專利名稱：厚膜混合電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及厚膜混合電路裝置，該裝置包括印刷在絕緣基板上來安 裝的厚膜導(dǎo)體和厚膜電阻器。
背景技術(shù)：
厚膜混合電路裝置被用作印刷電路板(PCB)的替代或者與PCB 結(jié)合使用。這種厚膜混合電路裝置的例子公開在美國專利No.4310792 中，該專利對應(yīng)于日本已審查專利公報(Kokoku) No. S59-021179。在厚膜混合電路裝置中，多個厚膜導(dǎo)體和多個厚膜電阻器印刷在絕 緣基板上，從而在其上具有預(yù)定的電路圖案。將多個電元件各自安裝在 至少一個厚膜導(dǎo)體上。多個厚膜導(dǎo)體和厚膜電阻器允許在多個電元件之 間導(dǎo)電。具體地，多個電元件、多個厚膜導(dǎo)體和多個厚膜電阻器提供具 有電特性的厚膜導(dǎo)體電路。由于該電路圖案由厚膜導(dǎo)體和電阻器構(gòu)成， 因此需要保護玻璃膜來覆蓋它們。PCB上的電阻器是安裝上去的，而厚膜電阻器被印刷、燒制和修整 至任意值，因此它們可以更精確并且尺寸可以更小。為了在外部測量這種厚膜混合電路裝置的電特性，該裝置設(shè)計為具 有安裝在絕緣基板上的電特性測試電極。電特性測試電極從保護玻璃膜 中暴露出來，該電極將簡稱為"測試電極"。這是因為要求測試電極能 夠與用于測量厚膜混合電路裝置的電特性的外部檢測器的測量探針接在這種結(jié)構(gòu)的厚膜混合電路裝置中，當(dāng)厚膜混合電路裝置暴露于導(dǎo) 體腐蝕性氣體時，暴露的測試電極會被腐蝕。因此，為了保護測試電極而不安裝端子(terminal)以降低尺寸和 成本，將厚膜混合電路裝置設(shè)計為具有安裝在測試電極上的釬焊元件， 該釬焊元件用作測試電極的端子。圖11為示意性示出具有在其上安裝有釬焊元件的這種測試電極的 厚膜混合電路裝置HC的局部平面圖。圖12是沿圖11中的線XII-XII截取的截面圖。如圖11和12所示，厚膜混合電路裝置HC的方形測試電極70由安 裝在絕緣基板20的一個表面上的方形厚膜導(dǎo)體70a和印刷安裝在方形 厚膜導(dǎo)體70a上的釬焊元件70b構(gòu)成。方形厚膜導(dǎo)體70a用作測試電極 70的主體。下文中，方形厚膜導(dǎo)體70a也稱為"測試電極導(dǎo)體70a"。 釬焊元件70b用于防止測試電極導(dǎo)體70a暴露于外部。多個厚膜導(dǎo)體跡線30和多個厚膜導(dǎo)體電阻器(未示出)安裝在絕 緣基板20的一個表面上，以具有預(yù)定電路圖案。多個電元件(未示出) 各自安裝在至少一個厚膜導(dǎo)體跡線30上。厚膜導(dǎo)體跡線30用作布線以 允許在至少一些電元件之間導(dǎo)電。具體地，多個電元件、多個厚膜導(dǎo)體 跡線30和多個厚膜電阻器提供具有電特性的厚膜導(dǎo)體電路。稱為"引線導(dǎo)體跡線"30a的引線厚膜導(dǎo)體跡線從測試電極導(dǎo)體70a 的一側(cè)引出，以與靠近其布置的厚膜導(dǎo)體跡線30之一連續(xù)連接。包括厚膜導(dǎo)體跡線30和引線導(dǎo)體跡線30a并圍繞測試電極70的絕 緣基板20的一部分被保護玻璃膜50所覆蓋，使得暴露出測試電極70。當(dāng)將檢測器的測試探針設(shè)置為與測試電極70的釬焊元件60接觸 時，可以在檢測器與測試電極70之間建立電連接。檢測器與測試電極 70之間的電連接允許檢測器測量厚膜混合電路裝置HC的電特性。發(fā)明內(nèi)容如果釬焊元件70b例如被錯誤印刷而沒有與測試電極導(dǎo)體70a對準(zhǔn)， 從而暴露出其端部例如拐角70c (見圖13)，則當(dāng)厚膜混合電路裝置HC 暴露于導(dǎo)體腐蝕性氣體時，測試電極導(dǎo)體70a的暴露的拐角70c會被腐 蝕。