專利名稱：具有集成上電源電極的有機發(fā)光二極管面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管面板的制作，每個有機發(fā)光二極管包含下電
極和上電極；這些面板特別地旨在用于顯示圖像。
背景技術(shù)：
頂部發(fā)射OLED面板要求透明上電極；該電極必須在光學(xué)透射和電學(xué)導(dǎo) 電性之間提供一個良好的折衷。所謂的頂部發(fā)射高度推薦用于有源矩陣面 板，尤其因為它可以提供更寬的像素開口率并因此增加發(fā)射區(qū)域總面積的可 能性。由于不停增加的OLED顯示面板的表面積和通常由ITO制成的透明 上電極的有限的導(dǎo)電性，電位降發(fā)生在該透明電極中并引起正被顯示的圖像 的嚴重均勻性缺陷。為了克服這些缺陷，該透明上電極可以用格柵來電學(xué)增 強，該格柵的不透明導(dǎo)體放置在像素之間?？朔@些缺陷的另一種方法是插 入用于電學(xué)增強該上電極的導(dǎo)體，該導(dǎo)體或者如文獻US2004/256620所述插 入到面板的有源矩陣中，或者如文獻US2005/012454、 US2005/077816及 US2005/179374所述插入到與二極管的下電極在同 一水平的有源矩陣上方。
這些文獻所述面板的一個缺陷是電學(xué)增強導(dǎo)體和透明電極之間的接觸 面積并不總是足夠大以確保滿意的電接觸，即，提供低電阻。
文獻EP1489671，見該文獻圖7A至7E，描述了用于制作具有集成到有 源顯示裝置中的電學(xué)增強的面板的方法，該制作方法包含如下步驟，其中 —二極管的下電源裝置和用于二極管上電源的分配電極(標記為
324)的網(wǎng)絡(luò)沉積在基板上；
-至少一個電絕緣層(PLN1)沉積在該面板的整個有源表面上方，
并且二才及管的下電才及(304-12, 304-22)沉積為4吏得它們電連接到該二
極管的下電源裝置；
-藉由在至少一個電絕緣層(7, 9)中去除，或者通過沿著二極管
的下電源電極(324)形成連接溝槽或者形成一系列連接孔(321),至少部分露出這些電才及(324);
-至少一個有機電致發(fā)光層(EL)沉積在包含所述連接溝槽或者所 述連接孔(321)的一個或者多個區(qū)域，從而覆蓋該面板的整個有源表 面，且使得該層(EL)與二極管的下電極(304-12, 304-22)直接接觸； -透明導(dǎo)電層(340)至少沉積在其中有機電致發(fā)光層(EL)與二 極管的下電極(304-12， 304-22)直接接觸的區(qū)域上，使得透明導(dǎo)電層 (340)的每個區(qū)域延伸到至少一個所述連接溝槽或者至少一個所述連 接孔，從而確保與二極管的至少一個所述下電源電極(62)電接觸。 此處，二極管的下電源裝置包含至少一個電極網(wǎng)絡(luò)，該電極網(wǎng)絡(luò)包含二 極管的下電源電極以及該情形下包含二極管的驅(qū)動電路(301-12, 301-22) 的網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動電路本身包含例如晶體管和/或電容的元件以及用于連接這些元 件的導(dǎo)電片。
此處，用于二極管的上電源的分配電極網(wǎng)絡(luò)(標記為324)提供上電極 的電學(xué)增強；這些電極確保了二極管的上電極中更為均勻的電勢分配；由于 這些增強電極集成在有源矩陣中，它們非常小程度地限制該面板的發(fā)射表面。
