專利名稱：由太陽能電池制造太陽能子電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由太陽能電池制造太陽能子電池(solar sub-cell)的方法。
背景技術(shù)：
對于制造(薄膜型)太陽能電池組件來說，必需將電池劃分成多個子 電池并將這些子電池串聯(lián)連接，從而形成組件。電流的路徑和電流密度是 受限制的，以使由電阻引起的損失降低。組件電壓被升高，以使其更好地 適應(yīng)于可能的應(yīng)用。在采用薄膜技術(shù)的情況下，所述組件主要由很多帶狀 的電池組成。這些電池相互單片式(monolithically)連接。在兩個相鄰的 電池之間，前電極和背電極(backelectrode )被中斷。在兩個中斷之間， 前電極和背電極被電連接。
薄膜型太陽能電池的主要層是透明導電氧化物層(前電極，位于太陽 能電池的接收入射光的一側(cè))、活性層(例如，硅)和金屬層(背電極， 位于太陽能電池的另一側(cè))。另外，承栽所述電池的a也是重要的。
為了獲得串聯(lián)連接的薄膜型太陽能電池，通常需要進行以下工藝步驟
* 沉積在(玻璃)基板上的透明導電氧化物層(TCO)被構(gòu)圖
(pattern)而具有平行的槽。這些槽形成了前電極中的中斷。
* 在該TCO層之上沉積的活性(例如，硅)層也被構(gòu)圖而具有 平行的槽。這些槽形成了前電極和以后形成的背電極之間的連 接。
* 沉積在該活性層之上的背電極被構(gòu)圖而具有槽，這些槽形成中 斷。
為了避免過多的死區(qū)(dead zone)，這三個層中的圖形必須盡可能地
4相互靠近，并且各個層中的槽必須盡可能地窄。非常精確地重新定位是4艮 重要的。
這種已知的工藝很費時間，因為它涉及三個獨立的工藝步驟，而且， 由于精度的要求，該工藝復(fù)雜。尤其是，對于在柔性a上的薄膜型太陽 能電池，伴隨著多個步驟的構(gòu)圖處理，由于各個層的沉積導致的橫向尺度 的變化非常復(fù)雜。
因此，需要有一種制造太陽能電池組件的簡便方法，能夠在單個的連 續(xù)執(zhí)行的工藝中執(zhí)行該方法。
P. Pernet等人曾經(jīng)提出過一種單步驟工藝(Proc. 2nd World Conference PV， Wien， July 1998)。根據(jù)該工藝，在基板上沉積了所有需 要的層(金屬背電極、NIP層和ITO或ZnO前電極)之后，在一個工藝 步驟中，利用選擇性激光劃片(selective laser scribing)形成三個深度不同 的槽，然后用絕緣化合物填充最深的向下到達M的槽，并且用導電骨體 填充第二深的向下到達金屬背電極的槽，該導電膏體覆蓋位于最深的槽中
的絕緣膏體，從而在背電極和前電極之間形成電連接。向下到達活性NIP 層的最淺的槽是前電極中的中斷。對于商業(yè)產(chǎn)品來說，這個方法似乎是不 實用的，因為在執(zhí)行激光劃片步驟時，不能夠總是避免在所開的槽中形成 分支(shunting)。
WO 2005/015638描述了 一種在基于臨時的基板的太陽能電池薄片 (solar cell foil)中提供串聯(lián)連接的方法，其中，部分的M保留在太陽能 電池薄片上的互連位置處，以在互連上形成由保護材料構(gòu)成的帽。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠可靠地在商業(yè)上應(yīng)用的單步驟方法。
為此，發(fā)展了一種方法，其允許在一個工藝步驟中執(zhí)行所有需要的構(gòu) 圖。由于不需要進行重新定位，因此該方法能夠迅速并相對簡單地執(zhí)行。 當電極和活性層之一已沉積在M上時，進行構(gòu)圖。本發(fā)明涉及一種制造太陽能電池組件的方法，所述太陽能電池組件包 括串聯(lián)連接的多個太陽能電池，其包括第一電極、活性層和第二電極，其
