專利名稱：電光裝置用基板、其制造方法、電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如用于液晶裝置等電光裝置中的電光裝置用M及其制 造方法，以及具備該電光裝置用基板的電光裝置及具備該電光裝置的如液 晶投影機(jī)等電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
作為這種電光裝置一例的液晶裝置不僅僅是直觀式顯示器，例如作為 投影型顯示裝置的光調(diào)制機(jī)構(gòu)(光閥)也已被廣泛使用。特別是在投影型 顯示裝置的情況下，因?yàn)閬?lái)自光源的強(qiáng)光入射于液晶光閥，所以作為遮光 機(jī)構(gòu)的遮光膜內(nèi)置在液晶光閥中，該遮光機(jī)構(gòu)用來(lái)遮擋入射光，以便不因該光而使液晶光閥內(nèi)的薄膜晶體管(TFT: Thin Film Transistor)發(fā)生泄 漏電流的增大、誤工作等。對(duì)于這種遮光機(jī)構(gòu)或遮光膜來(lái)說(shuō)，例如專利文 獻(xiàn)1公示出一種在TFT的溝道區(qū)域利用作為柵電^L^揮作用的掃描線進(jìn)行 遮光的技術(shù)。根據(jù)專利文獻(xiàn)2，則通過(guò)設(shè)置形成于溝道區(qū)域上的多個(gè)遮光 膜和吸收內(nèi)面反射光的層，減少了到達(dá)TFT溝道區(qū)域的光。專利文獻(xiàn)3公 示出一種能夠確保TFT的最佳工作以及使掃描線窄小化、同時(shí)盡可能減少 向TFT溝道區(qū)域入射的入射光之技術(shù)。專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2004-4722號(hào)^H艮專利文獻(xiàn)2:特許3731447號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2003-262888號(hào)公才艮但是，例如存在下述的問(wèn)題，即在向形成于溝道區(qū)域和源漏區(qū)域之間 的如LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)區(qū)域等結(jié)區(qū)域照射光時(shí)，在 結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光泄漏電流。針對(duì)這種問(wèn)題，雖然可以考慮在溝道區(qū)域兩側(cè)的各個(gè)結(jié)區(qū)域上設(shè)置遮光機(jī)構(gòu)，但是從顯示性能的觀點(diǎn)來(lái)看，在像素中使實(shí) 質(zhì)透射光的開(kāi)口區(qū)域變狹窄，是非優(yōu)選的。 一方面，本申請(qǐng)發(fā)明人推測(cè)出， 在向形成于連接于像素電極的源漏區(qū)域和溝道區(qū)域之間的結(jié)區(qū)域照射光的情形相比較，易于發(fā)生TFT中的光泄漏電流。另一方面，就這種電光裝置而言，以實(shí)現(xiàn)裝置的小型化及顯示圖像的 高清晰化為目的，還有對(duì)像素微小化的要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題所在等而做出的，其目的為，提供用于電光裝 置的電光裝置用J41及其制造方法以及具備那種電光裝置用基板的電光裝 置及電子設(shè)備，該電光裝置例如是采用有源矩陣方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的液晶裝置 等，可以實(shí)現(xiàn)較高的開(kāi)口率，并能有效減少TFT中光泄漏電流的發(fā)生，且 能夠?qū)崿F(xiàn)顯示圖像的高清晰化。本發(fā)明所涉及的電光裝置用基板為了解決上述問(wèn)題，其特征為，在基 板上具備數(shù)據(jù)線及掃描線，相互交叉進(jìn)行延伸；像素電極，設(shè)置于限定 為與上述數(shù)據(jù)線及上述掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素中；以及晶體管， 具有半導(dǎo)體層及柵電極，該半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域、像素電極側(cè)源漏區(qū)域、第1結(jié)區(qū)域和第2結(jié)區(qū)域，該溝道區(qū)域在每個(gè)上述 像素的相互隔著開(kāi)口區(qū)域的非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著第l方向延伸的第1區(qū) 域具有沿上述第1方向的溝道長(zhǎng)度，該數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域電連接于上述數(shù) 據(jù)線，該像素電極側(cè)源漏區(qū)域電連接于上述像素電極，該第l結(jié)區(qū)域形成 于上述溝道區(qū)域及上述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間，該笫2結(jié)區(qū)域形成于上述溝 道區(qū)域及上述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間，該柵電極具有主體部和延伸設(shè)置部， 該主體部在下述開(kāi)口部?jī)?nèi)相對(duì)上述溝道區(qū)域通過(guò)柵絕緣膜來(lái)配置，該開(kāi)口 部開(kāi)設(shè)于配置為覆蓋上述半導(dǎo)體層的絕緣膜的、與上述溝道區(qū)域重合的部 分，該延伸設(shè)置部以覆蓋上述笫2結(jié)區(qū)域的方式從該主體部延伸設(shè)置到上 述絕緣膜上；上述第2結(jié)區(qū)域位于上述非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著與上述第1方向相交的第2方向延伸的第2區(qū)域及上述第1區(qū)域相互交叉的交叉區(qū) 域內(nèi)。根據(jù)具備本發(fā)明的電光裝置用^1的電光裝置，在其工作時(shí)，例如能 夠在電光裝置用M中控制從數(shù)據(jù)線向像素電極的圖像信號(hào)的供給，實(shí)現(xiàn) 采用所謂有源矩陣方式的圖〗象顯示。還有，圖傳 f言號(hào)通過(guò)作為電連接于 數(shù)據(jù)線及像素電極間的開(kāi)關(guān)元件的晶體管按照從掃描線供給的掃描信號(hào)進(jìn) 行導(dǎo)通及截止，按預(yù)定的定時(shí)從數(shù)據(jù)線經(jīng)由晶體管被供給到像素電極。像 素電極例如是由ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料構(gòu) 成的透明電極，并且對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線及掃描線的交叉處，在基板上應(yīng)成為顯 示區(qū)域的區(qū)域內(nèi)按矩陣狀設(shè)置多個(gè)。這里，掃描線、數(shù)據(jù)線及晶體管不設(shè)置于各l象素的開(kāi)口區(qū)域，而設(shè)置 于非開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，以便不妨礙顯示。這里，本發(fā)明所涉及的"開(kāi)口區(qū)域"是指，在每個(gè)4象素中實(shí)際用于顯示 的光出射的區(qū)域等的，在各^象素中實(shí)際進(jìn)行利用電光元件或電光物質(zhì)的電 光工作的區(qū)域。本發(fā)明所涉及的"非開(kāi)口區(qū)域"是指，每個(gè)像素的相互隔著 開(kāi)口區(qū)域并且在每個(gè)像素中用于顯示的光不出射的區(qū)域等的，在各像素中 實(shí)際不進(jìn)行利用電光元件或電光物質(zhì)的電光工作的區(qū)域。非開(kāi)口區(qū)域，作 為例如數(shù)據(jù)線、掃描線的至少一部分由具有遮光性的遮光膜來(lái)形成，能 夠利用這種遮光膜遮擋向各像素入射的光的區(qū)域，其禾皮限定為在J41上包 圍開(kāi)口區(qū)域?；蛘哒f(shuō)，即便利用下述遮光膜，也可以限定非開(kāi)口區(qū)域，該 遮光膜不僅僅是電光裝置用基板，在電光裝置中還形成于與電光裝置用基 板相對(duì)向配置并夾持作為電光物質(zhì)的例如液晶的其他^41上，具有遮光性。在本發(fā)明中，非開(kāi)口區(qū)域在M上包括沿第1方向的第1區(qū)域及沿與 第1方向交叉的第2方向的第2區(qū)域。本發(fā)明所涉及的"第1方向，，指的是， 例如在基板上被限定為矩陣狀的多個(gè)像素的行方向，也就是排列多條數(shù)據(jù) 線的排列方向或多條掃描線的各自延伸的方向(例如在下述的各附圖中所 示的X方向)，或是例如在M上被限定為矩陣狀的多個(gè)像素的列方向，(例如在下述的各附圖中所示的Y方向)。晶體管具有包括溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層和柵電極。半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域，在多個(gè)像素的相互隔著各個(gè)開(kāi)口區(qū)域的非 開(kāi)口區(qū)域之中的沿著第1方向延伸的第1區(qū)域具有沿第1方向的溝道長(zhǎng)度； 數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，電連接于數(shù)據(jù)線；像素電極側(cè)源漏區(qū)域，電連接于上 述像素電極；第l結(jié)區(qū)域，形成于溝道區(qū)域及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間；以及 第2結(jié)區(qū)域，形成于溝道區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域間。也就是說(shuō)，晶體 管具有LDD結(jié)構(gòu)。這里，第1結(jié)區(qū)域形成于溝道區(qū)域和數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū) 域的接合部，第2結(jié)區(qū)域形成于溝道區(qū)域和像素電極側(cè)源漏區(qū)域的接合部。 也就是說(shuō)，第1及第2結(jié)區(qū)域例如指的是，晶體管例如作為NPN型或PNP 型晶體管(也就是，N溝道型或P溝道型晶體管)來(lái)形成時(shí)的PN結(jié)區(qū)域、 晶體管具有LDD結(jié)構(gòu)時(shí)的LDD區(qū)域(也就是，例如通過(guò)離子注入法等的 雜質(zhì)摻入在半導(dǎo)體層中摻入雜質(zhì)后的雜質(zhì)區(qū)域)。在本發(fā)明中，特別是柵電極包括主體部和延伸設(shè)置部。延伸設(shè)置部相 對(duì)于半導(dǎo)體層通過(guò)絕緣膜形成于上層側(cè)，并且和主體部整體形成。主體部是在晶體管的工作時(shí)原本作為柵電極發(fā)揮作用的部分。在絕緣膜中，在基 板上俯jf見(jiàn)與溝道區(qū)域重合的部分形成有開(kāi)口部，主體部形成為，在開(kāi)口部 內(nèi)通過(guò)柵絕緣膜，與溝道區(qū)域重合。另外，延伸設(shè)置部以在基板上俯視與 第2結(jié)區(qū)域重合的方式相對(duì)于半導(dǎo)體層通過(guò)絕緣膜形成于上層側(cè)。因而， 能夠利用延伸設(shè)置部，遮擋對(duì)第2結(jié)區(qū)域從比其靠上層側(cè)入射的光。再者， 延伸設(shè)置部因?yàn)橥ㄟ^(guò)絕緣膜配置于第2結(jié)區(qū)域的正上方，所以能夠進(jìn)一步 可靠地減少M(fèi)伸設(shè)置部向下層側(cè)行進(jìn)并通過(guò)絕緣膜向第2結(jié)區(qū)域入射的 光。還有，延伸"^殳置部既可以沿著和半導(dǎo)體層延伸的方向相同的方向，也 就是第1方向來(lái)形成，也可以沿著與之交叉的方向也就是笫2方向來(lái)形成。再者，在本發(fā)明中，特別是第2結(jié)區(qū)域在非開(kāi)口區(qū)域，配置于第1區(qū) 域及第2區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域內(nèi)。因而，對(duì)第2結(jié)區(qū)域從比其靠上層 側(cè)入射的光之中的、具有沿著第1方向行進(jìn)的分量的光，能夠利用第1區(qū)域中所設(shè)置的如掃描線等進(jìn)行遮光，具有沿著第2方向行進(jìn)的分量的光能 夠利用第2區(qū)域中所設(shè)置的如數(shù)據(jù)線等進(jìn)行遮光。從而，除了形成為覆蓋第2結(jié)區(qū)域的延伸設(shè)置部之外，還可以利用在 第1及第2區(qū)域中所設(shè)置的如掃描線、數(shù)據(jù)線等，遮擋對(duì)第2結(jié)區(qū)域行進(jìn) 的光。也就是說(shuō)，能夠進(jìn)一步可靠減少向第2結(jié)區(qū)域入射的光。據(jù)此，就 相對(duì)于形成于半導(dǎo)體層的各種區(qū)域之中的第2結(jié)區(qū)域的遮光性而言，能精 確地提高。其結(jié)果為，可以有效減少各像素的晶體管的光泄漏電流。再者，在本發(fā)明中，即便不設(shè)置不同于交叉區(qū)域的形成有下述遮光部 的區(qū)域，也可以精確提高對(duì)第2結(jié)區(qū)域的遮光性，該遮光部用來(lái)對(duì)笫2結(jié) 區(qū)域進(jìn)行遮光。因而，通過(guò)設(shè)置這種用來(lái)精確提高遮光性的遮光部，就能 夠防止各^f象素的非開(kāi)口區(qū)域的配置面積變寬、開(kāi)口區(qū)域進(jìn)一步變小。其 結(jié)果為，即便將各像素微小化，也可以精確地使遮光性得到提高且使開(kāi)口 率也得到進(jìn)一步提高。還有，所謂的"開(kāi)口率"指的是，開(kāi)口區(qū)域及非開(kāi)口 區(qū)域總計(jì)的像素尺寸中的開(kāi)口區(qū)域的比率，開(kāi)口率越大，裝置的顯示性能 越高。