專利名稱：：Ⅲ族氮化物襯底、設(shè)置有外延層的襯底、制造上述襯底的方法以及制造半導體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種m族氮化物襯底，一種設(shè)置有外延層的襯底，制造上述襯底的方法以及一種制造半導體器件的方法。更特別地，本發(fā)明涉及一種其上能夠形成良好膜質(zhì)的外延層的ni族氮化物襯底，一種設(shè)置有外延層的襯底，制造上述襯底的方法以及一種制造半導體器件的方法。
背景技術(shù)：
：一直以來，在諸如發(fā)光器件、功率器件等各種半導體器件中都會使用包括如GaN襯底的III族氮化物襯底的化合物半導體襯底，所述襯底具有鏡面拋光表面且在鏡面拋光表面上通過外延形成有外延生長層。存在的問題是，如果在上述鏡面拋光表面上出現(xiàn)混濁(haze)，就會使形成在鏡面拋光表面上的外延生長層出現(xiàn)不平整的缺陷，導致外延生長層的質(zhì)量下降。所以，已經(jīng)按照慣例提出了抑制上述混濁出現(xiàn)(即，降低濁度)的各種拋光方法(例如，GaAs，見專利文獻l(特開平11-347920號公報))專利文獻1:特開平11-347920號公報
發(fā)明內(nèi)容然而，本發(fā)明人的研究結(jié)果己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，僅僅降低諸如GaN的III族氮化物襯底表面的濁度可能會引起諸如形成于該表面上的外延生長層的不平整的缺陷。在此情形下，即使使用上述的常規(guī)拋光方法也難以充分降低在外延生長層中出現(xiàn)缺陷的可能性。7本發(fā)明致力于解決上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種其上能夠形成良好質(zhì)量外延生長層的in族氮化物襯底以及一種制造該襯底的方法。本發(fā)明的另一個目的是提供一種包括良好質(zhì)量外延生長層的設(shè)置有外延層的襯底及制造該襯底的方法，以及一種利用上述III族氮化物襯底使用設(shè)置有外延層的襯底來制造半導體器件的方法。解決上述問題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明人已經(jīng)研究導致形成于III族氮化物襯底表面上的外延生長層的質(zhì)量下降的機理。具體地，本發(fā)明人在外延生長層形成于III族氮化物襯底上之前對III族氮化物襯底的表面進行了詳細的檢査(如附著物質(zhì)的種類和數(shù)量的測量)，并研究了檢查結(jié)果與形成的外延生長層質(zhì)量之間的關(guān)系。結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在形成外延生長層時存在于III族氮化物襯底表面上的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)和硅原子個數(shù)，對形成的外延生長層的質(zhì)量有顯著的影響。這里，in族錄化物襯底指的是，例如由GaN制成的襯底、由A1N制成的襯底以及其混晶襯底(GaxAlyN)。此外，酸性物質(zhì)指的是，當與水反應時或溶于水時呈現(xiàn)酸性的材料，包括鹵素例如氯、氟、溴、碘等，氮氧化物(NOx)、硫氧化物(SO》、氯化氫等。本發(fā)明人已經(jīng)探討了上述酸性物質(zhì)附著于III族氮化物襯底表面的原因，并且推測是發(fā)生了如下現(xiàn)象。具體地，在制造III族氮化物襯底(例如，GaN襯底)的步驟中，使用了諸如鹽酸和硝酸的揮發(fā)性酸性物質(zhì)，另外，使用了含有磨粒的拋光液來拋光襯底。在拋光液中通常使用氯基氧化劑，并且在拋光液中含有大量的作為酸性物質(zhì)的氯。使用這些酸性物質(zhì)的拋光步驟通常利用排氣裝置對拋光裝置內(nèi)的氣氛進行排氣來實施。如果排氣裝置無法排出所有的酸性物質(zhì)，則部分酸性物質(zhì)存在于拋光裝置內(nèi)的氣氛中。在此情形下，所述酸性物質(zhì)就被認為會吸附在III族氮化物襯底的表面上。并且還認為上述酸性物質(zhì)與組成III族氮化物襯底的元素發(fā)生反應從而在襯底表面上形成析出物。如果形成上述析出物，則襯底表面的表面粗糙度和濁度的值增大。拋光之后，清洗m族氮化物襯底，然后進行表面檢查。如果在上述拋光步驟中在m族氮化物襯底表面上存在大量的酸性物質(zhì)，則在隨后的步驟中難以充分去除該酸性物質(zhì)。所以，最終狀態(tài)的襯底表面的表面粗糙度和濁度的值增大。此外，表面檢查是在潔凈室中進行的，在檢査過程中in族氮化物襯底暴露于潔凈室內(nèi)的氣氛達至少約一小時。同樣認為，在這種場合，從上述拋光步驟流出的少量酸性物質(zhì)等被吸附在in族氮化物襯底的表面上。此外，當使用含有Si原子的物質(zhì)如Si02作為磨粒的拋光液來拋光如GaN襯底的m族氮化物襯底時，即使在拋光之后實施了清洗步驟，含Si物質(zhì)仍可能殘留在襯底表面上。本發(fā)明人己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果在III族氮化物襯底的表面上存在過量的上述酸性物質(zhì)(和/或析出物)和含Si物質(zhì)，則形成于襯底表面上的外延生長層的質(zhì)量會降低。也就是說，為了在m族氮化物襯底表面上形成高質(zhì)量的外延生長層，降低上述酸性物質(zhì)和含Si物質(zhì)在襯底表面上的濃度是有效的。本發(fā)明人己經(jīng)發(fā)現(xiàn)，為了降低如上所述的襯底表面上的酸性物質(zhì)的濃度，盡可能地降低在拋光裝置內(nèi)與襯底表面接觸的環(huán)境氣體中酸性物質(zhì)的濃度是有效的。此外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了降低附著于襯底表面的含Si物質(zhì)(或Si原子)的濃度，在拋光步驟中使用的拋光液含有酸和表面活性劑是有效的。需要指出，當制造步驟中氣氛內(nèi)的酸性物質(zhì)的濃度高時、襯底表面上的酸性物質(zhì)的濃度增加的問題，不僅是在拋光步驟和檢查步驟中而且在其它步驟中高度地出現(xiàn)。