專利名稱：：制造磁性器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有干法蝕刻工藝的制造磁性器件的方法。更具體地，本發(fā)明涉及具有以下工藝的制造磁性器件的方法當(dāng)進(jìn)行磁性薄膜的微細(xì)加工時，在高蝕刻速率和高選擇比下進(jìn)行干法蝕刻。
背景技術(shù)：
：MRAM(磁隨機存取存儲器)，其為集成化磁存儲器，其作為具有與DRAM類似的集成密度和與SRAM類似的高速度，并且能夠無限制地重寫的存儲器已引起關(guān)注。此外，構(gòu)成磁阻裝置例如GMR(巨磁阻)和TMR(隧穿磁阻)的薄膜磁頭、磁性傳感器等已得到快速開發(fā)。迄今為止，在磁性材料的蝕刻工藝中，已頻繁使用離子減薄(ionmilling)。然而，由于離子減薄是物理濺射蝕刻，所以難以得到對于各種掩模用材料的選擇性，并導(dǎo)致要蝕刻的材料底部錐形化的問題。因此，目前狀況是離子減薄不適于制造需要特別#青細(xì)加工#支術(shù)的大容量MRAM，所述離子減薄難以均勻加工大面積300mm基板，并且不能^是高產(chǎn)率。代替該離子減薄，已引入在半導(dǎo)體工業(yè)中培育的技術(shù)。這些中，期待RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)技術(shù)，該技術(shù)能夠確保在大面積300mm基板中的均勻性，并且微細(xì)加工性優(yōu)良。然而，即使使用廣泛用于半導(dǎo)體工業(yè)中的RIE技術(shù)，對磁性材料例如FeNi、CoFe和CoPt的反應(yīng)性也差，并難以在不產(chǎn)生蝕刻殘渣和側(cè)壁;咒積的情況下加工它們。作為使用用于磁性膜干法蝕刻的工藝制造磁性器件的方法，對于過渡元素磁性材料的選擇性蝕刻，日本專利申請?zhí)亻_H8-253881提出向其中添加含氮化合物氣體例如氨(NHg)和胺氣的一氧化碳(CO)氣體作為用于干法蝕刻的反應(yīng)氣體；日本專利申請?zhí)亻_2005-42143提出具有至少一個羥基的醇作為使用非有機材料作為掩模的磁性材料干法蝕刻的蝕刻氣體；日本專利申請?zhí)亻_2005-268349提出至少包含曱烷和氧的氣體作為用于難以蝕刻元素例如Pt和Ir的》茲性材沖牛的千法蝕刻氣體。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供基于高速蝕刻和高選擇比的干法蝕刻工藝，其中當(dāng)使用由非有機材料形成的掩模材料(非有機材料掩模)時，不需要后腐蝕處理或不需要耐腐蝕處理，所述非有機材料例如選自由在元素周期表中的第III族、第IV族、第V族和第VI族組成的金屬組的金屬原子材料，或由這些金屬原子和非金屬原子形成的材料。本發(fā)明的另一目的在于提供使用上述干法蝕刻工藝制造磁性器件的方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先為特征在于包括以下步驟的制造磁性器件的方法在通過使用選自由醚類、醛類、羧酸類、酯類、二酮類和胺類組成的氣化化合物組的至少一種化合物產(chǎn)生的等離子體的氣氛中，通過使用非有機材料掩模來蝕刻包括選自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族元素組成的金屬組的至少一種金屬的磁性膜或抗磁性膜；本發(fā)明其次為特征在于包括以下步驟的制造磁性器件的方法在通過使用選自由醚類、醛類、羧酸類、酯類、二酮類和胺類組成的氣化化合物組的至少一種化合物，和選自由氧、臭氧、氮、H20、N20和C02組成的氣體組的至少一種氣體而產(chǎn)生的等離子體的氣氛中，通過使用非有機材料掩模來蝕刻包括選自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族組成的金屬組的至少一種金屬的磁性膜或抗磁性膜。在本發(fā)明的制造方法中，作為醚類，可以列舉選自由二甲醚、乙醚和環(huán)氧乙烷組成的化合物組的至少一種醚。在本發(fā)明的制造方法中，作為醛類，可以列舉選自由曱醛和乙醛組成的化合物組的至少一種醛。