除此之外，延伸設(shè)置部通過(guò)絕緣膜形成于比第2結(jié)區(qū)域靠上層側(cè)，和 笫2結(jié)區(qū)域電絕緣。因而，在晶體管的工作時(shí)，能夠防止在和下述主體 部整體形成的延伸^L置部中產(chǎn)生的電場(chǎng)給第2結(jié)區(qū)域帶來(lái)電的不良影響， 在晶體管中發(fā)生工作不佳，該主體部原本作為柵電極發(fā)揮作用。再者，除此之外，延伸設(shè)置部和主體部配置于14l上的按上下方向相 互不同的位置，并且相互整體形成。從而，因?yàn)檫@些延伸i殳置部和主體部 按相互不同的高度來(lái)配置，所以和按圖形上分離了的形狀分別形成的情形 相比較，即便使各像素微小化，也能夠防止延伸設(shè)置部和主體部之間的電 連接被切斷、或者延伸設(shè)置部相對(duì)第2結(jié)區(qū)域產(chǎn)生短路的不佳狀況。從而， 可以防止因這種電連接的不佳而在晶體管中發(fā)生工作不佳的情況。因而，根據(jù)上面所說(shuō)明的那種本發(fā)明的電光裝置用基板，可以減少或 防止因各像素的晶體管發(fā)生光泄漏電流而發(fā)生閃爍等的顯示不佳。再者， 還可以防止晶體管的工作不佳、開(kāi)口率的下降，并且易于使各像素微小化。從而，根據(jù)本發(fā)明的電光裝置用141，能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。在本發(fā)明的電光裝置用M的一個(gè)方式中，上述溝道區(qū)域的至少一部 分配置于上述第1區(qū)域之中的除上述交叉區(qū)域外的區(qū)域。根據(jù)該方式，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域其全部或一部分配置于第1區(qū)域之 中的除交叉區(qū)域外的區(qū)域。也就是說(shuō)，溝道區(qū)域其全部配置于交叉區(qū)域外， 或者配置于交叉區(qū)域的一部分及從該一部分向交叉區(qū)域外延伸的區(qū)域。因 而，在溝道區(qū)域在開(kāi)口部?jī)?nèi)重合的柵電極的主體部的至少一部分配置于交 叉區(qū)域外，延伸設(shè)置部在交叉區(qū)域至少配置一部分。這樣，因?yàn)樵诘趌區(qū) 域配置于相互不同的區(qū)域的主體部和延伸設(shè)置部整體形成，所以易于形成柵電極。從而，因?yàn)樵诨迳?，可以按配置?結(jié)區(qū)域所需要的必要最小 限度的配置面積來(lái)形成交叉區(qū)域，所以能夠更為容易地使各像素微小化， 同時(shí)使開(kāi)口率得到提高。在本發(fā)明的電光裝置用M的另一方式中，上述掃描線與上述延伸設(shè) 置部在同一層，采用同一膜來(lái)整體形成。根據(jù)該方式，因?yàn)樵陔姽庋b置用J4l的制造過(guò)程中，可以在柵電極中， 在同 一工序中采用同 一膜按同 一時(shí)機(jī)至少形成延伸設(shè)置部和掃描線，所以 能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化該制造過(guò)程。在本發(fā)明的電光裝置用M的另一方式中，上i^l伸i殳置部形成為， 在上述交叉區(qū)域與上述數(shù)據(jù)線重合。根據(jù)該方式，在交叉區(qū)域，能夠?qū)τ趯?duì)第2結(jié)區(qū)域從比其靠上層側(cè)入 射的光，利用數(shù)據(jù)線及延伸設(shè)置部的各自進(jìn)行遮光。因而，可以進(jìn)一步可 靠減少向第2結(jié)區(qū)域入射的光。其結(jié)果為，能夠更為有效、精確地提高對(duì) 第2結(jié)區(qū)域的遮光性。在本發(fā)明的電光裝置用基板的另一方式中，具備保護(hù)膜，該保護(hù)膜為 了在使上述開(kāi)口部開(kāi)設(shè)于上述絕緣膜時(shí)的腐蝕處理中保護(hù)上述溝道區(qū)域， 形成到比上述半導(dǎo)體層靠上層側(cè)且比上述絕緣膜靠下層側(cè)，之后去除位于 上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的一部分，形成在上述開(kāi)口部的周圍。根據(jù)該方式，通過(guò)采用下述那種本發(fā)明所涉及的電光裝置用^的制造方法，來(lái)制造該電光裝置用J41，就可以在晶體管的形成中，防止因?yàn)?半導(dǎo)體層的損傷而使成品率下降，或者因?yàn)榫w管的工作不佳而使顯示質(zhì) 量劣化、可靠性下降的不佳狀況。另外，因?yàn)榭梢匀菀兹コＷo(hù)膜，所以 還能夠防止制造過(guò)程復(fù)雜化的情況。本發(fā)明的電光裝置為了解決上述問(wèn)題，具備上述本發(fā)明的電光裝置用 基板(其中，還包括其各種方式)。根據(jù)本發(fā)明的電光裝置，因?yàn)榫邆渖鲜霰景l(fā)明的電光裝置用基板，所 以能夠提供可顯示高質(zhì)量圖像的電光裝置。本發(fā)明的電子設(shè)備為了解決上述問(wèn)題，具備上述本發(fā)明的電光裝置。根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備，由于具備上述本發(fā)明的電光裝置，因而可以 實(shí)現(xiàn)能進(jìn)行高質(zhì)量顯示的投影型顯示裝置、便攜式電話機(jī)、電子記事本、 文字處理機(jī)、取景器式或者監(jiān)視直觀式的磁帶錄像器、工作站、電視電話機(jī)、POS終端及接觸式面板等的各種電子設(shè)備。另外，作為本發(fā)明所涉及的電子設(shè)備，還能夠?qū)崿F(xiàn)例如電子紙張等的電泳裝置等。本發(fā)明所涉及的電光裝置用皿的制造方法為了解決上述問(wèn)題，包括 半導(dǎo)體層形成工序，在M上以下述方式形成半導(dǎo)體層，該方式為使第 2結(jié)區(qū)域位于非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著與第1方向相交的第2方向延伸的第2 區(qū)域及第1區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域內(nèi)，該半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域、數(shù)據(jù) 線側(cè)源漏區(qū)域、像素電極側(cè)源漏區(qū)域、第1結(jié)區(qū)域和上述第2結(jié)區(qū)域，該開(kāi)口區(qū)域的上述非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著上述第1方向延伸的上述第1區(qū)域 具有沿上述第l方向的溝道長(zhǎng)度，該數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域電連接于數(shù)據(jù)線， 該像素電極側(cè)源漏區(qū)域電連接于像素電極，該第l結(jié)區(qū)域形成于上述溝道 區(qū)域及上述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間，該第2結(jié)區(qū)域形成于上述溝道區(qū)域及上 述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間；保護(hù)膜形成工序，覆蓋上述溝道區(qū)域地形成保 護(hù)膜；絕緣膜形成工序，在形成上述保護(hù)膜的工序之后，覆蓋上述半導(dǎo)體 層地形成絕緣膜；開(kāi)口工序，通過(guò)在上述絕緣膜的與上述溝道區(qū)域重合的 部分，實(shí)施4吏用第1腐蝕劑的腐蝕，形成^f吏上述保護(hù)膜露出的開(kāi)口部；露出工序，通過(guò)在從上述開(kāi)口部露出的保護(hù)膜，實(shí)施使用和上述第l腐蝕劑不同的第2腐蝕劑的腐蝕，使上述溝道區(qū)域露出；柵絕緣膜形成工序，在 上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的上述露出的溝道區(qū)域上形成柵絕緣膜；以及晶體管形成工 序，通過(guò)以下述方式形成柵電極來(lái)形成晶體管，該方式為使該柵電極具 有主體部和延伸設(shè)置部，該主體部形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)，該延伸設(shè)置部覆蓋上述第2結(jié)區(qū)域地從該主體部延伸設(shè)置到上述絕緣膜上；使用上述第1 腐蝕劑的對(duì)上述絕緣膜的腐蝕速率比使用上述第1腐蝕劑的對(duì)上述保護(hù)膜 的腐蝕速率大，使用上述第2腐蝕劑的對(duì)上述保護(hù)膜的腐蝕速率比使用上 迷第2腐蝕劑的對(duì)上述半導(dǎo)體層的腐蝕速率大，使用上述第1腐蝕劑的對(duì) 上述半導(dǎo)體層的腐蝕速率比^f吏用上述第2腐蝕劑的對(duì)上述半導(dǎo)體層的腐蝕 速率大。根據(jù)本發(fā)明的電光裝置用基仗的制造方法，可以制造上述本發(fā)明所涉 及的電光裝置用J4SL。在本發(fā)明中，首先當(dāng)形成晶體管時(shí)，在J41上，在非開(kāi)口區(qū)域的第1 區(qū)域內(nèi)沿著第1方向形成半導(dǎo)體層。此時(shí)，將第2結(jié)區(qū)域配置形成于交叉 區(qū)域內(nèi)。接著，使得至少覆蓋溝道區(qū)域地將保護(hù)膜形成于比半導(dǎo)體層靠上層側(cè)。 保護(hù)膜如下所迷，其一部分被從半導(dǎo)體層上去除，并且采用下述那種材料 如氮化硅(SiN)來(lái)形成，該材料在此時(shí)的腐蝕處理中使用第2腐蝕劑的腐 蝕速率比例如由多晶硅、非晶體硅形成的半導(dǎo)體層大。這里所說(shuō)的"第2 腐蝕劑"指的是，作為對(duì)保護(hù)膜的腐蝕處理進(jìn)行干腐蝕法時(shí)的腐蝕氣體，或 是作為腐蝕處理進(jìn)行濕腐蝕法時(shí)的藥液。隨后，在比保護(hù)膜靠上層側(cè)形成絕緣膜。絕緣膜采用下述那種材料如 氧化硅(Si02)來(lái)形成，該材料在下述形成開(kāi)口部的工序中的腐蝕處理中 的使用第1腐蝕劑的腐蝕速率比保護(hù)膜大。這里所說(shuō)的"第1腐蝕劑"指的 是，作為形成開(kāi)口部時(shí)的腐蝕處理進(jìn)行干腐蝕法時(shí)的腐蝕氣體，或是作為 腐蝕處理進(jìn)行濕腐蝕法時(shí)的藥液。接下來(lái)，通過(guò)作為使用第1腐蝕劑的腐蝕處理，對(duì)絕緣膜實(shí)施干腐蝕法或濕腐蝕法，或是干腐蝕法及濕腐蝕法的雙方，在絕緣膜的與溝道區(qū)域 重合的部分形成開(kāi)口部。這里，半導(dǎo)體層采用下述那種材料如多晶硅來(lái)形成，該材料使用第1腐蝕劑的腐蝕速率比使用第2腐蝕劑的腐蝕速率大。從而，當(dāng)形成開(kāi)口部時(shí)，假^:不把保護(hù)膜至少形成于溝道區(qū)域上時(shí)， 在使用第l腐蝕劑的腐蝕處理中，例如由氧化硅膜形成的絕緣膜及半導(dǎo)體 層的選擇比減小，在形成開(kāi)口部之后，開(kāi)口部?jī)?nèi)所露出的半導(dǎo)體層表面被 露出于第l腐蝕劑中，可能發(fā)生連半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域都,皮腐蝕的情況。 或者說(shuō)，在形成開(kāi)口部之后，半導(dǎo)體層因第l腐蝕劑而受到損傷，可能發(fā) 生其膜質(zhì)劣化的情況。對(duì)此，在本發(fā)明中，特別是在由保護(hù)膜覆蓋半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域 的狀態(tài)下，使用第l腐蝕劑來(lái)形成開(kāi)口部。這里，絕緣膜、保護(hù)膜及半導(dǎo) 體層分別采用下述那種材料來(lái)形成，該材料，使用第2腐蝕劑的對(duì)保護(hù)膜 的腐蝕處理中的半導(dǎo)體層的過(guò)腐蝕量比使用第l腐蝕劑的對(duì)絕緣膜的腐蝕 處理中的半導(dǎo)體層的過(guò)腐蝕量小。另外，保護(hù)膜及絕緣膜分別采用下述那 種材料來(lái)形成，該材料，使用第l腐蝕劑的對(duì)絕緣膜的腐蝕速率比使用第 l腐蝕劑的對(duì)保護(hù)膜的腐蝕速率大。因而，在使用第l腐蝕劑的腐蝕處理中，可以提高保護(hù)膜和絕緣膜的 選擇比。另外，除了采用如上的材料來(lái)形成保護(hù)膜之外，還可以通過(guò)調(diào)整 其膜厚，進(jìn)一步有效提高選擇比。從而，在開(kāi)口部形成后，即使在笫i腐 蝕劑中其表面被露出于開(kāi)口部?jī)?nèi)，也可以防止腐蝕保護(hù)膜而被從開(kāi)口部?jī)?nèi) 去除、使半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域受到損傷。隨后，通過(guò)對(duì)在開(kāi)口部?jī)?nèi)露出的保護(hù)膜，作為使用第2腐蝕劑的腐蝕 處理，實(shí)施干腐蝕法或濕腐蝕法，或者干腐蝕法及濕腐蝕法的雙方，將保 護(hù)膜從開(kāi)口部?jī)?nèi)去除。此時(shí)，因?yàn)槭褂玫?腐蝕劑的對(duì)半導(dǎo)體層的腐蝕速 率比使用第2腐蝕劑的對(duì)保護(hù)膜的腐蝕速率小，所以在使用第2腐蝕劑的 腐蝕處理中，可以提高半導(dǎo)體層和保護(hù)膜的選擇比。因而，在開(kāi)口部?jī)?nèi)， 能夠防止半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域被露出于第2腐蝕劑中受到損傷，能將保護(hù)膜容易或可靠地去除。還有，在比半導(dǎo)體層靠上層側(cè)且比絕緣膜靠下層側(cè)，以從半導(dǎo)體層的 溝道區(qū)域開(kāi)始還覆蓋溝道區(qū)域之外的區(qū)域的方式配置保護(hù)膜時(shí)，在將位于 開(kāi)口部?jī)?nèi)的保護(hù)膜一部分去除之后，在開(kāi)口部的周圍殘留保護(hù)膜的其它部 分。隨后，在開(kāi)口部?jī)?nèi)露出的半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域上形成柵絕緣膜之后， 將柵電極從開(kāi)口部?jī)?nèi)連續(xù)形成于絕緣膜上。更為具體而言，將主體部形成于開(kāi)口部?jī)?nèi)，并且從主體部將延伸設(shè)置部以覆蓋第2結(jié)區(qū)域的方式連續(xù)延 伸設(shè)置于絕緣膜上，形成柵電極。