在根據(jù)由上述發(fā)現(xiàn)而作出的本發(fā)明m族氮化物襯底中，每平方厘米表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)在2xl0"以下，并且每平方厘米表面的硅(Si)原子個數(shù)在3"013以下。利用這種構(gòu)造，能夠在m族氮化物襯底的表面上形成良好質(zhì)量的外延生長層。需要指出，將III族氮化物襯底的每平方厘米表面的原子個數(shù)設(shè)定為2xl014以下的原因在于，如果將酸性物質(zhì)的原子個數(shù)抑制為2xl0"以下，則能夠充分降低襯底表面的粗糙度和濁度(g卩，能夠充分降低襯底表面的不平整程度)。此外，將每平方厘米表面的硅(Si)原子個數(shù)設(shè)定為3"013以下的原因在于，利用這種設(shè)定，形成的外延生長層的質(zhì)量(例如，外延生長層的表面粗糙度和膜質(zhì)量)能夠被保持得足夠良好(例如，當外延生長層被用作發(fā)光器件的發(fā)光層時，能夠獲得規(guī)定的發(fā)光強度)。需要指出，如果酸性物質(zhì)以諸如包括氟、氯、溴、碘等鹵素的單質(zhì)出現(xiàn)，則酸性物質(zhì)的原子個數(shù)指的是鹵素原子個數(shù)，而如果酸性物質(zhì)以諸如氮氧化物(Ncg、硫氧化物(scg等的化合物出現(xiàn)，則酸性物質(zhì)的原子個數(shù)指的是化合物的分子數(shù)。此外，如果硅以單質(zhì)出現(xiàn)，則硅原子個數(shù)指的是硅的原子個數(shù)，而如果硅以諸如Si02的化合物出現(xiàn)，則硅原子個數(shù)指的是化合物的分子數(shù)。在上述m族氮化物襯底中，表面的濁度可以為5ppm以下。這是因為，通過將每平方厘米襯底表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)(酸性物質(zhì)的密度)設(shè)定為上述值以下，能夠充分降低III族氮化物襯底的表面粗糙度，并且因此還能充分降低混濁的程度(濁度)。通過降低上述襯底表面的濁度，能夠防止形成于襯底表面上的外延生長層的質(zhì)量下降。需要指出，將濁度的上限設(shè)定為5ppm的原因在于，如果濁度大于5卯m，形成的外延生長層的質(zhì)量會下降，并且例如當將外延生長層用作發(fā)光器件的發(fā)光層時無法獲得足夠的發(fā)光強度。在根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底中，每平方厘米表面的硅原子個數(shù)為3xl013以下，并且表面的濁度為5ppm以下。此外，在根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底中，每平方厘米表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl0"以下，并且表面的濁度為5ppm以下。利用這種構(gòu)造，能夠在III族氮化物襯底的表面上形成良好質(zhì)量的外延生長層。在上述III族氮化物襯底中，每平方厘米表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)優(yōu)選為9xl0"以下。此外，在上述III族氮化物襯底中，表面的濁度優(yōu)選為3ppm以下。而且，在上述III族氮化物襯底中，每平方厘米表面的硅原子個數(shù)優(yōu)選為1><1013以下。在此情形下，能夠進一步提高形成于III族氮化物襯底表面上的外延生長層的膜質(zhì)量。例如，當襯底被用于形成發(fā)光器件而外延生長層被用于形成發(fā)光層時，發(fā)光層的發(fā)光強度能夠得到進一步提高。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有外延層的襯底包括由III族氮化物制成的基礎(chǔ)襯底，以及形成于基礎(chǔ)襯底表面上的外延生長層。在基礎(chǔ)襯底和外延生長層之間的界面處每立方厘米的硅(Si)原子個數(shù)為"102Q以下。在如上構(gòu)造的設(shè)置有外延層的襯底中，基礎(chǔ)襯底表面上的硅原子個數(shù)保持較低時形成外延生長層，因此能夠形成具有良好膜質(zhì)量的外延生長層。因此，當上述設(shè)置有外延層的襯底被用來形成半導體器件(例如，發(fā)光器件)時，由于外延生長層質(zhì)量差而導致出現(xiàn)半導體器件無法提供足夠性能(即，變得有缺陷)的問題能夠被抑制。這里，設(shè)置有外延層的襯底指的是具有形成于基礎(chǔ)襯底表面上的至少一個由外延形成的層(外延生長層)的襯底。此外，在上述設(shè)置有外延層的襯底中，在基礎(chǔ)襯底和外延生長層之間的界面處每立方厘米的硅(Si)原子個數(shù)可以為1><1019以下。在此情形下，能夠形成更優(yōu)質(zhì)的外延生長層。在界面處每立方厘米的硅原子個數(shù)優(yōu)選為"1018以下，并且更優(yōu)選為1"017以下。在上述III族氮化物襯底中，表面粗糙度Ra可以為lnm以下。在上述設(shè)置有外延層的襯底中，外延生長層表面的表面粗糙度Ra可以為him以下。此外，形成于上述III族氮化物襯底表面上的加工變質(zhì)層(affectedlayer)的厚度可以為50nm以下。形成于上述設(shè)置有外延層的襯底的基礎(chǔ)襯底表面上的加工變質(zhì)層的厚度可以為50nm以下。這里，可以通過使用透射式電子顯微鏡(TEM)觀察襯底，將晶格畸變出現(xiàn)的區(qū)域定義為加工變質(zhì)層并且測量具有畸變的區(qū)域(加工變質(zhì)層)的厚度來評估上述加工變質(zhì)層的厚度。一種制造根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底的方法包括，拋光III族氮化物襯底表面的拋光步驟，以及在拋光步驟之后清洗III族氮化物襯底表面的清洗步驟。在拋光步驟過程中以及在清洗步驟之后控制與III族氮化物襯底相接觸的環(huán)境氣體，以保持在清洗步驟之后III族氮化物襯底表面每平方厘米的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl014以下。在拋光步驟中，通過化學機械拋光來拋光m族氮化物襯底的表面。在化學機械拋光中使用的拋光液含有表面活性劑和酸。