中所述第一電極和第二電極中的至少一個是透明導電氧化物層，所述方法
包括以下步驟
a) 在包括至少^L的系統(tǒng)中，形成第一中斷槽和第二互連槽的至少一 個對，其中所述141被第一電極層覆蓋，所述第一電極層被活性層覆蓋， 所述第一中斷槽在前電極和活性層中提供中斷，所述第二互連槽貫穿所述 活性層，所述第一槽和第二槽定位為相互靠近；
b) 在所述中斷槽中填入絕緣化合物；
c) 在步驟b)之前，或與步驟b)同時，或在步驟b)之后，在所述 活性層上鄰近所述互連槽的位置處，在所述互連槽的與所述絕緣槽相反的 一側(cè)，施加剝離(lift-off)化合物；
d )在所述活性層、所述絕緣化合物和所述剝離化合物之上施加第二電 極；以及
e)去除所述剝離化合物以及在該位置處覆蓋的第二電極，從而在所述 第二電極中形成槽。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的步驟a)中，設(shè)置第一中斷槽，該第一中斷槽 在前電極中提供了中斷。在該槽的第一實施例中，當?shù)谝浑姌O是透明導電 氧化物層和當?shù)谝浑姌O是金屬背電極這兩種情況下，都可以通過形成貫穿 活性層和第一電極層的槽來提供中斷。在本發(fā)明的另一實施例中，僅當?shù)?一電極是透明導電氧化物層時，可以通過以這樣的方式形成貫穿活性層的 槽來提供中斷，以便在絕緣槽的位置處透明導電氧化物層被玻璃化 (vitrify)以在所述電極層中形成絕緣部分，即中斷。在該后一種實施例 中，利用了這樣的事實，即，用作電極材料的一些材料在接受了足夠的能 量時顯示出玻璃化的特性。玻璃化的材料不是導電的，而是絕緣的。當這 種類型的材料被用作電極時，通過提供貫穿活性層的第一絕緣槽，同時提 供足夠的能量以使電極層在絕緣槽的位置處被玻璃化，可以獲得在兩個太 陽能電池之間的絕緣。在一種實施例中，使用具有適當波長的激光，以使在活性層中槽的設(shè)置與下伏的(underlying)透明導電氧化物層的玻璃化組合。對合適的玻璃化方法的選擇在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)。用于該實施例的適當?shù)碾姌O材料包括銦錫氧化物(indium tin oxide)、氧化鋅、摻雜有鋁、氟、鎵或硼的氧化鋅、氧化鎘、氧化錫、金屬錫酸鹽(例如，錫酸鋅或錫酸鎘)，以及摻F的Sn02、摻Sb的Sn02、摻p的TCO,例如，銅酸鹽(例如Sr基銅酸鹽)。
如上所述，第一電極和第二電極中的至少一個是透明導電氧化物層。如果第一電極和第二電極都是透明導電氧化物層，就得到了一種半透明太陽能電池系統(tǒng)。然而，優(yōu)選第一電極和第二電極中的一個為透明導電氧化物層，而第一電極和第二電極中的另一個為背電極，即，不透明金屬層。因為背電極幫助將光線反射回太陽能電池，這樣配置的電池總體上顯示出更高的效率。
在本發(fā)明的一個實施例中，第一電極為沉積在永久基K (例如，玻璃或耐高溫透明聚合物a上的透明導電氧化物層。在本說明書的行文中，永久性基板是在太陽能電池可以被使用之前不被去除的基板。在另一實施例中，第一電極是沉積在臨時14l上的透明導電氧化物層。在本說明書的行文中，臨時14l是在太陽能電池可以被使用之前要從TCO去除的J4l。使用臨時141的方法在本領(lǐng)域是已知的，并且在例如WO 98/13882或W099/49483中描述了這些方法。在再一實施例中，第一電極是沉積在永久性或臨時基&上的背電極。
