shí)斜立的角度和斜立的方向不同。然后，如圖IID和圖12所示，將開巻及巻取滾筒41和巻取及開巻滾筒45反向地驅(qū)動(dòng)，將形成有第2段柱狀體部252的集電體21返回到成膜滾筒44a，與圖11B的工序相同，在第2段柱狀體部252上以規(guī)定的高度(厚度)例如12.5um形成第3段柱狀體部253。由此，第2段柱狀體部252和第3段柱狀體部253按照如下所述的方式制作x值的變化方向與集電體的移動(dòng)方向相反，同時(shí)斜立的角度和斜立的方向不同。在上述情況中，第1段柱狀體部251和第3段柱狀體部253在相同的方向上形成。由此，制成具有由3段柱狀體部形成的第1柱狀體25的負(fù)極。由此，形成由SiO,構(gòu)成的第1柱狀體25。另外，通過調(diào)整氧氣的導(dǎo)入量，從而考慮由嵌入鋰離子引起的膨脹量與第1柱狀體25間的空隙率來設(shè)計(jì)SiOx的x值，具體為0<x<2的范圍。由此，制作具有第1柱狀體25的負(fù)極。此外，上面以n=3段的柱狀體部形成的第1柱狀體25為例進(jìn)行說明，但是并不限定于此。例如，可以通過重復(fù)上述圖IIC和圖IID的工序，形成由任意的n(n》2)段的柱狀體部構(gòu)成的第1柱狀體。此外，在上述制造裝置240中，雖然以將開巻及巻取滾筒41和巻取及開巻滾筒45反向運(yùn)轉(zhuǎn)來制作各柱狀體的例子進(jìn)行說明，但是并不限定于此，可以使用各種裝置結(jié)構(gòu)。例如，也可以將多個(gè)如圖12所示的成膜滾筒串聯(lián)設(shè)置，使在集電體向一個(gè)方向移動(dòng)的同時(shí)，制作n段的第l柱狀體。此外，上面以在集電體的單面上形成第1柱狀體的例子進(jìn)行了說明，但是，實(shí)際中，通常是在集電體的兩面的凸部上形成第1柱狀體和第2柱狀體。此時(shí)，可以通過改變制造裝置的結(jié)構(gòu)，在集電體的一個(gè)面上形成第1柱狀體，然后在另一個(gè)面上形成第2柱狀體，也可以在兩面上同時(shí)形成第1柱狀體和第2柱狀體。由此，可以高生產(chǎn)率地制作負(fù)極。另外，在本實(shí)施方式中，以第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體對(duì)稱地設(shè)置的例子進(jìn)行了說明，但是并不限定于此。例如，也可以如圖13所示，第1柱狀體25和第2柱狀體26相對(duì)于集電體21非對(duì)稱地設(shè)置。此外，雖然以第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體的斜立角度、間隔和高度(厚度)相同的例子進(jìn)行了說明，但是并不限定于此，它們也可以不同。由此，夾住集電體進(jìn)行巻繞時(shí)，可以將內(nèi)周與外周的第l柱狀體和第2柱狀體、與其相對(duì)向的正極合劑層和保持在空隙部中的電解液的量最優(yōu)化。(實(shí)施方式4)下面使用圖14A和圖14B對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式4的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極進(jìn)行說明。圖14A為顯示本發(fā)明的實(shí)施方式4的負(fù)極的結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖；圖14B為說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的活性物質(zhì)的寬度方向的x值的變化的示意圖。另外，雖然柱狀體是設(shè)置在集電體的兩面上，但是下面就電體21的一個(gè)面的凸部23上設(shè)置的第1柱狀體25進(jìn)行說明。另外，本發(fā)明實(shí)施方式4的負(fù)極在使構(gòu)成第1柱狀體的元素的含有比例在集電體的寬度方向上變化的方面與實(shí)施方式3不同。艮P，如圖14A所示，與實(shí)施方式3相同，在由例如銅(Cu)箔等的導(dǎo)電性金屬材料形成的集電體21的至少上表面設(shè)置有凹部22和凸部23。