專利名稱：電介質(zhì)濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電介質(zhì)濾波器，該電介質(zhì)濾波器具有形成在電介質(zhì)塊外表面上的 外導(dǎo)體和輸入/輸出電極、以及形成在所述電介質(zhì)塊內(nèi)部的內(nèi)導(dǎo)體。
背景技術(shù)：
專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種電介質(zhì)濾波器，具有形成在電介質(zhì)塊外表面上的外導(dǎo)體和 輸入/輸出電極、以及形成在所述電介質(zhì)塊內(nèi)部的內(nèi)導(dǎo)體，形成多個(gè)TEM模式的共振 器，該介質(zhì)濾波器降低了由輸入/輸出電極之間的寄生電容所導(dǎo)致的耦合，并增加了 外部耦合電容。
圖1展示了專利文獻(xiàn)1的介質(zhì)濾波器的實(shí)施例結(jié)構(gòu)。
在圖1中，介質(zhì)濾波器1具有形成在長(zhǎng)方體電介質(zhì)塊2外表面的外導(dǎo)體5和輸 入/輸出電極7和8，以及形成在內(nèi)部的內(nèi)導(dǎo)體孔3和4。外部耦合電容由形成在內(nèi) 導(dǎo)體孔的內(nèi)導(dǎo)體和輸入/輸出導(dǎo)體彼此相對(duì)的區(qū)域大小來(lái)確定。因此，為了增加外部 耦合電容，兩個(gè)輸入/輸出電極7和8從面向安裝基板的安裝面(圖1的上表面)繞 到電介質(zhì)塊的兩個(gè)側(cè)面。
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平7-162212號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題
盡管如此，這種在長(zhǎng)方體電介質(zhì)塊的外表面上形成有外部導(dǎo)體的電介質(zhì)濾波器 中，除了原來(lái)利用的TEM模式共振之外，在電介質(zhì)塊和電介質(zhì)塊外表面的外導(dǎo)體形成 的空間中也產(chǎn)生TE模式共振。TM模式共振由電介質(zhì)塊的形狀和尺寸確定，某些情況 下會(huì)對(duì)濾波器的特性有不利影響。
圖2展示了在TE101模式(一種TE模式)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的狀態(tài)。圖2虛線環(huán) 代表磁場(chǎng)環(huán)路，該磁場(chǎng)環(huán)路繞與介質(zhì)濾波器1的安裝表面平行的表面旋轉(zhuǎn)。電場(chǎng)垂 直于磁場(chǎng)。TE101模式的磁場(chǎng)被封閉在電介質(zhì)塊內(nèi)。然而，由于電介質(zhì)的一個(gè)表面為 開(kāi)放的表面，磁場(chǎng)環(huán)路從該開(kāi)放的表面向外延伸。
同時(shí)，也產(chǎn)生了一個(gè)高階TE模式。例如，當(dāng)圖2中電介質(zhì)塊的水平長(zhǎng)度比豎直 長(zhǎng)度長(zhǎng)時(shí)，產(chǎn)生TE201模式，其中兩個(gè)磁場(chǎng)環(huán)路并排于水平方向。與原來(lái)利用的TEM模式一樣，這種TE模式也由輸入/輸出電極7和8激勵(lì)和耦 合。隨著輸入/輸出電極7和8的尺寸增加，耦合量增加。
圖3展示了三個(gè)共振模式TEM模式、TE101模式和TE201模式的響應(yīng)實(shí)例，和 兩個(gè)輸入/輸出電極7和8之間的傳輸特性(S21)。傳輸特性是上述響應(yīng)的合成結(jié) 果。
一般而言，TE101模式共振頻率高于TEM模式共振頻率。TE201模式共振頻率 出現(xiàn)的位置高于TE101模式共振頻率。由于輸入/輸出電極7和8產(chǎn)生TE模式(特 別是TE101模式)的電場(chǎng)的耦合和TEM模式的電場(chǎng)的耦合，與原來(lái)只利用TEM模式 產(chǎn)生的特性相比，介質(zhì)濾波器l的傳輸特性在衰減帶中的衰減惡化。
