專利名稱：具有多觸點(diǎn)彈性體連接器接觸區(qū)的裝置的封裝方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0001本發(fā)明一般涉及對裝置的封裝，更具體地，涉及封裝具有
多觸點(diǎn)彈性體連接器接觸區(qū)的裝置。
背景技術(shù)：
通過附圖以示例的方式說明本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于附 圖，在附圖中同樣的附圖標(biāo)記指示類似的元件。技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解， 圖中的元件是為了簡單和清楚而示出，不必按比例繪制。圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在形成橫向地鄰近壁的第三電介質(zhì)層之后的面板。圖5示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的面板或半導(dǎo)體封裝的 頂視圖。圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在形成第三電介質(zhì)層之后沿著 觸點(diǎn)的寬度的面板的橫截面。圖7示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在多觸點(diǎn)彈性體連接器接觸區(qū) 內(nèi)插入多觸點(diǎn)彈性體連接器之后的圖4的面板或半導(dǎo)體封裝(沿著觸 點(diǎn)的縱向橫截面)。

圖12示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例具有壁的面板或半導(dǎo)體封裝 的一部分的橫截面?？梢栽黾庸δ苄缘某杀居行У姆庋b方法包括有形元件(如 觸點(diǎn)或麥克風(fēng))。有形元件在工藝期間由壁保護(hù)。壁可以被移除，或 者可以不移除，并且壁可以是任何壁，例如空腔壁。有形元件耦合到 封裝內(nèi)的半導(dǎo)體管芯。可以在完成工藝之后暴露有形元件，并且如果 適用的話，可以移除壁(或其一部分)。有形元件可以通過多觸點(diǎn)彈 性體連接器耦合到封裝內(nèi)除半導(dǎo)體管芯之外的其它元件(如數(shù)字顯示 器(numerical display)，例如a數(shù)字型，或全圖形顯示器)。圖3示出根據(jù)一個實(shí)施例在形成壁或隔障68(諸如多觸點(diǎn) 彈性體連接器壁或隔障(barrier)或空腔壁或空腔隔障)之后的面板 10。在一個實(shí)施例中，壁68形成有形元件位于其中的區(qū)域，并且壁 68保護(hù)裝置免受后續(xù)工藝的影響。有形元件可以是半導(dǎo)體管芯、MEM (微電機(jī)械)裝置、傳感器(如光傳感器)、LED (發(fā)光二極管)、 開關(guān)、變換器、傳感器、照相機(jī)、揚(yáng)聲器、麥克風(fēng)、等等、上述的一 些部分(如上述之一的觸點(diǎn))、或上述的組合。在圖3-ll示出的實(shí)施 例中，有形元件是觸點(diǎn)58、 60、 62、 64或66。在圖12-17示出的實(shí) 施例中，有形元件可以是麥克風(fēng)。在進(jìn)一步解釋之后將理解，有形元 件可以是具有至少一個希望被暴露的部分的元件。在一個實(shí)施例中， 所述壁是多觸點(diǎn)彈性體連接器壁，所述多觸點(diǎn)彈性體連接器壁用于形 成保護(hù)觸點(diǎn)免受后續(xù)工藝影響的區(qū)域，并且限定多觸點(diǎn)彈性體連接器 隨后形成于其中或置于其中的區(qū)域。圖4示出根據(jù)一個實(shí)施例在形成橫向鄰近壁68而不在這些 壁之間的層72之后的面板10。在一個實(shí)施例中，層72是電介質(zhì)層， 并且在一個實(shí)施例中它是另一種類型的材料，例如聚合物。由于層72 優(yōu)選是電介質(zhì)層以避免短路，所以該描述將該層稱為第三電介質(zhì)層 72，但是技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解這僅是一個實(shí)施例。第三電介質(zhì)層72可以 是任何適當(dāng)?shù)牟牧?，諸如用于第一電介質(zhì)層20和第二電介質(zhì)層46的 材料，并且可以通過任何適當(dāng)?shù)墓に囆纬桑缬糜谛纬傻谝浑娊橘|(zhì) 層20和第二電介質(zhì)層46的工藝。然而，第三電介質(zhì)層72不必是與第 一電介質(zhì)層20或第二電介質(zhì)層46相同的材料或^f吏用與形成第一電介 質(zhì)層20或第二電介質(zhì)層46相同的工藝形成。在一個實(shí)施例中，通過 在第二電介質(zhì)層46上沉積液體形成第三電介質(zhì)層72，使得液體鄰近 壁68的笫二面并且防止液體到達(dá)壁68的第一面。在一個實(shí)施例中， 液體包括環(huán)氧樹脂。液體的粘滯度、密度和組分可以變化。之后，固 化液體以完成支撐層的形成，在該實(shí)施例中其包括第三電介質(zhì)層72。 