利用這種方法，通過控制上述環(huán)境氣體(例如，通過操作排氣機構(gòu)以使含有酸性物質(zhì)的環(huán)境氣體從m族氮化物襯底周圍快速去除，或者通過在環(huán)境氣體流路中設(shè)置吸附酸性物質(zhì)的吸附劑以使環(huán)境氣體中含有的酸性物質(zhì)的濃度低于規(guī)定值)，能夠降低來自環(huán)境氣休的酸性物質(zhì)在拋光步驟過程中以及在清洗歩驟之后吸附到in族氮化物襯底表面的可能性。此外，通過在拋光步驟中使用上述拋光液，能夠降低拋光液中例如由Si02制成的磨粒(粒子狀物質(zhì))等的異物(含Si物質(zhì))在拋光步驟之后附著于in族氮化物襯底表面上的可能性。由此可降低ni族氮化物襯底表面上的含Si物質(zhì)也就是硅原子的密度。在上述制造in族氮化物襯底的方法中，拋光液可進一步包含氧化劑。在這種情況下，可提高拋光步驟中的拋光速率。由此能提高制造m族氮化物襯底的效率。在上述制造m族氮化物襯底的方法中，拋光液中包含的酸沒有特別限制，例如可以使用無機酸，如鹽酸、氫氟酸、溴酸、碘酸、硝酸、硫酸、磷酸、碳酸等；以及有機酸，如甲酸、乙酸、檸檬酸、蘋果酸、12酒石酸、丁二酸、苯二甲酸、富馬酸、草酸等。在上述制造m族氮化物襯底的方法中，有機酸可以是2元以上的羧酸。在這種情況下，可提高拋光步驟中的拋光速率，并且能夠降低由于拋光液中含有酸而使異物附著于襯底表面的可能性。此處，有機酸是指呈酸性的有機化合物。拋光液中含有的表面活性劑沒有特別限制，可以使用陽離子的、陰離子的、非離子的表面活性劑中的任意一種。上述制造m族氮化物襯底的方法可以進一步包括，在拋光步驟之后而在清洗步驟之前，使用酸性溶液或堿性溶液拋光m族氮化物襯底表面的步驟。在該拋光步驟中，用酸性溶液拋光m族氮化物襯底表面的步驟以及用堿性溶液拋光in族氮化物襯底表面的步驟可以順次進行，或者可以多次重復用酸性溶液拋光in族氮化物襯底表面的步驟和/或用堿性溶液拋光in族氮化物襯底表面的步驟。堿性溶液沒有特別限制，可以使用例如KOH、NaOH、NH4OH、胺等的堿。在這種情況下，由于異物可以在清洗歩驟之前通過拋光從III族氮化物襯底的表面去除，因此能夠降低淸洗步驟之后異物(例如含硅物質(zhì))殘留在襯底表面的問題出現(xiàn)的可能性?？捎酶煞ㄎg刻代替化學機械拋光來對襯底表面進行去除和磨光(fmish)。干法蝕刻是指不使用液體，而是通過利用由氣體、等離子體、離子、光等引起的氣相和固相之間界面處的化學或物理反應，對作為固體的III族氮化物襯底表面進行去除的任何方法。氯基氣體常被用于干法蝕刻ni族氮化物襯底，并且氯作為酸性物質(zhì)可能會殘留并存在于襯底表面。氯基氣體的實例包括Cl2,BC13，SiCl4等。作為用于干法蝕刻的氣體，也可以使用包含這些氯基氣體和諸如Ar或N2的惰性氣體的任何混合氣體。襯底表面上的酸性物質(zhì)可通過調(diào)節(jié)例如惰性氣體的稀釋、壓力、流速等的條件來減少。此外，為了通過干法蝕刻使in族氮化物襯底的表面光滑，si存在于等離子中是有效的。利用諸如SiCU的氣體可將Si添加到等離子體中，或者通過將Si化合物放置于襯底附近并與襯底同時蝕刻Si化合物能夠使Si存在于等離子體中?？赡艽嬖谶@樣的情形，由于Si存在于蝕刻氣氛中，導致Si殘留在經(jīng)受干法蝕刻的襯底表面上。在這種情況下，通過控制等離子體中的Si濃度，能夠減少襯底表面上的硅。另外，在根據(jù)本發(fā)明的制造m族氮化物襯底的方法中，使用氯基氣體在含si的氣氛中對ni族氮化物襯底的表面進行干法蝕刻，由此，使所述表面每平方厘米的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl014以下，并且表面每平方厘米的硅原子個數(shù)為3><1013以下。這里，氯基氣體是指在其成分的組成中包含氯的氣體，并且可以是例如氯氣或其組成中包含氯的氣體，或者包含這些氣體中的至少一種的混合氣體。根據(jù)本發(fā)明的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法包括襯底準備步驟，其實施上述制造III族氮化物襯底的方法；以及在通過襯底準備步驟獲得的III族氮化物襯底的表面上形成外延生長層的步驟。利用該方法，在ni族氮化物襯底的表面上可形成良好質(zhì)量的外延生長層。根據(jù)本發(fā)明的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法包括襯底準備步驟，其準備上述ni族氮化物襯底；以及在通過襯底準備步驟準備的m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層的步驟。利用這種方法，在m族氮化物襯底的表面上可形成良好質(zhì)量的外延生長層。根據(jù)本發(fā)明的制造半導體器件的方法包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟，其實施上述制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及在由所述設(shè)置有外延層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施電極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件的步驟。利用這種方法，能夠使用具有優(yōu)質(zhì)外延生長層的設(shè)置有外延層的襯底來形成半導體器件，由此能夠降低由于外延生長層質(zhì)量差而使半導體器件出現(xiàn)故障的可能性。有益效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有形成于ni族氮化物襯底表面上的優(yōu)質(zhì)外延生長層的設(shè)置有外延層的襯底。由此，通過使用設(shè)置有外延層的襯底形成半導體器件能夠降低半導體器件出現(xiàn)故障的可能性。圖1為示出作為根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底實例的GaN襯底的示意性斜視圖；圖2為用于說明使用圖1所示GaN襯底制造半導體器件的方法的流程圖；圖3為用于說明圖2所示的加工步驟的細節(jié)的流程圖；圖4為示出使用圖1所示GaN襯底的設(shè)置有外延層的襯底的示意性斜視圖。