圖4展示了實(shí)際測(cè)量的實(shí)例。圖4中，虛線"TEM"表示原來(lái)的只從TEM模式得 到的估算特性。以曲線TE101為只從TE101模式得到的估算特性。曲線"F"表示輸 入/輸出電極7和8之間的傳輸特性(S21)。在介質(zhì)濾波器的通帶中，傳輸特性幾乎 不受TE101模式影響，如"A"所示。然而，如"B"所示，在通帶的較高頻一側(cè)的鄰 近頻帶中，衰減明顯惡化。另外，如"C"所示，在低于通帶一側(cè)，也受TE101模式 的響應(yīng)所影響，衰減加重大約15-20dB。
由于受制造限制，電介質(zhì)塊大小不能非常小，所需通帶特性(中心頻率)由內(nèi)導(dǎo) 體孔的形狀和尺寸確定。因此，當(dāng)設(shè)計(jì)用于達(dá)到或高于某種程度的高頻帶的介質(zhì)濾波 器時(shí)，TEM模式共振頻率變得相對(duì)較高，而TE101模式共振頻率保持不變，結(jié)果兩 個(gè)模式的頻率接近。因此，使用的頻率帶越高，衰減帶的衰減特性就越明顯惡化。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種介質(zhì)濾波器，即使用于上述高頻帶中，也較小 地受TE模式影響，改善了衰減帶的衰減特性。
解決問(wèn)題的技術(shù)方案
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)濾波器的結(jié)構(gòu)如下。
(1)介質(zhì)濾波器，包括長(zhǎng)方體電介質(zhì)塊；設(shè)置在電介質(zhì)塊內(nèi)的多個(gè)平行內(nèi)導(dǎo) 體孔，該多個(gè)內(nèi)導(dǎo)體孔從電介質(zhì)塊的第一表面(開(kāi)放表面)至第二表面(短路表面) 貫穿電介質(zhì)塊；形成在內(nèi)導(dǎo)體孔的內(nèi)表面的內(nèi)導(dǎo)體；形成在第二至第六表面的外導(dǎo) 體，所述第二至第六表面是所述電介質(zhì)塊除第一表面之外的外表面；以及輸入/輸出 電極，該輸入/輸出電極從第三表面和第四表面延伸至第五表面，輸入/輸出電極由未 形成外導(dǎo)體部分與所述外導(dǎo)體分離開(kāi)，第三表面和第四表面為內(nèi)導(dǎo)體孔排列方向兩端的側(cè)面，第五表面為對(duì)著安裝基板的安裝表面，其中輸入/輸出電極對(duì)著第一表面的 邊基本平行于第一表面，對(duì)著第二表面的邊和對(duì)著第六表面的一邊的相交處形成斜 角。
(2) 在電介質(zhì)塊的第一表面和輸入/輸出電極的對(duì)著電介質(zhì)塊第一表面的邊之間 的電介質(zhì)塊的外表面部分上，形成有外導(dǎo)體設(shè)置。
(3) 第三表面和第四表面上的外導(dǎo)體具有斜角部分，該斜角部分分別對(duì)應(yīng)于所 述輸入/輸出電極的斜角部分，并與其之間有預(yù)定間隙。
(4) 輸入/輸出電極和第五表面上外導(dǎo)體之間的間隙設(shè)置為，大于輸入/輸出電 極和第三表面和第四表面上外導(dǎo)體之間的間隙。
有益效果
本發(fā)明具有以下有益效果。
(1)由于輸入/輸出電極對(duì)著電介質(zhì)塊第一表面(開(kāi)放表面)的邊，基本平行于 第一表面，可以確保與TEM模式應(yīng)有的耦合量。另一方面，由于輸入/輸出電極對(duì)著 電介質(zhì)塊的第二表面(短路表面)的一側(cè)和對(duì)著第六表面(與面向安裝面相反的一 面)的邊的結(jié)合處為斜角，即輸入/輸出電極設(shè)置為斜角形，可以有效地抑制與TE模 式的耦合量，而不會(huì)降低與TEM模式的耦合量。
如上所述，輸入/輸出電極的面向第一表面的邊的附近的區(qū)域，主要構(gòu)成了與 TEM模式的耦合。而輸入/輸出電極的靠近電介質(zhì)體中央附近(將電介質(zhì)濾波器安裝 在安裝基板上的狀態(tài)下的中間高度附近)的部位，則主要構(gòu)成了與TE模式的耦合。
因此，與TE模式的耦合量被抑制，且在原來(lái)利用的TEM模式的通帶較高側(cè)和較 低側(cè)，可以確保有大的衰減。
(2) 通過(guò)在電介質(zhì)塊的第一表面和輸入/輸出電極的對(duì)著第一表面的邊之間形 成外導(dǎo)體，由在輸入/輸出電極周?chē)奈葱纬赏鈱?dǎo)體部分產(chǎn)生的開(kāi)放表面的延伸部分 被消除，并且開(kāi)放表面(電介質(zhì)塊的第一表面)的等價(jià)開(kāi)放面積被減少。因此，TE 模式的共振頻率變?yōu)檩^高頻帶，TE模式的影響可以進(jìn)一步被抑制。