如該文獻的圖7E所述，這種方法要求在電絕緣層(PLN1)的沉積步驟 和透明導(dǎo)電層(340)的沉積步驟之間在有機電致發(fā)光層中的去除步驟，從 而防止有機電致發(fā)光層妨礙電極(324 )和透明導(dǎo)電層(340 )之間的電接觸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是避免前述缺點的至少其一。
為此，本發(fā)明首先涉及一種制作有機發(fā)光二極管面板的方法，每個有機 發(fā)光二極管包含下電極和上電極，其中
-二極管的下電源裝置和用于二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò) 沉積在基板上；
-至少一個電絕緣層沉積在該面板的整個有源表面上方，且二極管 的下電極沉積為佳:得它們電連接到二極管的所述下電源裝置；
-藉由在至少一個電絕緣層中去除，或者通過沿著這些電極形成連 接溝槽，或者形成一系列連接孔，用于上電源的分配電極至少部分露出；
-至少一個有機電致發(fā)光層沉積在一個或者多個區(qū)域從而覆蓋包
5含所述連接溝槽或者所述連接孔的該面板的整個有源表面，且使得該層
與該二極管的下電極直接接觸；
-透明導(dǎo)電層至少沉積在其中有機電致發(fā)光層與該電極的下電極 直接接觸的區(qū)域上，使得該透明導(dǎo)電層的每個區(qū)域延伸到至少 一個所述 連接溝槽或者至少一個所述連接孔內(nèi)，從而確保與至少一個二極管的下 電源電一及電4矣觸。
根據(jù)本發(fā)明，用于二極管的上電源的所述分配電極在其上面，至少在所 述連接溝槽或者所述連接孔的水平，具有凸起，特別是肋。
優(yōu)選地，所述溝槽或者連接孔露出這些電極整個厚度，在這些溝槽和/ 或這些連接孔的底部估算的所述溝槽和/或連接孔的寬度比所述電極的寬度 寬至少三分之一 ，從而在每個電極的每一側(cè)形成腔體。
概言之，本發(fā)明涉及包含用于二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)的有源 矩陣面板的制作方法，該分配電極連接到該二極管的透明上電極，在該方法 中，在有機層的步驟和沉積上電極的步驟之間不進行這些有機層的剝離。根 據(jù)本發(fā)明，利用適當?shù)慕Y(jié)構(gòu)，特別是利用制作在用于二極管的上電源的分配 電極的表面上的肋和/或 腔體，可以避免該剝離步驟。該面板制作方法因此簡 化。
這些肋和/或腔體有利地提供了足夠的體積以在有機層沉積時接收該有 機層的材料，這使得可以局部地中斷該層并防止其沉積在用于上電源的分配 電極的上表面；因為有機電致發(fā)光層不再有阻礙用于二極管的上電源的分配 電極和透明導(dǎo)電層之間電接觸的風險，在現(xiàn)有技術(shù)中除去有機層的步驟可因 此避免。
優(yōu)選地，該方法因此不再包含在有機電致發(fā)光層中去除的步驟，特別是 在沉積至少 一個電絕緣層的步驟和沉積透明導(dǎo)電層的步驟之間。
本發(fā)明其次涉及到一種有機發(fā)光二極管面板，其中每個二極管包含下電 極和上電極，在下電極和上電極之間插入與所述電極電接觸的有機電致發(fā)光 層元件，所述面板包含基板，該基板支撐
-電連接到二極管的下電極(832 )的二極管的下電源裝置，以及電連 接到二極管的上電極的用于二極管的上電源的分配電極(62)的網(wǎng)絡(luò)；
-至少一個電絕緣層，其覆蓋二極管的所述下電源裝置和用于二極管的 上電源的所述分配電極的網(wǎng)絡(luò)，即，尤其是該面板的整個有源表面，二極管的下電極優(yōu)選地穿過所述電絕緣層而電連接到二極管的所述下電源裝置；
-連接溝槽和/或連接孔，制作在至少一個電絕緣層中，從而從所述電絕 緣層至少部分地露出用于所述層的二極管的上電源的分配電極；