在本發(fā)明的制造方法中，作為羧酸類，可以列舉選自由甲酸和乙酸組成的化合物組的至少一種羧酸。在本發(fā)明的制造方法中，作為酯類，可以列舉選自由氯甲酸乙酯和乙酸乙酯組成的化合物組的至少一種酯。在本發(fā)明的制造方法中，作為胺類，可以列舉選自由二甲胺和三乙胺組成的化合物組的至少一種胺。在本發(fā)明的制造方法中，作為二酮類，可以列舉選自由四甲基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮組成的化合物組的至少一種二酮。用于本發(fā)明的掩模材料(非有機材料掩模)為由通過混合選自由在元素周期表中的第ni族、第iv族、第v族和第vi力矣組成的金屬組的金屬原子材料如Ta、Ti、Al或Si,或者此類金屬原子和非金屬原子的混合材料產(chǎn)生的物質(zhì)形成的單層膜或?qū)訅耗そM成的非有片幾材料，例如，能夠^使用由金屬例如Ta、Ti和Al或非金屬例如Si,或者這些金屬或非金屬的氧化物或氮化物形成的單層膜或?qū)訅耗そM成的非有機掩模材料。作為用于本發(fā)明的非有機材料掩模，例如，可以使用單質(zhì)元素Ta、Ti、Al或Si的單層膜或?qū)訅耗ぷ鳛檠谀２牧?。作為選擇，可以使用以下物質(zhì)的單層膜或?qū)訅耗ぷ鳛檠谀２牧?，所述物質(zhì)為Ta、Ti、Al或Si的氧化物或氮化物例如Ta氧化物，Ti氧化物，Al氧化物例如Al203,Si氧化物例如Si02,和TaN、TiN、A1N、SiN等。當(dāng)使用上述單層膜時，其厚度為2至300nm,優(yōu)選15至30nm。當(dāng)使用上述層壓膜時，其層壓厚度為2至300nm,優(yōu)選15至30nm。在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，作為要進(jìn)行蝕刻工藝的由選自由在元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族組成的金屬組的至少一種金屬組成的磁性膜或抗磁性膜，可以使用FeN膜、NiFe膜、CoFe膜、CoFeB膜、PtMn膜、IrMn膜、CoCr膜、CoCrPt膜、NiFeCo膜、NiFeMo膜、CoFeB膜、FeMn膜、CoPt膜、NiFeCr膜、CoCr膜、CoPd膜、CoFeB膜或NiFeTb膜。這些》茲性月莫或抗》茲性膜可以是鐵》茲性或軟/磁性的。雖然包含在這些磁性膜或抗石茲性膜中的^茲性物質(zhì)含量為10原子％以上，優(yōu)選50原子％以上，但其不限于這些值。在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，要進(jìn)行蝕刻工藝的磁性膜或抗磁性膜可以為單層膜或?qū)訅耗?。?dāng)使用單層膜時，其厚度為2至300nm，優(yōu)選15至30nm。當(dāng)使用層壓膜時，其層壓厚度為2至300腿，優(yōu)選15至30謹(jǐn)。在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，蝕刻磁性膜或抗磁性膜時的蝕刻溫度優(yōu)選保持在250。C以下的范圍內(nèi)。如果溫度超過250。C,則將不期望的熱損傷給予磁性膜。本發(fā)明的優(yōu)選溫度范圍為20至100。C。此外，在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，蝕刻期間的真空度優(yōu)選為0.05和10Pa之間的范圍。在該壓力范圍內(nèi)，磁性器件能夠通過高密度等離子體的形成來各向異性地加工。在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，可以將氧化氣體或氮化氣體(添加氣體)例如氧、臭氧、氮、H20、N20、N02和C02在不超過50原子％的范圍內(nèi)添加至上述氣化化合物。此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選將惰性氣體在不超過90原子％的范圍內(nèi)添加至上述氣化化合物。