(3) 通過(guò)在外導(dǎo)體也設(shè)置對(duì)應(yīng)于輸入/輸出電極的斜角形部分的斜角，可以縮 小封鎖在電介質(zhì)塊內(nèi)的TE模式磁場(chǎng)環(huán)路的大小，并且TE模式的共振頻率可以有效 地被提高高。
(4) 由于電介質(zhì)塊的第五表面(安裝表面)上輸入/輸出電極和外導(dǎo)體之間的間隙設(shè)置為大于第三表面及第四表面(位于內(nèi)導(dǎo)體孔排列方向上的兩端的側(cè)面)上輸入 /輸出電極和電介質(zhì)的的外導(dǎo)體之間的間隙，不需改變與TE模式的耦合量，就能有效 地降低輸入/輸出電極和外導(dǎo)體之間的寄生電容，因此輸入/輸出電極和TEM模式之 間的耦合量被提高。因此，第三表面和第四表面上的輸入/輸出電極的面積大小可以 被相應(yīng)地縮小，與TE模式的耦合量可以相對(duì)地被抑制。


圖1為專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的電介質(zhì)濾波器的外部透視圖2為具有電介質(zhì)塊的電介質(zhì)濾波器內(nèi)產(chǎn)生的在TE101模式的電場(chǎng)和磁場(chǎng)狀態(tài)
圖3為電介質(zhì)濾波器產(chǎn)生的三個(gè)共振模式的傳輸特性的概念圖4為受TE101模式影響的電介質(zhì)濾波器的實(shí)際傳輸特性的實(shí)例圖解；
圖5為根據(jù)第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的外部透視圖6為該實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的三面視圖7為該實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的側(cè)面圖，和具有現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的對(duì)比介質(zhì)濾波器的 側(cè)面圖8展示了該實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的傳輸特性的改善； 圖9為根據(jù)第二實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的側(cè)面圖； 圖10為根據(jù)第三實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的兩面視圖； 圖11為電介質(zhì)濾波器的傳輸特性的圖解。 附圖標(biāo)記
70電介質(zhì)塊
71內(nèi)導(dǎo)體孔
72,76-78夕卜導(dǎo)體
73,75 輸入/輸出電極
74開(kāi)放表面的電極
100,101 電介質(zhì)濾波器
VI對(duì)著第一表面的邊
V2對(duì)著第二表面的邊
V6對(duì)著第六表面的邊V2 6斜角形部分
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器如圖5-8所示。
圖5為根據(jù)第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的外部透視圖。如圖5所示，電介質(zhì)塊70 為具有第一至第六表面的大致長(zhǎng)方體。電介質(zhì)塊70具有相互平行的內(nèi)導(dǎo)體孔71a、 71b和71c，這些內(nèi)導(dǎo)體孔從第一表面穿透至第二表面。內(nèi)導(dǎo)體形成在內(nèi)導(dǎo)體孔71a、 71b和71c的內(nèi)表面上。外導(dǎo)體72形成在電介質(zhì)塊70的除了第一表面之外的五個(gè)表 面(第二至第五表面)上。輸入/輸出電極73a和73c分別從第三表面和第四表面延 伸到第五表面，所述第三表面和第四表面為分別靠近內(nèi)導(dǎo)體孔71a-71c排列方向上 兩端的內(nèi)導(dǎo)體孔71a和71c的側(cè)面，所述第五表面為對(duì)著安裝基板的安裝表面。這兩 個(gè)輸入/輸出電極73a和73c與外導(dǎo)體72之間隔開(kāi)一個(gè)預(yù)定間隙。