在形成第三電介質(zhì)層72時，多觸點(diǎn)彈性體連接器壁68 (和插塞，如 果存在的話)基本防止第三電介質(zhì)層72在多觸點(diǎn)彈性體接觸區(qū)70內(nèi) 形成。(可能在多觸點(diǎn)彈性體接觸區(qū)70中形成某些最少量的第三電介 質(zhì)層72，但是基本上不在多觸點(diǎn)彈性體接觸區(qū)70中形成，因?yàn)樵诙?觸點(diǎn)彈性體接觸區(qū)70中形成任意量都不阻止觸點(diǎn)58、 60、 62、 64和 66耦合到隨后放置的多觸點(diǎn)彈性體連接器。)再一次地，可以選擇壁 68和第三電介質(zhì)層72的高度使得在多觸點(diǎn)彈性體接觸區(qū)70中沒有形 成相當(dāng)量的第三電介質(zhì)層。在一個實(shí)施例中，第三電介質(zhì)層大約為l.Omm厚并且壁68大約為1.2mm高，以供與大約1.5mm高的多觸點(diǎn) 彈性體連接器74 —起使用。益處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案，以及可能使任何益處、優(yōu) 點(diǎn)或解決方案出現(xiàn)或變得更加顯著的任何元素，不應(yīng)被理解為任何或 全部的權(quán)利要求的關(guān)鍵的、要求的或必需的特征或元素。本文中使用 的術(shù)語"一"被定義為一個或多于一個，即使其它元件在權(quán)利要求書或 說明書中被清楚地聲明為是一個或多個。本文使用的術(shù)語"多個"被定 義為兩個或多于兩個。本文使用的術(shù)語"另一"被定義為至少第二或至 少更多。本文使用的術(shù)語"耦合"被定義為連接，不過不必直接地連接， 也不必機(jī)械地連接。此外，說明書和權(quán)利要求中的術(shù)語"前"、"后"、 "頂"、"底"、"之上"、"之下"、等等(如果有的話)是用于描述的目 的，且并不必然描述不變的相對位置。應(yīng)當(dāng)理解，如是如此使用的術(shù) 語在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下是可互換的，從而使得本文描述的本發(fā)明的實(shí)施例 例如能夠在除了這里示出或以其他方式描述的這些取向之外的取向上 工作。
權(quán)利要求
1.一種形成具有半導(dǎo)體器件的被封裝的裝置的方法，該半導(dǎo)體器件具有第一主表面和第二主表面，該方法包括在所述半導(dǎo)體器件的第二主表面上和所述半導(dǎo)體器件的側(cè)面周圍形成包封層，并且保留第一半導(dǎo)體器件的所述第一主表面暴露；在所述第一主表面上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層中形成多個通路；形成通過多個第一通路到所述半導(dǎo)體器件的多個觸點(diǎn)，其中所述多個觸點(diǎn)中的每一個具有在所述第一絕緣層之上的表面；以及在所述第一絕緣層上形成支撐層，保留在所述多個第一觸點(diǎn)上的開口，其中所述開口具有圍繞所述多個觸點(diǎn)的側(cè)壁。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟特 征還在于，所述側(cè)壁用于接收多觸點(diǎn)彈性體連接器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成多個第一觸點(diǎn)的步驟 特征還在于，所述多個觸點(diǎn)的表面在一條線上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟特 征還在于，所述開口是矩形的并且所述側(cè)壁與所述多個觸點(diǎn)鄰近。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括在所述第一絕緣層上和所述多個觸點(diǎn)周圍放置連接器壁，所述連接器壁具有朝向所述多個觸點(diǎn)的第一面以及遠(yuǎn)離所述多個觸點(diǎn)的第二 面，其中所述第一面包括所述側(cè)壁；以及在放置所述連接器壁的步驟之后，在所述笫一絕緣層上沉積液 體，使得所述液體與所述第二面鄰近并且防止所述液體到達(dá)所述第一面；以及固化所述液體以完成所述支撐層的形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述沉積所述液體的步驟特征 還在于，所述液體包括環(huán)氧樹脂。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述放置所述連接器壁的步驟 特征還在于，所述連接器壁包括塑料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括在所述第一絕緣層上形成基于聚合物的電介質(zhì)層；以及 在所述基于聚合物的電介質(zhì)層中刻蝕開口。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括將模應(yīng)用在所述第 一絕緣層之上，其防止模制化合物被用于所述 多個觸點(diǎn)；將所述模制化合物應(yīng)用到所述模；以及 固化所述模制化合物以形成所述支撐層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括用凝膠填充所述開口。