作為惰性氣體，可以使用Ar、Ne、Xe或Kr等。此時，也可以使用上述添加氣體和惰性氣體的混合氣體。同樣，此時，優(yōu)選混合氣體的量在上述量范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，如果將上述添加氣體或惰性氣體在上述范圍內(nèi)添加至上述氣化化合物，則能夠進(jìn)一步增大蝕刻速率，同時，能夠顯著提高對掩模的選擇性。然而，如果使用大于50原子％的添加氣體，將發(fā)生蝕刻速率的下降，還將導(dǎo)致降低對非有機材料掩模的選擇比。在用于本發(fā)明的制造方法中的干法蝕刻法中，當(dāng)使用由非有機材料組成的掩模材料來蝕刻磁性材料時，不要求后腐蝕處理，并且不需要考慮蝕刻設(shè)備的耐腐蝕性。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得高蝕刻速率和大的選才奪比，并且通過高蝕刻速率和大的選擇比，可以實現(xiàn)由單層膜或?qū)訅耗そM成的磁性薄膜的高度微細(xì)加工。由此，高度集成化的MRAM的產(chǎn)率能夠顯著改進(jìn)。圖1A為在本發(fā)明實施例的方法中4吏用的蝕刻設(shè)備的示意性構(gòu)成圖1B為示于圖1A中的設(shè)備的俯S見圖2A為在開始加工之前的晶片(磁性層層壓基板)的示意性截面圖2B為當(dāng)在示于圖2A的晶片上制造Ta掩模時的示意性截面圖2C為示出在通過使用示于圖2B中的Ta掩模蝕刻而制造的TMR中的磁性膜的實例的示意性截面圖；圖3為示出在根據(jù)本發(fā)明的TMR中的^茲性膜的另一實例的示意性截面圖4為示出在本發(fā)明中制造的TMR部件的基本結(jié)構(gòu)的縱斷面圖。圖5為i兌明在本發(fā)明中制造的TMR部件中的電阻值變化的圖。具體實施方式[實施例1]圖1為具有ICP(電感耦合等離子體)等離子體源的蝕刻設(shè)備的示意性圖。在疾施例l中，將乙酸用作氣^M匕合物，將乙酸和氧氣的混合氣體用作蝕刻氣體，并通過使用示于圖l中的設(shè)備，如圖2A和圖2B所示蝕刻TMR元件。圖2C和圖3示出使用根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造的TMR的兩個實例。圖2A示出在用于本發(fā)明的蝕刻工藝之前的層壓結(jié)構(gòu)。其為圖1A中所示的晶片9，其中將磁性材料層等層壓在由石英等組成的基板上，并為蝕刻的對象。在圖2A中，201是指Ta膜，202是指A1膜，203是指Ta膜，204是指層壓的鐵磁性膜，其為由具有厚度lnm至20nm(優(yōu)選5nm)的軟磁性CoFe膜以及抗鐵磁性膜的PtMn膜組成的引腳層(pinlayer),205是指由人1203形成的絕緣膜(具有厚度O.lnm至10nm,優(yōu)選0.5nm至2nm)，206是指軟磁性膜，其為由具有厚度lnm至20nmG尤選5nm)的CoFe月莫形成的自由層(freelayer),207為由NiFe膜形成的軟磁性膜，208是指由Ta形成的掩模，209是指圖案化光致抗蝕劑膜。通過根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造的TMR元件的基本結(jié)構(gòu)將示于圖4中。TMR401的基本結(jié)構(gòu)為以下結(jié)構(gòu)其中絕緣層402(對應(yīng)于圖2中的八1203絕緣膜205)的兩側(cè):帔夾在4失石茲性層403(對應(yīng)于圖2中的NiFe月莫207和CoFe月莫206的層壓月菱)和404(對應(yīng)于圖2中的CoFe/PtMn膜204)之間。在4失》茲性層403和404中，箭頭403a和404a分別示出磁化方向。圖5A和圖5B為說明當(dāng)將來自電源405的電壓V施加至TMR401時在TMR401中的電阻狀態(tài)的圖。TMR401具有以下特性對應(yīng)于在鐵磁性層403和404每一層中的f茲4匕狀態(tài)，才艮據(jù)施加電壓V而改變電阻^f直。