符號說明1:襯底3:表面5:外延生長層IO:設(shè)置有外延層的襯底具體實施方式以下，將參考附圖描述本發(fā)明的實施方式和實施例，其中，相同的或相應的部分由相同的附圖標記指代，不再重復其描述。圖1為示出作為根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底實例的GaN襯底的示意性斜視圖。圖2為用于說明使用圖l所示GaN襯底制造半導體器件的方法的流程圖。圖3為用于說明圖2所示加工步驟的細節(jié)的流程圖；圖4為示出使用圖1所示GaN襯底的設(shè)置有外延層的襯底的示意性斜視圖。參考圖1至圖4，下文將描述根據(jù)本發(fā)明的GaN襯底、設(shè)置有外延層的襯底、以及制造半導體器件的方法的實施方式。如圖l所示，在經(jīng)過下述處理步驟的根據(jù)本發(fā)明的GaN襯底1中，其表面(例如，在拋光和清洗之后)每平方厘米的酸性物質(zhì)(例如，氯原子)的原子個數(shù)為2x10"以下，并且表面的每平方厘米的硅原子個數(shù)為3xlO"以下。此外，在GaN襯底l中，表面的濁度為5ppm以下。利用這種構(gòu)成，能夠在III族氮化物襯底的表面上形成良好質(zhì)量的外延生長層。在上述GaN襯底1中，每平方厘米表面3的酸性物質(zhì)原子個數(shù)優(yōu)選為9"013以下。此外，在上述GaN襯底l中，表面3的濁度優(yōu)選為3ppm以下。而且，在上述GaN襯底1中，每平方厘米表面3的硅原子個數(shù)優(yōu)選為lxlO"以下。在這種情況下，能夠進一步提高形成于GaN襯底1的表面3上的外延生長層5(見圖4)的膜質(zhì)量。例如，如后所述，當GaN襯底l被用于形成發(fā)光器件而外延生長層被用于形成發(fā)光層時，所述發(fā)光層的發(fā)光強度能夠得到進一步提高。需要指出，上述酸性物質(zhì)的原子個數(shù)和硅原子個數(shù)是利用TXRF(全反射X射線熒光)儀器測量，并且濁度通過利用Tencor制造的SURFSCAN4500測量。下面，參考圖2和圖3，將描述包括制造圖l所示GaN襯底的步驟的制造半導體器件的方法。如圖2所示，準備步驟(S100)作為準備GaN襯底的步驟被首先實施。在準備步驟(S100)中，可用任何常規(guī)的已知方法準備GaN襯底。然后，實施在GaN襯底上進行拋光等的加工步驟(S200)。參照圖3,將描述加工步驟(S200)的處理細節(jié)。如圖3所示，在加工步驟(S200)中，CMP步驟(S210)作為拋光步驟被首先實施。在CMP步驟(S210)中，通過CMP(化學機械拋光)來拋光在準備步驟(S100)中準備的GaN襯底的表面。結(jié)果，GaN襯底的表面被鏡面磨光。這時，不僅磨粒還有表面活性劑以及酸被添加到在CMP步驟(S210)中使用的拋光液中。作為包含于拋光液中的磨粒，例如可以使用Si02、A1203、Zr02、Ce02、Fe203、Cr203等。為了提高清洗性能，優(yōu)選的是使用具有高離子化傾向的金屬元素作為構(gòu)成磨粒的金屬元素。例如，如果使用包含比氫(H)具有更高離子化傾向的金屬元素的磨粒，則會提高在后述的清洗步驟中去除磨粒等的效率。作為酸，可以用鹽酸等，并且還可以使用有機酸，例如蘋果酸、檸檬酸等。優(yōu)選地，具有2元以上的羧酸被用作有機酸。另外，可進一步向拋光液中添加氧化劑。使用的氧化劑的實例優(yōu)選包括次氯酸和次氯酸鹽，氯化的異氰尿酸如三氯異氰尿酸(TCIA)，氯化的異氰尿酸鹽如二氯異氰尿酸鈉，高錳酸鹽如高錳酸鉀，重鉻酸鹽如重絡(luò)酸鉀，溴酸鹽如溴酸鉀，硫代硫酸鹽如硫代硫酸鈉，過硫酸鹽如過硫酸銨和過硫酸鉀，硝酸，含水的過氧化氫，臭氧等。接下來，實施拋光步驟(S220)。在拋光步驟中，使用酸性或堿性拋光液。例如，可以使用鹽酸、硝酸、磷酸、檸檬酸、蘋果酸等作為酸性拋光液。例如，可以使用氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鈉等作為堿性拋光液。然后，實施清洗步驟(S230)。在清洗步驟(S230)中，可以使用任何清洗方法。例如，使用純水的純水清洗可以作為清洗步驟(S230)來實施。至少在CMP步驟(S210)過程中、在拋光步驟(S220)步驟過程中，以及在清洗步驟(S230)之后的步驟中，與GaN襯底接觸的環(huán)境氣體(即，在處理GaN襯底的潔凈室中的環(huán)境氣體)從GaN襯底周圍排出，以使酸性物質(zhì)特別是氯原子的濃度保持較低，吸附酸性物質(zhì)的吸附劑被設(shè)置于環(huán)境氣體的循環(huán)系統(tǒng)中。例如，活性碳被作為吸附劑來使用。以此方式，使環(huán)境氣體中酸性物質(zhì)特別是氯原子的濃度保持為規(guī)定值以下(例如，0.02ppm以下)。其結(jié)果，能夠降低在拋光和清洗后作為吸附17于GaN襯底表面的酸性物質(zhì)的氯原子個數(shù)。需要指出，同樣在拋光步驟(S220)過程中，如上所述，與GaN襯底相接觸的環(huán)境氣體可從GaN襯底周圍排出，并且吸附酸性物質(zhì)的吸附劑可設(shè)置在環(huán)境氣體的循環(huán)系統(tǒng)中。通過實施上述步驟，可獲得如圖1所示的GaN襯底1，其表面上酸性物質(zhì)和硅的原子密度足夠小。需要指出，在加工步驟(S200)中，可通過干法蝕刻步驟代替CMP步驟來處理GaN襯底的表面。也可在CMP步驟之外實施干法蝕刻步驟。接下來，如圖2所示，在通過加工步驟(S200)鏡面磨光的GaN襯底上實施后處理步驟(S300)。在后處理步驟(S300)中，例如，實施在GaN襯底表面上形成規(guī)定的外延生長層的步驟(膜形成步驟)。作為膜形成步驟的結(jié)果，可以獲得設(shè)置有外延層的襯底10，該襯底10具有在GaN襯底1的表面上形成的外延生長層5(如圖4所示)。此外，在后處理步驟(S300)中，通過實施在設(shè)置有外延層的襯底10的表面上形成電極的步驟(電極形成步驟)，將設(shè)置有外延層的襯底10分離成單獨器件的分離步驟，以及將形成的器件連接至框架的步驟(加工步驟)，來實現(xiàn)組裝諸如發(fā)光器件的器件的組裝步驟。下文將列舉并描述本發(fā)明的實施方式，盡管這些實施方式與上述實施方式部分重疊。