磁性材料及磁性材料的制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請是申請日為2012年8月31日、申請?zhí)枮?01210320275. 4、發(fā)明名稱為"磁 性材料、磁性材料的制造方法及感應(yīng)器元件"的發(fā)明專利申請的分案申請。
[0002] 本申請基于2011年8月31日提出的日本專利申請2011-189070并主張其優(yōu)先權(quán)， 將其所有的內(nèi)容援引于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明主要涉及磁性材料及磁性材料的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 目前，磁性材料被應(yīng)用于感應(yīng)器元件、電磁波吸收體、磁性油墨、天線裝置等各種 設(shè)備的部件中，是非常重要的材料。這些部件根據(jù)目的利用磁性材料所具有的導(dǎo)磁率實(shí)部 (相對導(dǎo)磁率實(shí)部）y'或?qū)Т怕侍摬浚ㄏ鄬?dǎo)磁率虛部）y"的特性。例如感應(yīng)器元件或 天線裝置利用高y'（且低y"），電磁波吸收體利用高y"。因此，實(shí)際中作為設(shè)備使用的 情況下，必須按照器材的利用頻帶來控制y'及y"。
[0005] 近年來，器材的利用頻帶不斷高頻帶化，在高頻下具備高y'和低y"且特性優(yōu)異 的磁性材料的開發(fā)成為當(dāng)務(wù)之急。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實(shí)施方式的磁性材料的特征在于，具有磁性粒子，所述磁性粒子含有：平 均粒徑為lnm以上且100nm以下且包含選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性金屬 的金屬納米粒子、以及存在于所述金屬納米粒子間且包含選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、 Mn、Ba、Sr、Cr、Mo、Ag、Ga、Sc、V、Y、Nb、Pb、Cu、In、Sn、稀土類元素中的至少 1 種非磁性金屬 和氧（〇)、氮（N)、或碳（C)中的任一種的第1夾雜相，所述磁性粒子是平均短尺寸為10nm 以上且1ym以下、平均縱橫尺寸比為5以上的形狀的粒子集合體，所述金屬納米粒子的體 積填充率相對于所述粒子集合體整體為40體積％以上且80體積％以下。
[0007] 近年，具有高y'和低y"的磁性材料在用于功率半導(dǎo)體中的功率感應(yīng)器元件中 的應(yīng)用受到關(guān)注。近年，一直在強(qiáng)烈倡導(dǎo)節(jié)能、環(huán)保的重要性，減少co2排放量和降低對化 石燃料的依賴度變得不可欠缺。
[0008] 其結(jié)果是，代替汽油汽車的電動車和混合動力車的開發(fā)正在積極地進(jìn)行。此外，太 陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等利用自然能源的技術(shù)被稱為節(jié)能社會的關(guān)鍵技術(shù)，各發(fā)達(dá)國家一直 在積極開發(fā)自然能源的利用技術(shù)。進(jìn)而，作為對環(huán)境溫和的省電系統(tǒng)，一直強(qiáng)烈倡導(dǎo)構(gòu)建將 通過太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電等發(fā)出的電力通過智能電網(wǎng)（smartgrid)進(jìn)行控制、從而高效 地對家庭內(nèi)或辦公室、工廠進(jìn)行供求的HEMS(HomeEnergyManagementSystem，家庭能源 管理系統(tǒng)）、BEMS(BuildingandEnergyManagementSystem，樓宇能源管理系統(tǒng)）的重要 性。
[0009] 在這樣的節(jié)能化的潮流中，擔(dān)負(fù)重要作用的是功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體是高效地 控制高電力和能源的半導(dǎo)體，除了IGBT(insulatedgatebipolartransistor，絕緣柵雙 極晶體管）、M0SFET、功率雙極晶體管、功率二極管等分立功率半導(dǎo)體之外，還包括線性調(diào)節(jié) 器、開關(guān)調(diào)節(jié)器等電源電路、以及用于控制它們的功率管理用LogicLSI等。