具體地，如圖5A所示，當(dāng)在鐵磁性層403和404中的磁化方向相同時，TMR401的電阻值最小化；如圖5B所示，當(dāng)鐵^t性層403和404中的磁化方向彼此相反時，TMR401的電阻值最大化。TMR401的最小電阻j直和最大電阻值分別由Rmin和Rmax表示。此處，通常，盡管存在以下結(jié)構(gòu)其中將感應(yīng)電流(sensingcurrent)平行于器件的月莫表面引入的CIP(面內(nèi)電流(Current-in-Plane))型結(jié)構(gòu)；和其中感應(yīng)電流垂直于器件的膜表面引入的CPP(垂直于平面的電流)型結(jié)構(gòu)，j旦是圖4和圖5示出CPP型不茲阻效應(yīng)元件的實例。圖2B示出使用示于圖1中的圖案化光致抗蝕劑膜209和作為蝕刻氣體的CF4氣體來蝕刻Ta膜之后的狀態(tài)。在Ta膜208的蝕刻工藝中，使用示于圖l中的設(shè)備。示于圖1A中的真空容器2使用排氣系統(tǒng)21抽真空，打開閘閥(未示出)以將設(shè)置有示于圖2A中的層壓磁性膜的晶片9引入至真空容器2中，將晶片9保持在基板保持架4中，并使用溫度控制機構(gòu)41維持在預(yù)定溫度下。接著，操作氣體導(dǎo)入系統(tǒng)3以將預(yù)定流速的蝕刻氣體(CF4)從貯存CF4氣體的鋼瓶(cylinder)(圖1A中未示出)，經(jīng)過配管、閥門和流速控制器(未示出)導(dǎo)入至真空容器2中。將導(dǎo)入的蝕刻氣體通過真空容器2擴散于介電壁容器11。此處，操作等離子體源設(shè)備l。等離子體源設(shè)備l由以下組成氣密連接的介電壁容器ll、在介電壁容器ll中產(chǎn)生誘導(dǎo)》茲場的l-圈天線(l-turnantenna)12、通過產(chǎn)生要供纟會至天線12的高頻功率(電源功率)的匹配箱(matchingbox)(未示出)經(jīng)過傳送通道15連接至天線12的等離子體用高頻電源13、在介電壁容器11中產(chǎn)生預(yù)定》茲場的電》茲體14等，以致內(nèi)部空間與真空容器2連通。當(dāng)將由等離子體用高頻電源13產(chǎn)生的高頻波通過傳送通道15供#會至天線12時，電流流入1-轉(zhuǎn)天線12中，結(jié)果，在介電壁容器ll內(nèi)部形成等離子體。將從上方觀察的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示于圖1B中。將大量側(cè)壁用磁體22配置在真空容器2的側(cè)壁外側(cè)，沿外周方向排列，以使得其在面對真空容器2側(cè)壁的表面上的磁極不同于鄰近的磁體，由此，會切磁場(cuspedmagneticfield)沿真空容器2側(cè)壁內(nèi)表面沿周向順次形成，并且等離子體擴散入真空容器2側(cè)壁的內(nèi)表面中。此時，同時才喿作偏壓用高頻電源5以供給自偏壓和控制從等離子體至晶片9表面的離子注入能(ion-implantingenergy),所述自偏壓為用于施加至要進(jìn)行蝕刻處理的晶片9的負(fù)直流電的電壓。如上所述形成的等離子體從介電壁容器11擴散入真空容器2中，到達(dá)晶片9表面附近。此時，未用光致抗蝕劑(PR)膜209涂布的Ta膜暴露于等離子體，通過蝕刻氣體CF4蝕刻，并由如圖2B所示的在晶片9上的Ta膜形成Ta掩模208。使用光致抗蝕劑膜209作為掩模通過上述CF4的用于Ta膜的蝕刻條件如下<蝕刻條件>蝕刻氣體的流速(CF4):326mg/min(50sccm)電源功率500W偏壓功率70W真空容器2中的壓力0.8Pa基板保持架4的溫度40°C接著，在去除光致抗蝕劑209之后，進(jìn)行蝕刻工藝，從而制造示于圖2C中的磁性膜，在所述蝕刻工藝中，將乙酸氣體和氧氣用作蝕刻氣體，通過上述工藝形成的Ta用作用于蝕刻NiFe膜207、CoFe月莫206、Al2O3月莫205和CoFeB/PtMn月莫204的掩才莫才才泮牛。在上述工藝中，除了使用CF4氣體代替由乙酸氣體和氧氣組成的混合氣體之外，還使用示于圖l中的設(shè)備。此時的蝕刻條件如下所述。