根據(jù)本發(fā)明的制造III族氮化物襯底(GaN襯底1)的方法包括拋光GaN襯底1表面的拋光步驟(CMP步驟(S210))以及在CMP步驟(S210)之后清洗GaN襯底1表面的清洗步驟(S230)。在拋光步驟(CMP步驟(S210))期間以及在清洗步驟(S230)之后對接觸GaN襯底1的環(huán)境氣體進行控制，以使清洗步驟(S230)之后GaN襯底1的每平方厘米表面上酸性物質(zhì)的原子個數(shù)保持在2xl0"以下。具體來說，在環(huán)境氣體中設(shè)置吸附酸性物質(zhì)的吸附元件如活性碳，從而將環(huán)境氣體中酸性物質(zhì)的濃度保持為規(guī)定值以下。此外，在上述CMP步驟(S210)期間以及在清洗步驟(S230)之后，可以設(shè)置排放機構(gòu)以保持環(huán)境氣體中18酸性物質(zhì)的濃度為規(guī)定值以下。在CMP步驟(S210)中，通過化學機械拋光來拋光GaN襯底1的表面。在化學機械拋光中使用的拋光液含有表面活性劑和酸。利用這種方法，對上述環(huán)境氣體進行控制以便從環(huán)境氣體中去除酸性物質(zhì)，由此能夠降低在CMP步驟期間以及在清洗步驟之后來自環(huán)境氣體的酸性物質(zhì)附著于GaN襯底l表面的可能性。此外，通過在CMP步驟(S210)中使用上述拋光液，能夠降低在CMP步驟(S210)之后拋光液中的含Si物質(zhì)附著于GaN襯底1的表面的可能性。由此能夠降低GaN襯底1的表面上含Si物質(zhì)也就是硅原子的密度。在上述CMP步驟(S210)中，拋光液可進一步包含氧化劑。在這種情況下，能夠提高拋光步驟的拋光速率。此外，拋光液中包含的酸可以是有機酸。而且，有機酸可以是2元以上的羧酸。在這種情況下，能夠提高拋光歩驟的拋光速率，并且能夠降低由于拋光液中包含的酸而使異物附著于襯底表面的可能性。上述制造GaN襯底的方法可進一步包括，在CMP步驟(S210)之后而在清洗步驟(S230)之前，使用酸性溶液或堿性溶液拋光GaN襯底1的表面的步驟(拋光步驟(S220))。在拋光步驟(S220)中，使用酸性溶液拋光GaN襯底1的表面的步驟以及使用堿性溶液拋光GaN襯底1的表面的步驟可以順次實施，或者可以多次重復用酸性溶液拋光GaN襯底1表面的步驟和/或用堿性溶液拋光GaN襯底1表面的步驟。在這種情況下，由于能夠通過拋光在清洗步驟之前將異物從GaN襯底1的表面上去除，因此能夠降低清洗步驟(S230)之后異物殘留在GaN襯底1表面上的問題出現(xiàn)的可能性。此外，由于通過拋光步驟還能夠在清洗步驟之前減少酸性物質(zhì)，因此能夠降低清洗步驟之后酸的存在量。此外，可以進行干法蝕刻來代替CMP步驟。干法蝕刻的實例包括RIE(反應離子蝕刻)、ICP(電感耦合等離子體)-R1E、ECR(電子回旋共振)、CAIBE(化學輔助離子束蝕刻)、RIBE(反應離子束蝕刻)等。根據(jù)本發(fā)明制造設(shè)置有外延層的襯底的方法包括襯底準備步驟(圖2中的加工步驟(S200))，其實施上述制造GaN襯底的方法(或準備GaN襯底1作為上述III族氮化物襯底)；以及在通過加工步驟(S200)獲得的III族氮化物襯底表面上形成外延生長層(包括在后處理步驟(S300)中的膜形成步驟)的步驟。利用該方法，能夠在GaN襯底l的表面3上形成良好質(zhì)量的外延生長層5。根據(jù)本發(fā)明的制造半導體器件的方法包括設(shè)置有外延生長層的襯底準備步驟(加工步驟(S200)和膜形成步驟)，其實施上述制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及通過在由設(shè)置有外延生長層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底10上實施電極形成步驟和加工步驟(包括在后處理歩驟(S300)中)而形成半導體器件的步驟(在后處理步驟(S300)中在膜形成步驟之后的步驟)。利用該方法，能夠使用具有優(yōu)質(zhì)外延生長層5的設(shè)置有外延層的襯底IO來形成半導體器件，并因此能夠降低由于外延生長層5的質(zhì)量差而使半導體器件出現(xiàn)故障的可能性。此外，如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明設(shè)置有外延層的襯底IO包括作為由III族氮化物制成的基礎(chǔ)襯底的GaN襯底1，以及形成于GaN襯底1的表面3上的外延生長層5。在GaN襯底1與外延生長層5之間的界面處每立方厘米的硅(Si)原子個數(shù)lxl(P以下。而且，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有外延層的襯底10包括作為上述根據(jù)本發(fā)明的III族氮化物襯底的GaN襯底1，以及形成于GaN襯底1表面上的外延生長層。在如上所述構(gòu)造的設(shè)置有外延層的襯底10中，在GaN襯底1表面上硅原子的個數(shù)保持較低的狀態(tài)下形成外延生長層5，由此能夠形成良好質(zhì)量的外延生長層5。因此，能夠抑制如下問題的出現(xiàn)，例如當使用上述設(shè)置有外延層的襯底IO形成發(fā)光器件時，該器件會由于劣質(zhì)的外延生長層5而變得有缺陷。此外，在上述設(shè)置有外延層的襯底中，在GaN襯底l與外延生長層5之間的界面處每立方厘米的硅(Si)原子個數(shù)可以為lx1019以下。在這種情況下，能夠形成更優(yōu)質(zhì)的外延生長層5。在GaN襯底1與外延生長層5之間的界面處每立方厘米的硅(Si)原子個數(shù)(硅原子密度)能夠通過SIMS(次級離子質(zhì)譜法)來測量。例如，可以使用由CAMECA制造的扇形磁場SIMS儀器作為測量儀器并且在將Cs+用作一次離子的測量條件下進行測量。實施例1為了確認本發(fā)明的效果，進行如下實驗。(試樣準備)作為本發(fā)明的實施例來準備實施例1至13的試樣，而作為比較例來準備比較例1至4的試樣。具體來說，是準備用于實施例1至13以及比較例1至4的GaN襯底。GaN襯底都是直徑為50mm、厚度為0.5mm的圓盤狀。對這些GaN襯底，事先在其表面上利用金剛石磨粒進行研磨。作為用于研磨的磨粒，分別準備平均直徑為6iam、2pm和0.5iam的磨粒，并且以逐步的方式先使用大直徑磨粒然后使用小直徑磨粒來進行研磨。