[0010] 功率半導(dǎo)體在家電、計(jì)算機(jī)、汽車、鐵路等所有的器材中被廣泛使用，可期待這些 應(yīng)用器材的普及擴(kuò)大、以及在這些器材中搭載功率半導(dǎo)體的比率的擴(kuò)大，因此，可以預(yù)計(jì)到 今后功率半導(dǎo)體的市場會大幅增長。例如，在多數(shù)家電所搭載的變換器中，可以說基本上都 使用了功率半導(dǎo)體，由此能大幅地節(jié)能。
[0011] 目前，功率半導(dǎo)體中，Si是主流，但是，為了進(jìn)一步的高效率化和器材的小型化，認(rèn) 為利用SiC、GaN是有效的。SiC和GaN與Si相比，帶隙和絕緣破壞電場大，能使耐壓增高， 因此能減薄元件。因而，能降低半導(dǎo)體的導(dǎo)通電阻，對于低損耗化、高效率化是有效的。此 外，SiC和GaN的載流子迀移率高，因此，能使開關(guān)頻率高頻化，對于元件的小型化是有效 的。進(jìn)而，特別是SiC與Si相比導(dǎo)熱率高，因此放熱能力高，能進(jìn)行高溫工作，能簡化冷卻 機(jī)構(gòu)，對于小型化是有效的。
[0012] 從以上的觀點(diǎn)出發(fā)，一直在積極地進(jìn)行SiC、GaN功率半導(dǎo)體的開發(fā)。但是，為了使 其實(shí)現(xiàn)，與功率半導(dǎo)體一起使用的功率感應(yīng)器元件的開發(fā)、即高導(dǎo)磁率磁性材料（高y'和 低y"）的開發(fā)是不可欠缺的。此時(shí)，作為磁性材料所要求的特性，驅(qū)動頻帶下的高導(dǎo)磁率、 低磁損耗當(dāng)然不用說，能應(yīng)對大電流的高飽和磁化也是必需的。當(dāng)飽和磁化高時(shí)，即使施加 高磁場也難以發(fā)生磁飽和，能抑制實(shí)效的電感值的降低。由此，設(shè)備的直流重疊特性提高， 系統(tǒng)的效率提尚。
[0013] 作為10kHz~100kHz的數(shù)kW級系統(tǒng)用的磁性材料，可舉出鋁硅鐵粉（Fe-Si- Al)、Nanocrystals系Finemet(Fe-Si-B-Cu-Nb)、Fe基/Co基非晶 / 玻璃的帶 / 壓粉體、或者M(jìn)nZn系鐵素體材料。但是，均未完全彳兩足尚導(dǎo)磁率、低損耗、尚飽和磁化、尚熱 穩(wěn)定性、高耐氧化性，是不充分的。
[0014] 此外，系統(tǒng)的驅(qū)動頻率看起來在今后伴隨著SiC、GaN半導(dǎo)體的普及，會進(jìn)一步高 頻化，在100kHz以上的MHz頻帶中為高導(dǎo)磁率、低損耗是必要的，但是，不存在這樣的磁性 材料。因此，滿足高飽和磁化、高熱穩(wěn)定性、高耐氧化性、并且在100kHz以上的MHz頻帶中 滿足高導(dǎo)磁率、低損耗的磁性材料的開發(fā)是不可欠缺的。
[0015] 此外，在高頻下具有高y'和低y"的磁性材料也期待應(yīng)用到天線裝置等高頻通 信器材的設(shè)備中。作為天線的小型化、省電化的方法，有如下方法：將高導(dǎo)磁率（高y'、低y"）的絕緣基板作為天線基板，將從天線到達(dá)通信器材內(nèi)的電子部件或基板的電波卷入， 按照使電波不到達(dá)電子部件或基板的方式進(jìn)行信號收發(fā)。由此，雖然能實(shí)現(xiàn)天線的小型化 和省電化，但是，同時(shí)也有可能使天線的共振頻率發(fā)生寬頻帶化，是不優(yōu)選的。
[0016] 在這樣的應(yīng)用中，在上述功率感應(yīng)器元件用磁性材料被開發(fā)出來時(shí)，存在能適用 的可能性，是優(yōu)選的。
[0017] 進(jìn)而，在電磁波吸收體中，利用高y"，將從電子器材產(chǎn)生的噪音吸收，使電子器材 的錯(cuò)誤動作等不良情況減少。作為電子器材，可舉出1C芯片等半導(dǎo)體元件或各種通信器材 等。這樣的電子器材可在各種頻帶中使用，通過規(guī)定的頻帶求出高y"。通常，磁性材料在 強(qiáng)磁性共振頻率附近取得高y"。但是，如果能抑制除強(qiáng)磁性共振損耗以外的各種磁損耗、 例如渦流損耗或磁疇壁共振損耗等，則在比強(qiáng)磁性共振頻率充分低的頻帶中，y"小且能使 并使y'增大。