連接至各內(nèi)導(dǎo)體一端的開(kāi)放表面的電極7 4a, 74b和74c形成在電介質(zhì)塊70的 第一表面。內(nèi)導(dǎo)體孔內(nèi)的各內(nèi)導(dǎo)體的另一端分別連接至電介質(zhì)塊70第二表面上的外 導(dǎo)體72 (被短路)。也就是說(shuō)，電介質(zhì)塊70的第一表面設(shè)置為開(kāi)放表面，第二表面設(shè) 置為短路表面。
形成在內(nèi)導(dǎo)體孔71a-71c內(nèi)的內(nèi)導(dǎo)體、形成在電介質(zhì)塊70外表面上的外導(dǎo)體 72、和電介質(zhì)塊70構(gòu)成以TEM模式共振的三個(gè)電介質(zhì)共振器。相鄰共振器之間通過(guò) 開(kāi)放表面的電極74a-74b之間的電容和開(kāi)放表面的電極74b-74c之間的電容而電 容性耦合。此外，第一級(jí)共振器和第三級(jí)共振器通過(guò)開(kāi)放表面的電極74a-74c之間
的電容躍級(jí)耦合。這樣，構(gòu)成了電介質(zhì)濾波器ioo。
圖6為第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的三面視圖。圖6(A)展示了電介質(zhì)塊的第六 表面，圖6(B)展示了其第四表面，圖6(C)展示了其的第五表面。 圖6每個(gè)部分的尺寸如下 a 1.2 扁,b: 1.5,, cl0.8醒,c2: 0.8 mm d: 1.0醒,L: 4.0腿 圖7展示了根據(jù)第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的輸入/輸出電極附近區(qū)域的形狀和 具有現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)濾波器的該區(qū)域形狀之間的區(qū)別。如圖7(A)所示，在根據(jù)第 一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器中，形成輸入/輸出電極73c，從而對(duì)著電介質(zhì)塊的第一表面的邊VI平行于第一表面，并且對(duì)著第二表面的邊V2和對(duì)著第六表面的邊V6的交匯 處形成有斜角形部分V26。
除此之外，對(duì)應(yīng)于輸入/輸出電極73C的斜角形部分V26并與之有預(yù)定間隙的斜 角形部分U26同樣形成在外導(dǎo)體72。
對(duì)于另一個(gè)輸入/輸出電極73a，斜角形部分的形狀與輸入/輸出電極73c的形 狀呈鏡像對(duì)稱。
輸入/輸出電極73a和73c (占據(jù)預(yù)定范圍)中，越靠近第一表面(開(kāi)放表面) 的部分越構(gòu)成與TEM模式耦合。因此，可以說(shuō)圖7中區(qū)域A0構(gòu)成了與TEM模式的 耦合。另一方面，根據(jù)各種試制加工和實(shí)驗(yàn)，可以推測(cè)，靠近電介質(zhì)塊高度的中心的 部分尤其構(gòu)成了與TE模式的偶合。因此，可以說(shuō)圖7中區(qū)域A1構(gòu)成了與TE模式的
親合o
通過(guò)在輸入/輸出電極73c形成斜角形部分V26，與TE模式的耦合量可以被抑 制，而不會(huì)降低與TEM模式的耦合量。
如果通過(guò)在作為比較例的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的圖7(B)中，使對(duì)著電介質(zhì)塊的第二表面的 邊V2長(zhǎng)度減少預(yù)定量，來(lái)減少輸入/輸出電極73c的面積，則雖然與TE模式的耦合 量減少，但與TEM模式的耦合量也同時(shí)降低。因此，TE模式的影響不能被有效地抑 制。
圖8展示了圖7所示的兩個(gè)電介質(zhì)濾波器的傳輸特性S21的圖解。在此，曲線Ca 和Cb代表了根據(jù)第一實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的特性和具有圖7 (B)現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的電介 質(zhì)濾波器的特性。由于TE101模式產(chǎn)生的響應(yīng)B出現(xiàn)在通帶A的較高側(cè)，衰減惡化。 由TE模式產(chǎn)生的傳輸量增加在較低側(cè)也產(chǎn)生，如圖"C"所示。具有圖7(A)所示外 形的輸入/輸出電極的使用降低了與TE101的耦合量，可以改善通帶的較高側(cè)和較低 側(cè)的衰減。此外，由于在外導(dǎo)體中設(shè)置斜角形部分U26，使TE101模式的磁場(chǎng)環(huán)路 縮小，產(chǎn)生的TE101模式的共振頻率稍微向較高頻帶移動(dòng)。因此，TE101模式的影 響可以相應(yīng)地進(jìn)一步被抑制。