借此，形成晶體管。從而，根據(jù)上面所說(shuō)明的那種本發(fā)明的制造方法，在晶體管的形成中， 可以防止因?yàn)榘雽?dǎo)體層的損傷而使成品率下降、或者因?yàn)榫w管的工作不 佳而使顯示質(zhì)量劣化、使裝置的可靠性下降的不佳狀況。另外，因?yàn)榭梢?容易去除保護(hù)膜，所以還能夠防止制造過(guò)程復(fù)雜化的情況。在本發(fā)明所涉及的電光裝置用M的制造方法的一個(gè)方式中，形成上 述半導(dǎo)體層的工序采用硅來(lái)形成上述半導(dǎo)體層，形成上述保護(hù)膜的工序采 用氮化硅膜來(lái)形成上述保護(hù)膜，形成上述絕緣膜的工序采用氧化硅膜來(lái)形 成上述絕緣膜。根據(jù)該方式，可以以下迷方式分別形成半導(dǎo)體層、保護(hù)膜及絕緣膜， 該方式為使得作為保護(hù)膜的氮化硅膜使用第2腐蝕劑的腐蝕處理中的對(duì) 半導(dǎo)體層的過(guò)腐蝕量比作為絕緣膜的氧化硅膜使用第1腐蝕劑的腐蝕處理 中的對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)腐蝕量小。另外，可以形成為，使用第l腐蝕劑的對(duì) 絕緣膜的腐蝕速率比使用第l腐蝕劑的對(duì)保護(hù)膜的腐蝕速率大。因而，在形成開(kāi)口部的工序中，可以在^f吏用第l腐蝕劑的腐蝕處理中， 提高保護(hù)膜和絕緣膜的選擇比。另外，通過(guò)對(duì)保護(hù)膜實(shí)施使用第2腐蝕劑 的腐蝕處理，可以在從開(kāi)口部?jī)?nèi)去除保護(hù)膜時(shí)，提高半導(dǎo)體層和保護(hù)膜的 選擇比。在本發(fā)明所涉及的電光裝置用基昧的制造方法的另 一方式中，包括 掃描線形成工序，電連接于上述柵電極地形成上述掃描線；數(shù)據(jù)線形成工數(shù)據(jù)線；以及像素電極形成工序，將上述像素電極電連接于上述像素電極 側(cè)源漏區(qū)域地使之形成于每個(gè)上述像素中；形成上述數(shù)據(jù)線的工序及形成 上述像素電極的工序的至少一方，將上述數(shù)據(jù)線及上述像素電極的至少一 方，形成于比上述晶體管靠上層側(cè)。根據(jù)該方式，通過(guò)形成數(shù)據(jù)線的工序及形成像素電極的工序的至少一 方，數(shù)據(jù)線及像素電極的至少一方形成于比晶體管靠上層側(cè)。因而，在絕 緣膜中，除開(kāi)口部之外，還需要形成接觸孔，用來(lái)將數(shù)據(jù)線及像素電極的 至少一方和半導(dǎo)體層進(jìn)行電連接。這里，在形成保護(hù)膜的工序中，優(yōu)選的是以下述方式形成保護(hù)膜，該 方式為使保護(hù)膜從溝道區(qū)域開(kāi)始還覆蓋溝道區(qū)域外的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域 及像素電極側(cè)源漏區(qū)域的至少一方。此時(shí)，通過(guò)和形成開(kāi)口部的開(kāi)口及從 開(kāi)口部?jī)?nèi)去除保護(hù)膜的各自相同的制造過(guò)程，就能夠形成接觸孔。因而， 當(dāng)除開(kāi)口部之外還將上述的接觸孔形成于絕緣膜中時(shí)，和形成開(kāi)口部的情 形相同，可以提高對(duì)絕緣膜的腐蝕處理的選擇比。另外，隨后，當(dāng)從接觸 孔內(nèi)去除保護(hù)膜時(shí)，也和從開(kāi)口部去除保護(hù)膜的情形相同，能夠提高腐蝕 處理的選擇比。另外，可以通過(guò)和形成開(kāi)口部時(shí)相同的制造裝置來(lái)形成接觸孔，能夠 得到使制造過(guò)程簡(jiǎn)化并且減少制造成本等的益處。本發(fā)明的作用及其他益處將通過(guò)下面說(shuō)明的用來(lái)實(shí)施的最佳方式得以 明確。


圖l是本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的概略俯視圖。 圖2是圖1的H-H'截面圖。圖3是本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的構(gòu)成圖像顯示區(qū)域且形成為矩 陣狀的多個(gè)像素中各種元件、布線等的等效電路圖。圖4是本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的像素部的俯視圖。圖5是著眼于晶體管的結(jié)構(gòu)來(lái)表示像素部結(jié)構(gòu)的俯視圖。 圖6是圖4的A-A'截面圖。 圖7是圖4的B-B'截面圖。 圖8是圖5的C-C'截面圖。圖9是表示測(cè)試用TFT中的光照射位置和漏電流之間關(guān)系的曲線圖。 圖IO是表示在漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的栽流子活動(dòng)的概念圖。 圖11是表示在源側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的栽流子活動(dòng)的概念圖。 圖12是表示在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢粫r(shí)在數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域(換言之，是漏側(cè)結(jié)區(qū)域)產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的載流子活動(dòng)的概念圖。圖13是表示在像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢粫r(shí)在像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域 (換言之，是漏側(cè)結(jié)區(qū)域)產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的載流子活動(dòng)的概念圖。圖14表示向像素開(kāi)關(guān)用的TFT整體照射比較強(qiáng)的光時(shí)像素電極電位的波形。圖15是按照順序表示制造過(guò)程的各工序中的圖6所示截面部分結(jié)構(gòu)的 工序圖(之l)。圖16是按照順序表示制造過(guò)程的各工序中的圖6所示截面部分結(jié)構(gòu)的 工序圖(之2)。圖17是表示形成開(kāi)口部的工序中的圖8所示截面部分結(jié)構(gòu)的截面圖。 圖18是按照順序表示制造過(guò)程的各工序中的圖6所示截面部分結(jié)構(gòu)的 工序圖(之3)。圖19是按照順序表示制造過(guò)程的各工序中的圖6所示截面部分結(jié)構(gòu)的 工序圖(之4)。圖20是表示作為使用電光裝置的電子設(shè)備一個(gè)示例的投影機(jī)結(jié)構(gòu)的 俯視圖。符號(hào)說(shuō)明la"'半導(dǎo)體層，la'"'溝道區(qū)域，lb"'數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域，lc"一象素電 極側(cè)LDD區(qū)域，ld…數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域，le"'像素電極側(cè)源漏區(qū)域，2"-柵 絕緣膜，3a…柵電極，6a…數(shù)據(jù)線，9a…像素電極，10…TFT陣列勤良，lOa...圖1l象顯示區(qū)域，lla".掃描線，30".TFT， 31a…主體部，32a."延伸設(shè)置部， 99a"'開(kāi)口區(qū)域，99b".非開(kāi)口區(qū)域，99ba…第1區(qū)域，99bb".第2區(qū)域， 99cr'"交叉區(qū)域，202…絕緣膜，202h."開(kāi)口部具體實(shí)施方式
下面，對(duì)于本發(fā)明的各實(shí)施方式， 一面參照附圖， 一面進(jìn)行說(shuō)明。在 下面的實(shí)施方式中，分別將以作為本發(fā)明電光裝置一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型 TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置為例。<電光裝置>對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置整體結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D1及圖2進(jìn)行說(shuō) 明。這里，圖1是從對(duì)向M—側(cè)看到TFT陣列基板和形成于其上的各構(gòu) 成要件的液晶裝置的概略俯視圖，圖2是圖1的H-H'剖面圖。在圖l及圖2中，本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置由相對(duì)向配置的TFT 陣列基板10和對(duì)向141 20構(gòu)成。TFT陣列基板10例如是石英基板、玻 璃J41、硅基板等的透明基板。對(duì)向基板20也是例如由和TFT陣列M 10相同的材料構(gòu)成的透明J^。在TFT陣列J4^ 10和對(duì)向a 20之間 封入液晶層50, TFT陣列基板10和對(duì)向基板20通過(guò)在位于圖像顯示區(qū)域 10a周圍的密封區(qū)域所設(shè)置的密封材料52進(jìn)行相互接合。密封材料52由用來(lái)粘合兩個(gè)基板的例如紫外線固化樹(shù)脂、熱固化樹(shù)脂 等構(gòu)成，在制造過(guò)程中涂敷于TFT陣列J^10上之后，通過(guò)紫外線照射、 加熱等使之固化。另外，例如在密封材料52中，散布著用來(lái)使TFT陣列 M 10和對(duì)向20之間的間隔(_$41間間隙)成為預(yù)定值的玻璃纖維 或玻璃珠等間隙材料56。本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置適于作為投影機(jī)的 光閥用，以小型進(jìn)行放大顯示。與配置有密封材料52的密封區(qū)域內(nèi)側(cè)并行，限定圖像顯示區(qū)域10a邊 框區(qū)域的遮光性邊框遮光膜53設(shè)置在對(duì)向基板20側(cè)。但是，這種邊框遮 光膜53的一部分或全部也可以作為內(nèi)置遮光膜設(shè)置于TFT陣列基板10 側(cè)。在TFT陣列基板10上的位于圖像顯示區(qū)域10a周邊的周邊區(qū)域內(nèi)， 分別形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、采樣電路7、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104及外部電 路連接端子102。在TFT陣列^L10上的周邊區(qū)域內(nèi)，在比密封區(qū)域靠外周側(cè)，數(shù)據(jù) 線驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接端子102沿著TFT陣列J4110的一條邊 來(lái)設(shè)置。另外，在TFT陣列^10上的周邊區(qū)域之中的位于比密封區(qū)域 靠?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)，使之沿著下述圖像顯示區(qū)域10a的一條邊且被邊框遮光 膜53覆蓋，來(lái)設(shè)置采樣電路7，該圖f象顯示區(qū)域10a的一條邊沿著TFT 陣列基板10的一條邊。掃描線驅(qū)動(dòng)電路104沿著與TFT陣列14110的一條邊相鄰的2條邊， 且被邊框遮光膜53覆蓋來(lái)設(shè)置。再者，為了電連接這樣設(shè)置于圖像顯示區(qū) 域10a兩側(cè)的二個(gè)掃描線驅(qū)動(dòng)電路104間，沿著TFT陣列J4110剩下的 一條邊且被邊框遮光膜53覆蓋，來(lái)設(shè)置多條布線105。另外，在TFT陣列J^L10上的周邊區(qū)域內(nèi)，在與對(duì)向基板20的4個(gè) 邊角部相對(duì)向的區(qū)域，配置上下導(dǎo)通端子106，并且在該TFT陣列^i4110 和對(duì)向J41 20之間，上下導(dǎo)通材料對(duì)應(yīng)于上下導(dǎo)通端子106并與該端子 106電連接，來(lái)i殳置。在圖2中，在TFT陣列^L10上形成疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)中形成 有作為驅(qū)動(dòng)元件的像素開(kāi)關(guān)用TFT和掃描線、數(shù)據(jù)線等的布線。在圖像顯 示區(qū)域10a，在^^素開(kāi)關(guān)用TFT和掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層按矩陣狀 設(shè)置像素電極9a。在像素電極9a上，形成取向膜16。還有，在本實(shí)施方 式中，像素開(kāi)關(guān)元件除TFT之外，還可以采用各種晶體管或TFD等來(lái)構(gòu) 成。另一方面，在對(duì)向基板20的和TFT陣列基板10的對(duì)向面上，形成遮 光膜23。遮光膜23例如由遮光性金屬膜等形成，在對(duì)向基板20上的圖像 顯示區(qū)域10a內(nèi)，例如圖形形成為網(wǎng)格狀等。而且，在遮光膜23上(圖2 中比遮光膜23靠下側(cè))，由ITO等透明材料構(gòu)成的對(duì)向電極21和多個(gè)像 素電極9a相對(duì)向，例如形成為整面狀，并且在對(duì)向電極21上(圖2中比對(duì)向電極21靠下側(cè))形成取向膜22。液晶層50例如由一種或?qū)?shù)種向列型液晶混合后的液晶構(gòu)成，并且在 這一對(duì)的取向膜間取得預(yù)定的取向狀態(tài)。而且，在液晶裝置的驅(qū)動(dòng)時(shí)，通 過(guò)給各自施加電壓，在像素電極9a和對(duì)向電極21之間形成液晶保持電容。