這種腐蝕會擴展到引線導(dǎo)體跡線30a中(見圖13)。當(dāng)引線導(dǎo)體跡線30a完全M蝕時，如圖13所示，腐蝕進一步擴展到 與引線導(dǎo)體跡線30a連續(xù)連接的厚膜導(dǎo)體跡線30之一中。這會引起通過厚 膜導(dǎo)體跡線30中的至少一個所連接的一些電元件不導(dǎo)通?？紤]到以上背景，本發(fā)明至少一個方面的目的是提供厚膜混合電路裝 置，該裝置能夠延長腐蝕擴展到連續(xù)連接到引線厚膜導(dǎo)體跡線的厚膜導(dǎo)體 跡線中所需的時間，即使腐蝕經(jīng)過引線厚膜導(dǎo)體跡線而擴展也如此。另外，考慮到以上背景，本發(fā)明的至少另一方面的另一目的濕一4I:供厚 膜混合電路裝置，該裝置能夠減少由于厚膜混合電路裝置的電特性測試電 極與檢測器的測試電極之間的4^連接所導(dǎo)致的對其電特性的錯誤測量。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種厚膜混合電路裝置。該厚膜混合電 路裝置包括具有一個表面的絕緣基板、安裝在絕緣基板的所述一個表面上 的至少 一個厚膜導(dǎo)體跡線和安裝在絕緣基板的所述一個表面上并且與所 述至少 一個厚膜導(dǎo)體跡線連接的至少 一個厚膜電阻器。該厚膜混合電路裝 置包括安裝在所述至少一個厚膜導(dǎo)體跡線的一部分上的至少一個電元件。 所述至少 一個電元件、所述至少 一個厚膜導(dǎo)體跡線和所述至少 一個厚膜電 阻器提供具有至少一種電特性的厚膜混合電路。該厚膜混合電路裝置包括 測試電極，該測試電極用于外部測量所述至少一種預(yù)先設(shè)計的電特性并且 被安裝在絕緣基板的所述一個表面上。該測試電極具有放置在絕緣基板 的所述一個表面上的外周壁部分(peripheral wall portion),所述外周 壁部分中有凹陷。該厚膜混合電路裝置包括厚膜引線導(dǎo)體，該厚膜引線 導(dǎo)體通過測試電極的凹陷從該測試電極引出并連接至所述至少一個厚 膜導(dǎo)體跡線。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，厚膜混合電路裝置包括形成為覆蓋 除測試電極之外的至少 一個厚膜導(dǎo)體跡線、至少 一個厚膜電阻器和厚膜《1 線導(dǎo)體的保護膜，使得測試電極被暴露從而能夠接觸用于測量所述至少一 種預(yù)先設(shè)計的電特性的檢測器。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，測試電極具有圍繞其外周壁部分的 預(yù)定輪廓(outline),厚膜引線導(dǎo)體通過測試電極的凹陷從該測試電極的 一部分中引出，測試電極的該部分位于所述預(yù)定輪廓的基本中心處。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，測試電極具有圍繞其外周壁部分的 多邊形形狀，該多邊形形狀具有至少三個側(cè)壁，并且所述凹陷形成在測試 電極的多邊形的一個拐角中。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，測試電極具有圍繞其外周壁部分的 多邊形形狀，該多邊形形狀具有至少三個側(cè)壁，并且所述凹陷形成在測試 電極的多邊形的 一個側(cè)壁中。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，所述多邊形形狀為矩形形狀，并且 所述凹陷形成在矩形形狀的測試電極的一個側(cè)壁的基本中心處，〗吏得所述 凹陷夾在位于所述一個側(cè)壁的兩側(cè)上的測試電極的拐角之間。在該方面的一個優(yōu)選實施方案中，測試電極包括厚膜導(dǎo)體，該厚膜導(dǎo) 體安裝在絕緣基板的所述一個表面上并且具有放置在該絕緣基板的所述 一個表面上的第一外周壁部分。第一外周壁部分中具有第一凹陷。測試電 極還包括釬焊元件，該釬焊元件層疊在厚膜導(dǎo)體上以M厚膜導(dǎo)體并且具 有放置在厚膜導(dǎo)體上的第二外周壁部分。第二外周壁部分中具有第二凹 陷。第一和第二外周壁部分構(gòu)成測試電極的外周壁部分。第一和第二凹陷 在它們的層疊方向上相互對準(zhǔn)以構(gòu)成測試電極的外周壁部分的凹陷。


