技術(shù)編號：6889156
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種m族氮化物襯底， 一種設(shè)置有外延層的襯底，制 造上述襯底的方法以及一種制造半導(dǎo)體器件的方法。更特別地，本發(fā) 明涉及一種其上能夠形成良好膜質(zhì)的外延層的ni族氮化物襯底， 一種 設(shè)置有外延層的襯底，制造上述襯底的方法以及一種制造半導(dǎo)體器件 的方法。背景技術(shù)一直以來，在諸如發(fā)光器件、功率器件等各種半導(dǎo)體器件中都會使用包括如GaN襯底的III族氮化物襯底的化合物半導(dǎo)體襯底，所述襯 底具有鏡面拋光表面且在鏡面拋光表面上通過外延形成有外延生長 層。存在的...
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