還有，雖然這里未圖示，但是在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù)線驅(qū) 動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之外，還可以形成預(yù)充電電路，先于 圖像信號(hào)給多條數(shù)據(jù)線分別供給預(yù)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)；檢查電路， 用來(lái)檢查制造過(guò)程中、出廠時(shí)該液晶裝置的品質(zhì)、缺陷等；等。下面，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的像素部的電結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D 3進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖3是本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的構(gòu)成圖像顯示 區(qū)域且形成為矩陣狀的多個(gè)像素中各種元件、布線等的等效電路圖。在圖3中，在構(gòu)成圖像顯示區(qū)域10a且形成為矩陣狀的多個(gè)像素各自 中，形成像素電極9a及本發(fā)明所涉及的作為"晶體管，，一例的TFT30。 TFT30電連接到像素電極9a，在液晶裝置的工作時(shí)對(duì)像素電極9a進(jìn)行開(kāi) 關(guān)控制。被供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a電連接到TFT30的源。寫(xiě)入數(shù)據(jù)線 6a的圖像信號(hào)Sl、 S2、…、Sn既可以按該順序依線次序來(lái)供給，也可以 對(duì)相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a之間，按每組來(lái)供給。在TFT30的柵電連接掃描線lla，本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置其構(gòu) 成為，按預(yù)定的定時(shí)以脈沖方式將掃描信號(hào)G1、 G2、…、Gm，按該順序 依線次序施加給掃描線lla。像素電極9a電連接到TFT30的漏，通過(guò)將 作為開(kāi)關(guān)元件的TFT30只按一定期間閉合其開(kāi)關(guān)，從數(shù)據(jù)線6a供給的圖 像信號(hào)S1、 S2、…、Sn就按預(yù)定的定時(shí)被寫(xiě)入。通過(guò)像素電極9a寫(xiě)入作 為電光物質(zhì)一例的液晶中的預(yù)定電平的圖〗象信號(hào)S1、 S2、、 Sn,在其和 形成于對(duì)向基板的對(duì)向電極之間被保持一定期間。構(gòu)成液晶層50 (參見(jiàn)圖2)的液晶通過(guò)按照所施加的電壓電平使分子 集合的取向、秩序產(chǎn)生變化，就能夠?qū)膺M(jìn)行調(diào)制，進(jìn)行灰度等級(jí)顯示。 如果是常時(shí)亮態(tài)模式，則按照以各像素為單位所施加的電壓，減少對(duì)入射 光的透射率，如果是常時(shí)暗態(tài)模式，則按照以各像素為單位所施加的電壓，增加對(duì)入射光的透射率，并且整體上從液晶裝置出射具有與圖像信號(hào)相應(yīng) 的對(duì)比度的光。為了防止這里所保持的圖像信號(hào)出現(xiàn)泄漏，對(duì)形成于像素電極9a M 向電極21 (參見(jiàn)圖2)之間的液晶電容，以電并聯(lián)的形式附加了存儲(chǔ)電容 70。存儲(chǔ)電容70是作為保持電容發(fā)揮作用的電容元件，該保持電容換照?qǐng)D 像信號(hào)的供給暫時(shí)保持各像素電極9a的電位。存儲(chǔ)電容70的一方的電極 和像素電極9a進(jìn)行電并聯(lián)，連接于TFT30的漏，另一方的電極連接于電 位固定的電容線300，使之成為定電位。只要利用存儲(chǔ)電容70，就能夠提 高像素電極9a中的電位保持特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)比度提高、閃爍減少之類的顯示 特性的提高。還有，存儲(chǔ)電容70如下所述，還作為遮擋向TFT30入射的 光的內(nèi)置遮光膜，來(lái)發(fā)揮作用。下面，對(duì)于實(shí)現(xiàn)上述工作的像素部具體結(jié)構(gòu)，除圖1到圖3之外還參 照?qǐng)D4至圖8進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖4是像素部的俯視圖，圖5是著眼于晶 體管的結(jié)構(gòu)來(lái)表示其結(jié)構(gòu)的俯視圖。另外，圖6是圖4的A-A'線截面圖， 圖7是圖4的B-B'線截面圖。再者，圖8是圖5的C-C'截面圖。還有，在圖4到圖8中，為了將各層、各部件取為其程度可在附圖上 辨認(rèn)的大小，按該各層、各部件的每個(gè)使比例尺不同。有關(guān)這一點(diǎn)，在下 勤目關(guān)的各附圖中是相同的。在圖4到圖8中，雖然只對(duì)于參照?qǐng)Dl或圖 2所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)中的TFT陣列基仗側(cè)的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行說(shuō)明，但是為了說(shuō)明的 方便，在這些附圖中，省略了位于比像素電極9a靠上側(cè)的部分的圖示。另 外，在圖5中，著眼于晶體管，更為詳細(xì)表示其結(jié)構(gòu)，并且有關(guān)非開(kāi)口區(qū) 域的相對(duì)于晶體管的數(shù)據(jù)線、掃描線、構(gòu)成存儲(chǔ)電容的各種膜的配置關(guān)系， 也進(jìn)行了概略表示。這里，在圖6中，從TFT陣列基板10到像素電極9a的部分構(gòu)成了本 發(fā)明所涉及的"電光裝置用基板"一例。像素電極9a在TFT陣列基板10上，按矩陣狀設(shè)置多個(gè)。而且，如圖 4所示，分別沿著像素電極9a縱橫的邊界設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及掃描線lla。掃 描線lla沿著圖4中的X方向延伸，數(shù)據(jù)線6a沿著圖4中的Y方向延伸地與掃描線lla交叉。在掃描線lla及數(shù)據(jù)線6a相互交叉的部分的各自， 設(shè)置像素開(kāi)關(guān)用的TFT30。掃描線lla、數(shù)據(jù)線6a、存儲(chǔ)電容70、下側(cè)遮光膜110、中繼層93及 TFT30在TFT陣列10上俯視，配置在與像素電極9a對(duì)應(yīng)的各像素 的包圍開(kāi)口區(qū)域99a (也就是，在各像素中透射或反射實(shí)際用于顯示的光 的區(qū)域)的非開(kāi)口區(qū)域99b內(nèi)。也就是說(shuō)，這些掃描線lla、存儲(chǔ)電容70、 數(shù)據(jù)線6a、下側(cè)遮光膜110及TFT30不配置在各4象素的開(kāi)口區(qū)域99a內(nèi)， 而配置到非開(kāi)口區(qū)域99b內(nèi)，以便不妨礙顯示。非開(kāi)口區(qū)域99b例如由TFT陣列J^！ 10側(cè)的數(shù)據(jù)線6a、掃描線lla 或者構(gòu)成存儲(chǔ)電容70的導(dǎo)電膜的至少一部分具有遮光性的遮光膜，來(lái)限 定，并且作為能夠利用這種遮光膜遮擋向各像素入射的光的區(qū)域，在TFT 陣列J4！ 10側(cè)^皮限定。更為具體而言，非開(kāi)口區(qū)域99b包括沿Y方向的 第1區(qū)域99ba和沿X方向的第2區(qū)域99bb。另外，優(yōu)選的是，如同參照 圖2所說(shuō)明的那樣，還利用在對(duì)向基板20側(cè)所形成的遮光膜23，和TFT 陣列MlO側(cè)的遮光膜一起，限定非開(kāi)口區(qū)域99b。在圖4、圖5或圖6中，下側(cè)遮光膜110通過(guò)基底絕緣膜12配置于比 半導(dǎo)體層la靠下層側(cè)，例如由鵠(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)等高 熔點(diǎn)金屬材料等的遮光性導(dǎo)電材料構(gòu)成。下側(cè)遮光膜110如圖4或圖5所 示，例如沿著掃描線lla的延伸方向(也就是，X方向)來(lái)形成，也就是 說(shuō)，對(duì)應(yīng)于各掃描線11a在像素顯示區(qū)域10a形成為條帶狀。只要利用這 種下側(cè)遮光膜IIO，就可以遮擋TFT陣列J4！ 10的內(nèi)里面反射、在多片 式投影機(jī)等中從其他液晶裝置發(fā)出并穿透合成光學(xué)系統(tǒng)而來(lái)的光等的折返 光之中的向TFT30行進(jìn)的光?；捉^緣膜12例如由氧化硅膜等構(gòu)成?；捉^緣膜12因?yàn)樾纬捎赥FT 陣列M 10的整面，所以具有防止因TFT陣列基板10表面研磨時(shí)的裂紋、 清洗后殘留的污漬等而使像素開(kāi)關(guān)用的TFT30的特性變化的功能。在圖4到圖6中，TFT30的結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體層la和柵電極3a。半導(dǎo)體層la例如由多晶硅構(gòu)成，包括具有沿圖4中Y方向的溝道長(zhǎng)度的溝道區(qū)域la'、數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及〗象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc以 及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le。也就是說(shuō)，TFT30具 有LDD結(jié)構(gòu)。還有，數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb是本發(fā)明所涉及的"第1結(jié)區(qū) 域"一例，像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc是本發(fā)明所涉及的"笫2結(jié)區(qū)域"一例。在圖4或圖5中，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le以 溝道區(qū)域la'為基準(zhǔn)，沿著Y方向大致形成為鏡面對(duì)稱。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū) 域lb形成在溝道區(qū)域la'及數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域Id間。#>素電極側(cè)LDD區(qū) 域lc形成在溝道區(qū)域la，及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le間。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū) 域lb、像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域Id及像素電極側(cè)源 漏區(qū)域le是例如通過(guò)離子注入法等的雜質(zhì)摻入在半導(dǎo)體層la中摻入雜質(zhì) 后的雜質(zhì)區(qū)域。數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc分別作 為與數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域Id及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le相比雜質(zhì)少的低濃度 雜質(zhì)區(qū)域，來(lái)形成。利用這種雜質(zhì)區(qū)域，就可以在TFT30的非工作時(shí)，減 少向源區(qū)域及漏區(qū)域流通的截止電流，且抑制TFT30的工作時(shí)流通的導(dǎo)通 電流的下降。還有，TFT30雖然優(yōu)選的是具有LDD結(jié)構(gòu)，但既可以是不 對(duì)數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb、 l象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc進(jìn)行雜質(zhì)摻入的偏置 結(jié)構(gòu)，也可以是以柵電極作為掩模將雜質(zhì)摻入成高濃度來(lái)形成數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域及像素電極側(cè)源漏區(qū)域的自匹配型。在圖4到圖6中，柵電極3a具有延伸設(shè)置部32a,其通過(guò)絕緣膜202 配置于比半導(dǎo)體層la靠上層側(cè)；和主體部31a，其在絕緣膜202中俯視與 溝道區(qū)域la'重合的部分所形成的開(kāi)口部202h內(nèi)，和延伸設(shè)置部32a連續(xù) 地整體形成。這里，在圖8中有關(guān)沿圖5的C-C'線的截面部分，著眼于開(kāi)口部202h 內(nèi)，只對(duì)于其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表示。如圖8所示，主體部31a是在TFT30的工作時(shí)原本作為柵電^C揮作 用的部分，在開(kāi)口部202h內(nèi)通過(guò)柵絕緣膜2來(lái)形成為和溝道區(qū)域la'重合。在圖5或圖6中，延伸設(shè)置部32a俯視與像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc重 合地相對(duì)半導(dǎo)體層la通過(guò)絕緣膜202形成到上層側(cè)。從而，能夠利用延伸設(shè)置部32a遮擋對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc從比其靠上層側(cè)入射的光。