根據(jù)參考附圖對實施方案的下列說明，本發(fā)明的其它目的和方面將 變得顯而易見。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的厚膜混合電路裝置的部分截面圖；圖2是示意性說明根據(jù)第一實施方案的厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū)域的放大平面圖；圖3是沿圖2中的線III-III截取的截面圖；圖4是示意性說明當(dāng)腐蝕經(jīng)過連接到測試電極的引線厚膜導(dǎo)體跡線 擴展時厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū)域的放大平面圖；圖5是示意性說明當(dāng)測試探針頭從測試電極的中心上移動到其槽口 上時厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū)域的放大平面圖；圖6是沿圖5中的線VI-VI截取的截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實施方案的厚膜混合電路裝置的測試電極及 其周圍區(qū)域的放大平面圖；圖8是沿圖7中的線VIII-VIII截取的截面圖；圖9是示意性說明當(dāng)測試探針頭從圖7所示的測試電極的中心上移 動到其凹陷上時，圖7所示的厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū) 域的放大平面圖；圖10是沿圖9中的線X-X截取的截面圖；圖11是示意性說明傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū)域的放大平面圖；圖12是沿圖11中的線XII-XII截取的截面圖；圖13是示意性說明當(dāng)腐蝕經(jīng)過連接測試電極的引線厚膜導(dǎo)體跡線 擴展時，圖12所示的傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置的測試電極及其周圍區(qū)域 的放大平面圖。
具體實施方式
下文將參照

本發(fā)明的實施方案。第一實施方案參考圖l，提供根據(jù)本發(fā)明第一實施方案的厚膜混合電路裝置l。厚膜混合電路裝置1由絕緣14l例如陶瓷基t12、多個厚膜導(dǎo)體跡線3、 多個厚膜電阻器4、保護玻璃膜5、電特性測試電極(測試電極)7、 IC芯 片8、和芯片電容器9構(gòu)成。這些IC芯片8和芯片電容器9^1作為不同類 型的表面安裝電元件的例子給出的。已經(jīng)建立了獲得預(yù)先設(shè)計的電路特性所需的用于預(yù)先設(shè)計的電路圖案 的布線圖?；谠摬季€圖，多個厚膜導(dǎo)體跡線3、多個厚膜電阻器4和厚 膜導(dǎo)體7a印刷在絕緣ljfel 2的一個表面上。厚膜導(dǎo)體7a用作測試電極7 的主體，因此下文中它將稱為"測試電極導(dǎo)體"7a。在印刷之后，在爐中燒制絕緣基板2，使得預(yù)先設(shè)計的電路圖案形成 在絕緣J412的一個表面上。印刷和燒制的這種循環(huán)取決于例如絕緣^41 2上預(yù)先設(shè)計的電路圖案的復(fù)雜性。如圖2所示，在預(yù)先設(shè)計的布線圖中預(yù)先確定電極區(qū)域AR在絕緣基 板2的一個表面上的位置；這種電極區(qū)域AR具有基本矩形形狀?