同時(shí)，圖5中，電介質(zhì)塊7 0第五表面上輸入/輸出電極7 3a和7 3c與外導(dǎo)體 72之間的間隙，被設(shè)置為分別大于第三表面和第四表面上輸入/輸出電極73a和 73c與外導(dǎo)體72之間的間隙。在這種結(jié)構(gòu)下，由于輸入/輸出電極73a和73c與外 導(dǎo)體72之間的寄生電容減少，輸入/輸出電極73a和73與TEM模式之間的耦合量
8可被增加，而沒(méi)有改變與TE模式的耦合量。因此，第三表面和第四表面上的輸入/輸 出電極73a和73c的面積可以被相應(yīng)地減少一定量，與TE模式的耦合量可以相對(duì)地 被抑制。
第二實(shí)施例
圖9為根據(jù)第二實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的側(cè)視圖。
在圖9 (A)的實(shí)例中，輸入/輸出電極75c的斜角形部分V2 6延伸到第五表面， 對(duì)著第二表面的邊基本被消除。除此之外，外導(dǎo)體77的斜角形部分也被延伸。在這 種形狀下，與TE模式的耦合可以有效地被抑制，而不會(huì)較多地降低與TEM模式的耦
在圖(9B)的實(shí)例中，外導(dǎo)體76上形成輸入/輸出電極73c的區(qū)域被設(shè)置成矩形 開(kāi)口。這樣，對(duì)著輸入/輸出電極73c的斜角形部分V26的部分可以形成為未形成外 導(dǎo)體部分。
盡管如此，由于電介質(zhì)塊的第五表面作為安裝表面，與圖9(A)相比，形成如圖 7(A)所示那樣的具有邊V2的輸入/輸出電極，更方便安裝且安裝后可靠性更強(qiáng)。此 外，當(dāng)電介質(zhì)濾波器安裝在安裝基板后，如果存在平行于第二表面的邊V2,則上錫 效果更佳。因此，實(shí)際接觸面積增加，在應(yīng)力集中方面其可靠性增加。此外，因?yàn)榕c 圖9(B)相比，在圖7(A)的結(jié)構(gòu)中，外導(dǎo)體的開(kāi)口面積被抑制，所以TE模式的磁 場(chǎng)環(huán)路面積被縮小。因此，可以提高TE模式的共振頻率，進(jìn)一步抑制TE模式的影 響。
實(shí)施例三
圖10展示了根據(jù)第三實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的兩面視圖。圖IO(A)為電介質(zhì)濾 波器101的側(cè)視圖，展示了電介質(zhì)塊的第四表面；圖10 (B)為電介質(zhì)濾波器101 的俯視圖，展示了電介質(zhì)塊70的第五表面。與第一實(shí)施例中圖6所示結(jié)構(gòu)不同，外 導(dǎo)體7 8也形成在區(qū)域〃e〃，該區(qū)域e處于第一表面和輸入/輸出電極7 3a和7 3c對(duì) 著第一表面的邊之間。
在這種結(jié)構(gòu)下，由未形成外導(dǎo)體部分構(gòu)成的開(kāi)放表面的延伸部分被消除，該開(kāi)放 表面(電介質(zhì)塊的第一表面)的等價(jià)開(kāi)放面積被減少。因此，TE模式的磁場(chǎng)面積被 縮小，TE模式的共振頻率被轉(zhuǎn)到較高頻帶，TE模式的影響被進(jìn)一步抑制。
圖11為圖10的電介質(zhì)濾波器和圖7(A)所示電介質(zhì)濾波器的傳輸特性S21的圖解。在此，曲線Ca表示第三實(shí)施例的電介質(zhì)濾波器的特性，曲線Cb表示具有圖7(A) 結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)濾波器的特性。通帶A的較高頻側(cè)由于TE101模式產(chǎn)生的響應(yīng)B的出 現(xiàn)，衰減惡化。較低頻側(cè)如C處所示TE模式的傳輸量增加。但是由于圖10所示第 一表面(開(kāi)放表面)附近形成的外導(dǎo)體78的影響，有效地縮小了 TE101模式的磁場(chǎng) 環(huán)路尺寸，并且被激勵(lì)的TE101模式的共振頻率很大地轉(zhuǎn)到較高頻帶。因此， TE101模式的影響可以進(jìn)一步被抑制。在較低頻帶一側(cè)的衰減可以進(jìn)一步改善約20 dB，如圖C所示。