延 伸設(shè)置部32a因?yàn)橥ㄟ^(guò)絕緣膜202配置于像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的正上 方，所以能夠進(jìn)一步可靠減少^U1伸設(shè)置部32a向下層側(cè)行進(jìn)并且通過(guò)絕 緣膜202向4象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc入射的光。在圖5中，像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc配置到在非開(kāi)口區(qū)域99b，第l 區(qū)域99ba及第2區(qū)域99bb相互交叉的交叉區(qū)域99cr內(nèi)。在交叉區(qū)域99cr， 對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc從比其靠上層側(cè)入射的光之中的沿著圖5中用 箭頭Py所示的行進(jìn)方向行進(jìn)的光，能夠利用第1區(qū)域99ba進(jìn)行遮光，沿 著圖5中用箭頭Px所示的行進(jìn)方向行進(jìn)的光，能夠利用第2區(qū)域99bb進(jìn) 行遮光。還有，在圖5中箭頭Py表示具有沿Y方向行進(jìn)的分量的光的行 進(jìn)方向一例，箭頭Px表示具有沿X方向行進(jìn)的分量的光的行進(jìn)方向一例。從而，除了延伸設(shè)置部32a之外，還可以在交叉區(qū)域99cr，由第1區(qū) 域99ba及第2區(qū)域99bb遮擋對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc行進(jìn)的光。因而， 能夠減少向〗象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc入射的光。這里，雖然有關(guān)其詳細(xì)狀況將在下面進(jìn)行說(shuō)明，但是特別在向像素電 極側(cè)LDD區(qū)域lc照射光時(shí)，本申請(qǐng)發(fā)明人推測(cè)出，其和向數(shù)據(jù)線側(cè)LDD 區(qū)域lb照射光的情形進(jìn)行比較，易于產(chǎn)生TFT30中的光泄漏電流。在本 實(shí)施方式中，就對(duì)形成于半導(dǎo)體層la的各種區(qū)域之中的像素電極側(cè)LDD 區(qū)域lc的遮光性而言，可以精確提高。從而，可以有效減少各像素的TFT30 的光，泄漏電流。另外，在本實(shí)施方式中，即便沒(méi)有對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc、不同 于交叉區(qū)域99cr地設(shè)置遮光區(qū)域，也可以精確提高對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū) 域lc的遮光性。因而，通過(guò)設(shè)置這種用來(lái)精確提高遮光性的區(qū)域，就能夠 防止使各像素的非開(kāi)口區(qū)域99b的配置面積變寬、使開(kāi)口區(qū)域99a進(jìn)一步 減小。其結(jié)果為，即便使各像素微小化，也可以精確地使遮光性得到提高， 且使開(kāi)口率也得到進(jìn)一步提高。另夕卜，延伸設(shè)置部32a通過(guò)絕緣膜202形成于比像素電極側(cè)LDD區(qū)域 lc靠上層側(cè)，和4象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc進(jìn)行電絕緣。因而，在TFT30的工作時(shí)，能夠防止在和原本作為柵電板發(fā)揮作用的主體部31a整體形成 的延伸設(shè)置部32a中產(chǎn)生的電場(chǎng)結(jié)"像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc帶來(lái)電的影響， 在TFT30中發(fā)生工作不佳。再者，延伸設(shè)置部32a和主體部31a在相對(duì)TFT陣列M 10的^1 面呈垂直的上下方向配置于相互不同的位置，并且相互整體形成。從而， 因?yàn)檫@些延伸i殳置部32a和主體部31a按相互不同的高度來(lái)配置，所以和 按圖形上分離的形狀分別形成的情形進(jìn)行比較，即便使各像素精細(xì)化，也 可以防止延伸設(shè)置部32a和主體部31a的電連接被切斷，或者延伸設(shè)置部 32a相對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc產(chǎn)生短路的不佳狀況。從而，可以防止 因這種電連接的不佳而在TFT30中發(fā)生工作不佳。這里，在本實(shí)施方式中，例如在半導(dǎo)體層la，溝道區(qū)域la'在第1區(qū) 域99ba中部分配置于交叉區(qū)域99cr內(nèi)，并且還配置于交叉區(qū)域99cr之外 的區(qū)域內(nèi)。因而，主體部31a在交叉區(qū)域99er外，與溝道區(qū)域la'在開(kāi)口 部202h內(nèi)重合進(jìn)行配置。從而，通過(guò)整體形成在交叉區(qū)域99cr相對(duì)像 素電極側(cè)LDD區(qū)域lc重合來(lái)配置的延伸設(shè)置部32a以及配置于和延伸設(shè) 置部32a不同的區(qū)域的主體部31a,就可以容易形成柵電極3a。其結(jié)果為， 因?yàn)榭梢园磁渲?象素電極側(cè)LDD區(qū)域lc所需要的必要最小限度的配置面 積形成交叉區(qū)域99cr，所以能夠容易使各像素進(jìn)一步微小化，且使開(kāi)口率 得到提高。絕緣膜202例如由氧化硅膜等構(gòu)成。本實(shí)施方式的液晶裝置因?yàn)橥ㄟ^(guò) 下述的那種制造過(guò)程進(jìn)行制造，所以在絕緣膜202的開(kāi)口部202h周圍如圖 5或圖6所示，形成例如由氮化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜205。在圖4或圖6中，掃描線lla在通過(guò)絕緣膜202比半導(dǎo)體層la靠上層 側(cè)，按X方向延伸，例如由導(dǎo)電性多晶珪形成。優(yōu)選的是，柵電極3a的 延伸設(shè)置部32a沿X方向延伸，并且和掃描線lla整體形成。在圖6中，在通過(guò)層間絕緣膜41比TFT陣列10上的TFT30靠 上層側(cè)，設(shè)置存儲(chǔ)電容70。存儲(chǔ)電容70通過(guò)下部電容電極71和上部電容電極300通過(guò)電介質(zhì)膜75進(jìn)行對(duì)向配置，來(lái)形成。上部電容電極作為電容線300的一部分來(lái)形成。雖然有關(guān)其結(jié)構(gòu)省略 了圖示，但是電容線300從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域10a延伸設(shè) 置于其周圍，和定電位源進(jìn)行電連接。因此，上部電容電極300被維持成 固定電位，能夠作為固定電位側(cè)電容電極來(lái)發(fā)揮作用。上部電容電極300 例如由包括A1 (鋁)、Ag (銀)等金屬或合金的非透明金屬膜形成，還作 為對(duì)TFT30進(jìn)行遮光的上側(cè)遮光膜(內(nèi)置遮光膜)來(lái)發(fā)揮作用。還有，上 部電容電極300例如也可以由包括Ti (鈦)、Cr (鉻)、W (鵠)、Ta (鉭)、Mo (鉬)、Pd (鈀)等高熔點(diǎn)金屬之中的至少一種的金屬單質(zhì)、 合金、金屬硅化物、多晶硅化物以及將它們疊層后的物質(zhì)等，來(lái)構(gòu)成。在圖4或圖6中，下部電容電極71是與TFT30的^f象素電極側(cè)源漏區(qū) 域le及像素電極9a電連接的像素電位側(cè)電容電極。更為具體而言，下部 電容電極71通過(guò)接觸孔83 (參見(jiàn)圖4及圖6)，與像素電極側(cè)源漏區(qū)域 le進(jìn)行電連接，并且通過(guò)接觸孔84(參見(jiàn)圖4及圖7)電連接到中繼層93。 再者，中繼層93通過(guò)接觸孔85 (參見(jiàn)圖4及圖7)電連接到像素電極9a。 也就是說(shuō)，下部電容電極71和中繼層93—起，對(duì)像素電極側(cè)源漏區(qū)域le 及像素電極9a間的電連接進(jìn)行中繼。下部電容電極71例如由導(dǎo)電性的多 晶硅或者例如包括A1 (鋁)等金屬或合金的非透明金屬膜，來(lái)形成。這里，下部電容電極71優(yōu)選的是，除了作為像素電位側(cè)電容電極的功 能之外，還具有作為下述光吸收層或遮光膜的功能，該光吸收層或遮光膜 配置于作為上側(cè)遮光膜的上部電容電極300和TFT30之間。從而，在交叉 區(qū)域99cr,對(duì)于對(duì)像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc從比其靠上層側(cè)入射的光，也 能夠利用上部電容電極300及下部電容電極71的各自進(jìn)行遮光。電介質(zhì)膜75具有例如由HTO (High Temperature Oxide,高溫氧化 物)膜、LTO (Low Temperature Oxide,低溫氧化物)膜等氧化珪膜或 者氮化硅膜等所構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在圖6及圖7中，在通過(guò)層間絕緣膜42比TFT陣列14110上的存儲(chǔ) 電容70靠上層側(cè)，設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及中繼層93。數(shù)據(jù)線6a通過(guò)貫穿絕緣膜202、層間絕緣膜41、電介質(zhì)膜75及層間 絕緣膜42的接觸孔81，電連接到半導(dǎo)體層la的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld。數(shù) 據(jù)線6a及接觸孔81內(nèi)部例如由Al-Si-Cu、 Al-Cu等的Al (鋁)含有材料 或Al單質(zhì)或者Al層和TiN層等的多層膜構(gòu)成。數(shù)據(jù)線6a還具有對(duì)TFT30 進(jìn)行遮光的功能。如圖4或圖5所示，數(shù)據(jù)線6a形成為，在交叉區(qū)域99cr，和柵電極 3a的延伸設(shè)置部32a重合。因而，在交叉區(qū)域99cr，對(duì)于對(duì)像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc從比其靠上層側(cè)入射的光，也能夠利用數(shù)據(jù)線6a進(jìn)行遮光。在圖4及圖7中，中繼層93在層間絕緣膜42上，形成到和數(shù)據(jù)線6a (參見(jiàn)圖6)同一層。數(shù)據(jù)線6a及中繼層93,使用薄膜形成法，事先將例 如由金屬膜等的導(dǎo)電材料構(gòu)成的薄膜形成于層間絕緣膜42上，并通過(guò)將該 薄膜部分去除，也就是進(jìn)行圖形形成，在相互分開(kāi)的狀態(tài)下形成。從而， 因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)同一工序來(lái)形成數(shù)據(jù)線6a及中繼層93，所以能夠簡(jiǎn)化裝置 的制造過(guò)程。在圖6及圖7中，像素電極9a通過(guò)層間絕緣膜43形成到比數(shù)據(jù)線6a 靠上層側(cè)。像素電極9a通過(guò)下部電容電極71、接觸孔83、 84、 85以及中 繼層93，電連接到半導(dǎo)體層la的像素電極側(cè)源漏區(qū)域le。接觸孔85通過(guò) 在形成為貫穿層間絕緣膜43的孔部?jī)?nèi)壁使ITO等構(gòu)成像素電極9a的導(dǎo)電 材料成膜，來(lái)形成。在像素電極9a的上側(cè)表面，設(shè)置實(shí)施過(guò)研磨處理等預(yù) 定取向處理的取向膜16。上面所說(shuō)明的像素部結(jié)構(gòu)在各像素部中是相同的。在圖像顯示區(qū)域10a (參見(jiàn)圖1)，該像素部周期性形成。因而，在上面所說(shuō)明的那種本實(shí)施方式的液晶裝置中，在其工作時(shí)， 能夠防止因?yàn)榘l(fā)生TFT30的光泄漏電流而產(chǎn)生顯示不佳，或者即佳發(fā)生也 在顯示上降低到視覺(jué)辨認(rèn)不出顯示不佳的程度。另外，還可以防止TFT30 的工作不佳、開(kāi)口率下降，并且易于使各像素微小化。其結(jié)果為，在本實(shí) 施方式中，可以在液晶裝置中顯示高質(zhì)量的圖像。這里，對(duì)于在上述TFT30的工作時(shí)，在像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc與數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb相比，相對(duì)易于發(fā)生光泄漏電流的原因，參照?qǐng)D9到 圖14進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先，對(duì)于向測(cè)試用TFT照射光時(shí)測(cè)定漏電流大小的測(cè)定結(jié)果，參照 圖9進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖9是表示測(cè)試用TFT中的光照射位置和漏電流之 間關(guān)系的曲線圖。在圖9中，數(shù)據(jù)El表示出，對(duì)測(cè)試用的單個(gè)TFT，也就是TEG ( Test Element Group,測(cè)試元件組)從漏區(qū)域一側(cè)向源區(qū)域一側(cè)按順序掃描光 點(diǎn)(約2.4um的可見(jiàn)光激光)同時(shí)進(jìn)行照射時(shí)測(cè)定漏電流大小的結(jié)果。TEG 除了溝道區(qū)域、源區(qū)域及漏區(qū)域之外，還具有源側(cè)結(jié)區(qū)域，形成于溝道 區(qū)域和源區(qū)域的接合部；和漏側(cè)結(jié)區(qū)域，形成于溝道區(qū)域和漏區(qū)域的*部。