然后，構(gòu)成負(fù)極2的由SiOx表示的活性物質(zhì)通過使用例如濺射法或真空蒸鍍法等的斜方蒸鍍法，在凸部23的上部沿集電體21的寬度方向斜立形成為由n(n》2)段的柱狀體部構(gòu)成的第1柱狀體25的形狀。此時(shí)，第1柱狀體25例如由奇數(shù)段和偶數(shù)段的斜立方向不同的多個(gè)柱狀體部形成。而且，第2柱狀體26也同樣例如由奇數(shù)段和偶數(shù)段的斜立方向不同的多個(gè)柱狀體部形成為例如曲折形狀(鋸齒形狀)。下面，以n二3段的柱狀體部251、252、253層疊構(gòu)成的第1柱狀體25為例進(jìn)行具體說明，但是并不限定于此，只要n》2段即可。艮口，與實(shí)施方式3相同，如圖14A所示，第1柱狀體25的柱狀體部251至少在集電體21的凸部23上形成，使得柱狀體部251的斜立方向的中心線(A)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度9,。然后，第1柱狀體25的柱狀體部252形成在柱狀體部251上，使得柱狀體部252的斜立方向的中心線(B)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度62。此外，第1柱狀體25的柱狀體部253形成在柱狀體部252上，使得柱狀體部253的斜立方向的中心線(C)與集電體21的厚度方向的中心線(AA-AA)形成斜立角度93。另外，斜立角度e,、82、63只要使得相鄰的第1柱狀體25不接觸就行，可以是相同的角度，也可以是不同的角度。此外，構(gòu)成第1柱狀體25的柱狀體部251、252、253被按照如下的方式來設(shè)計(jì)如圖14B所示意性地顯示的那樣，例如第奇數(shù)段的柱狀體部251、253與第偶數(shù)段的柱狀體部252的寬度方向的元素的含有比例例如x值的變化方向不同。即，從柱狀體部251、252、253的形成銳角的斜立角度側(cè)向形成鈍角的一側(cè)，x值依次增大。另外，在圖14B中，顯示x值為呈線性變化，但是并不限定于此。此外，在集電體21的凸部23上斜立形成的3段的曲折形狀的第1柱狀體25在非水電解質(zhì)二次電池充電時(shí)，通過嵌入鋰離子，其體積膨脹。此時(shí)，在體積膨脹的同時(shí)，正如實(shí)施方式2中用圖8A和圖8B對(duì)其過程所詳細(xì)說明的那樣，第1柱狀體25的柱狀體部251、252、253的斜立角度6i、62、93增大，結(jié)果第1柱狀體25例如向上立起變形。相反，在放電時(shí)，通過脫嵌鋰離子，其體積收縮，同時(shí)斜立角度e,、92、83減小，變成與初期的曲折形狀的第1柱狀體25接近的狀態(tài)。由此，在放電時(shí)，可以縮短從第1柱狀體脫嵌的鋰離子向正極合劑層移動(dòng)的距離。結(jié)果，可以得到與實(shí)施方式3相同的效果，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)低溫時(shí)的放電特性和高速率放電特性優(yōu)良的非水電解質(zhì)二次電池。下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式4的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體的制造方法進(jìn)行說明。另外，基本上與實(shí)施方式3相同，但不同點(diǎn)是導(dǎo)入氧以使得在第1柱狀體形成時(shí)在第1柱狀體的斜立方向上SiOx的X值變化。因此，參照實(shí)施方式3的圖IIA至圖IID和圖12，主要說明不同點(diǎn)。艮P，本發(fā)明實(shí)施方式4的非水電解質(zhì)二次電池的負(fù)極的柱狀體是將如圖12所示的形成柱狀體的制造裝置240的氧噴嘴48a、48b設(shè)置在例如上方的掩模42附近。也就是說，首先在與實(shí)施方式3相同地形成第1段柱狀體部251時(shí)，如圖11B和圖12所示，隨著集電體向離開蒸鍍?cè)?3a的方向移動(dòng)，從蒸鍍?cè)?3a蒸發(fā)的硅量減少，從氧噴嘴48a供給的氧氣濃度增加。