-透明導(dǎo)電層，其在一個或者多個區(qū)域中覆蓋有機電致發(fā)光層與二極管 的下電極電接觸優(yōu)選直接接觸的區(qū)域，其每個區(qū)域延伸到至少一個所述溝槽 和/或至少 一個所述連接孔內(nèi)，從而確保與至少 一個用于二極管的上電源的所 述分配電極電接觸，
其中，在這些分配電極(62)的與所述透明導(dǎo)電層(11)電接觸的表面， 即，具體而言在上表面，至少在所述連接溝槽或者連接孔的水平，用于二極 管的上電源的所述分配電極具有凸起，特別是肋。
包含插入在二極管的電極之間的層元件的有機電致發(fā)光層因此在一個 或者多個區(qū)域覆蓋該面板的整個有源表面，這些區(qū)域優(yōu)選地包含所述溝槽或 者所述連接孔，且該有機電致發(fā)光層優(yōu)選地與該二才及管的下電才及直接電接 觸。
優(yōu)選地，以本身已知方式調(diào)適凸起以增加用于二極管的上電源的分配電 極和透明導(dǎo)電層之間的電接觸面積。
優(yōu)選地，所述凸起特別是肋的深度為用于二極管的上電源的所述分配電 極厚度的至少一半。
例如，如果該凸起是形成在用于上電源的所述分配電極中的肋，這些肋 的深度優(yōu)選地為所述電極厚度的至少一半，且這些肋的寬度為這些電極寬度 的至少三分之一。
利用該凸起，尤其是肋，其至少在該表面的與透明導(dǎo)電層接觸的區(qū)域中 結(jié)構(gòu)化該分配電極的表面，通過增加該分配電極和該透明導(dǎo)電層之間的接觸 面積，用于二極管的上電源電流的分配得到改善。
優(yōu)選地，二極管的下電極穿過至少 一個電絕緣層而電連接到二極管的所 述下電源裝置，且所述溝槽和/或連接孔也穿過這一相同的電絕緣層。此時通 常存在兩個電絕緣層。第 一電絕緣層此時將二極管的下電源裝置例如有源矩 陣與二極管的下電極以及用于二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)絕緣。第二
電絕緣層此時將二極管的下電極與該二極管的上電極絕緣。通常，二極管的 下電極此時設(shè)置在用于二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)的相同平面內(nèi)。這 兩個電絕緣層同等地既覆蓋二極管的下電源裝置又覆蓋用于二極管的上電源的分配電才及的網(wǎng)絡(luò)。
優(yōu)選地，所述溝槽或者連接孔露出這些電極整個厚度，且在這些溝槽和 /或這些孔底部估算的所述溝槽和/或連接孔的寬度比所述電極的寬度寬至少 三分之一，從而在每個電極的每一側(cè)形成腔體。這些腔體對增加分配電極和 透明導(dǎo)電層之間的接觸面積也具有有利貢獻。
優(yōu)選地，所述溝槽和/或連接孔的深度大于用于二極管的上電源的所述分 配電極的厚度。
優(yōu)選地，包含插入在每個二極管的電極之間的所述層元件的所述有機電 致發(fā)光層，在一個或者多個區(qū)域覆蓋該面板的整個有源表面，且也覆蓋所述 溝槽和/或所述連接孔。利用由凸起尤其是肋和/或在該溝槽和/或連接孔底部 的腔體提供的電極表面結(jié)構(gòu)化，可以觀察到有機電致發(fā)光層不完全地覆蓋用 于二極管的上電源的分配電極的表面，或者有機電致發(fā)光層可以局部地中 斷，使得直接電連接區(qū)域形成在這些電極和該透明導(dǎo)電層之間。可以使用肋 或者腔體之外的結(jié)構(gòu)化該電極表面的任何手段而不背離本發(fā)明，只要該手段 可以提供不覆蓋或者中斷的技術(shù)效果。
優(yōu)選地，所述有機電致發(fā)光層的厚度小于所述凸起尤其是所述肋和/或可 選的所述腔體的深度。