研磨之后，使用氧化鋁磨粒進行拋光。對于氧化鋁磨粒，使用那些平均直徑為0.5pm的磨粒。以這種方式，對GaN襯底試樣的表面進行預處理。(試樣拋光)下述的加工是在如上所述準備的GaN襯底上于潔凈室內(nèi)進行的。需要指出，為了將安裝在潔凈室中的拋光裝置內(nèi)的環(huán)境氣體中的酸性物質(zhì)特別是氯原子的濃度保持得足夠低，所述環(huán)境氣體能夠從設(shè)置有GaN襯底的處理室內(nèi)部被排出。上述環(huán)境氣體以0.6m/s的排氣風速被排出。在拋光裝置中，用作實施例1至8以及11至13的GaN襯底的表面通過CMP來拋光。如表1所示，用于實施例1至8的拋光的拋光液含有SK)2作為磨粒。用于實施例11至13的拋光的拋光液分別含有Zr02、Cr203、Fe203作為磨粒。上述拋光液含有鹽酸、蘋果酸或檸檬酸作為調(diào)節(jié)pH值的酸。加入這些酸之后，拋光液的pH值約為2以上并且為4以下。此外，向拋光液中加入0.05質(zhì)量％的聚丙烯酸鈉作為表面活性劑。而且作為氧化劑，向在實施例2、5、6以及10至13中使用的拋光液中加入0.1質(zhì)量。/。的三氯異氰尿酸(TCIA)，在實施例1和7中加入次氯酸，而在實施例3中加入二氯異氰尿酸鈉(Na-DCIA)。在實施例4和8中，使用不含氧化劑的拋光液。在拋光步驟之后，進行純水清洗以獲得具有鏡面磨光表面的GaN襯底。對于這些GaN襯底中的每一個，如下所述測量表面上的硅和氯的濃度、表面的表面粗糙度和濁度以及加工變質(zhì)層的厚度。對于實施例9，作為用于測量表面上硅濃度等的試樣的GaN襯底是通過利用稱作干法蝕刻(DE)的技術(shù)加工GaN襯底來準備的。用于所述加工的干法蝕刻是利用平行板型RIE裝置來進行的。所述加工是在如下條件下進行的將氯氣和三氯化硼(BCl3)氣體用作蝕刻氣體，氯氣的流量為25sccm(sccm:流量單位，是指每分鐘流過一立方厘米的標準狀態(tài)的氣體；下文中使用相同的單位)并且三氯化硼氣體的流量為25sccm，壓力為2.66Pa而RF功率為200W。對于實施例10，進行與實施例1同樣的CMP法拋光，然后進行拋光(清洗拋光)。拋光時，使用含有0.3質(zhì)量％檸檬酸和0.1質(zhì)量。/。TCIA的溶液作為拋光液。之后，進行與實施例1至9中同樣的清洗步驟以準備GaN襯底作為用于測量表面上的硅濃度等的試樣。同樣對于比較例1至4，通過CMP來拋光GaN襯底的表面。然而，對于比較例1，使用含有Si02制磨粒和用于調(diào)節(jié)pH值的鹽酸的拋光液。對于比較例2，使用含有Si02制磨粒、用于調(diào)節(jié)pH值的蘋果酸、表面活性劑(聚丙烯酸鈉)以及氧化劑(TCIA)的拋光液。對于比較例3，使用含有金剛石磨粒、用于調(diào)節(jié)pH值的蘋果酸、表面活性劑(聚丙烯酸鈉)以及氧化劑(TCIA)的拋光液。對于比較例4，使用含有SiC制磨粒、用于調(diào)節(jié)pH值的蘋果酸、表面活性劑(聚丙烯酸鈉)以及氧化劑(TCIA)的拋光液。表面活性劑和氧化劑的含量分別為0.3質(zhì)量％和0.1質(zhì)量％。隨后，對于比較例1~4，通過與實施例1至8以及11至13中同樣地在拋光步驟之后進行純水清洗，從而準備作為用于測量表面上硅濃度等的試樣的GaN襯底。需要指出，從進行上述加工步驟到進行下述測量，在實施例1至13以及比較例1、3和4中裝置內(nèi)的環(huán)境氣體均被排氣，而在比較例2中對環(huán)境氣體未進行排氣。(襯底表面的測量)對于如上所述準備的實施例1至13以及比較例1至4的每個試樣(GaN襯底)，測量襯底性能。具體來說，測量鏡面磨光表面上的硅(Si)和氯(C1)的濃度，表面的表面粗糙度和濁度以及加工變質(zhì)層的厚度。表1示出了測量結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>TCIA:三氯異氰尿酸Na-DCIA:二氯異氰尿酸鈉HCI:鹽酸HC10:次氯酸關(guān)于Si濃度和Cl濃度，在襯底表面的中心部位使用全反射X射線熒光(TXRF)儀器來檢査每平方厘米的原子個數(shù)，并且表1示出了其值。在襯底表面上的五個點處測量表面粗糙度，并且表1示出了其平均值。使用由Tencor制造的SURFSCAN4500來測量濁度。通過使用透射電子顯微鏡(TEM)觀察GaN襯底的晶格畸變來評估加工變質(zhì)層的厚度。從表l能夠看出，在用于CMP的拋光液包含諸如鹽酸、檸檬酸的酸和表面活性劑的實施例1至8中，硅濃度要比拋光液中不含表面活性劑的比較例1中的Si濃度低很多。還能夠看出，在實施例1至8中，在將蘋果酸或檸檬酸用作拋光液中的酸的實施例5至8中Si濃度特別降低。在將除Si02和SiC以外的磨粒(不包含Si作為元素的磨粒)用作CMP用拋光液中的磨粒的實施例11和13以及比較例3中，未從襯底表面檢測到Si。此外，能夠看出，在處理過程中所述氣氛被進行排氣而得到的全部試樣均呈現(xiàn)出低的Cl濃度、表面粗糙度以及濁度，而所述氣氛未被排氣的比較例2的試樣具有相對高的Cl濃度、表面粗糙度以及濁度。另外，在實施例1至13中加工變質(zhì)層的厚度全都小于比較例3禾P4中的厚度。特別地，在將Si02或Fe203用作磨粒的實施例1至10以及13中，未檢測到加工變質(zhì)層。盡管在實施例11和12中檢測到了加工變質(zhì)層，但其厚度比比較例3和4中的厚度小得多。還能夠看出，在拋光液包含氧化劑的實施例1至3、5至7以及11至13中，拋光步驟中的去除速度大于在拋光液不包含氧化劑的實施例4和8中的去除速度。(制造發(fā)光器件)對于如上所述加工的實施例1至13以及比較例1至4的每個試樣(GaN襯底)，在其表面上形成多個外延生長層，然后形成電極，分離成單個的芯片，將芯片安裝至引線框架上，以此制造發(fā)光器件(LED)。形成于GaN襯底表面上的外延生長層具體包括lnm厚的n型GaN層(攙雜劑Si)和150nm厚的n型Al(uGa。.9N層(攙雜劑Si)作為n型半導體層，發(fā)光層，以及20nm厚的p型Alo.2GaQ.8N層(攙雜劑Mg)和150nm厚的p型GaN層(攙雜劑Mg)作為p型半導體層。發(fā)光層具有多量子阱結(jié)構(gòu)，其中各自由lOnm厚的GaN層形成的四個阻擋層和各自由3nm厚的Gao.8sIn(U5N層形成的三個阱層交替堆疊。