結(jié)果，相對(duì)于第1柱狀體的斜立方向SiOx的x值變化的第1段柱狀體部251以角度ei、規(guī)定的高度(厚度)例如5um的高度形成到凸部23上。例如，在圖11B中，圖中的左側(cè)的x值小，圖中的右側(cè)的x值大。然后，如圖11C和圖12所示，在凸部23上形成有第1段柱狀體部251的集電體21依次送到成膜滾筒44b中時(shí)，集電體21向靠近蒸鍍?cè)?3a的方向移動(dòng)，沿從蒸鍍?cè)?3b蒸發(fā)的硅量增加、從氧噴嘴48b供給的氧氣濃度減少的方向成膜。然后，由Si和氧結(jié)合的SiOx的活性物質(zhì)在第l段柱狀體部251上以角度92、規(guī)定的高度(厚度)例如12.5um形成第2段柱狀體部252。此時(shí)，與第1段柱狀體部251相同，在成膜的SiOx的x值相對(duì)于集電體21的移動(dòng)方向依次變化的狀態(tài)下形成。于是，在例如圖11C的第2段柱狀體部252中，圖中右側(cè)的x值小，圖中左側(cè)的x值大。由此，第1段柱狀體部251和第2段柱狀體部252按照如下的方式制作x值的變化方向與集電體的移動(dòng)方向相反，同時(shí)斜立的角度與斜立的方向不同。然后，如圖11D和圖12所示，將開巻及巻取滾筒41和巻取及開巻滾筒45反向地驅(qū)動(dòng)，將形成有第2段柱狀體部252的集電體21返回到成膜滾筒44a，與圖11B的工序相同，在第2段柱狀體部252上以角度03、規(guī)定的高度(厚度)例如12.5um形成第3段柱狀體部253。此時(shí)，圖11D所示的第3段柱狀體部253在圖中左側(cè)的x值小，圖中右側(cè)的x值變大。由此，第2段柱狀體部252和第3段柱狀體部253按照如下所述的方式制作x值的變化方向與集電體的移動(dòng)方向相反，同時(shí)斜立的角度和斜立的方向不同。在上述情況中，第1段柱狀體部251和第3段柱狀體部253沿相同的方向形成。由此，制作成具有由3段柱狀體部形成的第1柱狀體部25的負(fù)極。這里，通過調(diào)整氧氣的導(dǎo)入量，從而考慮由嵌入鋰離子引起的膨脹量與第1柱狀體25間的空隙率來設(shè)計(jì)SiOx的x值，具體為0<x<2的范圍。另外，在本實(shí)施方式中也與實(shí)施方式3相同，第1柱狀體和第2柱狀體也可以相對(duì)于集電體非對(duì)稱地設(shè)置。此外，第1柱狀體和第2柱狀體相對(duì)于集電體的斜立角度、間隔和高度(厚度)也可以設(shè)置得不同。由此，夾住集電體進(jìn)行巻繞時(shí)，可以將內(nèi)周與外周的第1柱狀體和第2柱狀體、與其相對(duì)向的正極合劑層和保持在空隙部中的電解液的量最優(yōu)化。下面，通過實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明作更具體的說明。另外，本發(fā)明并不受以下的實(shí)施例限定，在只要不改變本發(fā)明的要旨的情況下，可以變換使用的材料等來實(shí)施。(實(shí)施例1)實(shí)施例1是將上述實(shí)施方式1具體化的一個(gè)例子。負(fù)極的柱狀體使用圖5所示的制造裝置來制作。首先，作為集電體，使用在其表面上通過鍍覆法以間隔為20um形成有凸部的厚度為30ym的帶狀電解銅箔。然后，使用Si作為負(fù)極的活性物質(zhì)材料，使用蒸鍍單元(由蒸鍍?cè)?、坩堝、電子束發(fā)生裝置一體化而成)，將純度為99.7%的氧氣從氧導(dǎo)入噴嘴導(dǎo)入到真空容器內(nèi)，制作成由SiOx形成的均質(zhì)的第1柱狀體和第2柱狀體。此時(shí)，真空容器的內(nèi)部形成壓力為3.5Pa的氧氣氛。此外，在蒸鍍時(shí)，由電子束發(fā)生裝置產(chǎn)生的電子束通過偏轉(zhuǎn)線圈進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，照射到蒸鍍?cè)瓷?。另外，蒸鍍?cè)粗惺褂昧诵纬砂雽?dǎo)體晶片時(shí)產(chǎn)生的廢料(廢料硅純度為99.999%)。