優(yōu)選地，該二極管的所述下電源裝置包含至少一個電極網(wǎng)絡(luò)，該電極網(wǎng) 絡(luò)包含二極管的下電源電極的網(wǎng)絡(luò)以及可選地包含二極管的驅(qū)動電路，該驅(qū) 動電路本身包含例如晶體管和/或電容的元件以及用于連接這些元件的導(dǎo)電 片。
概言之，本發(fā)明涉及包含用于二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)的有源 矩陣面板，該分配電極連接到二極管的透明上電極，其中利用這些分配電極 的表面紋理化，尤其通過肋，改善這些分配電極和透明上電極之間的電接觸。
具體實施例方式
10,將會更加清晰地理解本發(fā)明，其中附圖描述本發(fā)明實施例的二極管面板
制作的連續(xù)步驟。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管面板的實施例；面板的每個二 極管具有相關(guān)的驅(qū)動電路，具體而言包含兩個"場效應(yīng)晶體管"(FET);這些電路本身是已知的，在此將不作詳細的描述；每個二極管包含下電極832、 透明的上電極132以及夾置在這些電極之間的有機電致發(fā)光層區(qū)域；該面板 也包含多個電極網(wǎng)絡(luò)，具體而言用于尋址驅(qū)動電路、用于選擇驅(qū)動電路以及 用于給二極管供電；這一面板尤其包括二極管的下電源電極的網(wǎng)絡(luò)，該下電 源電極的網(wǎng)絡(luò)本身是已知的，在此將不作詳細的描述；這一面板還包括用于 二極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)，其將在下文加以詳細描述且其中的電極 連接到二極管的上電極；所有這些驅(qū)動電路，特別是它們的晶體管，以及所 有這些二極管的網(wǎng)絡(luò)，集成到二極管的驅(qū)動和供電矩陣內(nèi)，該矩陣夾置在基 板l和二極管自身之間。由于它包含驅(qū)動電路，因此這就是所謂的"有源，， 矩陣。
參考

圖1，在場效應(yīng)晶體管TFT1、 TFT2的位置，在具有好平坦性的絕 緣基板l上沉積半導(dǎo)體片SC1、 SC3之后，沉積這些晶體管的漏極片和源極 片，即用于晶體管TFT1的漏極片211和源極片212，用于晶體管TFT3的漏 極片231和源極片232，以及集成到驅(qū)動和供電矩陣內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)之一的電極22。 這些沉積采用本身已知的工藝，例如用適當?shù)难谀Ｍㄟ^真空蒸鍍電極的金 屬。
參考圖2，接著柵極絕緣層3例如由氮化硅以本身已知的方式沉積，其 以近似均勻的厚度覆蓋整個有源矩陣。
參考圖3,通過又插入適當?shù)恼婵照翦冄谀＃詥我徊襟E沉積晶體管的 才冊極導(dǎo)體片，即用于TFT1的柵極導(dǎo)體片41 、用于TFT2的柵極導(dǎo)體片43、 以及置于電極21之上的電極42 (或者導(dǎo)電片)；該電極42 (或者該片)是 集成到驅(qū)動和供電矩陣內(nèi)的導(dǎo)體。
參考圖4,接著電介質(zhì)覆蓋層5例如由氧化硅以本身已知的方式沉積， 其以近似均勻的厚度覆蓋整個有源矩陣；在該操作期間，電極42(或者片) 因此覆蓋有絕緣片52。