作為第一電極，包括200nm厚的Ti層、1000nm厚的Al層、200nm厚的Ti層以及2000nm厚的Au層的分層結(jié)構(gòu)形成于襯底的背面上，并且在氮氣氛中加熱以形成直徑為100um的n側(cè)電極。作為第二電極，包括4nm厚的Ni層和4nm厚的Au層的分層結(jié)構(gòu)形成于上述P型GaN層上，并且在惰性氣氛中加熱以形成p側(cè)電極。所述分層體(即，具有形成于其上的上述外延生長層、n側(cè)電極、p側(cè)電極的GaN襯底)被分離成每側(cè)為400pm的芯片，然后利用由AuSn制成的焊接層將p側(cè)電極結(jié)合到導體上。另外，利用導線將n側(cè)電極和導體結(jié)合，由此得到了具有作為發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的半導體器件。(外延生長層的測量)在如上所述準備的實施例1至13以及比較例1至4的GaN襯底的表面上形成的外延生長層的表面粗糙度通過與測量上述GaN襯底表面粗糙度的相同技術(shù)來測量。表1還示出了測量結(jié)果。從表1能夠看出，實施例1至13中的外延生長層的表面粗糙度小于比較例1至4中的表面粗糙度。在襯底和外延生長層之間的界面處的Si濃度通過SIMS來測量。在實施例1、5、IO和13以及比較例1中的Si濃度分別為lxl0，cm3、lxl019/cm3、lxl018/cm3、lxl017/cm3和5xl02Q/cm3。在實施例1、5、10和13中在界面處的硅濃度小于在比較例1中的硅濃度。(測量發(fā)光強度)對按照上述準備的實施例1至13以及比較例1至4的發(fā)光器件的發(fā)光強度進行了測量。表1示出了測量結(jié)果。從表1能夠看出，比較例1至4的發(fā)光器件沒有發(fā)光，而在實施例1至13的發(fā)光器件中外延生長層的發(fā)光層的發(fā)光得到了確認。為了測量發(fā)光強度，作為各個試樣的發(fā)光器件被安裝在積分球內(nèi)，對發(fā)光器件施加規(guī)定的電流(20mA)，發(fā)出的光被收集到檢測器，并且測量從檢測器輸出的光輸出值。盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的實施方式和實施例，但以上公開的本發(fā)明的實施方式和實施例僅僅是為了說明，并且本發(fā)明的范圍不限于本發(fā)明的這些實施方式。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍限定，并且意在包括在等同于權(quán)利要求范圍的范圍和含義之內(nèi)的任何修改。丁業(yè)適用性本發(fā)明尤其可有利地用在迠于發(fā)光器件、功率器件等的III族fe〔化物襯底，利用III族氮化物襯底的設(shè)置有外延層的襯底以及制造上述襯底的方法。權(quán)利要求1.一種III族氮化物襯底(1)，其中每平方厘米表面(3)的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2×1014以下，并且每平方厘米所述表面(3)的硅原子個數(shù)為3×1013以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物襯底(l)，其中表面粗糙度Ra為lnm以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物襯底(l)，其中形成于所述表面(3)上的加工變質(zhì)層的厚度為50nm以下。4.一種III族氮化物襯底(l)，其中每平方厘米表面(3)的硅原子個數(shù)為3xl013以下，并且所述表面(3)的濁度為5ppm以下。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的III族氮化物襯底(l)，其中表面粗糙度Ra為lnm以下。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的III族氮化物襯底(1)，其中形成于所述表面(3)上的加工變質(zhì)層的厚度為50nm以下。7.—種III族氮化物襯底(l)，其中每平方厘米表面(3)的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl014以下，并且所述表面(3)的濁度為5ppm以下。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的III族氮化物襯底(l)，其中表面粗糙度Ra為lnm以下。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的III族氮化物襯底(l)，其中形成于所述表面(3)上的加工變質(zhì)層的厚度為50nm以下。10.—種設(shè)置有外延層的襯底(IO)，包括由III族氮化物制成的基礎(chǔ)襯底(l);以及形成于所述基礎(chǔ)襯底(1)表面上的外延生長層(5)，其中在所述基礎(chǔ)襯底(1)和所述外延生長層(5)之間的界面處每立方厘米的硅原子個數(shù)為1"02()以下。11.一種制造III族氮化物襯底的方法，包括拋光步驟(S210):拋光III族氮化物襯底的表面，以及在所述拋光步驟(S210)之后的清洗步驟(S230):清洗所述III族氮化物襯底的表面，其中，在所述拋光步驟(S210)過程中以及在所述清洗步驟(S230)之后控制與所述III族氮化物襯底相接觸的環(huán)境氣體，以保持在所述清洗步驟(S230)之后所述III族氮化物襯底的每平方厘米所述表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl0"以下，在所述拋光步驟(S210)中通過化學機械拋光來拋光所述III族氮化物襯底的表面，并且在所述化學機械拋光中使用的拋光液含有表面活性劑和酸。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造III族氮化物襯底的方法，其中所述拋光液進一步包含氧化劑。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造III族氮化物襯底的方法，其中所述拋光液中包含的酸為有機酸。