專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且尤其涉及一種增加儲(chǔ)存電容的 像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在3C時(shí)代的生活中，市面上有許多琳瑯滿目的信息設(shè)備，例如行動(dòng)電話、 數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)以及桌上型計(jì)算機(jī)等數(shù)字化工具，無(wú)不 朝向更便利、多功能且美觀的方向發(fā)展。在大部分的信息設(shè)備中，都是以平面 顯示器作為主要的溝通接口，通過(guò)平面顯示器的顯示功能，使得使用者在產(chǎn)品 的操作上更為便利。其中，液晶顯示器因具有省電、高畫質(zhì)、空間利用效率佳、 低消耗功率以及無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn)，已成為市場(chǎng)的主流。一般而言，液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)組件與像素電極。其中，主動(dòng) 元件用來(lái)作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。而為了控制個(gè)別的像素單元，通常會(huì) 經(jīng)由對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線來(lái)選取特定的像素，并通過(guò)提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海?以顯示對(duì)應(yīng)此像素的顯示數(shù)據(jù)。另外，像素結(jié)構(gòu)中還包括儲(chǔ)存電容(storage capacitor),使得像素單元具有記憶及保持的功能。也就是，儲(chǔ)存電容能夠 儲(chǔ)存上述所施加的操作電壓，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫面的穩(wěn)定性，因此，儲(chǔ)存 電容越大，顯示器的畫面閃爍(flicker)或殘影(Image sticking)的現(xiàn)象 就越不容易產(chǎn)生。換言的，顯示器的顯示質(zhì)量也就越好。因此，如何增加像素 結(jié)構(gòu)的儲(chǔ)存電容，為目前業(yè)界十分重視且亟需發(fā)展的技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，以提升像 素顯示的穩(wěn)定性。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，其具有穩(wěn)定的顯 示質(zhì)量。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先，于基板上 形成第一圖案化導(dǎo)體層，其包括柵極、電容電極以及數(shù)據(jù)線。接著，于基板上 形成柵極絕緣層，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層，并于柵極上方的柵極絕緣層上形 成半導(dǎo)體通道層。然后，于柵極絕緣層以及半導(dǎo)體通道層上形成第二圖案化導(dǎo) 體層，其包括掃描線、共通電極線以及源極與漏極。掃描線與柵極電性連接， 共通電極線與電容電極部分重迭以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容，源極與漏極位于半導(dǎo)體 通道層上，而源極電性連接數(shù)據(jù)線，且漏極與電容電極電性連接。隨之，于基 板上形成保護(hù)層，以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層，然后，于保護(hù)層上形成像素電極， 且像素電極與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極與共通電極線部分重迭，以構(gòu)成 第二儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成半導(dǎo)體通道層的方法包括以下步驟。 首先，于柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體材料層，并進(jìn)行沉積或摻雜工藝，以于半導(dǎo) 體材料層的上表面形成歐姆接觸層。然后，圖案化半導(dǎo)體材料層，以形成半導(dǎo) 體通道層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成柵極絕緣層的方法例如是先于基板上 形成第一介電層，并接著于第一介電層中形成第一接觸窗、第二接觸窗以及第 三接觸窗，以分別暴露出柵極、數(shù)據(jù)線以及電容電極的部分區(qū)域。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線通過(guò)第一接觸窗與柵極電性連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的源極通過(guò)第二接觸窗與數(shù)據(jù)線電性連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電容電極通過(guò)第三接觸窗與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成保護(hù)層的方法包括先于基板上形成第 二介電層，并覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層，接著于第二介電層中形成第四接觸窗， 以暴露出漏極的部分區(qū)域。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極通過(guò)第四接觸窗與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成保護(hù)層的方法包括先于基板上形成第 二介電層，并覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層，接著于第二介電層與柵極絕緣層中形成 第四接觸窗，以暴露出電容電極的部分區(qū)域。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極通過(guò)第四接觸窗與電容電極電性 連接。