總之，對于根據(jù)本發(fā)明的方法中使用的基板，無論是永久性的還是臨時基板，都優(yōu)選為薄片(foil)的形式，以使該方法可以作為巻至巻(roll-to-roH )方法來執(zhí)行。
這樣的實施例是本發(fā)明的有吸引力的實施例，其中，第一電極是沉積在臨時a上的透明導電氧化物層，該臨時M是金屬薄片。
這樣的實施例也是本發(fā)明的有吸引力的實施例，其中，第一電極是沉積在永久性的玻璃或聚合物M上的透明導電氧化物層。
這樣的實施例也是本發(fā)明的有吸引力的實施例，其中，第一電極是沉
7積在永久性的玻璃或聚合物M上的背電極層。
如以上所指出的，在將要形成的兩個相鄰的電池之間，兩個槽設(shè)置為彼此靠近，第一槽在第一電極中提供中斷，而第二槽僅貫穿活性層。該第二槽用于在前電極與背電極之間的將來的連接。這些槽定位為靠近在一起，以j吏死區(qū)最小4匕。
接下來，用絕緣化合物填充該第一絕緣槽，該絕緣化合物例如是避免在該位置處短路的惰性和絕緣的膏體。典型的絕緣化合物是本領(lǐng)域公知的
有機單組分或多組分絕緣成分，例如環(huán)氧樹脂(該環(huán)氧樹脂基于雙酚A或F或基于其他多元醇(例如脂族二醇))、酚醛樹脂以及具有脂環(huán)族主鏈的環(huán)氧化物，以;5L^應(yīng)性稀釋劑，例如，丁基縮水甘油醚、甲酚縮7JC甘油醚、2-乙基己基縮7jC甘油醚等。通過利用普通固化劑在用于形成交聯(lián)反應(yīng)類型的適當?shù)墓袒疢下(加熱，UV光引發(fā)固化等)進行固化處理(或加聚作用)，這些樹脂可以被轉(zhuǎn)化成具有期望的機械特性和電絕緣特性的熱固性化合物，所述固化劑例如是，多元酸和酸酐、單胺和多胺、M樹脂、聚酰胺、聚脲、多硫醇、聚硫醇(polymercaptane) 、 Lewis酸等。考慮到處理的速度，通過UV光固化的交聯(lián)是優(yōu)選的。合適的酸酐是鄰苯二甲酸酐、(甲基)四氫鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、(甲基)六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐(nadic methyl anhydride )、十二烷基琥珀酸酐等。聚酰胺的例子有Cognis公司的Versamid⑧以及Air Products公司的Ancamide⑧。合適的胺有二乙氨基丙胺、二亞乙基三胺、二乙基甲苯二胺、三亞乙基四胺、四亞乙基五胺、多亞乙基多胺、1，2-環(huán)己烷二胺、氨乙基哌溱、間苯二胺、雙氰胺、二氨基二苯砜。通過加入醇、酚、酸、叔胺以及含硫化合物，可以對所述固化反應(yīng)進行催化。合適的硫醇有脂族和芳族(多)硫醇，如l，2-乙二硫醇、1，3-丙二硫醇、1，4-丁二硫醇、季戊四醇四巰基乙酸酯、1，2-乙二醇二巰基乙酸、1，4-苯二曱醇二巰基乙酸、1,3-苯二曱醇二巰基乙酸、1，2-苯二甲醇二巰基乙酸、1，4-苯二曱硫醇、1，3-苯二甲硫醇、1，2-苯二甲硫醇等。另一類的樹脂包括(多)羥基官能化樹脂((poly)hydroxy畫functional resin )，如幾基封端聚酯、聚醚二醇、聚醇，例如，用多異氰酸酯或多異氰脲酸酯交聯(lián)的Desmophen ,例如，Desmodur⑧。在兩種情況中，可選擇地用來將所述絕緣化合物施加到所述槽的溶劑應(yīng)該在進行固化之前揮發(fā)掉。也可以使用其他的絕緣化合物，例如，丙烯酸化單體和丙烯酸化(預(yù))聚物或丙烯酸化(共)聚物或馬來酰亞胺(共)聚物的混合物。在隨后在升高的溫度下進行PV薄片層壓的情況下，優(yōu)選通過加熱或UV使這些化合物交聯(lián)，因為熱塑性塑料(沒有交聯(lián)的聚合物)在層壓的條件下傾向于流動?？紤]到為了承受串聯(lián)連接的PV膜的機械負載所需要的對槽壁的粘著性，有必要適當?shù)剡x擇所述絕緣化合物。