參考圖5，在以本身已知方式并以單一操作打開穿過電介質(zhì)覆蓋層5直 到晶體管TFT1的柵極片41、穿過電介質(zhì)覆蓋層5和柵極絕緣層3直到晶體 管TFT3的源極片231和漏極片232的連接孔之后，在另一操作中， 一方面 沉積這些孔的導(dǎo)電"通路"片用于晶體管TFT1的柵極連接的片61、用于 晶體管TFT3的源極連接和漏才及連接的片631和632 ，另 一方面沉積用于二 極管的上電源的分配電極的網(wǎng)絡(luò)，此處由電極62代表。這些導(dǎo)電片和這些電極的厚度優(yōu)選地在350nrn和600nm之間。在電極62的上表面的中心，通 過濕法蝕刻，形成肋621,它的功能將在下文指出；在獲得該電極62的接觸 面積增加的情況下，可以實現(xiàn)肋以外的電極62的任何結(jié)構(gòu)而不背離本發(fā)明； 該肋的深度優(yōu)選地為電極62厚度的至少一半，使得因此形成在電極上表面 內(nèi)的"臺階"足以截斷隨后沉積的有機電致發(fā)光層10，從而留下該電極的金 屬部分地暴露在該上表面；該肋的寬度優(yōu)選地為電極62寬度的至少三分之 一，從而提供足夠的體積來接收有機層10的材料，并使得該電極提供足夠 的接觸面積用于上電極11,尤其是當有機層IO在其沉積之后不剝離時。
參考圖6，平坦化層7接著沉積到有源矩陣的整個表面上方，該平坦化 層7是電絕緣的，并從厚度方面具體調(diào)適以平坦化由集成到驅(qū)動和供電矩陣 內(nèi)的電極、電路和晶體管形成的凸起。
參考圖7，在以本身已知方式并以單一操作打開穿過平坦化層7直到連 接到晶體管TFT3的漏極232的導(dǎo)電通路片632的連接孔之后，通過使用適 當?shù)难谀＃练e將填充這些連接孔的二極管的下電極832;調(diào)適該沉積掩模 以獲得這些下電極所要求的表面積。
參考圖8，旨在電絕緣二極管的下電極和上電極的絕緣層9接著沉積在 有源矩陣的整個表面上方。接著在該層內(nèi)一方面形成連接溝槽92,該連接溝 槽92用于完全露出用于二極管的上電源的分配電極62，且另一方面形成空 白區(qū)93從而在期望用于每個二極管的發(fā)射區(qū)域面積相對應(yīng)的表面上方露出 二極管的下電極832;鑒于平坦化層7和絕緣層9分別累積的厚度，溝槽92 的深度比電極62的厚度大得多；優(yōu)選地，連接溝槽92露出電極62整個厚 度，在底部估算的這些連接溝槽92的寬度比電極62的寬度寬至少三分之一， 從而在每個電極62的每一側(cè)形成腔體922、 923,其中這些腔體位于該電極 62和該連接溝槽92的側(cè)壁之間，從而形成足夠的體積以接收有機層的材料 且也形成用于上電極的足夠的接觸面積，尤其是當有機層10在其沉積之后 未剝離時。
參考圖9,有機電致發(fā)光層IO接著沉積在有源矩陣的整個表面上方，特 別是為了通過空白區(qū)93覆蓋二極管的下電極932的露出部分；該有機電致 發(fā)光層IO通常劃分為多個子層，尤其是發(fā)射子層及位于該發(fā)射子層的每一 側(cè)用于電荷輸運和注入的子層；當這些二極管具有不同的發(fā)射顏色時，根據(jù) 面板的不同區(qū)域的發(fā)射顏色而沉積不同的電致發(fā)光層。有機電致發(fā)光層10的厚度通常小于150nm,即，遠小于平坦化和絕緣層7和9的分別累積的厚 度，也就是說也小于用于二極管的上電源的分配電極62的厚度；如圖9所 述，電致發(fā)光層的材料溢出到形成在電極62和這些電極62插入其中的連接 溝槽92側(cè)壁之間的腔體922、 923內(nèi)，和/或溢出到形成于這些電極62的厚 度內(nèi)的肋621內(nèi)，電極62表面的大部分未被該電致發(fā)有機光層覆蓋；利用 由腔體922和923、肋621以及連接溝槽92的側(cè)壁的斜坡提供的表面結(jié)構(gòu)化， 可以看出有才幾電致發(fā)光層10被中斷并留下電極62表面的大部分^皮暴露；未 被覆蓋且仍"暴露"的電極這一部分，因此立即能夠用于與上電極層電接觸； 因此，可以在沉積上電極層同時避免中間除去在這些電極位置處的有機電致 發(fā)光層10，這與文獻EP1489671中描述的方法相反(具體見該文獻的圖7E)。 