而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，其適于配置于基板 上。此像素結(jié)構(gòu)包括第一圖案化導(dǎo)體層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體信道層、第二圖 案化導(dǎo)體層、保護(hù)層以及像素電極。第一圖案化導(dǎo)體層包括柵極、電容電極以 及數(shù)據(jù)線，而柵極絕緣層覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層。半導(dǎo)體信道層配置于柵極上 方的柵極絕緣層上，而第二圖案化導(dǎo)體層配置于柵極絕緣層以及半導(dǎo)體通道層 上。第二圖案化導(dǎo)體層包括掃描線、共通電極線以及源極與漏極，其中掃描線 與柵極電性連接，共通電極線與電容電極部分重迭以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容，源極 與漏極位于半導(dǎo)體通道層上，而源極電性連接數(shù)據(jù)線，且漏極與電容電極電性 連接。此外，保護(hù)層覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層，而像素電極配置于保護(hù)層上，且 像素電極與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極與共通電極線部分重迭，以構(gòu)成 第二儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體通道層的上表面還包括一歐姆接觸層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的柵極絕緣層具有一第一接觸窗、 一第二接 觸窗以及一第三接觸窗，分別位于柵極、數(shù)據(jù)線以及電容電極的部分區(qū)域上方。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線通過(guò)第一接觸窗與柵極電性連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的源極通過(guò)第二接觸窗與數(shù)據(jù)線電性連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電容電極通過(guò)第三接觸窗與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的保護(hù)層具有第四接觸窗，位于漏極上方。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極通過(guò)第四接觸窗與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的保護(hù)層與柵極絕緣層具有第四接觸窗，位 于電容電極上方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素電極通過(guò)第四接觸窗與電容電極電性 連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線與電容電極的部分區(qū)域重迭，以構(gòu)成第三儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的掃描線與像素電極的部分區(qū)域重迭，以構(gòu) 成第四儲(chǔ)存電容。由于本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)具有能夠與共通電極線耦合成儲(chǔ)存電容的電容電 極，因此像素結(jié)構(gòu)中儲(chǔ)存電容的電容值可獲得有效地提升。換言之，本發(fā)明的 像素結(jié)構(gòu)能夠改善畫面閃爍或殘影的現(xiàn)象，進(jìn)而提升顯示器的顯示質(zhì)量。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的 限定。


圖1A 圖1F是依照本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程的上視示意圖；圖2A 圖2C分別為圖1A中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖；圖3A 圖3C分別為圖1B中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖；圖4A 圖4C分別為圖1C中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖；圖5A 圖5C分別為圖1D中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖；圖6A 圖6C分別為圖1E中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖；圖7A 圖7C分別為圖1F中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面 線的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記100:基板 110:第一圖案化導(dǎo)體層112:柵極 114:電容電極116:數(shù)據(jù)線 118:第一介電層118a:柵極絕緣層 120:半導(dǎo)體通道層122:圖案化摻雜半導(dǎo)體材料層 122a:歐姆接觸層124:第一接觸窗 126:第二接觸窗128:第三接觸窗130:第二圖案化導(dǎo)體層132:掃描線134:共通電極線136:源極138:漏極140:保護(hù)層142:第四接觸窗144:像素電極146:薄膜晶體管150:像素結(jié)構(gòu)Cstl Cst4:儲(chǔ)存電容具體實(shí)施方式