還有，圖9的橫軸表示出照射光點(diǎn)的光照射位置，并且將溝道區(qū)域和圖9的縱軸表示出漏電流的大小(但是，是用預(yù)定的值歸一化后的相對(duì)值)， 在漏電流從漏區(qū)域朝向源區(qū)域流通時(shí)，表示正的值(也就是，正數(shù)的值)， 在漏電流從源區(qū)域朝向漏區(qū)域流通時(shí)，表示負(fù)的值(也就是，負(fù)數(shù)的值)。 在圖9中，數(shù)據(jù)E1在任一個(gè)光照射位置都表示出正數(shù)的值。也就是說(shuō)， 表示出漏電流正從漏區(qū)域朝向源區(qū)域流通。另外，數(shù)據(jù)El在漏側(cè)結(jié)區(qū)域 內(nèi)，表示出比在源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)大的值。也就是說(shuō)，在向漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射 光點(diǎn)時(shí)，表示出與向源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光點(diǎn)的情形相比、漏電流增大這一 情況。也就是說(shuō)，在向漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光點(diǎn)時(shí)，表示出與向源側(cè)結(jié)區(qū)域 內(nèi)照射光點(diǎn)的情形相比、光泄漏電流增大這一情況。還有，漏電流由暗電 流(或者亞閾值泄漏電流(subthreshold leak),也就是在不照射光的狀態(tài) 下仍在TEG的截止?fàn)顟B(tài)下在源區(qū)域及漏區(qū)域間流通的泄漏電流)和光泄 漏電流(或者光'M電流，也就是因?yàn)橥ㄟ^(guò)照射光引起的電子^H而產(chǎn)生 的電5充)構(gòu)成。下面，對(duì)于向漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光點(diǎn)的情形與向源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光 點(diǎn)的情形相比、光泄漏電流增大的機(jī)理，參照?qǐng)DIO及圖11進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖10是表示在漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的載流子活動(dòng)的概念圖。圖ll是表示在源側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的載流子活動(dòng)的概念圖。還有，在圖10及圖11中，已經(jīng)假定電連接上述TFT30后的像素電極9a中的中間灰 度等級(jí)的顯示，將源電位(也就是，源區(qū)域的電位)取為4.5V,將柵電位 (也就是，溝道區(qū)域的電位)取為0V，將漏電位(也就是，漏區(qū)域的電位) 取為9.5V。圖10及圖11的橫軸表示出構(gòu)成TEG的半導(dǎo)體層的各區(qū)域。 圖10及圖11的縱軸表示出電子的電勢(shì)(費(fèi)米能級(jí))。因?yàn)殡娮泳哂胸?fù)的 電荷，所以各區(qū)域的電位越高，電子的電勢(shì)變得越低，各區(qū)域的電位越低， 電子的電勢(shì)變得越高。圖IO表示出，向形成于溝道區(qū)域及漏區(qū)域間的漏側(cè)結(jié)區(qū)域照射光點(diǎn)并 且在漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)載流子的活動(dòng)。在圖10中，光泄漏電流可以推測(cè)為包括2個(gè)電流分量。也就是說(shuō)，作為第1電流分量，有因電子移動(dòng)而產(chǎn)生的電流分量，該 電子移動(dòng)是因光激發(fā)而產(chǎn)生的。更為具體而言，該電流分量是由于因漏 側(cè)結(jié)區(qū)域的光激發(fā)所產(chǎn)生的電子(參見(jiàn)附圖中的"e")從漏側(cè)結(jié)區(qū)域向電勢(shì) 較低的漏區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)，而產(chǎn)生的(該電流分量從漏區(qū)域向源區(qū)域流通)。作為第2電流分量，有因空穴(也就是hole,參見(jiàn)附圖中的"h，，)移動(dòng) 而產(chǎn)生的電流分量，該空穴移動(dòng)是因光激發(fā)而產(chǎn)生的。更為具體而言，該 電流分量是由于因漏側(cè)結(jié)區(qū)域的光激發(fā)所產(chǎn)生的空穴從漏側(cè)結(jié)區(qū)域向電 勢(shì)較低(也就是說(shuō)，作為電子的電勢(shì)較高)的溝道區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)而發(fā)生的 雙極(bipolar)效應(yīng)引起的。也就是說(shuō)，該電光成分是因下述效應(yīng)而產(chǎn)生 的(該電流分量從漏區(qū)域向源區(qū)域流通)，該效應(yīng)為，因?yàn)橄驕系绤^(qū)域所 移動(dòng)的空穴的正電荷，溝道區(qū)域的電勢(shì)(也就是，所謂的基極電勢(shì))從電 勢(shì)Lcl下降到電勢(shì)Lc2，所以從源區(qū)域朝向漏區(qū)域的電子增大。因而，在 漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)，第1及第2電流分量全都發(fā)生于使漏電流(換 言之，是集電極電流)增大的方向(也就是，從漏區(qū)域向源區(qū)域流通的方 向)。圖ll表示出，向形成于溝道區(qū)域及源區(qū)域間的源側(cè)結(jié)區(qū)域照射光點(diǎn)并且在源側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)載流子的活動(dòng)。在圖11中，光泄漏電流和參照?qǐng)DIO在上述漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)的情形不同，可以推測(cè)出，主要的是空穴從源側(cè)結(jié)區(qū)域向電勢(shì)較低(也就是說(shuō)，作為電子的電勢(shì)較高)的溝道區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)的雙極效應(yīng)引起的笫2電 流分量。也就是說(shuō)，可以推測(cè)出，由于因源側(cè)結(jié)區(qū)域的光激發(fā)所產(chǎn)生的電 子(參見(jiàn)附圖中的"e")從源側(cè)結(jié)區(qū)域向電勢(shì)較低的源區(qū)域進(jìn)行移動(dòng)而產(chǎn) 生的第1電流分量(該電流分量從源區(qū)域向漏區(qū)域流通)，比因雙極效應(yīng) 引起的第2電流分量(該電流分量從漏區(qū)域向源區(qū)域流通)少。在圖11中，因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量(也就是，因下述效應(yīng)而 產(chǎn)生的電流分量，該效應(yīng)為，因?yàn)橄驕系绤^(qū)域所移動(dòng)的空穴的正電荷，基 極電勢(shì)從電勢(shì)Lcl下降到電勢(shì)Lc3，所以從源區(qū)域朝向漏區(qū)域的電子增大) 從源區(qū)域向漏區(qū)域進(jìn)行流通。另一方面，上述的第1電流分量從源區(qū)域向 漏區(qū)域進(jìn)行流通。也就是說(shuō)，第1電流分量和第2電流分量相互按相反方 向流通。這里，再次在圖9中，在向源側(cè)結(jié)區(qū)域照射光點(diǎn)時(shí)，漏電流(參 見(jiàn)數(shù)據(jù)E1)表示出正的值。也就是說(shuō)，這種情況下，漏電流正從漏區(qū)域朝 向源區(qū)域進(jìn)行流通。因而，可以認(rèn)為，第1電流分量大不到僅僅通過(guò)抑 制暗電流、作為第2電流分量的因雙極效應(yīng)而產(chǎn)生的電流分量，就使漏電 流的流通從源區(qū)域前往漏區(qū)域的程度。再者，因?yàn)闇系绤^(qū)域及源區(qū)域間的電位差比溝道區(qū)域及漏區(qū)域間的電 位差小，所以源區(qū)域側(cè)的耗盡區(qū)域(也就是，源側(cè)結(jié)區(qū)域)比漏區(qū)域側(cè)的 耗盡區(qū)域(也就是，漏側(cè)結(jié)區(qū)域)窄。因此，在向源側(cè)結(jié)區(qū)域照射光點(diǎn)時(shí)， 和向漏側(cè)結(jié)區(qū)域照射光點(diǎn)的情形進(jìn)行比較，光激發(fā)的絕對(duì)量較少。上面，如同參照?qǐng)D10及圖ll所說(shuō)明的那樣，在漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激 發(fā)時(shí)，第l及第2電流分量全都發(fā)生于使漏電流增大的方向。另一方面， 在源側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)，第1電流分量抑制第2電流分量。因而，向 漏側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光點(diǎn)的情形與向源側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)照射光點(diǎn)的情形相比，漏 電流增大(也就是說(shuō)，光泄漏電流增大)。下面，對(duì)于像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢徊⑶蚁蛳袼仉姌O側(cè)結(jié)區(qū)域內(nèi)射光點(diǎn)的情形相比、光泄漏電流增大的機(jī)理，參照?qǐng)D12及圖13進(jìn)行說(shuō)明。 這里，圖12是表示在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢粫r(shí)在數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域(換 言之，是漏側(cè)結(jié)區(qū)域)產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的栽流子活動(dòng)的概念圖。圖13是表示 在像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁╇娢粫r(shí)在像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域(換言之，是漏側(cè) 結(jié)區(qū)域)產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)的載流子活動(dòng)的概念圖。在下面，要考慮在包括像素開(kāi)關(guān)用的TFT的像素部中保持電荷并且產(chǎn) 生光激發(fā)的情形。和上述那種假定TEG的情形不同之處為，像素開(kāi)關(guān)用 TFT的像素電極側(cè)能夠成為浮置(floating)狀態(tài)。在像素開(kāi)關(guān)用TFT的 像素電極側(cè)，還有時(shí)連接存儲(chǔ)電容70這樣的保持電容，并且如果電容值足 夠大，則和上述使用TEG的情形相同，成為近似固定電極的狀態(tài)，如果 電容不足夠大，則成為浮置狀態(tài)或與之近似的狀態(tài)。還有，這里，假設(shè)電 容值不足夠大。在圖12及圖13中，液晶裝置為了防止所謂的圖像殘留要采用交流驅(qū) 動(dòng)。這里，假定中間灰度等級(jí)的顯示，并且假定在像素電極中以7V為基 準(zhǔn)電位，交^f呆持4.5V的負(fù)場(chǎng)電荷和9.5V的正場(chǎng)電荷的情形。因此，像 素開(kāi)關(guān)用TFT的源及漏在像素電極側(cè)源漏區(qū)域和數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域之間， 不固定地產(chǎn)生變化。也就是說(shuō)，如圖12所示，在像素電極中保持負(fù)場(chǎng)的電 荷時(shí)(也就是，像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電位比數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域的電位低 時(shí))，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為源，與此相對(duì)如圖13所示，在像素電極中 保持正場(chǎng)的電荷時(shí)(也就是，像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電位比數(shù)據(jù)線側(cè)源漏 區(qū)域的電位高時(shí))，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為漏。在圖12中，在像素電極中保持負(fù)場(chǎng)的電荷時(shí)，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成 為源(或者發(fā)射極)，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域成為漏(或者集電極)。在作為 漏側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)如上所述，產(chǎn)生因電子移動(dòng)而 產(chǎn)生的第1電流分量和因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量，該電子移動(dòng)是因 光激發(fā)而產(chǎn)生的。