上述實(shí)施例已經(jīng)描述了，在電介質(zhì)濾波器中，電介質(zhì)塊的第一表面(開(kāi)放表面) 上形成有用于共振器之間耦合的開(kāi)放表面電極。此外，本發(fā)明也可以適用于以下類型 的電介質(zhì)濾波器，其中共振器之間由內(nèi)導(dǎo)體的形狀耦合，例如將內(nèi)導(dǎo)體做成臺(tái)階結(jié)構(gòu) 以取代第一表面上的開(kāi)放表面電極。
此外，內(nèi)導(dǎo)體孔的數(shù)量并非限制為三個(gè)，本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有兩個(gè)、四個(gè)或 更多的內(nèi)導(dǎo)體孔的電介質(zhì)濾波器。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)濾波器，包括矩形電介質(zhì)塊；設(shè)置在所述電介質(zhì)塊內(nèi)部的多個(gè)彼此平行的內(nèi)導(dǎo)體孔，該多個(gè)內(nèi)導(dǎo)體孔從所述電介質(zhì)塊的第一表面穿透至與該第一表面相對(duì)的第二表面；形成在所述內(nèi)導(dǎo)體孔的內(nèi)表面上的內(nèi)導(dǎo)體；形成在第二表面至第六表面的外導(dǎo)體，所述第二表面至第六表面為所述電介質(zhì)塊除所述第一表面之外的外表面；輸入/輸出電極，該輸入/輸出電極從所述第三表面和所述第四表面延伸到所述第五表面，所述三個(gè)表面上未形成外導(dǎo)體的部分將所述輸入/輸出電極與所述外導(dǎo)體分開(kāi)，所述第三表面和所述第四表面為處于所述內(nèi)導(dǎo)體孔的排列方向兩端并靠近所述內(nèi)導(dǎo)體孔的側(cè)面，所述第五表面為對(duì)著安裝板的安裝表面，其中，對(duì)著所述第一表面的每個(gè)所述輸入/輸出電極的對(duì)著所述第一表面的邊基本平行于所述第一表面，對(duì)著所述第二表面的邊和對(duì)著所述第六表面的邊之間的交匯處為斜角形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)濾波器，其特征在于在所述電介質(zhì)塊的所述第 一表面和對(duì)著所述電介質(zhì)塊的所述第一表面的所述輸入/輸出電極的側(cè)面之間的所述 電介質(zhì)塊的所述外表面上，形成有外導(dǎo)體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)濾波器，其特征在于所述第三表面和所 述第四表面上的外導(dǎo)體具有斜角部分，該斜角部分分別對(duì)應(yīng)于所述輸入/輸出電極的 斜角部分，并與其之間具有預(yù)定間隙。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)所述的電介質(zhì)濾波器，其特征在于所述第五 表面上的所述輸入/輸出電極和所述外導(dǎo)體之間的間隙，設(shè)置為大于所述第三表面和 所述第四表面上的所述輸入/輸出電極與所述外導(dǎo)體之間的間隙。全文摘要
本發(fā)明提供了一種電介質(zhì)濾波器，其中多個(gè)內(nèi)導(dǎo)體孔(71a，71b，71c)從電介質(zhì)塊(70)的第一表面穿透至與該第一表面相對(duì)的第二表面；外導(dǎo)體(72)和輸入/輸出電極(73a，73b)形成在電介質(zhì)塊(70)的外表面。每個(gè)所述輸入/輸出電極(73a，73c)的對(duì)著所述第一表面的邊基本平行于所述第一表面，對(duì)著所述第二表面的邊和對(duì)著所述第六表面的邊的交匯處為斜角形。在這種結(jié)構(gòu)下，使衰減特性較少地受TE模式的影響，改善了衰減頻帶的衰減特性。
文檔編號(hào)H01P1/205GK101529649SQ20078003937
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月9日
發(fā)明者岡田貴浩, 后川祐之, 由井孝欣 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所