；谠?預(yù)先設(shè)計的布線圖，將測試電極導(dǎo)體7a印刷在電極區(qū)域AR上。在第一實施方案中，如圖2所示，測試電極導(dǎo)體7a具有基本矩形片狀 的形狀，同時在其一個拐角C中具有矩形槽口 N。換言之，測試電極導(dǎo)體 7a具有一個凹入切除以形成矩形槽口 N的拐角C。這允許暴露出對應(yīng)于矩 形槽口 n的電極區(qū)域AR的部分。槽口 N由一對內(nèi)槽口壁NWa和NWb形成。內(nèi)槽口壁NWa和NWb分別與測試電極導(dǎo)體7a的側(cè)壁Sa和Sb平行；這些側(cè)壁Sa和Sb形成與 所述一個拐角C斜對的另一個拐角。在如上所述的印刷和燒制循環(huán)過程中，還印刷保護玻璃膜5以覆蓋除 測試電極導(dǎo)體7a和其周圍空隙之外的厚膜導(dǎo)體跡線3和厚膜電阻器4，由 此在外部暴露出測試電極導(dǎo)體7a。這是因為測試電極7需要能夠接觸用于 測量厚膜混合電路裝置1的電特性的檢測器的測試電極。在如上所述的印刷和燒制循環(huán)之后，實施表面安裝元件的安裝過程， 使得IC芯片8和芯片電容器9通過釬焊接點6各自安*^至少一個厚膜 導(dǎo)體跡線3的一部分上。在表面安裝元件的安裝過程中，將作為釬焊接點6的釬焊骨放置在絕 緣材料2的一個表面上。作為將釬焊骨放置為釬焊接點6的一個例子，將分別為釬料合*末 和釬焊劑的奶油狀混合物的各釬焊骨凸起(bump )分別印刷在厚膜導(dǎo)體跡 線3的預(yù)定位置上；這些位置已經(jīng)確定以在預(yù)先設(shè)計的電路圖案上布置IC 芯片8和芯片電容器9。作為將釬焊骨放置為釬焊接點6的另一個例子，將形成有厚膜元件3 和4以及玻璃膜6的絕緣1412浸入熔融的釬料中，使得^f焊骨凸起分 別位于厚膜導(dǎo)體跡線3的預(yù)定位置上。在將作為釬焊接點6的釬焊骨凸起放置在厚膜導(dǎo)體跡線3的預(yù)定位置 上之后，將IC芯片8和芯片電容器9分別安^^相應(yīng)的釬焊骨凸起上。 其后，將其上安裝有表面安裝元件8和9的絕緣^L2放置在回流爐中。 在該回流爐中，各釬焊骨凸起被回流(熔融)，之后固化(再成形)。熔融釬焊骨凸起的固化(再成形)允許IC芯片8和芯片電容器9通過 固化的##凸起(釬焊接點6)固定地安裝在對應(yīng)的厚膜導(dǎo)體跡線3上。在釬焊骨放置步驟中，釬焊骨凸起還設(shè)置在測試電極導(dǎo)體7a上，使得 它具有帶有槽口的基本矩形形狀，釬焊骨凸起的這種形狀基本上與測試電 極導(dǎo)體7a的形狀相配合。使釬焊骨凸起回流，之后固化以形成層疊在測試 電極導(dǎo)體7a上的釬焊元件7b。具體地，測試電極導(dǎo)體7a和安裝在其上的釬焊元件7b提供具有槽口 N的基本矩形形狀的測試電極7。如上所述，測試電極7用作能夠與用于測量厚膜混合電路裝置1的電特性的測試探針相接觸所需的端子。因此，有必JH吏測試電極7連接至與 其鄰近布置的至少一個厚膜導(dǎo)體跡線3。在第一實施方案中，厚膜導(dǎo)體跡線3包括引線厚膜導(dǎo)體跡線，筒稱為 "引線導(dǎo)體跡線"3a。引線導(dǎo)體跡線3a從例如與其正交的測試電極7的槽 口 N的內(nèi)槽口壁NWa引出。引線導(dǎo)體跡線3a的引出端連續(xù)連接至靠近槽 口 N布置并且與槽口 N相對的一個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分P。換言之，引線導(dǎo)體跡線3a從靠近槽口 N布置并且與槽口 N相對的一 個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分P分出來以延伸至內(nèi)槽口壁NWa，由此與其連 接。