[0018]S卩，即使是一種材料，通過改變使用頻帶，能作為高導(dǎo)磁率部件使用，也能作為電 磁波吸收體使用。因此，在開發(fā)出上述功率感應(yīng)器用磁性材料時(shí)，即使作為利用y"的電波 吸收體使用，通過使強(qiáng)磁性共振頻率與利用頻帶相適應(yīng)，也存在能夠應(yīng)用的可能性。
[0019] 另一方面，通常，作為電磁波吸收體而開發(fā)的材料按照將包括強(qiáng)磁性共振損耗、渦 流損耗、磁疇壁共振損耗等各種磁損耗的所有損耗加和而使y"盡量大的方式設(shè)計(jì)。因此， 作為電磁波吸收體開發(fā)的材料在無論哪一種頻帶中作為上述感應(yīng)器元件或天線裝置用的 高導(dǎo)磁率部件（高y'且低y"）使用都是困難的。
[0020] 另外，電磁波吸收體以往通過將鐵素體粒子、羰基鐵粒子、FeAlSi薄片、FeCrAl薄 片等與樹脂混合的粘合劑成形法來制造。但是，這些材料在高頻區(qū)域中y'、y"均極低，未 必能得到滿足的特性。此外，通過機(jī)械合金化法等合成的材料中，存在長時(shí)間的熱穩(wěn)定性欠 缺、合格率低的問題。
[0021] 以上，作為在功率感應(yīng)器元件、天線、電波吸收體中使用的磁性材料，提出了至今 為止各種各樣的材料，但是均無法滿足所要求的材料特性。
【附圖說明】
[0022] 圖1是第1實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0023] 圖2是第1實(shí)施方式的第1變形例的磁性材料的示意圖。
[0024] 圖3是第1實(shí)施方式的第2變形例的磁性材料的示意圖。
[0025] 圖4是第2實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0026] 圖5是第5實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0027] 圖6是第6實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0028] 圖7是第7實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0029] 圖8是第7實(shí)施方式的第1變形例的磁性材料的示意圖。
[0030] 圖9是第7實(shí)施方式的第2變形例的磁性材料的示意圖。
[0031] 圖10是第8實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。
[0032] 圖11是第8實(shí)施方式的變形例的磁性材料的示意圖。
[0033] 圖12A、12B是第10實(shí)施方式的設(shè)備的概念圖。
[0034] 圖13A、13B是第10實(shí)施方式的感應(yīng)器元件的概念圖。
[0035] 圖14是第10實(shí)施方式的感應(yīng)器元件的概念圖。
[0036] 圖15是表示參考例3的導(dǎo)磁率（y'、y"）的頻率特性的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 下面用附圖對實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在附圖中，對于相同或類似的部位賦予相 同或類似的符號。
[0038](第1實(shí)施方式）
[0039] 本實(shí)施方式的磁性材料具備：含有選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種磁性 金屬、選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土類元素、Ba及Sr中的至少1種非磁性金 屬的磁性粒子；將該磁性粒子的至少一部分被覆的第1氧化物的第1被覆層；存在于磁性 粒子間且與第1氧化物構(gòu)成共晶反應(yīng)體系的第2氧化物的氧化物粒子；及存在于磁性粒子 間且含有第1氧化物與第2氧化物的共晶組織的氧化物相。
[0040] 本實(shí)施方式的磁性材料通過具備上述構(gòu)成，在100kHz以上的MHz頻帶中實(shí)現(xiàn)高導(dǎo) 磁率、低損耗。進(jìn)而，還能實(shí)現(xiàn)高飽和磁化、高的熱穩(wěn)定性、高的耐氧化性。