最后，與第二連接槽相鄰地在與第 一絕緣槽相反的一側(cè)施加第二化合物。該膏體用作剝離化合物，該剝離化合物準備在第二電極上形成中斷。典型的剝離化合物為纖維素衍生物，例如，羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、聚乙二醇、聚丙二醇、聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、聚乙烯醇及其混合物?？梢允褂眠@些聚合物中的兩種或多種的混合物，例如，聚乙二醇和聚丙二醇的混合物。這些聚合物通常與填料顆?；旌?，該填料顆粒例如是滑石、鹽(例如硫酸鋇)、硅石(silica)、粘土 (例如蒙脫土)等。優(yōu)選的M材料是諸如Akzo Nobel公司的Kromasil⑧等^J5 。所述填料顆粒也可以是可膨脹的顆粒，例如Expancd⑧類型的可熱膨脹的顆粒。也可以使用水溶性顆粒，只要所述溶劑不是水。
優(yōu)選同時施加所述剝離化合物和所述絕緣化合物，以j吏得在所述方法中同時應(yīng)用兩種化合物。
也可以在形成槽之前首先沉積剝離化合物線。在這個階段就已經(jīng)形成了所有所需要的圖形。
然后，沉積第二電極。通過本體工藝(bulk process)，僅在剝離骨體線的位置處去除第二電極而不需要重新定位。在顯影(develop )剝離線之后，實現(xiàn)了與所述圖形相反的太陽能電池的各個部分之間的串聯(lián)連接。


通過圖l示例本發(fā)明。圖l示出了本發(fā)明的各個工藝步驟。本發(fā)明不應(yīng)被理解為僅限于所述圖所示出的內(nèi)容，或被該圖示出的內(nèi)容限制。
具體實施例方式
i) 表示這樣的太陽能電池，其包括基板l、電極層2和活性層3。該基板可以是要被提供構(gòu)圖層的任何材料。因此，該基板可以由例如玻璃、聚合物或金屬的單一的片構(gòu)成，但它也可以由多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。該基板可以
是臨時M或永久性141。
ii) 在活性層和電極層中形成一對槽4、 5。第一槽被形成為穿過電極層和活性層，而第二槽形成為只穿過活性層?？梢砸詭追N方式形成該槽，例如，通過刻劃，通過化學蝕刻，或通過激光蝕刻。優(yōu)選采用后一種方法。如上所述，在第一電極是透明導電氧化物層的情況中，也可以通過在確保透明導電氧化物層的玻璃化的同時設(shè)置穿過活性層的槽，在所述透明導電氧化物層中設(shè)置中斷。
這兩個槽的寬度通常<0.25 mm，優(yōu)選<0.1 mm，更優(yōu)選為<0.5 mm。這些槽的最小寬度通常為2微米。這一對槽中的第一槽和第二槽之間的距離通常為〈lmm，優(yōu)選為〈0.5mm，更優(yōu)選為<0.25 mm。其最小距離通常為至少5微米。
iii) 用絕緣化合物6填充第一槽，并且在準備在第二電極中形成中斷的位置處在活性層上設(shè)置剝離化合物7。合適的化合物是如上所述的骨體，其可以以本領(lǐng)域中/>知的幾種方式被施加，例如，絲網(wǎng)印刷、使用墨水噴頭(ink-jet)、或4吏用分配器(dispenser)。
在一個實施例中，使用了這樣的剝離化合物，該剝離化合物是在聚合物和溶劑的溶液中平均顆粒尺寸大于2微米的填料顆粒的分散體(dispersion)。在設(shè)置有所述剝離化合物的材料上施加一層厚度小于2微米的背電極材料。