與剩余厚膜導(dǎo)體跡線3 —樣，引線導(dǎo)體跡線3a由玻璃膜5覆蓋。當(dāng)將要測量厚膜混合電路裝置1的電特性時，準(zhǔn)備用于測量厚膜混合 電路裝置1的電特性的具有測試探針100的外部檢測器(未示出)。電特性 包括例如裝置l的不同檢測點的電P且值、裝置l的電路特性值、其電路運 行糾等。如圖3所示，在測試探針100的延伸端提供有基本圓柱形頭100H。頭 100H具有一個圓形端面，該端面形成有大量從中突出的接觸針。接觸針 例如布置為柵格形，從而穩(wěn)定接觸測試電極7。具體地，當(dāng)設(shè)置測試探針100使得頭100H的接觸針與測試電極7的 釬焊元件7b的主暴露表面(頂表面)的基本中心處接觸時，可以在檢測 器和測試電極7之間建立電連接。檢測器和測試電極7之間的電連接允許檢測器測量厚膜混合電路裝置 l的電特性。接著，將在下文中說明，在用于釬焊元件7b的釬焊骨凸起例如被4^ 印刷而與測試電極導(dǎo)體7a未對準(zhǔn)使得其端部暴露時厚膜混合電路裝置1 的運行。在這種情況下，當(dāng)厚膜混合電路裝置1暴露于導(dǎo)體腐蝕性氣體時，測 試電極導(dǎo)體7a的暴露端會被腐蝕；這種腐蝕可能擴展到引線導(dǎo)體跡線3a (見圖4)。注意腐蝕的部分由陰影線表示。此時，在厚膜混合電路裝置l的結(jié)構(gòu)中，測試電極7的槽口N允許引 線導(dǎo)體跡線3a的長度大于傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置HC (見圖13 )的引線導(dǎo) 體跡線30a的長度。具體地，槽口 N在電極區(qū)域AR上提供空間；該空間允許平行于第一 內(nèi)槽口壁NWa并形成拐角C的測試電極7的一個側(cè)壁Sl的一部分從較小 側(cè)(minor side) Sl的殘余部分向內(nèi)凹陷。這使得引線導(dǎo)體跡線3a的長度 可大于傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置HC (見圖13 )的引線導(dǎo)體跡線30a的長度。這導(dǎo)致如下結(jié)果當(dāng)與傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置HC相比較時，腐蝕擴 展到位于槽口 N附近的一個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分P中所需的時間可以變 長，即使是腐蝕經(jīng)過引線厚膜導(dǎo)體跡線3a而擴展也如此。因此，可以增加 厚膜導(dǎo)體跡線3a的壽命并因此增加厚膜混合電路裝置1的壽命。第二實施方案在厚膜混合電路裝置1的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)測試探針100的頭100H從測試 電極7的中心上轉(zhuǎn)移到切除的一個拐角C上(見圖5中的"A")時，頭100H 的接觸針會與釬焊元件7b的主暴露表面接觸不良(見圖5和6 )。這可能 導(dǎo)致檢測器和測試電極7之間的接觸失敗。本發(fā)明的第二實施方案設(shè)計為防止在檢測器和測試電極之間的這種接 觸失敗。具體地，如圖7和8所示，測試電極17包括測試電極導(dǎo)體(厚膜導(dǎo)體)17a。與第一實施方案類似，在預(yù)先設(shè)計的布線圖中預(yù)先確定電極區(qū)域AR 在絕緣基板2的一個表面上的位置，該電極區(qū)域AR具有基本矩形形狀。 基于預(yù)先設(shè)計的布線圖，將測試電極導(dǎo)體17a印刷在電極區(qū)域AR上。在第二實施方案中，如圖7所示，測試電極導(dǎo)體17a具有基本矩形片 狀形狀，在其一個側(cè)壁S10的基本中心處具有矩形凹陷R。