此外，第1柱狀體和第2柱狀體是通過調(diào)整集電體移動(dòng)的規(guī)定的傾系斗角度，使得角度",的平均角度為60。，并以約8nm/s的成膜速度形成。由此，形成第1柱狀體和第2柱狀體。另外，負(fù)極中的第1柱狀體和第2柱狀體與集電體的中心線所成的角度通過使用掃描型電子顯微鏡(日立制S-4700)進(jìn)行剖面觀察來進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果斜立角度e,約為41。。此時(shí)，形成的第1柱狀體和第2柱狀體的厚度(高度)在法線方向上為30um。此外，在通過使用電子射線探針顯微分析儀(以下稱為"EPMA")測定構(gòu)成負(fù)極的柱狀體的各段的柱狀體部的剖面方向的射線分布來檢測氧分布，結(jié)果第1柱狀體和第2柱狀體是均一的。此時(shí)的x值平均為0.6。通過如上所述，制作成了第1柱狀體和第2柱狀體沿集電體的寬度方向斜立且相對(duì)于集電體對(duì)稱地設(shè)置的負(fù)極。然后，在負(fù)極表面上通過真空蒸鍍法蒸鍍12um的Li金屬。再在負(fù)極的外周側(cè)，在與正極不相對(duì)向的Cu箔上設(shè)置30mm的露出部，并裁剪成寬度為58.5mm，焊接Ni制的負(fù)極引線。然后，按照如下的方法制作具有能嵌入和脫嵌鋰離子的正極活性物質(zhì)的正極。首先，將93重量份的作為正極活性物質(zhì)的LiCo02粉末與4重量份的作為導(dǎo)電劑的乙炔黑混合。在該粉末中混合作為粘結(jié)劑的聚偏二氟乙烯(PVDF)的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶液(吳羽化學(xué)工業(yè)(株)制的商品號(hào)#1320)，使得PVDF的重量為3重量份。在該混合物中添加適量的NMP，調(diào)制成正極合劑用漿糊。使用刮刀法將該正極合劑用漿糊涂布到由鋁(Al)箔形成的正極集電體(厚度為15um)上，通過壓延使得正極合劑層的密度為3.5g/cm3，厚度為140um，在85。C下充分干燥。將其裁切成寬度為57mm、長度為800mm，從而制成正極。在正極的內(nèi)周側(cè)，在與負(fù)極不相對(duì)向的Al箔上設(shè)置30mm的露出部，焊接A1制的正極引線。在按如上所述制作的負(fù)極與正極之間介入厚度為20um的聚丙烯制隔膜，并進(jìn)行巻繞而形成電極組。然后，將形成的電極組插入到僅在單側(cè)開口的圓筒型電池用的電池殼(材質(zhì):鐵/鍍Ni，直徑為18mm，高為65mm)中，在電池殼和電極組之間設(shè)置絕緣板，并將負(fù)極引線與電池殼焊接，然后將正極引線與封口板焊接，從而制作成電池。此時(shí)，上下部的絕緣板間的距離(能收容電極組的長度)為59.2111111。將制作成的電池在真空中在6(TC下加熱干燥，然后注入5.8g的電解液，該電解液為在含碳酸亞乙酯(EC):碳酸二甲酯(DMC):碳酸甲乙酯(EMC)二2:3:3(體積比)的非水溶劑中溶解有1.2mol/dm3的LiPF6而成的電解液。然后將封口板斂縫連接在電池殼上來進(jìn)行密封，制得非水電解質(zhì)二次電池。將該電池記作樣品l。(實(shí)施例2)實(shí)施例2是將上述實(shí)施方式2具體化的一個(gè)例子。除了在第1柱狀體和第2柱狀體的斜立的寬度方向上使SiOj勺x值變化之外，與實(shí)施例1相同地制作負(fù)極。此時(shí)，通過EPMA測定，在各柱狀體的寬度方向上，從斜立角度^側(cè)向(180—e,)的方向上氧濃度(x值)連續(xù)增加。而且，x值的范圍為0.12，平均為0.6。除了使用上述負(fù)極之外，通過與實(shí)施例1相同的方法制作非水電解質(zhì)二次電池，并記作樣品2。(實(shí)施例3)實(shí)施例3是將上述實(shí)施方式3具體化的一個(gè)例子。除了由SiOx形成的均質(zhì)的第1柱狀體和第2柱狀體由3段構(gòu)成之外，與實(shí)施例1相同地制作負(fù)極。此時(shí)，第1柱狀體和第2柱狀體是通過調(diào)整集電體移動(dòng)的規(guī)定的傾斜角度，使得角度",、"2的平均角度為60°，并以約8nm/s的成膜速度形成。