在該實施例中，使用了在聚合物溶液中填料顆粒的*體。采用這種分散體有利地確保在其中該分散體被施加到基板上的位置處有特定的粗糙度，從而在隨后施加的背電極層不會在基板的這些位置處均勻地沉積。而在這種圖形處非均勻地沉積的層又使得聚合物能夠被容易地去除，從而
在該層中^:置期望的槽?？紤]到所不期望的圖形線增寬，在該實施例的剝離化合物中使用的聚合物應(yīng)優(yōu)選在溶劑中的聚合物的濃度相對較低以使該聚合物溶解的M下顯示出高粘性。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，溶液中的聚合物的量與^軟的填料顆粒的量之比必須凈皮優(yōu)化，以獲得圖形線的適當?shù)囊恢滦砸约皥D形(該圖形通常的形式是線條)對其下面的光伏層的適當?shù)恼持?，并且還使得隨后對該圖形的去除容易。合適的聚合物是纖維素衍生物，例如，羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、聚乙二醇、聚丙二醇、聚環(huán)氧乙烷、聚環(huán)氧丙烷、聚乙烯醇以及它們的混合物。可以使用這些聚合物中的兩種或多種的混合物，例如，聚乙二醇和聚丙二醇的混合物。所使用的溶劑可以是適合于溶解所述聚合物的任何溶劑。優(yōu)選所述溶劑為水、醇(例如，曱醇、乙醇、丙醇)，或它們的混合物。
在該實施例中用來提供M體的填料顆粒具有大于2微米的平均顆粒
尺寸，并應(yīng)該優(yōu)選為這樣的惰性顆粒，其平均顆粒尺寸為2至20孩￡米，更優(yōu)選平均顆粒尺寸為5至15微米。太粗的顆粒會導致較低的圖形分辨率和/或較寬的圖形線。例如，所述填料顆?？梢允腔Ⅺ}(例如硫酸鋇)、硅石、粘土 (例如蒙脫土)等。優(yōu)選的硅石材料有諸如Akzo Nobel公司的Kromasil⑧等珪石。所述填料顆粒也可以是可膨脹的顆粒，例如Expance頓類型的可熱膨脹的顆粒。也可以使用水溶性顆粒，只要所述溶劑不是水。在聚合物溶液中填料顆粒的M體優(yōu)選包含至少10重量％的填料顆粒，優(yōu)選在10-50重量％范圍內(nèi)。
聚合物在溶液中的濃度以及分散的填料顆粒的量必須被優(yōu)化以獲得圖形的適當?shù)囊恢滦砸约霸搱D形對M的適當?shù)恼持?，并且同時應(yīng)該產(chǎn)生以后可以被容易地去除的圖形。這種優(yōu)化是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠處理的。舉例來說，當100克的7重量％的在乙醇和水的混合物中的羥丙基纖維素被提供有10克的填料顆粒(例如Kromasil )，則聚合物與填料的比為7比10。例如，通過分配器將#體施加到光伏層上以形成期望的圖形。在所施加的^t體的溶劑蒸發(fā)后，留下了干且粗糙的通常為線形式的圖形。該圖形線的粗糙程度受到*體中的填料顆粒的量、平均顆粒尺寸以及顆粒尺寸分布的影響。
在該實施例中，所施加的背電極層厚度小于2微米，優(yōu)選厚度為0.01至2微米，更優(yōu)選為0.04至1微米。
可以在一次移動(movement)中施加所述槽和膏體線。為此，將多個工具固定在一個塊體中，并且這些工具相對于彼此精確定位。在這種情況下，施加所述槽和膏體線的速度必須相同?？梢詫⒍鄠€這樣的塊體一個挨一個地安裝在一起，從而可以在一次移動中形成很多個槽-線對。這種配置尤其適用于巻至巻工藝。
將絕緣的膏體線施加在深槽4上。從所述槽延伸出來的部分處的寬度不是很重要，它可以是例如0.1mm至0.3mm之間。固化之后的高度不是很重要，其可以是例如O.05mm，優(yōu)選為〈0.02mm，更優(yōu)選為<0.01 mm。