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造III族氮化物襯底的方法，其中所述有機酸為2元以上的羧酸。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造III族氮化物襯底的方法，進一步包括在所述拋光步驟之后和在所述清洗步驟之前，使用酸性溶液或堿性溶液拋光所述m族氮化物襯底的表面的步驟。16.—種制造III族氮化物襯底的方法，其中使用氯基氣體在含有Si的氣氛中對III族氮化物襯底的表面進行干法蝕刻，由此使每平方厘米所述表面的酸性物質(zhì)的原子個數(shù)為2xl0"以下，并且每平方厘米所述表面的硅原子個數(shù)為3xl013以下。17.—種制造設(shè)置有外延層的襯底的方法，包括襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造III族氮化物襯底的方法；以及步驟(S300):在通過所述襯底準備步驟獲得的所述m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層。18.—種制造半導體器件的方法，包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及歩驟(S300):在通過所述設(shè)置有外延層的襯底準備歩驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施lfl極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件。19.一種制造設(shè)置有外延層的襯底的方法，包括襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造III族氮化物襯底的方法；以及步驟(s3oo):在通過所述襯底準備步驟獲得的所述m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層。20.—種制造半導體器件的方法，包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及步驟(S300):在通過所述設(shè)置有外延層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施電極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件。21.—種制造設(shè)置有外延層的襯底的方法，包括襯底準備步驟準備根據(jù)權(quán)利要求1所述的III族氮化物襯底；以及步驟(s3oo):在通過所述襯底準備步驟準備的m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層。22.—種制造半導體器件的方法，包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及步驟(S300):在通過所述設(shè)置有外延層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施電極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件。23.—種制造設(shè)置有外延層的襯底的方法，包括襯底準備步驟準備根據(jù)權(quán)利要求4所述的III族氮化物襯底；以及步驟(S300):在通過所述襯底準備歩驟準備的m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層。24.—種制造半導體器件的方法，包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求23所述的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及步驟(S300):在通過所述設(shè)置有外延層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施電極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件。25.—種制造設(shè)置有外延層的襯底的方法，包括襯底準備步驟準備根據(jù)權(quán)利要求7所述的m族氮化物襯底；以及步驟(S300):在通過所述襯底準備步驟準備的m族氮化物襯底的表面上形成外延生長層。26.—種制造半導體器件的方法，包括設(shè)置有外延層的襯底準備步驟實施根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造設(shè)置有外延層的襯底的方法；以及步驟(S300):在通過所述設(shè)置有外延層的襯底準備步驟獲得的設(shè)置有外延層的襯底上實施電極形成步驟和加工步驟而形成半導體器件。全文摘要本發(fā)明獲得一種其上能夠形成良好質(zhì)量外延生長層的III族氮化物襯底，以及一種制造上述襯底的方法。GaN襯底(1)為如下之一一種III族氮化物襯底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物質(zhì)原子個數(shù)為2×10¹⁴以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子個數(shù)為3×10¹³以下；一種III族氮化物襯底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子個數(shù)為3×10¹³以下，并且表面(3)的濁度為5ppm以下；以及一種III族氮化物襯底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物質(zhì)原子個數(shù)為2×10¹⁴以下，并且表面(3)的濁度為5ppm以下。文檔編號H01L21/205GK101553605SQ200780039049公開日2009年10月7日申請日期2007年10月9日優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日發(fā)明者中畑成二,入倉正登,八鄉(xiāng)昭廣,石橋惠二申請人:住友電氣工業(yè)株式會社