由此，形成了第l段的柱狀體部(例如，高為5nm)。同樣地形成了部(例如，高為12.5ym)，從而形成由3段構(gòu)成的第奇數(shù)段和第偶數(shù)段的斜立方向不同的第1柱狀體和第2柱狀體。另外，負(fù)極中的各柱狀體與集電體的中心線所成的角度通過使用掃描型電子顯微鏡(日立制S-4700)進(jìn)行剖面觀察來進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果斜立角度e,、62、63約為41°。此時(shí)，形成的第1柱狀體和第2柱狀體的厚度(高度)在法線方向上為30Pm。此外，使用EPMA在構(gòu)成負(fù)極的各柱狀體的各段的柱狀體部的剖面方向的射線分布測定來檢測氧分布，結(jié)果第1柱狀體和第2柱狀體是均一的。此時(shí)x值平均為0.6。通過如上所述，制作成了第1柱狀體和第2柱狀體在集電體的寬度方向上斜立且相對(duì)于集電體對(duì)稱地設(shè)置的負(fù)極。除了使用上述負(fù)極之外，通過與實(shí)施例1相同的方法制作非水電解質(zhì)二次電池，并記作樣品3。(比較例1)除了將第1柱狀體和第2柱狀體的斜立方向沿集電體的巻繞方向形成之外，通過與實(shí)施例1相同的方法制作負(fù)極。另外，負(fù)極中的柱狀體與集電體的中心線所成的角度通過使用掃描型電子顯微鏡(日立制S-4700)進(jìn)行剖面觀察來進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果第1柱狀體和第2柱狀體的斜立角度0,約為41。。此時(shí)，形成的第l柱狀體和第2柱狀體在集電體的法線方向上的厚度(高度)為30um。此外，使用EPMA在構(gòu)成負(fù)極的各柱狀體的各段的柱狀體部的剖面方向的射線分布測定來檢測氧分布，結(jié)果第1柱狀體和第2柱狀體是均一的。此時(shí)x值平均為0.6。除了使用上述負(fù)極之外，通過與實(shí)施例1相同的方法制作非水電解質(zhì)二次電池，并記作樣品C1。(比較例2)除了在第1柱狀體和第2柱狀體的斜立的寬度方向上使Si(X的x值變化之外，與比較例l相同地制作負(fù)極。此時(shí)，通過EPMA測定，在各柱狀體的寬度方向上，從斜立角度e側(cè)向(180—e)的方向上氧濃度(x值)連續(xù)增加。而且，x值的范圍為0.12，平均為0.6。除了使用上述負(fù)極之外，通過與比較例1相同的方法制作非水電解質(zhì)二次電池，并記作樣品C2。(比較例3)除了由n二3段的柱狀體部構(gòu)成第1柱狀體和第2柱狀體之外，用與比較例l相同的方法制作負(fù)極。除了使用上述負(fù)極之外，通過與比較例1相同的方法制作非水電解質(zhì)二次電池，并記作樣品C3。對(duì)如上所述制作的各非水電解質(zhì)二次電池進(jìn)行如下所示的評(píng)價(jià)。(電池容量的測定)—將各非水電解質(zhì)二次電池在25'C的環(huán)境溫度下在如下條件下進(jìn)行充放電。首先，對(duì)于設(shè)計(jì)容量(2800mAh)，以時(shí)間率為0.7C的恒定電流充電至電池電壓為4.2V為止，然后以4.2V的恒定電壓進(jìn)行衰減到時(shí)間率為0.05C的電流值的恒定電壓充電。然后停止30分鐘。然后，以時(shí)間率為0.2C的電流值進(jìn)行恒定電流放電，直至電池電壓降低到2.5V為止。然后，將此時(shí)的放電容量作為電池容量。(短路發(fā)生率的評(píng)價(jià))各取100個(gè)非水電解質(zhì)二次電池，在25X:環(huán)境溫度中在如下的條件下進(jìn)行充放電。首先，對(duì)于設(shè)計(jì)容量(2800mAh)，以時(shí)間率為0.7C的恒定電流充電至電池電壓為4.2V為止，然后以4.2V的恒定電壓進(jìn)行衰減到時(shí)間率為0.05C的電流值的恒定電壓充電。然后在45'C的環(huán)境下保存7天。然后，將在保存前后開路電壓(OCV:OpenCircuitVoltage)降低50mv以上的電池看作發(fā)生了短路，評(píng)價(jià)其發(fā)生率。