為了增強不覆蓋和"暴露"的技術(shù)效果，優(yōu)選地有機電致發(fā)光層10的厚度 小于這些腔體922、 923和/或這些肋621的深度；可以4吏用肋或者腔體以外 的結(jié)構(gòu)化電極62表面的任何手段而不背離本發(fā)明，只要這些手段可以提供 增加接觸面積以及特別地不覆蓋和"暴露"的技術(shù)效果。
參考圖10，例如ITO ("銦錫氧化物，，)的透明導(dǎo)電層ll接著通過真空 陰極'減射沉積來沉積，以大致上均勻厚度覆蓋整個有源矩陣，尤其是溝槽92 和空白區(qū)93;與圖IO所指示的相反，該層11的厚度通常小于有機電致發(fā)光 層10的厚度；在空白區(qū)93的位置因此形成發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包含 層11的區(qū)域內(nèi)的上電極132和下電極832，以及夾置在這些電極之間的有機 電致發(fā)光層10的區(qū)域；在溝槽92的位置，通過這些電極的未被覆蓋部分， 電接觸111建立在集成到有源矩陣內(nèi)的電極62和該透明導(dǎo)電層11之間；根 據(jù)一種變形，連接溝槽92被一系列沿著電極62排布的連接孔代替；層11 和電極62之間的接觸接著建立在這些連接孔中?？梢钥闯?，在本實施例中， 面板的二極管的所有上電極連接到相同的電勢。根據(jù)一種變形，可以提供透 明導(dǎo)電層11，其劃分為與用于二極管的上電源的分配電極62平行延伸的電 絕緣帶；每個電極62可以控制用特定透明導(dǎo)電帶覆蓋的所有二極管的電源， 前述二極管獨立于用其它帶覆蓋的二極管。
在透明導(dǎo)電層11沉積之后，進行常規(guī)封裝操作，其在此不作詳細的描述。
因此獲得本發(fā)明的有機發(fā)光二極管面板，該面板包含二極管的下電源裝 置和用于二極管的上電源的分配電極62的網(wǎng)絡(luò)；這些電極62插入到形成在
ii電絕緣層7、 9的厚度內(nèi)的溝槽92的底部內(nèi)；每個二極管包含透明上電極， 該透明上電極一直延伸到溝槽92底部從而電連接電極62;在溝槽92的外部， 有機電致發(fā)光層10將透明上電極和電絕緣層7、 9分開。此處，二極管的下 電源裝置包含該二極管的驅(qū)動電路和該二極管的下電源電極的網(wǎng)絡(luò)。
已經(jīng)參考有源矩陣二極管面板對本發(fā)明加以描述；本領(lǐng)域的技術(shù)人員清 楚它可以應(yīng)用到其它類型的二極管面板，尤其是無源矩陣面板，而不背離所 附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1. 一種有機發(fā)光二極管面板，其中二極管每個包含下電極(832)和上電極(132)，在所述下電極(832)和所述上電極(132)之間插入與所述電極(832，132)電接觸的有機電致發(fā)光層元件(10)，所述面板包含基板(1)，所述基板支撐電連接到所述二極管的下電極(832)的二極管的下電源裝置，以及電連接到所述二極管的上電極的用于二極管的上電源的分配電極(62)的網(wǎng)絡(luò)；至少一個電絕緣層(7，9)，覆蓋所述二極管的下電源裝置和所述用于二極管的上電源的分配電極(62)的網(wǎng)絡(luò)；連接溝槽(92