這里，若產(chǎn)生了因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量(也就 是說(shuō)，若基極電勢(shì)從電勢(shì)Lcl下降到電勢(shì)Lc2，電子從作為源的像素電極側(cè)源漏區(qū)域向作為漏的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域進(jìn)行了移動(dòng))，則致l吏從為浮置 狀態(tài)的像素電極側(cè)源漏區(qū)域抽出電子，作為發(fā)射極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電勢(shì)從電勢(shì)Lsl下降到電勢(shì)Ls2 (電位上升)。也就^Li兌，在作為漏側(cè) 結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)，基極電勢(shì)下降，并且作為發(fā)射極 的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電勢(shì)也下降。換言之，在作為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù) 線側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)，伴隨基極電位的上升，發(fā)射極電位也上升。因 此，漏電流(也就是，集電極電流)得到抑制。另一方面，在圖13中，在像素電極中保持正場(chǎng)的電荷時(shí)，數(shù)據(jù)線側(cè)源 漏區(qū)域成為源(或者發(fā)射極)，像素電極側(cè)源漏區(qū)域成為漏(或者集電極)。 在作為漏側(cè)結(jié)區(qū)域的像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)如上所述，產(chǎn)生因電 子移動(dòng)而產(chǎn)生的第1電流分量和因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量，該電子 移動(dòng)是因光激發(fā)而產(chǎn)生的。這里，作為源的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域因?yàn)楹蛿?shù)據(jù) 線進(jìn)行連接，所以和像素電極不同，不是浮置狀態(tài)，并且在電位上不產(chǎn)生 變化。若產(chǎn)生了因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量(也就是說(shuō)，若基極電勢(shì) 從電勢(shì)Lcl下降到電勢(shì)Lc2，電子從作為源的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域向作為漏 的像素電極側(cè)源漏區(qū)域進(jìn)行了移動(dòng))，則致使電子向?yàn)楦≈脿顟B(tài)的像素電 極側(cè)源漏區(qū)域流入，作為集電極的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電勢(shì)從電勢(shì)Ldl 上升到電勢(shì)Ld2 (電位下降)。但是，作為集電極的4象素電極側(cè)源漏區(qū)域 的電勢(shì)上升和上述作為源的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電勢(shì)下降不同，幾乎沒(méi) 有抑制漏電流的作用。漏電流(也就是，集電極電流)因?yàn)榛旧细鶕?jù)基 極電位相對(duì)發(fā)射極電位的大小來(lái)確定，所以即使集電極電位下降，也幾乎 不產(chǎn)生抑制漏電流的作用，換言之，是進(jìn)入到雙極晶體管飽和區(qū)域中的狀 態(tài)。上面，如同參照?qǐng)D12及圖13所說(shuō)明的那樣，在像素電極中保持正場(chǎng) 的電荷時(shí)(也就是，像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁r(shí))，因雙極效應(yīng)引起的第 2電流分量幾乎不被抑制，與此相對(duì)在像素電極中保持負(fù)場(chǎng)的電荷時(shí)(也 就是，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁r(shí))，因雙極效應(yīng)引起的第2電流分量因?yàn)?成為浮置狀態(tài)的像素電極側(cè)源漏區(qū)域的電位上升，而被抑制。也就是說(shuō)，因?yàn)楣庑孤╇?流而4吏漏電;充增加。這里，圖14表示出，向像素開(kāi)關(guān)用的TFT整體照射比較強(qiáng)的光時(shí)像 素電極電位的波形。在圖14中，數(shù)據(jù)E2表示出，在像素電極中保持正場(chǎng)的電荷時(shí)(像素 電極電位為電位V1時(shí))的像素電極電位的變動(dòng)Al比在像素電極中保持負(fù) 場(chǎng)的電荷時(shí)(像素電極電位為電位V2時(shí))的像素電極電位的變動(dòng)A2大。 也就是說(shuō)，表示出在像素電極中正場(chǎng)的電荷與負(fù)場(chǎng)的電荷相比不易保持(也 就是說(shuō)，易于發(fā)生光泄漏電流)。這和上述的機(jī)理一致，該機(jī)理為，在像 素電極中保持正場(chǎng)的電荷時(shí)(也就是，像素電極側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁r(shí))與在 像素電極中保持負(fù)場(chǎng)的電荷時(shí)(也就是，數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁r(shí))相比 易產(chǎn)生光泄漏電流。上面，如同參照?qǐng)D9到圖14所詳細(xì)說(shuō)明的那樣，在像素開(kāi)關(guān)用的TFT 的漏側(cè)結(jié)區(qū)域產(chǎn)生光激發(fā)時(shí)，漏電流易于增加。再者，在像素電極側(cè)源漏 區(qū)域?yàn)槁r(shí)，漏電流易于增加(反過(guò)來(lái)說(shuō)，在數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域?yàn)槁r(shí)， 因雙極效應(yīng)引起的電流分量得到抑制)。因而，如同本實(shí)施方式所涉及的 液晶裝置那樣，通過(guò)與對(duì)作為數(shù)據(jù)線側(cè)結(jié)區(qū)域的數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb的 遮光性相比，提高對(duì)作為像素電極側(cè)結(jié)區(qū)域的像素電極側(cè)LDD區(qū)域lc的 遮光性，就可以維持較高的開(kāi)口率，并且非常有效地減少TFT30中的光泄 漏電流。<電光裝置的制造方法>在下面，將對(duì)于上述本實(shí)施方式所涉及的液晶裝置的制造過(guò)程，參照 圖15到圖19進(jìn)行說(shuō)明。圖15及圖16、圖18及圖19是按照順序表示制 造過(guò)程各工序中的圖6所示的截面部分的結(jié)構(gòu)的工序圖。另夕卜，圖17是表 示形成開(kāi)口部的工序中的圖8所示截面部分的結(jié)構(gòu)的截面圖。還有，在下面將對(duì)于在像素部中形成于TFT陣列基板10上的數(shù)據(jù)線 6a、掃描線lla、 TFT30、存儲(chǔ)電容70等的制造工序，進(jìn)行特別詳細(xì)的說(shuō) 明，有關(guān)形成于對(duì)向M20上的取向膜22、對(duì)向電極21等的制造工序，則予以省略。首先，在圖15(a)的工序中，在TFT陣列^i4ll0的整面形成下側(cè)遮 光膜110之后，在圖15 (b)的工序中，在下側(cè)遮光膜110之上形成基底 絕緣膜12。隨后，通過(guò)在基底絕緣膜12之上，利用減壓CVD等形成非晶硅膜并 實(shí)施熱處理，使多晶硅膜進(jìn)行固相生長(zhǎng)?；蛘?，不經(jīng)過(guò)非晶硅膜，而利用 減壓CVD法等直接形成多晶珪膜。接著，通過(guò)對(duì)該多晶硅膜，例如實(shí)施 光刻法及腐蝕處理，來(lái)形成半導(dǎo)體層la。接著，通過(guò)以低濃度及高濃度的 2個(gè)等級(jí)摻入雜質(zhì)離子，來(lái)形成包括數(shù)據(jù)線側(cè)LDD區(qū)域lb及像素電極側(cè) LDD區(qū)域lc、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld及像素電極側(cè)源漏區(qū)域le的LDD結(jié) 構(gòu)的像素開(kāi)關(guān)用TFT30的半導(dǎo)體層la。此后，在圖15 (c)的工序中，覆蓋半導(dǎo)體層la的至少溝道區(qū)域la， 地將保護(hù)膜205形成于半導(dǎo)體層la上。保護(hù)膜205如下所述，其一部分,皮 從半導(dǎo)體層la上去除，并且采用下述那種材料例如氮化硅(SiN )來(lái)形成， 該材料在此時(shí)的腐蝕處理中使用第2腐蝕劑的腐蝕速率比半導(dǎo)體層la大。接著，在圖16 (a)的工序中，在比保護(hù)膜205靠上層側(cè)形成絕緣膜 202。絕緣膜202采用下述那種材料例如氧化硅(SiO2)來(lái)形成，該材料在 形成開(kāi)口部202h的工序中的腐蝕處理的使用第1腐蝕劑的腐蝕速率比保護(hù) 膜205大。接著，在圖16 (b)的工序中，通過(guò)例如和光刻法一并，對(duì)絕緣膜202 實(shí)施作為第1腐蝕劑例如4吏用氟類腐蝕氣體的干腐蝕法、或作為第1腐蝕 劑使用氫氟酸類藥液的濕腐蝕法，或者干腐蝕法及濕腐蝕法的雙方，來(lái)形 成開(kāi)口部202h。這里，半導(dǎo)體層la采用下述那種材料來(lái)形成，該材料使用第l腐蝕劑 的腐蝕速率比使用第2腐蝕劑的腐蝕速率大。從而，當(dāng)形成開(kāi)口部202h時(shí)，假設(shè)不將保護(hù)膜205形成于溝道區(qū)域 la'上時(shí)，在使用笫1腐蝕劑的腐蝕處理中，絕緣膜202及半導(dǎo)體層la的 選擇比減小，在形成開(kāi)口部202h之后，開(kāi)口部202h內(nèi)所露出的半導(dǎo)體層la的表面被露出于第l腐蝕劑中，可能發(fā)生連半導(dǎo)體層la的溝道區(qū)域la' 都凈皮腐蝕的情況?；蛘?，在形成開(kāi)口部202h之后，半導(dǎo)體層la因第2腐 蝕劑而受到損傷，可能發(fā)生其膜質(zhì)劣化的情況。然而，在本實(shí)施方式中，特別是在由保護(hù)膜205覆蓋半導(dǎo)體層la的至 少溝道區(qū)域la'的狀態(tài)下，4吏用第1腐蝕劑來(lái)形成開(kāi)口部202h。這里，絕 緣膜202、保護(hù)膜205及半導(dǎo)體層la分別采用下述那種材料來(lái)形成，該材 料d吏用第2腐蝕劑的保護(hù)膜205的腐蝕處理中的半導(dǎo)體層la的過(guò)腐蝕量， 比使用第1腐蝕劑的絕緣膜202的腐蝕處理中的半導(dǎo)體層la的過(guò)腐蝕量 小。另外，保護(hù)膜205及絕緣膜202分別采用下述那種材料來(lái)形成，該材 料，使用第1腐蝕劑的對(duì)絕緣膜202的腐蝕速率比使用第1腐蝕劑的對(duì)保 護(hù)膜205的腐蝕速率大。因而，在使用第l腐蝕劑的腐蝕處理中，能夠提高保護(hù)膜205和絕緣 膜202的選擇比。另外，除了采用上述那種材料來(lái)形成保護(hù)膜205之外， 還可以通過(guò)調(diào)整其膜厚，進(jìn)一步有效提高選擇比。從而，在開(kāi)口部202h 形成后，即使在第l腐蝕劑中其表面被露出于開(kāi)口部202h內(nèi)，也可以防止 腐蝕保護(hù)膜205而將其從開(kāi)口部202h內(nèi)去除、使半導(dǎo)體層la的溝道區(qū)域 la'受到損傷的情況。這里，如圖17所示，在使用濕腐蝕法時(shí)，也有時(shí)因?yàn)檫^(guò)腐蝕，使開(kāi)口 部202h的開(kāi)口直徑比原來(lái)的直徑，也就是開(kāi)口部202h不到達(dá)溝道區(qū)域la' 以外的區(qū)域的那種設(shè)計(jì)上的值大。這樣，即便開(kāi)口部202h的開(kāi)口直徑擴(kuò)大， 也可以控制腐蝕處理的各條件，以便在圖4或圖5所示的Y方向上開(kāi)口部 202h不擴(kuò)大并重合到溝道區(qū)域la'以外的區(qū)域。此后，在圖16(c)的工序中，通過(guò)例如和光刻法一并，實(shí)施作為第2 腐蝕劑例如使用熱磷酸的濕腐蝕法，將保護(hù)膜205從開(kāi)口部202h內(nèi)去除。 還有，作為腐蝕處理，除濕腐蝕法之外，既可以一并實(shí)施或者也可以取而 代之地實(shí)施干腐蝕法。此時(shí)，因?yàn)槭?可以提高半導(dǎo)體層la和保護(hù)膜205的選擇比。因而，在開(kāi)口部202h內(nèi)， 能夠防止半導(dǎo)體層la的溝道區(qū)域la'被露出于第2腐蝕劑中而受到損傷， 能容易或可靠地去除保護(hù)膜205。隨后，在圖18 (a)的工序中，在開(kāi)口部202h內(nèi)露出的半導(dǎo)體層la 的溝道區(qū)域la'上形成柵絕緣膜2之后，在圖18(b)的工序中，將柵電極 3a從開(kāi)口部202h內(nèi)連續(xù)形成于絕緣膜202上。因此，主體部31a形成于 開(kāi)口部202h內(nèi)，延伸設(shè)置部32a從主體部31a連續(xù)地延伸設(shè)置于絕緣膜 202上。借此，形成TFT30，并且掃描線lla也和延伸設(shè)置部32a整體形 成。因而，能夠在同一工序中采用同一膜按同一時(shí)機(jī)形成延伸設(shè)置部32a 和掃描線lla，因此可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化液晶裝置的制造過(guò)程。此后，在圖19 (a)的工序中，形成層間絕緣膜41之后，形成存儲(chǔ)電 容70。接著，在圖19 (b)的工序中，形成層間絕緣膜42之后，形成數(shù)據(jù) 線6a及中繼層93。在圖19 (a)的工序及圖19 (b)的工序中，分別形成接觸孔83、 81 及84。