11. 一種封裝的半導(dǎo)體器件，包括 具有第一主表面和第二主表面的半導(dǎo)體器件； 在所述第二主表面上和所述半導(dǎo)體器件的側(cè)面周圍的包封物； 在所述第一主表面上的第一絕緣層；在所述第 一絕緣層中的多個通路；通過多個第一通路到所述半導(dǎo)體器件的多個觸點(diǎn)，其中所述多個觸點(diǎn)中的每一個具有在所述第一絕緣層之上的表面；以及在所述第一絕緣層上的支撐層，具有在所述多個第一觸點(diǎn)上的開 口，其中所述開口具有圍繞所述多個觸點(diǎn)的側(cè)壁。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l的封裝的半導(dǎo)體器件，其中所述側(cè)壁包括用 于接收多觸點(diǎn)彈性體連接器的裝置。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll的封裝的半導(dǎo)體器件，其中 所述開口是矩形的； 所述側(cè)壁與所述多個觸點(diǎn)鄰近；以及 所述多個觸點(diǎn)在一條線上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11的封裝的半導(dǎo)體器件，還包括在所述第一 絕緣層上和所述多個觸點(diǎn)周圍的連接器壁，所述連接器壁具有朝向所 述多個觸點(diǎn)的第一面以及遠(yuǎn)離所述多個連接器的第二面，其中所述第 一面包4舌所述側(cè)壁。
15. 根據(jù)權(quán)利要求15的封裝的半導(dǎo)體器件，其中所述多個觸點(diǎn) 與在所述半導(dǎo)體器件的所述第一表面上的表面觸點(diǎn)接觸。
16. —種形成封裝的裝置的方法，所述封裝的裝置具有半導(dǎo)體器 件，該半導(dǎo)體器件具有第一主表面和第二主表面，該方法包括在所述半導(dǎo)體器件的第二主表面上和所述半導(dǎo)體器件的側(cè)面周 圍形成包封層，并且保留第一半導(dǎo)體器件的所述第一主表面暴露； 在所述第一主表面上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層中形成多個通路；形成通過多個第 一通路到所述半導(dǎo)體器件的多個觸點(diǎn)，其中所述 多個觸點(diǎn)中的每一個具有在所述第一絕緣層之上的表面；以及在所述笫一絕緣層上形成支撐層，保留在所述多個第一觸點(diǎn)上的開口 ，其中所述開口具有接收多觸點(diǎn)彈性體連接器的側(cè)壁裝置。
17. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括在所述第一絕緣層上和所述多個連接器周圍放置連接器壁，所述 連接器壁具有朝向所述多個觸點(diǎn)的第一面以及遠(yuǎn)離所述多個連接器的 第二面，其中所述第一面包括所述側(cè)壁；在放置所述連接器壁的步驟之后，在所述笫一絕緣層上沉積液 體，使得所述液體與所述第二面鄰近并且防止所述液體到達(dá)所述第一 面；以及固化所述液體以完成所述支撐層的形成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；以及 在所述第二絕緣層中刻蝕所述開口。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述形成所述支撐層的步驟包括將模應(yīng)用在所述第 一絕緣層上，其防止模制化合物被應(yīng)用于所述 多個觸點(diǎn)；以及應(yīng)用所述模制化合物到所述模；以及 固化所述模制化合物以形成所述支撐層。
全文摘要
形成包括具有第一主表面和第二主表面半導(dǎo)體器件(14)的封裝的裝置(10)包括在半導(dǎo)體器件(14)的第二主表面上和半導(dǎo)體器件(14)的側(cè)面周圍形成包封層(18)，并且保留第一半導(dǎo)體器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一絕緣層(46)。在第一絕緣層(46)中形成多個通路(48-56)。形成通過多個第一通路(48-56)到半導(dǎo)體器件(14)的多個觸點(diǎn)(58-66)，其中所述多個觸點(diǎn)(58-66)中的每一個具有在第一絕緣層(46)之上的表面。在第一絕緣層(46)上形成支撐層(72)，保留在所述多個第一觸點(diǎn)(58-66)上的開口(70)，其中開口(70)具有圍繞所述多個觸點(diǎn)(58-66)的側(cè)壁。
文檔編號H01L23/34GK101529587SQ200780039517
公開日2009年9月9日 申請日期2007年10月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月17日
發(fā)明者K·R·布爾克, M·A·曼格魯姆 申請人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司