)和/或連接孔，制作在所述至少一個電絕緣層(7，9)中，從而從所述電絕緣層(7，9)至少部分地暴露所述用于二極管的上電源的分配電極(62)；透明導(dǎo)電層(11)，在一個或者多個區(qū)域中覆蓋所述有機電致發(fā)光層(10)與所述二極管的下電極(832)電接觸的區(qū)域，其中每個透明導(dǎo)電層的區(qū)域(11)延伸到至少一個所述連接溝槽(92)和/或至少一個所述連接孔內(nèi)，從而確保與至少一個所述用于二極管的上電源的分配電極(62)電接觸，其特征在于，在與所述透明導(dǎo)電層(11)電接觸的所述分配電極(62)的面上，所述用于二極管的上電源的分配電極(62)具有凸起，特別是肋(621)。
2. 如權(quán)利要求1所述的面板，其特征在于，所述凸起調(diào)適為增加所述 用于二極管的上電源的分配電極(62)和所述透明導(dǎo)電層(11)之間的電接 觸面積。
3. 如前述權(quán)利要求其中一項所述的面板，其特征在于，所述凸起特別 是所述肋(621)的深度為所述用于二極管的上電源的分配電極(62)厚度 的至少一半。
4. 如前述權(quán)利要求任意一項所述的面板，其特征在于，所述二極管的 下電極(832 )穿過至少一個所述電絕緣層(7)而電連接到所述二極管的下 電源裝置，且其特征在于，所述連接溝槽(92)和/或連接孔也穿過這一相同 的電絕緣層(9)。
5. 如前述權(quán)利要求任意一項所述的面板，其特征在于，所述連接溝槽(92)和/或連接孔露出這些電極(62)整個厚度，且其特征在于，在所述連 接溝槽(92)和/或連接孔的底部估算的所述連接溝槽(92)和/或連接孔的 寬度比所述電極(62)的寬度寬至少三分之一，從而在每個電極(62)的每 一側(cè)形成腔體(922， 923)。
6. 如前述權(quán)利要求任意一項所述的面板，其特征在于，所述連接溝槽 (92 )和/或連接孔的深度大于所述用于二極管的上電源的分配電極(62 )的厚度。
7. 如前述權(quán)利要求任意一項所述的面板，其特征在于，包含插入在所 述二極管每個的電極(832, 132)之間的所述層元件的所述有機電致發(fā)光層(10),在一個或者多個區(qū)域覆蓋所述面板的整個表面且也覆蓋所述連接溝 槽(92)和/或所述連接孔。
8. 如權(quán)利要求7所述的面板，其特征在于，所述有機電致發(fā)光層(10) 的厚度小于所述凸起特別是所述肋(621)的深度。
9. 如前述權(quán)利要求任意一項所述的面板，其特征在于，所述二極管的 下電源裝置包含至少 一個電極網(wǎng)絡(luò)，所述電極網(wǎng)絡(luò)包含所述二極管的下電源 電極的網(wǎng)絡(luò)以及可選地包含二極管的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路本身包含例如 晶體管和/或電容的元件以及用于連接這些元件的導(dǎo)電片(61, 631, 632)。
全文摘要
有源矩陣面板集成用于二極管的上電源的分配電極(62)的陣列，該分配電極連接到二極管的透明上電極(11)，其中這些分配電極(62)的表面被紋理化，特別是形成有肋(621)，這些分配電極(62)和該透明上電極(11)之間的電接觸得到改善。
文檔編號H01L27/32GK101548382SQ200780044840
公開日2009年9月30日 申請日期2007年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月7日
發(fā)明者克里斯托弗·普拉特, 戴維·沃夫里, 菲利普·勒魯瓦 申請人:湯姆森特許公司