換言之，測試 電極導(dǎo)體17a具有基本矩形片狀的形狀同時在其側(cè)壁S10的基本中心處具 有矩形凹切(concave cut )。這允許暴露出電極區(qū)域AR對應(yīng)于矩形凹陷R 的部分。凹陷R使得測試電極導(dǎo)體17a成為基本凹形。具體地，凹陷R夾 在位于測試電極導(dǎo)體17a兩側(cè)的拐角Cl和C2之間。凹陷R由內(nèi)凹陷壁RWa、 RWb和RWc形成。內(nèi)凹陷壁RWa平行于 測試電極導(dǎo)體17a的較小側(cè)SIO。內(nèi)凹陷壁RWb和RWc分別連接內(nèi)凹陷 壁RWa的兩端，并且它們彼此相對且平行而且與內(nèi)凹陷壁RWa和較小側(cè) S10正交。內(nèi)凹陷壁RWa構(gòu)成布置在電極區(qū)域AR中部的測試電極導(dǎo)體 17a的基本中間部分M的一部分。與第一實施方案類似，在如上所述的印刷和燒制循環(huán)過程中，印刷保護玻璃膜5以覆蓋除測試電極導(dǎo)體17a及其周圍空隙之外的厚膜導(dǎo)體跡線 3和厚膜電阻器4，因此在外部暴露出測試電極導(dǎo)體17a。這是因為測試電 極17需要能夠與檢測器的測試探針100接觸。與第一實施方案一樣，在放置釬焊骨的步驟中，將釬焊骨凸起故置在 測試電極導(dǎo)體17a上，橫:得它具有基本矩形形狀同時在一個側(cè)壁S10上具 有矩形凹陷R;釬焊骨凸起的這種形狀與測試電極導(dǎo)體17a的形狀基4^目 配合。使釬焊骨凸起回流，之后，固化以形成層疊在測試電極導(dǎo)體17a上 的釬焊元件17b。具體地，測試電極導(dǎo)體17a和安裝在其上的釬焊元件17b提供具有凹 陷的基本矩形形狀的測試電極17。在第二實施方案中，厚膜導(dǎo)體跡線3包括引線厚膜導(dǎo)體跡線，簡稱為 "引線導(dǎo)體跡線"3b。引線導(dǎo)體跡線3b從例如與其正交的測試電極7的 凹陷R的內(nèi)凹陷壁RWa引出并且與內(nèi)凹陷壁RWb和RWc平行。換言之， 引線導(dǎo)體跡線3b從與側(cè)壁S10正交的測試電極7的中間部分M引出。引線導(dǎo)體跡線3b的引出端連續(xù)連接至位于凹陷R附近并且與凹陷R 相對的一個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分Pl。換言之，引線導(dǎo)體跡線3b從位于凹陷R附近并且與凹陷R相對的一 個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分Pl分出來并延伸至測試電極7的中間部分M， 由此與其連接。這允許測試電極17的拐角Cl和C2位于引線導(dǎo)體跡線7b的兩側(cè)。與剩余的厚膜導(dǎo)體跡線3 —樣，引線導(dǎo)體跡線3b被玻璃膜5覆蓋。除了測試電極之外，厚膜混合電路裝置la和1之間的相同元件具有相 同的附圖標(biāo)記，并且省略或簡化其說明。在第二實施方案中，如果用于釬焊元件17b的焊骨凸起例如錯印而與 測試電極導(dǎo)體17a未對準(zhǔn)，4吏得其端部例如拐角暴露(見圖4)時，厚膜 混合電路裝置la的運行與厚膜混合電路裝置1的運行基;M目同。因此，與傳統(tǒng)厚膜混合電路裝置HC相比，腐蝕進一步擴展到位于凹 陷R附近的一個厚膜導(dǎo)體跡線3的部分Pl中所需的時間可以變長，即使 是腐蝕經(jīng)過引線厚膜導(dǎo)體跡線3b而擴展也如此。因此，可以增加厚膜導(dǎo) 體跡線3b的壽命并因此增加厚膜混合電路裝置la的壽命。另外，當(dāng)將要測量厚膜混合電路裝置la的電特性時，設(shè)置測試探針 100，使得頭100H的接觸針與測試電極17的釬焊元件17b的主暴露表面 的中心接觸(見圖3)，可以在檢測器和測試電極17之間建立電連接。
檢測器和測試電極17之間的電連接允許檢測器測量厚膜混合電路裝 置la的電特性。