從連接槽到剝離線的中心的距離不是很重要，該距離一般為<0,5 mm，優(yōu)選為<0.25 mm，其對應(yīng)于第一槽的中心與剝離化合物的中心之間的距離，這不是很重要，并且通?！?.6mm，優(yōu)選0.6mm。剝離線的寬度通常在0.05至0.5mm之間，特別地在0.05至0.25mm之間，更特別地在0.05至0.15mm之間。
)沉積第二電極8。
v )通過本體工藝，僅在剝離膏體線的位置處去除第二電極而不進行重新定位。在對剝離線顯影(develop)之后，實現(xiàn)了與所述圖形相反的太陽能電池的各個部分之間的串聯(lián)連接。對剝離化合物的去除可以通過以下方式來執(zhí)行，使該系統(tǒng)與合適的溶劑接觸足夠長時間，以在施加了#體的位置處使通常為聚合物的剝離化合物膨脹和/或溶解，然后去除該化合物，可選擇地，與不再(完全)粘著的填料顆粒一起去除該化合物。當在上述工藝期間在被構(gòu)圖的位置處的所述層沒有被完全去除時，可以在隨后的諸如進一步的溶解或施加機械力的步驟(例如，通過清洗、擦拭和/或(輕輕
12地)刷)中去除剩余物。在使用包含填料的^t體的實施例中，在存在聚合物和填料顆粒的位置處層的非均勻沉積使得該層被容易地去除。
與溶劑進行接觸的處理可以在低于該溶劑沸點的任何溫度下進行，但
通常在環(huán)境溫度，例如15。C至50。C下進行。
典型地，用于進行萃取的溶劑是例如水、醇(例如甲醇、乙醇或丙醇)、或其混合物。如果剝離化合物包含溶劑，則用于進行萃取的溶劑可以是與用于形成聚合物M體的溶劑相同的溶劑。
以上已描述了用于本發(fā)明的合適的透明導電氧化物。
所述活性層是光伏層，其可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何合適的系統(tǒng)，例如，非晶硅(a-Si:H)、微晶硅、多晶硅、單晶硅、非晶碳化硅(a畫SiC )和a曙SiC:H、非晶硅-鍺(a曙SiGe)和a-SiGe:H、 a-SiSn:H。而且，可以使用CIS(二硒化銅銦CuInSe2)、碲化鎘、Cu(In，Ga)Se、 Cu(In，Ga，或其他)S、 ZnSe/CIS、 ZnO/CIS、和Mo/CIS/CdS/ZnO。優(yōu)選使用非晶或微晶硅的薄膜型太陽能電池。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜型太陽能電池片中的背電極優(yōu)選既用作反射器又用作電極。通常，背電極具有約50至500nm的厚度，其可以包含任何具有光反射特性的合適的導電材料，優(yōu)選為金屬，特別地是鋁、銀，或這兩種材料層的組合，并且該導電材料與半導體層形成良好的歐姆接觸。優(yōu)選地，可以通過例如電沉積、(在真空中)物理氣相沉積或'減射，在相對低的溫度(例如低于250°C)下，施加所述金屬層。在使用銀的情況下，優(yōu)選首先施加粘著促進劑層。Ti02、 TiN、 ZnO和氧化鉻是用于粘著促進劑層的合適的材料的例子，其優(yōu)點是，當將這些材料施加到合適的厚度(例如20至200 nm，特別地50至100 nm )時，其還具有反射特性。
本領(lǐng)域技術(shù)人員7>知施加各個層的方法，這里不需要進一 步的說明。唯一值得注意的是，應(yīng)注意第二電極是在這樣的條件下施加的，以便在施加第二電極期間剝離化合物不被損壞或去除。顯然，對于所有的層都應(yīng)注意，如此選擇沉積條件，以便在其上進行沉積的層不受所述沉積條件的影
響o如果需要，該太陽能電池可包括另外的已知組件，例如，密封材料或保護層，用于保護該設(shè)備不受環(huán)境影響。
權(quán)利要求