此時的蝕刻速率(nm/min)使用常規(guī)步驟(routineprocedure)測量。結(jié)果為30nm/min。也使用常規(guī)步驟，觀'J量膜204至207的層壓膜與Ta膜203的選擇比(層壓膜204至207的蝕刻速率/Ta膜203的蝕刻速率)。結(jié)果為10倍。<蝕刻條件>乙酉交的；克速15sccm(40.2mg/min)氧的5JfL速5sccm(7.1mg/min)電源功率1000W偏壓功率800W真空容器2中的壓力0.4Pa基板保持架4的溫度40°C此時，通過#:作氣體導(dǎo)入系統(tǒng)3,從示于圖1A中的其中貯存乙酸的容器31，將預(yù)定流速的蝕刻氣體(乙酸)和氧氣經(jīng)過配管32、閥33和流速控制器34導(dǎo)入至真空容器2中，并進(jìn)行蝕刻。在該工藝中蝕刻之后，確認(rèn)示于圖2C中的結(jié)構(gòu)。除了將示于表2中的蝕刻氣體代替用于上述實施例l中的由乙酸氣體和氧氣組成的蝕刻氣體之外，以與實施例l相同的方式形成示于圖2C中的元件，測量蝕刻速率和選擇比。結(jié)杲示于以下表l中。將示于表1中的蝕刻速率作為當(dāng)在實施例l中的蝕刻速率為"l"和選擇比為"l"時的比例示出。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>[實施例21至25和比4交例2]除了改變上述實施例中的蝕刻氣體的流速之外，以與實施例1、9、3、6和13相同的方式形成示于圖2C中的元件，并測量蝕刻速率和選擇比。結(jié)果示于表2中。將示于表2中的蝕刻速率作為當(dāng)在實施例1中的蝕刻速率為"1"和選l奪比為"1"時的比例示出。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在醚類、醛類、羧酸類、二酮類和胺類中，醚類和醛類不是腐蝕性的，安全性特別有利。盡管已描述一定數(shù)量的本發(fā)明的實施例和比較例，但是本發(fā)明不限于所述實施方案，但是在由權(quán)利要求書的描述理解的技術(shù)范圍內(nèi)能夠變化為各種實施方案。例如，蝕刻設(shè)備不限于示于圖l中的具有1-轉(zhuǎn)天線的ICP型等離子體設(shè)備，而且還可以使用稱為高密度等離子體源的螺旋型等離子體設(shè)備、兩頻率激發(fā)平行板型等離子體設(shè)備(two-frequencyexcitationParallelplate-typeplasmaapparatus),微波型等離子體設(shè)備等。此外，即使在使用非有機材料作為掩模材料蝕刻磁性材料的情況下，和在其中磁性材料為TMR的情況下，TMR的構(gòu)造不限于示于圖2中的構(gòu)造。此外，本發(fā)明不限于上述TMR，還可以應(yīng)用GMR。此夕卜，如圖3中所示，可以使用其中將示于圖2A中的絕緣膜205用作蝕刻止動器的工藝。權(quán)利要求1.一種制造磁性器件的方法，其包括以下步驟形成通過使用選自由醚類、醛類、羧酸類、酯類、二酮類和胺類組成的氣化化合物組的至少一種化合物產(chǎn)生的等離子體氣氛和通過使用非有機材料掩模，蝕刻包括選自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族組成的金屬組的至少一種金屬的磁性膜或抗磁性膜。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述醚類為選自由二甲醚、乙醚和環(huán)氧乙烷組成的4匕合物組的至少一種醚。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述搭類為選自由甲醛和乙醛組成的^:合物組的至少一種醛。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述羧酸類為選自由甲酸和乙酸組成的化合物組的至少一種狻酸。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述酯類為選自由氯甲酸乙酯和乙酸乙酯組成的化合物組的至少一種酯。