圖1A 圖1F是依照本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程的上視示意圖， 圖2A 圖2C分別為圖1A中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面線的 剖面示意圖；圖3A 圖3C分別為圖1B中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c_d剖面線以及 e-f剖面線的剖面示意圖；圖4A 圖4C分別為圖1C中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d 剖面線以及e-f剖面線的剖面示意圖；圖5A 圖5C分別為圖1D中對(duì)應(yīng)于a-b 剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面線的剖面示意圖；圖6A 圖6C分別為圖1E 中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面線的剖面示意圖；圖7A 圖 7C分別為圖1F中對(duì)應(yīng)于a-b剖面線、c-d剖面線以及e-f剖面線的剖面示意 圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A、圖2A、圖2B及圖2C，首先，于基板100上形成第一 圖案化導(dǎo)體層110，第一圖案化導(dǎo)體層110包括柵極112、電容電極114以及 數(shù)據(jù)線116?；?00例如是玻璃基板、石英基板或是其它的基板。形成第一 圖案化導(dǎo)體層110的方法例如是先于基板100上形成第一導(dǎo)體層(未繪示)，而 后，例如是進(jìn)行微影與蝕刻工藝以將其圖案化。第一導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是鋁、 鉻、鉭或其它金屬材料，其形成方法視材料的不同而可采用物理氣相沉積法(蒸 鍍、濺鍍)或化學(xué)氣相沉積法等方法。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1B、圖3A、圖3B及圖3C，于基板100上形成第一介電 層118，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層110。第一介電層118的材質(zhì)例如是二氧化 硅、氮化硅或是氮氧化硅等介電材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。接著，于柵極112上方的第一介電層118上形成半導(dǎo)體通道層120。形成 半導(dǎo)體通道層120的方法例如是先于第一介電層118上形成半導(dǎo)體材料層(未繪示)，并進(jìn)行摻雜工藝，以于半導(dǎo)體材料層的上表面形成摻雜半導(dǎo)體材料層(未繪示)，例如是N型摻雜半導(dǎo)體材料層^+ doped semiconductor layer)。 然后，圖案化半導(dǎo)體材料層，以形成半導(dǎo)體通道層120及其上表面的圖案化的 摻雜半導(dǎo)體材料層122。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C、圖4A、圖4B及圖4C，于第一介電層118中形成第 一接觸窗124、第二接觸窗126以及第三接觸窗128，以形成柵極絕緣層118a。 第一接觸窗124會(huì)暴露出柵極112的部分區(qū)域，第二接觸窗126會(huì)暴露出數(shù)據(jù) 線116的部分區(qū)域，而第三接觸窗128會(huì)暴露出電容電極114的部分區(qū)域。在 本實(shí)施例中，形成第一接觸窗124、第二接觸窗126以及第三接觸窗128的方 法例如是通過(guò)微影蝕刻工藝所形成。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D與圖5A、圖5B、及圖5C，于柵極絕緣層118a、半導(dǎo) 體信道層120以及圖案化摻雜半導(dǎo)體材料層122上形成第二圖案化導(dǎo)體層 130。第二圖案化導(dǎo)體層130包括掃描線132、共通電極線134、源極136與漏 極138。形成第二圖案化導(dǎo)體層130的方法例如是于柵極絕緣層118a以及半 導(dǎo)體通道層120上形成第二導(dǎo)體層(未繪示)，而后，例如是進(jìn)行微影與蝕刻工 藝以將其圖案化。值得注意的是，在第二導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化的同時(shí)，部分的圖 案化摻雜半導(dǎo)體材料層122會(huì)一并地被移除，因此，未被源極136以及漏極 138所覆蓋住的圖案化摻雜半導(dǎo)體材料層122會(huì)被移除，直到部分的半導(dǎo)體通 道層120被暴露出來(lái)為止，留下的圖案化摻雜半導(dǎo)體材料層122形成歐姆接觸 層122a。由圖1D、圖5A、圖5B、及圖5C可知，掃描線132通過(guò)第一接觸窗124 與柵極112電性連接，源極136通過(guò)第二接觸窗126與數(shù)據(jù)線116電性連接， 而電容電極114通過(guò)第三接觸窗128與漏極138電性連接。此外，共通電極線 134與電容電極114部分重迭，以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容Cstl。掃描線132例如是 與電容電極114部分重迭，而構(gòu)成第三儲(chǔ)存電容Cst3。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1E、圖6A、圖6B及圖6C，于基板100上形成保護(hù)層140， 以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層130。形成保護(hù)層140的方法例如是先于基板100上 第二介電層(未繪示)，接著于第二介電層中形成第四接觸窗142，以暴露出漏 極138的部分區(qū)域。在另一實(shí)施例中，第四接觸窗可直接配置在第三接觸窗上 方，以暴露出第三接觸窗上方的漏極的部分區(qū)域，換句話說(shuō)，也就是將第四接觸窗配置成在電容電極上方且與第三接觸窗重迭，如此一來(lái)，可以在小面積中 形成第三接觸窗與第四接觸窗，能增加像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的彈性。第二介電層的 材質(zhì)例如是二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介電材料，其形成方法例如是化 學(xué)氣相沉積法。形成第四接觸窗142的方法例如是通過(guò)微影蝕刻工藝所形成。隨之，請(qǐng)參照?qǐng)D1F、圖7A、圖7B及圖7C，于保護(hù)層140上形成像素電 極144，即完成像素結(jié)構(gòu)150的制作。于本實(shí)施例中，像素電極144通過(guò)第四 接觸窗142與漏極138電性連接，再經(jīng)由第三接觸窗128跟電容電極114電性 連接。