1.一種制造太陽能電池組件的方法，所述太陽能電池組件包括串聯(lián)連接的多個太陽能電池，所述組件包括第一電極、活性層和第二電極，其中所述第一電極和第二電極中的至少一個是透明導電氧化物層，該方法包括以下步驟a)在包括至少基板的系統(tǒng)中，形成第一中斷槽和第二互連槽的至少一個對，其中所述基板被第一電極層覆蓋，所述第一電極層被活性層覆蓋，所述第一中斷槽在前電極和活性層中提供中斷，所述第二互連槽貫穿所述活性層，所述第一槽和第二槽定位為相互靠近；b)在所述中斷槽中插入絕緣化合物；c)在步驟b)之前，或與步驟b)同時，或在步驟b)之后，在所述活性層上鄰近所述互連槽的位置處，在所述互連槽的與所述絕緣槽相反的一側(cè)，施加剝離化合物；d)在所述活性層、所述絕緣化合物和所述剝離化合物之上施加所述第二電極；以及e)去除所述剝離化合物以及在該位置處覆蓋的第二電極，從而在所述第二電極中形成槽。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，同時施加所述絕緣化合物和所述剝 離化合物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中，制造多對第一和第二槽，以獲 得用于太陽能子電池的一個或多個串聯(lián)連接的圖形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項所述的方法，其中，以巻至巻工藝 執(zhí)行各個步驟。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項所述的方法，其中，通過激光劃片 來形成所述第一和第二槽。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中通過對所述透明導 電氧化物的玻璃化，獲得在所述透明導電氧化物層中的所述中斷。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中所述剝離化合物是 在聚合物和溶劑的溶液中的具有大于2微米厚度的填料顆粒的分散體。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任何一項所述的方法，其中所述第一電極是透 明導電氧化物層，而所述第二電極是背電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述透明導電氧化物層被沉積 在透明永久基板上或臨時m上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任何一項所述的方法，其中，所述第一電 極是背電極，而所述第二電極是透明導電氧化物層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造太陽能電池組件的方法，該太陽能電池組件包括串聯(lián)連接的多個太陽能電池，該方法包括以下步驟a)在一個系統(tǒng)上形成第一中斷槽和第二互連槽，所述系統(tǒng)包括基板，該基板上覆蓋著第一電極層，該第一電極層上覆蓋著活性層，所述第一中斷槽在前電極和活性層中提供中斷，所述第二互連槽貫穿活性層，所述第一和第二槽定位為相互靠近；b)在所述中斷槽中插入絕緣化合物；c)在所述活性層上鄰近所述互連槽的位置處，在所述互連槽的與所述絕緣槽相反的一側(cè)，施加剝離化合物；d)施加所述第二電極；以及e)去除所述剝離化合物以及在該位置處覆蓋的第二電極，從而在所述第二電極中形成槽。
文檔編號H01L27/142GK101636842SQ200780046934
公開日2010年1月27日 申請日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者G·C·杜貝爾達姆, J·溫克勒, P·E·斯波泰爾 申請人:海利安特斯有限公司