特別是，用來(lái)電連接數(shù)據(jù)線6a和數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域ld的接觸孔81 以及用來(lái)將下述下部電容電極71電連接于像素電極側(cè)源漏區(qū)域le的接觸 孔83分別形成為，貫穿絕緣膜202,到達(dá)半導(dǎo)體層la的表面，上述下部 電容電極71對(duì)像素電極9a和像素電極側(cè)源漏區(qū)域le的電連接進(jìn)行中繼。這里，在形成保護(hù)膜205使之還覆蓋溝道區(qū)域la，外的數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū) 域ld及《象素電極側(cè)源漏區(qū)域le的至少一方時(shí)，可以通過(guò)和開(kāi)口部202h 的形成及從開(kāi)口部202h內(nèi)去除保護(hù)膜205的各自相同的制造過(guò)程，來(lái)形成 接觸孔81或83。因而，當(dāng)除開(kāi)口部202h之外還將接觸孔81或83形成于絕緣膜202中 時(shí)，和形成開(kāi)口部202h的情形相同，可以提高對(duì)絕緣膜202的腐蝕處理的 選擇比。另外，此后當(dāng)從接觸孔81或83內(nèi)去除保護(hù)膜205時(shí)，也和從開(kāi) 口部202h去除保護(hù)膜205的情形相同，能夠提高腐蝕處理的選擇比。另外，可以采用和形成開(kāi)口部202h時(shí)相同的制造裝置來(lái)形成接觸孔 81或83，能夠得到簡(jiǎn)化制造過(guò)程并且削減制造成本等的益處。在圖19 (b)的工序后，形成層間絕緣膜43，并且在形成接觸孔85之 后，形成像素電極9a。從而，根據(jù)上面所說(shuō)明的那種液晶裝置的制造過(guò)程，在TFT30的形成 中，可以防止因?yàn)榘雽?dǎo)體層la的損傷而^f吏成品率下降，或者因?yàn)門(mén)FT30 的工作不佳而使顯示質(zhì)量劣化、使可靠性下降的不佳狀況。另外，因?yàn)榭?以容易去除保護(hù)膜205，所以還能夠防止制造過(guò)程復(fù)雜化的情況。<電子i殳備〉下面，對(duì)于將作為上述電光裝置的液晶裝置使用于各種電子設(shè)備中的 情形，進(jìn)行說(shuō)明。這里，圖20是表示投影機(jī)結(jié)構(gòu)例的俯視圖。在下面，將 有關(guān)使用該液晶裝置來(lái)作為光閥的投影機(jī)，進(jìn)行說(shuō)明。如圖20所示，在投影機(jī)1100內(nèi)部，設(shè)置由面素?zé)舻劝咨庠礃?gòu)成的 燈組件1102。從該燈組件1102所射出的投影光通過(guò)配置于光導(dǎo)向組件1104 內(nèi)的4片反射鏡1106及2片分色鏡1108被分離成RGB的3原色，入射 到作為與各原色對(duì)應(yīng)的光閥的液晶面板1110R、 1110B及1110G。液晶面板1110R、 1110B及1110G的結(jié)構(gòu)和上述液晶裝置相同，按照 從圖像信號(hào)處理電路供給的R、 G、 B原色信號(hào)分別進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。而且，由 這些液晶面板調(diào)制后的光向分色棱鏡1112從3個(gè)方向入射。在該分色棱鏡 1112， R及B的光彎折成90度，另一方面，G的光直行。從而，各色的 圖像被合成的結(jié)果，通過(guò)投影透鏡1114，向屏幕等投影彩色圖像。在此，著眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G得到的顯示圖像， 得知由液晶面板1110G得到的顯示圖像需要相對(duì)由液晶面板1110R、1110B 得到的顯示圖像進(jìn)行左右翻轉(zhuǎn)。還有，在液晶面板1110R、 1110B及1110G,由于通過(guò)分色鏡1108， 入射與R、 G、 B各原色對(duì)應(yīng)的光，因而不需要設(shè)置濾色器。還有，除了參照?qǐng)D20所說(shuō)明的電子設(shè)備之外，還能列舉出便攜式個(gè)人 計(jì)算機(jī)、便攜式電話機(jī)、液晶電視機(jī)、取景器式、監(jiān)視直觀式的磁帶錄像 器、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、臺(tái)式電子計(jì)算器、文字處理機(jī)、 工作站、電視電話機(jī)、POS終端及具備觸摸式面板的裝置等。而且，不言而喻，可以使用于這些各種電子設(shè)備中。另外，本發(fā)明除上述各實(shí)施方式中所說(shuō)明的液晶裝置之外，還可以使用于反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射型 顯示器(FED、 SED)、有機(jī)EL顯示器、數(shù)字微鏡器件(DMD)及電泳 裝置等中。本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，而可以在不違反從技術(shù)方案及說(shuō)明 書(shū)總體領(lǐng)會(huì)的發(fā)明宗旨或構(gòu)思的范圍內(nèi)，進(jìn)行適當(dāng)變更，并且伴隨那種變 更的電光裝置用基板及其制造方法，以及具備該電光裝置用a的電光裝 置及具備該電光裝置的電子設(shè)備也全都包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置用基板，其特征為，在基板上，具備數(shù)據(jù)線及掃描線，其相互交叉地延伸；像素電極，其設(shè)置于限定為與上述數(shù)據(jù)線及上述掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素中；以及晶體管，其具有半導(dǎo)體層及柵電極，該半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域、像素電極側(cè)源漏區(qū)域、第1結(jié)區(qū)域和第2結(jié)區(qū)域，該溝道區(qū)域在每個(gè)上述像素的相互隔著開(kāi)口區(qū)域的非開(kāi)口區(qū)域之中的、沿著第1方向延伸的第1區(qū)域，具有沿上述第1方向的溝道長(zhǎng)度，該數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域電連接于上述數(shù)據(jù)線，該像素電極側(cè)源漏區(qū)域電連接于上述像素電極，該第1結(jié)區(qū)域形成于上述溝道區(qū)域及上述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間，該第2結(jié)區(qū)域形成于上述溝道區(qū)域及上述像素電極側(cè)源漏區(qū)域間；該柵電極具有主體部和延伸設(shè)置部，該主體部在下述開(kāi)口部?jī)?nèi)相對(duì)上述溝道區(qū)域通過(guò)柵絕緣膜來(lái)配置，該開(kāi)口部是在覆蓋上述半導(dǎo)體層地配置的絕緣膜的、與上述溝道區(qū)域重合的部分開(kāi)口而形成的，該延伸設(shè)置部以覆蓋上述第2結(jié)區(qū)域的方式，從該主體部延伸設(shè)置到上述絕緣膜上；上述第2結(jié)區(qū)域位于上述非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著與上述第1方向相交的第2方向延伸的第2區(qū)域及上述第1區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置用基板，其特征為 上述溝道區(qū)域的至少一部分配置于上述第1區(qū)域之中的、除上述交叉區(qū)域的區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置用基板，其特征為 上述掃描線與上述延伸設(shè)置部，在同一層采用同一膜來(lái)整體形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征為 上迷延伸設(shè)置部形成為，在上述交叉區(qū)域與上述數(shù)據(jù)線重合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項(xiàng)所述的電光裝置用基板，其特征為具備保護(hù)膜，該保護(hù)膜為了在使上述開(kāi)口部開(kāi)設(shè)于上述絕緣膜時(shí)的腐 蝕處理中保護(hù)上述溝道區(qū)域，形成到比上述半導(dǎo)體層靠上層側(cè)且比上述絕 緣膜靠下層側(cè)，之后去除位于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的一部分，形成在上迷開(kāi)口部 的周圍。
6. —種電光裝置，其特征為具備權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的電光裝置用基板。
7. —種電子i殳備，其特征為 具備權(quán)利要求6所述的電光裝置。
8. —種電光裝置用基板的制造方法，其特征為 包括下述工序在M上以下述方式形成半導(dǎo)體層，該方式為，使笫2結(jié)區(qū)域位于 非開(kāi)口區(qū)域之中的沿著與第1方向相交的第2方向延伸的第2區(qū)域及第1 區(qū)域相互交叉的交叉區(qū)域內(nèi)，該半導(dǎo)體層具有溝道區(qū)域、數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū) 域、像素電極側(cè)源漏區(qū)域、第l結(jié)區(qū)域和上述第2結(jié)區(qū)域，該溝道區(qū)域在 限定為與數(shù)據(jù)線及掃描線的交叉處對(duì)應(yīng)的每個(gè)像素的相互隔著開(kāi)口區(qū)域的 上述非開(kāi)口區(qū)域之中的、沿著上述第l方向延伸的上述第1區(qū)域，具有沿上述第l方向的溝道長(zhǎng)度，該數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域電連接于數(shù)據(jù)線，該像素 電極側(cè)源漏區(qū)域電連接于像素電極，該第1結(jié)區(qū)域形成于上述溝道區(qū)域及 上述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域間，該第2結(jié)區(qū)域形成于上述溝道區(qū)域及上述像素 電極側(cè)源漏區(qū)域間；覆蓋上述溝道區(qū)域地形成保護(hù)膜；在形成上迷保護(hù)膜的工序之后，覆蓋上述半導(dǎo)體層地形成絕緣膜； 通過(guò)對(duì)上述絕緣膜的與上述溝道區(qū)域重合的部分，實(shí)施^f吏用第1腐蝕劑的腐蝕，開(kāi)設(shè)使上述保護(hù)膜露出的開(kāi)口部；通過(guò)對(duì)從上述開(kāi)口部露出的保護(hù)膜，實(shí)施使用和上述第l腐蝕劑不同的第2腐蝕劑的腐蝕，使上述溝道區(qū)域露出；在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的上述露出的溝道區(qū)域上形成柵絕緣膜；以及 通過(guò)以下逸方式形成柵電極來(lái)形成晶體管，該方式為，使得該柵電極具有主體部和延伸i殳置部，該主體部形成于上述開(kāi)口部?jī)?nèi)，該延伸設(shè)置部以覆蓋上述第2結(jié)區(qū)域的方式，從該主體部延伸設(shè)置到上述絕緣膜上； 使用上述第1腐蝕劑的、對(duì)上述絕緣膜的腐蝕速率，比使用上述第1腐蝕劑的、對(duì)上述保護(hù)膜的腐蝕速率大，使用上述第2腐蝕劑的、對(duì)上述保護(hù)膜的腐蝕速率，比使用上述第2腐蝕劑的、對(duì)上述半導(dǎo)體層的腐蝕速率大，使用上述第l腐蝕劑的、對(duì)上述半導(dǎo)體層的上述腐蝕速率，比使用上述第2腐蝕劑的、對(duì)上迷半導(dǎo)體層的腐蝕速率大。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光裝置用J4l的制造方法，其特征為 形成上述半導(dǎo)體層的工序采用硅來(lái)形成上述半導(dǎo)體層，形成上述保護(hù)膜的工序采用氮化硅膜來(lái)形成上述保護(hù)膜， 形成上述絕緣膜的工序采用氧化硅膜來(lái)形成上述絕緣膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電光裝置用基板的制造方法，其特征為， 包括下述工序電連接于上述柵電極地形成上述掃描線；和上述掃描線相互交叉且電連接于上述數(shù)據(jù)線側(cè)源漏區(qū)域地形成上述 數(shù)據(jù)線；以及像素；形成上迷數(shù)據(jù)線的工序及形成上述像素電極的工序的至少一方，將上 述數(shù)據(jù)線及上述4象素電極的至少一方，與上述晶體管相比形成于上層側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供電光裝置用基板、其制造方法、電光裝置及電子設(shè)備。能在電光裝置中實(shí)現(xiàn)較高的開(kāi)口率，并有效降低TFT中光泄漏電流的發(fā)生，且實(shí)現(xiàn)顯示圖像的高清晰化。電光裝置用基板具備具有柵電極(3a)的TFT(30)，柵電極(3a)具有主體部(31a)，在配置為覆蓋半導(dǎo)體層(1a)的絕緣膜(202)的開(kāi)口部(202h)內(nèi)相對(duì)溝道區(qū)域(1a′)通過(guò)柵絕緣膜(2)來(lái)配置；和延伸設(shè)置部(32a)，覆蓋像素電極側(cè)LDD區(qū)域(1c)地從該主體部(31a)延伸設(shè)置到絕緣膜(202)上；像素電極側(cè)LDD區(qū)域(1c)位于非開(kāi)口區(qū)域(99b)中的第1區(qū)域(99ba)及第2區(qū)域(99bb)相互交叉的交叉區(qū)域(99cr)。
文檔編號(hào)H01L29/49GK101246290SQ20081000555
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2008年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者森肋稔, 石井達(dá)也 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社