值得一提的是，在又一實(shí)施例中，第四接觸窗可直接形成在保護(hù)層與柵 極絕緣層中，以暴露出電容電極的部分區(qū)域，此時(shí)，像素電極直接通過(guò)第四接 觸窗與電容電極電性連接。像素電極144的形成方法例如是于保護(hù)層140上形 成導(dǎo)電層(未繪示)，并圖案化導(dǎo)電層以形成之。前述導(dǎo)電層的材質(zhì)例如是銦 錫氧化物、銦鋅氧化物或是其它透明材質(zhì)。再者，像素電極144例如是與共通 電極線134部分重迭，而構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容Cst2。此外，像素電極144例如 是與掃描線132部分重迭，而構(gòu)成第四儲(chǔ)存電容Cst4。由圖1F與圖7A、圖7B及圖7C可知，像素結(jié)構(gòu)150是配置于基板100上， 其包括第一圖案化導(dǎo)體層110、柵極絕緣層118a、半導(dǎo)體通道層120、第二圖 案化導(dǎo)體層130、保護(hù)層140以及像素電極144。詳言之，柵極絕緣層118a 覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層110。半導(dǎo)體信道層120配置于柵極絕緣層118a上， 而第二圖案化導(dǎo)體層130配置于柵極絕緣層118a以及半導(dǎo)體通道層120上。 此外，保護(hù)層140覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層130，而像素電極144配置于保護(hù)層 140上。第一圖案化導(dǎo)體層110包括柵極112、電容電極114以及數(shù)據(jù)線116，而 第二圖案化導(dǎo)體層130包括掃描線132、共通電極線134、源極136與漏極138。 另外，柵極絕緣層118a具有位于柵極112上方的第一接觸窗124、位于數(shù)據(jù) 線116上方的第二接觸窗126以及位于電容電極114上方的第三接觸窗128。 因此，掃描線132通過(guò)第一接觸窗124與柵極112電性連接，源極136通過(guò)第 二接觸窗126與數(shù)據(jù)線116電性連接，而漏極138通過(guò)第三接觸窗128與電容 電極114電性連接。此外，保護(hù)層140例如具有第四接觸窗142，以使像素電 極144通過(guò)第四接觸窗142與漏極138電性連接，再經(jīng)由第三接觸窗128跟電 容電極114電性連接。其中，柵極112、半導(dǎo)體通道層120、源極136與漏極138構(gòu)成薄膜晶體管146，而薄膜晶體管146與數(shù)據(jù)線116以及掃描線132連 接。換句話說(shuō)，也就是第一圖案化導(dǎo)體層110、半導(dǎo)體通道層120與第二圖案 化導(dǎo)體層130共同構(gòu)成薄膜晶體管146以及與薄膜晶體管146電性連接的數(shù)據(jù) 線116以及掃描線132。請(qǐng)參照?qǐng)D7A、圖7B及圖7C， 一般來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存電容越大，有助于維持像素 顯示的穩(wěn)定。于本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)150除了具有由像素電極144分別與共 通電極線134以及掃描線132所構(gòu)成的第二儲(chǔ)存電容Cst2與第四儲(chǔ)存電容 Cst4外，還具有由電容電極114分別與共通電極線134以及掃描線132所構(gòu) 成的第一儲(chǔ)存電容Cstl與第三儲(chǔ)存電容Cst3，也就是此像素結(jié)構(gòu)150具有多 個(gè)儲(chǔ)存電容，故有助于提升其內(nèi)部?jī)?chǔ)存電容的整體電容值。綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有助于提升其內(nèi)部?jī)?chǔ)存電容的整體電容 值，換句話說(shuō)，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)在顯示上十分穩(wěn)定，能夠改善畫面閃爍或殘 影的現(xiàn)象，進(jìn)而提升顯示器的顯示質(zhì)量。此外，由于電容電極與柵極是通過(guò)同 一道工藝形成，故本發(fā)明的像素電極的制造方法與現(xiàn)有在工藝兼容，不會(huì)造成 生產(chǎn)成本的大幅增加。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括形成一第一圖案化導(dǎo)體層于一基板上，該第一圖案化導(dǎo)體層包括一柵極、一電容電極以及一數(shù)據(jù)線；形成一柵極絕緣層于該基板上，以覆蓋該第一圖案化導(dǎo)體層；形成一半導(dǎo)體通道層于該柵極上方的該柵極絕緣層上；形成一第二圖案化導(dǎo)體層于該柵極絕緣層以及該半導(dǎo)體通道層上，該第二圖案化導(dǎo)體層包括一掃描線、一共通電極線、一源極與一漏極，其中該掃描線與該柵極電性連接，該共通電極線與該電容電極部分重迭以構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容，該源極與該漏極位于該半導(dǎo)體通道層上，而該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，且該漏極與該電容電極電性連接；形成一保護(hù)層于該基板上，以覆蓋該第二圖案化導(dǎo)體層；以及形成一像素電極于該保護(hù)層上，且該像素電極與該漏極電性連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素電極 與該共通電極線部分重迭，以構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該半導(dǎo) 體通道層的方法包括形成一半導(dǎo)體材料層于該柵極絕緣上；進(jìn)行一摻雜工藝，以于該半導(dǎo)體材料層的上表面形成一歐姆接觸層；以及 圖案化該半導(dǎo)體材料層，以形成該半導(dǎo)體通道層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該柵極 絕緣層的方法包括形成一第一介電層于該基板上；以及形成一第一接觸窗、 一第二接觸窗以及一第三接觸窗于該第一介電層中， 