(容量維持率)在25'C的環(huán)境溫度下在如下的條件下對(duì)各非水電解質(zhì)二次電池反復(fù)進(jìn)行充放電。首先，對(duì)于設(shè)計(jì)容量(2800mAh)，以時(shí)間率為0.5C的恒定電流充電至電池電壓為4.2V為止，然后以4.2V的恒定電壓充電至充電電流降低到時(shí)間率為0.05C的電流值為止。充電后，停止30分鐘。然后，以時(shí)間率為0.2C的電流值進(jìn)行恒定電流放電，直至電池電壓降低到2.5V為止。放電后，停止30分鐘。將上述充放電循環(huán)作為1個(gè)循環(huán)，并將該循環(huán)重復(fù)300次。然后將第300次循環(huán)等第各次循環(huán)的放電容量與第一次循環(huán)的放電容量的比例以百分率表示的值作為容量維持率(％)，也就是說，容量維持率越接近100，表示充放電循環(huán)特性越好。以下將樣品13和樣品C1C3的規(guī)格和評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>此外，圖15中顯示了作為充放電循環(huán)特性的一個(gè)例子的樣品1和樣品3的評(píng)價(jià)結(jié)果。如表1所示，樣品1和樣品Cl相比，樣品1中沒有發(fā)生短路，但是，樣品C1中以高的發(fā)生率發(fā)生短路。這是因?yàn)?，?duì)于樣品1，巻繞方向與柱狀體的斜立方向直交，因此隨著充電，柱狀體的接觸與巻繞方向平行地發(fā)生，所以集電體向電極組的寬度方向的延伸較少。此外，對(duì)于樣品C1，隨著充電，柱狀體的接觸發(fā)生在巻繞方向和直交方向上、即發(fā)生在電極組的寬度方向上，并在集電體上產(chǎn)生延伸。由此可以認(rèn)為是因?yàn)?，首先電極組與上下絕緣板接觸，而且由于進(jìn)一步發(fā)生電極組的變形，從而會(huì)發(fā)生與正極的接觸。于是，上述結(jié)果對(duì)于樣品2和樣品3以及樣品C2和樣品C3也是相同的。另外，如表1所示，在樣品C2和樣品C3中，短路的發(fā)生率降低。據(jù)認(rèn)為其原因是因?yàn)樵跇悠稢2中，由于使SiC^的x值變化，在充電時(shí)柱狀體立起，與相鄰的柱狀體接觸減少，從而產(chǎn)生的應(yīng)力減少，集電體的延伸被抑制。此外還認(rèn)為是因?yàn)?，樣品C3也同樣以多段形成柱狀體，從而抑制了柱狀體的膨脹方向的偏向，能維持柱狀體之間的空隙，所以使得產(chǎn)生的應(yīng)力減少，能抑制集電體的延伸。此外，如表1所示，就循環(huán)的容量維持率而言，樣品1和樣品Cl、樣品2和樣品C2、樣品3和樣品C3相比，斜立方向、SiOj勺x值變化和柱狀體的段數(shù)也顯示出若干的優(yōu)化傾向，但是并沒有很大的差別。但是，若在樣品1和樣品2以及樣品3、樣品Cl和樣品C2以及樣品C3之間比較容量維持率，則可以看到樣品1和樣品Cl與其它樣品之間存在約20%的差別。因此，在評(píng)價(jià)循環(huán)特性后將評(píng)價(jià)電池分解來觀察負(fù)極時(shí)，柱狀體由1段的柱狀體部構(gòu)成的樣品1和樣品Cl中，發(fā)現(xiàn)較多出現(xiàn)柱狀體的剝離。即，可以認(rèn)為循環(huán)的容量維持率的降低是由于充放電引起的膨脹、收縮的應(yīng)力集中在集電體和柱狀體的接合部上，從而發(fā)生剝離。另夕卜，樣品2和樣品C2以及樣品3和樣品C3中，很少看到柱狀體的剝離。這是由于柱狀體的立起或多段柱狀體部而抑制了柱狀體之間的接觸和擠壓等，從而緩和了柱狀體與集電體的接合部的應(yīng)力。從上面可以看出，即使巻繞方向和斜立方向在局部變化，應(yīng)力的大小也沒有大的變化，因此，剝離的發(fā)生程度不會(huì)產(chǎn)生大的的差別。此外據(jù)認(rèn)為這是因?yàn)?，柱狀體的充放電時(shí)的狀態(tài)和結(jié)構(gòu)等其它原因也起很大的作用。另外，對(duì)于將實(shí)施方式4具體化的實(shí)施例的樣品，雖然沒有在表1中特別記載，但是與樣品3相比，可以得到循環(huán)容量維持率高數(shù)個(gè)百分點(diǎn)、短路發(fā)生率相同的結(jié)果。