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述胺類為選自由二甲胺和三乙胺組成的化合物組的至少一種胺。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述二酮類為選自由四甲基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮組成的4匕合物組的至少一種二酮。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中祈述磁性器件為TMR。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述等離子體氣氛通過將選自由氧、臭氧、氮、H20、N20、N02和C02組成的氣體組的至少一種氣體添加至所述氣化化合物中而形成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述醚類為選自由二曱醚、乙醚和環(huán)氧乙烷組成的化合物組的至少一種醚。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述醛類為選自由甲醛和乙醛組成的化合物組的至少一種醛。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述羧酸類為選自由甲酸和乙酸組成的化合物組的至少一種羧酸。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述酯類為選自由氯曱酸乙酯和乙酸乙酯組成的化合物組的至少一種酯。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述胺類為選自由二甲胺和三乙胺組成的化合物組的至少一種胺。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造磁性器件的方法，其中所述二酮類為選自由四曱基庚二酮、乙酰丙酮和六氟乙酰丙酮組成的化合物組的至少一種二酮。16.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述非有機材料掩模包括選自由在元素周期表中的第ni族、第iv族、第V族和第VI族組成的金屬組的金屬原子材料，或此類金屬原子和非金屬原子的混合材料的至少一種膜。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造磁性器件的方法，其中所述非有機材料掩模包括由Ta、Ti或Al金屬，非金屬，此類金屬或非金屬的氧化物，或者此類金屬或非金屬的氮化物組成的至少一種膜。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造磁性器件的方法，其中所述非金屬為Si。19.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述磁性膜為通過層壓磁性膜和抗磁性膜形成的層壓磁性膜。20.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造磁性器件的方法，其中所述磁性器件為TMR。全文摘要使用非有機膜掩模在等離子體氣氛中蝕刻磁性膜以生產(chǎn)磁性元件。所述等離子體氣氛由選自由醚類、醛類、羧酸類、酯類和二酮類組成的組的至少一種氣化化合物來形成。在等離子體氣氛中使用非有機材料掩模蝕刻包含選自由元素周期表中第8族、第9族和第10族元素組成的組的至少一種金屬的磁性膜或抗磁性膜?？梢詫⑦x自氧、臭氧、氮、H₂O、N₂O、NO₂和CO₂組成的組的至少一種氣體作為等離子體氣氛氣體添加至所述氣化化合物。蝕刻速率和蝕刻比是令人滿意的。文檔編號H01L43/12GK101641807SQ20078005242公開日2010年2月3日申請日期2007年3月30日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者小平吉三,長田智明申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司