以分別暴露出該柵極、該數(shù)據(jù)線以及該電容電極的部分區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該掃描線通過(guò)該第一接觸窗與該柵極電性連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該源極通過(guò)該第二接觸窗與該數(shù)據(jù)線電性連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該電容電極 通過(guò)該第三接觸窗與該漏極電性連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該保護(hù) 層的方法包括形成一第二介電層于該基板上，并覆蓋該第二圖案化導(dǎo)體層；以及 形成一第四接觸窗于該第二介電層中，以暴露出該漏極的部分區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素電極通過(guò)該第四接觸窗與該漏極電性連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該保護(hù)層的方法包括形成一第二介電層于該基板上，并覆蓋該第二圖案化導(dǎo)體層；以及形成一第四接觸窗于該第二介電層與該柵極絕緣層中，以暴露出該電容電 極的部分區(qū)域。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素電極通過(guò)該第四接觸窗與該電容電極電性連接。
12. —種像素結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一第一圖案化導(dǎo)體層，配置于該基板上，該第一圖案化導(dǎo)體層包括一柵極、一電容電極以及一數(shù)據(jù)線；一柵極絕緣層，覆蓋該第一圖案化導(dǎo)體層； 一半導(dǎo)體信道層，配置于該柵極上方的該柵極絕緣層上； 一第二圖案化導(dǎo)體層，配置于該柵極絕緣層以及該半導(dǎo)體通道層上，該第 二圖案化導(dǎo)體層包括一掃描線、 一共通電極線、 一源極與一漏極，該掃描線與 該柵極電性連接，該共通電極線與該電容電極部分重迭以構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電 容，該源極與該漏極位于該半導(dǎo)體通道層上，而該源極電性連接該數(shù)據(jù)線，且 該漏極與該電容電極電性連接；一保護(hù)層，覆蓋該第二圖案化導(dǎo)體層；以及一像素電極，配置于該保護(hù)層上，且該像素電極與該漏極電性連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極與該共通電極線部分重迭，以構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體通道層的上表面還包括一歐姆接觸層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極絕緣層具有一 第一接觸窗、 一第二接觸窗以及一第三接觸窗，分別位于該柵極、該數(shù)據(jù)線以 及該電容電極的部分區(qū)域上方。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線通過(guò)該第一接觸窗與該柵極電性連接。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極通過(guò)該第二接 觸窗與該數(shù)據(jù)線電性連接。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容電極通過(guò)該第 三接觸窗與該漏極電性連接。
19. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層具有一第四 接觸窗，位于該漏極上方。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極通過(guò)該第 四接觸窗與該漏極電性連接。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層與該柵極絕緣層具有一第四接觸窗，位于該電容電極上方。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極通過(guò)該第四接觸窗與該電容電極電性連接。
23. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線與該電容電 極的部分區(qū)域重迭，以構(gòu)成一第三儲(chǔ)存電容。
24. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線與該像素電 極的部分區(qū)域重迭，以構(gòu)成一第四儲(chǔ)存電容。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種增加儲(chǔ)存電容的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。首先，于基板上形成第一圖案化導(dǎo)體層，其包括柵極、電容電極以及數(shù)據(jù)線。接著，于基板上形成柵極絕緣層，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層，并于柵極上方的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體通道層。然后，于柵極絕緣層以及半導(dǎo)體通道層上形成第二圖案化導(dǎo)體層，其包括掃描線、共通電極線、源極與漏極。掃描線與柵極電性連接，共通電極線與電容電極部分重迭以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容。源極以及漏極分別與數(shù)據(jù)線及電容電極電性連接。隨之，于基板上形成保護(hù)層，以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層。然后，于保護(hù)層上形成像素電極，其與漏極電性連接。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101217131SQ20081000049
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2008年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月14日
發(fā)明者張格致, 黃國(guó)有 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司