[0041] 圖1是本實(shí)施方式的磁性材料的示意圖。本實(shí)施方式的磁性材料由磁性粒子10、 將該磁性粒子10被覆的第1氧化物的第1被覆層12、存在于磁性粒子10間的第2氧化物 的氧化物粒子14、由第1氧化物與第2氧化物的共晶組織形成的氧化物相16構(gòu)成。
[0042] 磁性粒子10含有選自由Fe(鐵）、Co(鈷）、Ni(鎳）組成的組中的至少1種磁性 金屬、選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土類元素、Ba及Sr中的至少1種非磁性金 屬。磁性粒子10例如為含有Fe、Co及A1(鋁）的合金、或含有Fe、Ni、Si(硅）的合金。
[0043] 第1氧化物與第2氧化物構(gòu)成共晶反應(yīng)體系。即，第1氧化物與第2氧化物生成 共晶。第1氧化物例如為Si(硅）的氧化物，第2氧化物例如為B(硼）的氧化物。
[0044] 將磁性粒子10的至少一部分被覆的第1被覆層12由第1氧化物形成。此外，存 在于磁性粒子10間的氧化物粒子14由第2氧化物形成。
[0045] 存在于磁性粒子10間的氧化物相16由第1氧化物和第2氧化物形成，具備第1 氧化物與第2氧化物的共晶組織。這里所說的共晶組織是通過共晶反應(yīng)生成的凝固組織， 為2種晶體層狀交替排列而成的層狀（片狀）共晶組織、或以棒狀排列而成的棒狀共晶組 織、以螺旋狀排列而成的螺旋狀共晶組織等。此時(shí)，例如層狀組織、棒狀組織、螺旋狀組織的 各個(gè)層（或棒）的間隔取決于共晶組成、和凝固速度等凝固條件。
[0046] 根據(jù)本實(shí)施方式，磁性粒子10被共晶組織的氧化物相16包圍，從而抑制磁性粒子 10的凝集，可實(shí)現(xiàn)熱穩(wěn)定且耐氧化性也高的磁性材料。因此，能抑制磁特性變差。
[0047] 此外，共晶組織的氧化物相16的力學(xué)強(qiáng)度也高。因此，在熱循環(huán)時(shí)或施加負(fù)荷時(shí) 難以發(fā)生龜裂或破損，能提高磁性材料的熱穩(wěn)定性和耐氧化性。
[0048] 此外，通過第1氧化物與第2氧化物的共晶反應(yīng)能形成氧化物相16,因此在較低溫 度下能形成強(qiáng)度高的氧化物相16。因此，本實(shí)施方式的磁性材料能通過較低溫的工藝來制 造。因而，根據(jù)本實(shí)施方式，能抑制制造中的磁性粒子10的氧化或變質(zhì)等。
[0049] 在本實(shí)施方式中，在磁性粒子10間，除了氧化物相16,單獨(dú)地將熔點(diǎn)高的第1氧化 物作為第1被覆層12、并單獨(dú)地將熔點(diǎn)高的第2氧化物作為氧化物粒子殘留，從而能使熱穩(wěn) 定性、耐氧化性進(jìn)一步提尚。
[0050] 磁性粒子10在球狀的情況下，優(yōu)選平均粒徑為50nm以上且50ym以下。若磁性 粒子10的粒徑增大，則頑磁力降低，是優(yōu)選的，但是，另一方面，在磁性粒子10的阻抗小的 情況下，若粒徑過大，則渦流損耗增大，不優(yōu)選。相反，若磁性粒子10的粒徑過小，則渦流損 耗減小，是優(yōu)選的，但是，頑磁力增大，不優(yōu)選。
[0051] 另外，磁性材料的磁損耗主要由渦流損耗、磁滯損耗、強(qiáng)磁性共振損耗這三者構(gòu) 成，優(yōu)選任一者均低。其中，磁滯損耗是由磁性材料的頑磁力引起的損耗，若頑磁力增大，則 在使對磁性材料施加的磁場增大時(shí)磁滯損耗增大，不優(yōu)選。上述的平均粒徑的討論是為了 使渦流損耗和磁滯損耗的合計(jì)成為最小而對最適的粒徑進(jìn)行的討論，但是最適粒徑范圍根 據(jù)使用的頻帶而變化。在100kHz以上的MHz頻帶中，為了使渦流損耗、磁滯損耗的合計(jì)成 為最小，最適的平均粒徑為50nm以上且50ym以下。
[0052] 此外，磁性粒子10可以為球狀，但是，更優(yōu)選為具有大的縱橫尺寸比的扁平狀、棒 狀。棒狀也包括旋轉(zhuǎn)橢圓體。