從上述結(jié)果可以看出，通過將柱狀體的斜立方向作為集電體的寬度方向，可以大幅度防止短路等的發(fā)生，可以實(shí)現(xiàn)即使經(jīng)過很長時(shí)間可靠性仍優(yōu)良的非水電解質(zhì)二次電池。權(quán)利要求1、一種非水電解質(zhì)二次電池，其具有下述結(jié)構(gòu)至少具備負(fù)極，其具有在兩面具有凹凸的集電體的一個(gè)面的所述凸部上斜立形成的第1柱狀體和在另一個(gè)面的所述凸部上斜立形成的第2柱狀體；正極，其在正極集電體的兩面上具有包含能可逆地嵌入和脫嵌鋰離子的正極活性物質(zhì)的正極合劑層；和隔膜，其在所述正極和所述負(fù)極之間相對(duì)向設(shè)置；并且所述負(fù)極的所述第1柱狀體和第2柱狀體斜立在與所述集電體的卷繞方向直交的方向上。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，所述第l柱狀體和第2柱狀體具有層疊了n段的柱狀體部的結(jié)構(gòu)，所述柱狀體部的第奇數(shù)段和第偶數(shù)段的斜立方向不同，其中n^2。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，構(gòu)成所述第1柱狀體和所述第2柱狀體的元素的含有比例在斜立的寬度方向上變化。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，構(gòu)成所述柱狀體部的元素的含有比例在斜立的寬度方向上變化，所述柱狀體部的第奇數(shù)段和第偶數(shù)段的變化方向不同。5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，至少在充電狀態(tài)下，所述第1柱狀體和所述第2柱狀體的斜立方向的中心線與所述集電體的厚度方向的中心線交叉形成的銳角側(cè)的角度比放電狀態(tài)的角度大。6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，至少在充電狀態(tài)下，所述柱狀體部的斜立方向的中心線與所述集電體的厚度方向的中心線交叉形成的銳角側(cè)的角度比放電狀態(tài)的角度大。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，作為所述第1柱狀體以及所述第2柱狀體，使用至少可逆地嵌入和脫嵌鋰離子的理論容量密度超過833mAh/cm3的負(fù)極活性物質(zhì)。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，作為所述負(fù)極活性物質(zhì)，使用至少含硅的由Si(X表示的材料。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的非水電解質(zhì)二次電池，其中，所述含硅的由SiOx表示的材料的x值從所述第1柱狀體以及所述第2柱狀體的斜立方向的中心線與所述集電體的厚度方向的中心線的交叉角度形成銳角的一側(cè)向形成鈍角的一側(cè)連續(xù)增加。全文摘要本發(fā)明的非水電解質(zhì)二次電池具有下述結(jié)構(gòu)至少具備負(fù)極，其具有在兩面具有凹凸的集電體的一個(gè)面的凸部上斜立形成的第1柱狀體和在另一個(gè)面的凸部上斜立形成的第2柱狀體；正極，其在正極集電體的兩面上具有包含能可逆地嵌入和脫嵌鋰離子的正極活性物質(zhì)的正極合劑層；和隔膜，其在正極和負(fù)極之間相對(duì)向設(shè)置；并且負(fù)極的第1柱狀體和第2柱狀體斜立在與集電體的卷繞方向直交的方向上。文檔編號(hào)H01M4/02GK101246955SQ200810009749公開日2008年8月20日申請(qǐng)日期2008年2月13日優(yōu)先權(quán)日2007年2月13日發(fā)明者井上薰,宇賀治正彌,白根隆行,藤川萬鄉(xiāng)申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社