在厚膜混合電路裝置la的結(jié)構(gòu)中，即使測試探針100的頭100H從測 試電極17的中心上轉(zhuǎn)移到測試電極17的一個拐角上(見圖9和10中的 "A1"、 ，，A2"、 "A3"或"A4")，頭IOOH的接觸針的一部分也可以可靠地與 釬焊元件7b的主暴露表面的一部分接觸(見圖10 )。
另外，即使測試探針100的頭IOOH從測試電極17的中心上轉(zhuǎn)移到凹 陷R上，頭100H的接觸針的一部分也可以可靠地與位于引線導(dǎo)體跡線3b 兩側(cè)的測試電極17的拐角Cl和C2接觸。
因此，厚膜混合電路裝置la防止檢測器和測試電極17之間的接觸失 敗，使得可以減少由于器件la的測試電極17和測試探針100之間的^i^ 連接而導(dǎo)致的裝置la電特性的錯誤測量。
在第一和第二實施方案中，測試電極7或17位于具有基本矩形形狀的 電極區(qū)域AR上，但是本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。
具體地，電極區(qū)域AR可具有除矩形形狀之外的形狀。例如，電極區(qū) 域AR可具有基本三角形或至少五邊的多邊形形狀如五邊形。電極區(qū)域AR 也可具有帶有彎曲和封閉4^廓的形狀，例如圓形或橢圓形。
另夕卜，測試電極7或17可以具有位于電極區(qū)域AR上的安^面的預(yù) 定的二維實體形狀(solid shape )。該預(yù)定的實體形狀可具有延伸安*^面 的外圍的外周壁部分；該外周壁部分具有預(yù)定形狀的輪廓。在這種情況下， 引線導(dǎo)體電極可以從布置在電極區(qū)域AR中部的測試電極7或17的中間部 分引出；這種引線導(dǎo)體電極與所述外周壁部分相交。
在第一和第二實施方案中，測試電極7或17由厚膜導(dǎo)體7a或17a以 及安裝在其上的釬焊元件7b或17b構(gòu)成，但是本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。
具體地，測試電極7或17可以僅僅由具有足夠厚度的厚膜導(dǎo)體7a或 17a構(gòu)成；這種足夠的厚度提供了足夠的結(jié)構(gòu)強度。這使得能夠省略釬焊 元件7b或17b以及釬焊元件的形成過程。
在第一實施方案中，引線導(dǎo)體跡線3a從槽口 N的內(nèi)槽口壁NWa引出，但是可以從槽口 N的內(nèi)槽口壁NWb引出或從壁NWa和NWb的拐角引出。
在第二實施方案中，引線導(dǎo)體跡線3b從凹陷R的內(nèi)凹陷壁RWa引出， 但是可以從內(nèi)凹陷壁RWb、內(nèi)凹陷壁RWc、壁Rwa和RWb的拐角、或 壁Rwa和RWc的拐角引出。
在第一和第二實施方案中，引線導(dǎo)體跡線3a或3b從槽口 N或凹陷R 引出以線形延伸，但是可以從槽口 N或凹陷R引出以彎曲形式延伸。
雖然根據(jù)本發(fā)明的實施方案及其變型來說明了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解， 其中可以做出本文沒有描述的各種變化方案，所有的這些變化方案均由所 附權(quán)利要求所覆蓋并且落入本發(fā)明的實質(zhì)精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種厚膜混合電路裝置，包括具有一個表面的絕緣基板；安裝在所述絕緣基板的所述一個表面上的至少一個厚膜導(dǎo)體跡線；安裝在所述絕緣基板的所述一個表面上并且連接所述至少一個厚膜導(dǎo)體跡線的至少一個厚膜電阻器；安裝在所述至少一個厚膜導(dǎo)體跡線的一部分上的至少一個電元件，所述至少一個電元件、所述至少一個厚膜導(dǎo)體跡線和所述至少一個厚膜電阻器提供具有至少一種電特性的厚膜混合電路；測試電極，用于外部測量所述至少一個預(yù)先設(shè)計的電特性并且安裝在所述絕緣基板的所述一個表面上，所述測試電極具有設(shè)置在所述絕緣基板的所述一個表面上的外周壁部分，所述外周壁部分中具有凹陷；和厚膜引線導(dǎo)體，所述厚膜引線導(dǎo)體通過所述測試電極的所述凹陷從所述測試電極引出并且連接至所述至少一個厚膜導(dǎo)體跡線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的厚膜混合電路裝置，還包括保護膜，所述保護膜形成為覆蓋除所述測試電極之外的所述至少一個 厚膜導(dǎo)體跡線、所述至少一個厚膜電阻器和所述厚膜引線導(dǎo)體，從而暴 露所述測試電極以使其能夠與用于測量所述至少一種預(yù)先設(shè)計的電特 性的檢測器接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的厚膜混合電路裝置，其中所述測試電極具有圍繞 其外周壁部分的預(yù)定輪廓，并且所述厚膜引線導(dǎo)體通過所述測試電極的 所述凹陷從所述測試電極的一部分引出，所述測試電極的所述部分位于 所述預(yù)定輪廓的基本中心處。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的厚膜混合電路裝置，其中所述測試電極具有圍繞 其外周壁部分的多邊形形狀，所述多邊形形狀具有至少三個側(cè)壁，并且 所述凹陷形成在所述測試電極的所述多邊形形狀的一個拐角中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的厚膜混合電路裝置，其中所述測試電極具有圍繞 其外周壁部分的多邊形形狀，所述多邊形形狀具有至少三個側(cè)壁，并且 所述凹陷形成在所述測試電極的所述多邊形形狀的一個側(cè)壁中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的厚膜混合電路裝置，其中所述多邊形形狀為矩形 形狀，并且所述凹陷形成在所述測試電極的所述矩形形狀的一個側(cè)壁的 基本中心處，使得所述凹陷夾在位于所述一個側(cè)壁的兩側(cè)的所述測試電極的拐角之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求l的厚膜混合電路裝置，其中所述測試電極包括 厚膜導(dǎo)體，其安裝在所述絕緣基板的所述一個表面上并且具有設(shè)置在所述一個表面上的第一外周壁部分，所述第一外周壁部分中具有第一凹 陷；和釬焊元件，其層疊在所述厚膜導(dǎo)體上以覆蓋所述厚膜導(dǎo)體并且具有放 置在所述厚膜導(dǎo)體上的第二外周壁部分；所述外周壁部分中具有第二凹 陷，所述第一和第二外周壁部分構(gòu)成所述測試電極的所述外周壁部分， 所述第一和第二凹陷在它們的層疊方向上相互對準(zhǔn)以構(gòu)成所述測試電 極的所述外周壁部分的所述凹陷。
全文摘要
本發(fā)明涉及厚膜混合電路裝置，在該厚膜混合電路裝置中，厚膜導(dǎo)體跡線和厚膜電阻器安裝在絕緣基板的一個表面上并且相互連接。在所述厚膜導(dǎo)體跡線的一部分上安裝電元件。電元件、厚膜導(dǎo)體跡線和厚膜電阻器提供具有電特性的厚膜混合電路。利用測試電極外部測量預(yù)先設(shè)計的電特性并且安裝在所述絕緣基板的所述一個表面上。所述測試電極具有放置在所述絕緣基板的所述一個表面上的外周壁部分，所述外周壁部分中有凹陷。厚膜引導(dǎo)體跡線通過所述測試電極的所述凹陷從該測試電極引出并連接至所述厚膜導(dǎo)體跡線。
文檔編號H01L23/48GK101232010SQ20081000698
公開日2008年7月30日 申請日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者杉浦健治 申請人:株式會社電裝