[0053] 這里，"縱橫尺寸比"是指，粒子的長度成為最長的方向的粒子的尺寸（長尺寸） 與在相對于上述方向垂直的方向上粒子的長度成為最短的方向的粒子的尺寸（短尺寸）的 比、即"長尺寸/短尺寸"。因此，通常，縱橫尺寸比成為1以上。在完全的球狀的情況下，長 尺寸和短尺寸均與球的直徑相等，因此，縱橫尺寸比成為1。扁平狀粒子的縱橫尺寸比為直 徑（長尺寸）/高度（短尺寸）。棒狀的縱橫尺寸比為棒的長度（長尺寸）/棒的底面的直 徑（短尺寸）。但是，旋轉(zhuǎn)橢圓體的縱橫尺寸比為長軸（長尺寸）/短軸（短尺寸）。若縱橫 尺寸比增大，則能賦予由形狀帶來的磁各向異性，通過將易磁化軸的方向統(tǒng)一到一個(gè)方向， 從而能使導(dǎo)磁率與導(dǎo)磁率的高頻特性提高。另外，對于大量的粒子，以將縱橫尺寸比平均化 而得到的值作為"平均縱橫尺寸比"。此外，對于大量的粒子，以將長尺寸、短尺寸平均化而 得到的值作為"平均長尺寸"、"平均短尺寸"。
[0054] 另外，若縱橫尺寸比大，則由于賦予由形狀帶來的磁各向異性，從而能在將磁性粒 子10 -體化而制作所希望的磁性材料時(shí)通過磁場容易地進(jìn)行取向。此外，通過增大縱橫尺 寸比，在將磁性粒子10 -體化而制作所希望的磁性材料時(shí)，與將球狀磁性粒子一體化的情 況相比，能使磁性粒子10的填充率增大，因此，能使磁性材料的每單位體積、每單位重量的 飽和磁化增大，結(jié)果是也能使導(dǎo)磁率增大。
[0055] 另外，在扁平狀、棒狀的粒子的情況下，優(yōu)選平均高度（棒狀的情況下為平均直 徑）為l〇nm以上且lym以下，更優(yōu)選平均高度（棒狀的情況下為平均直徑）為10nm以 上且lOOnm以下。平均縱橫尺寸比越大越優(yōu)選，優(yōu)選為5以上。更優(yōu)選為10以上。它們在 100kHz以上的MHz頻帶中使禍流損耗、磁滯損耗的合計(jì)成為最小，因此是適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0056] 磁性材料中的磁性粒子10的體積率相對于磁性材料整體優(yōu)選占10 %以上且70 % 以下的體積率。若體積率超過70%，則有可能磁性材料的電阻減小，渦流損耗增加，高頻磁 特性變差。若使體積率小于10%，則有可能由于磁性金屬的體積分率降低，磁性材料的飽和 磁化降低，并且由此使得導(dǎo)磁率降低。
[0057] 磁性粒子10中所含的磁性金屬包含選自由Fe、Co、Ni組成的組中的至少1種，特 別是Fe基合金、Co基合金、FeCo基合金、FeNi基合金能實(shí)現(xiàn)高的飽和磁化，因此優(yōu)選。Fe 基合金可舉出含有作為第2成分的Ni、Mn、Cu等的例如FeNi合金、FeMn合金、FeCu合金。 Co基合金可舉出含有作為第2成分的Ni、Mn、Cu等的例如CoNi合金、CoMn合金、CoCu合 金。FeCo基合金可舉出含有作為第2成分的Ni、Mn、Cu等的合金。
[0058] 為了使磁性粒子10的高頻磁特性提高，這些第2成分是有效的成分。FeNi基合金 由于磁各向異性小，因此是對于得到高導(dǎo)磁率有利的材料。尤其是Fe為40原子％以上且 60原子％以下的FeNi合金由于飽和磁化高且各向異性小，因此優(yōu)選。
[0059] 在磁性金屬中，特別優(yōu)選使用FeCo基合金。FeCo中的Co量從滿足熱穩(wěn)定性及耐 氧化性和2特斯拉以上的飽和磁化的方面出發(fā)，優(yōu)選設(shè)為10原子％以上且50原子％以下。 從進(jìn)一步提高飽和磁化的觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選的FeCo中的Co量為20原子％以上且40原子％ 以下的范圍。
[0060] 磁性粒子10如本實(shí)施方式所述優(yōu)選含有非磁性金屬。此時(shí)，優(yōu)選磁性粒子10中所 含的磁性金屬與非磁性金屬互相固溶。通過固溶，能提高機(jī)械強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性、耐氧化性。
[0061] 非磁性金屬為選自18、41、3;[、03、21'、1';[、批、211、]\111、稀土類元素、1^及31'中的至 少1種金屬。這些非磁性金屬能使磁性粒子10的電阻提高，且能使熱穩(wěn)定性及耐氧化性提 高。其中，Al、Si與作為金屬納米粒子的主成分的Fe、Co、Ni容易固溶，對于磁性粒子的熱 穩(wěn)定性的提高有貢獻(xiàn)，因此優(yōu)選。
[0062] 作為非磁性金屬的量，優(yōu)選相對于磁性金屬以0. 001原子％以上且20原子％以下 的量含有。若非磁性金屬的含量分別超過20原子％，則有可能使磁性粒子的飽和磁化降 低。從高飽和磁化和固溶性的觀點(diǎn)出發(fā)，作為更優(yōu)選的量，為0.001原子％以上且5原子％ 以下的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 01原子％以上且5原子％以下的范圍。
[0063] 特別是在作為磁性金屬含有FeCo基合金、作為非磁性金屬含有選自A1及Si中的 至少1種元素的磁性粒子10中，選自A1及Si中的至少1種元素（共存的情況下將各自合 計(jì)）優(yōu)選以相對于FeCo為0. 001原子％以上且5原子％以下的范圍配合，更優(yōu)選以0. 01 原子％以上且5原子％以下的范圍配合。由此，尤其是能夠良好地確保飽和磁化和熱穩(wěn)定 性及耐氧化性。
[0064]作為磁性粒子10的晶體結(jié)構(gòu)，可考慮體心立方晶格結(jié)構(gòu)（bcc)、面心立方晶格結(jié) 構(gòu)（fee)、六方最密堆積結(jié)構(gòu)（hep)，分別具有特征。關(guān)于bcc結(jié)構(gòu)，由于在Fe基合金的多 數(shù)的組成中具有bee結(jié)構(gòu)，因此廣泛具有容易合成的優(yōu)點(diǎn)。fee結(jié)構(gòu)由于與bee結(jié)構(gòu)相比能 減小磁性金屬的擴(kuò)散系數(shù)，因此具有能使熱穩(wěn)定性和耐氧化性變得較大的優(yōu)點(diǎn)。hep結(jié)構(gòu) (六方晶結(jié)構(gòu)）具有能使磁性材料的磁特性成為面內(nèi)單軸各向異性的優(yōu)點(diǎn)。具有hep結(jié)構(gòu) 的磁性金屬通常具有大的磁各向異性，因此容易進(jìn)行取向，能使導(dǎo)磁率增大。特別是Co基 合金容易具有hep結(jié)構(gòu)，是優(yōu)選的。Co基合金的情況下，通過含有Cr或A1，能使hep結(jié)構(gòu) 穩(wěn)定化，因此優(yōu)選。
[0065] 另外，在具備面內(nèi)單軸各向異性的磁性材料中，易磁化面內(nèi)的各向異性磁場優(yōu)選 為10e以上且5000e以下，更優(yōu)選為100e以上且5000e以下。這是為了在100kHz以上的 MHz頻帶中維持低損耗和高導(dǎo)磁率而優(yōu)選的范圍。若各向異性過低，則強(qiáng)磁性共振頻率在低 頻下發(fā)生，在MHz頻帶中損耗增大，不優(yōu)選。
[0066] 另一方面，若各向異性大，則強(qiáng)磁性共振頻率高，能實(shí)現(xiàn)低損耗，但是導(dǎo)磁率也減 小。能兼顧高導(dǎo)磁率和低損耗的各向異性磁場的范圍優(yōu)選為l〇e以上且5000e以下，更優(yōu) 選為100e以上且5000e以下。
[0067] 另外，為了在磁性材料中誘發(fā)面內(nèi)單軸各向異性，不僅有使上述hep結(jié)構(gòu)的磁性 粒子取向的方法，還有使磁性粒子10的結(jié)晶性盡量非晶化、通過磁場或變形在面內(nèi)一個(gè)方 向上誘發(fā)磁各向異性的方法。為此，優(yōu)選設(shè)定成容易盡量使磁性粒子非晶化的組成。
[0068] 在這樣的觀點(diǎn)中，磁性粒子10中所含的磁性金屬含有與非磁性金屬不同的選自 B、Si、C、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Cr、Cu、W中的至少1種添加金屬，所述添加金屬相對于磁性 金屬和非磁性金屬和添加金屬的合計(jì)量含有〇. 001原子％以上且25原子％以下，優(yōu)選磁性 金屬、非磁性金屬、或者添加金屬中的至少兩者互相固溶。
[0069] 本實(shí)施方式中的第1氧化物與第2氧化物的組合（第1氧化物一第2氧化物或第 2 氧化物一第 1 氧化物）可以考慮例如B203 -SiO2'B203 -Cr203、B203 -MoO3、B203 -Nb205、 B203-Li2〇3、B203 -BaO、B203 -ZnO、B203 -La203、B203 -P205、B203 -A1 203、B203 -GeO2、 B203一WO3、B203 -Cs20、B203 -K20、Na20 -Si02、Na20 -B203、Na20 -P205、Na20 -Nb205、 Na20 - W03、Na