專利名稱：：制造電子電路部件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及新穎的制造電子電路部件的方法，該方法用于制造電子電路部件，諸如有機(jī)電子器件或布線襯底，其中通過20(TC以下的低溫工藝在絕緣層上形成用作電極的導(dǎo)電層、導(dǎo)體回路等。
背景技術(shù)：
：近年來，為了將使用柔性襯底(如塑料襯底)的柔性顯示器(如所謂的電子紙等)付諸實(shí)際使用，對(duì)于在上述顯示器上形成的作為分別激活顯示器像素的電子器件的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和薄膜晶體管(TFT)，人們已經(jīng)對(duì)通過在盡可能低的溫度下形成這類器件的工藝進(jìn)行了研究和開發(fā)，以防止上述塑料襯底等的劣化。其中，已經(jīng)提出還可使用低溫多晶硅TFT工藝，該工藝目前除柔性顯示器外已經(jīng)在有機(jī)電子器件中大量使用。然而，即使當(dāng)使用上述工藝時(shí)，為了制造具有實(shí)用水平品質(zhì)的TFT，需要至少250'C的工藝溫度，柔性襯底需要具有耐受上述工藝溫度的高耐熱性。因此，當(dāng)通過上述低溫多晶硅TFT工藝形成有機(jī)電子器件時(shí)，不能將廉價(jià)且具有較低軟化溫度的通用塑料襯底，例如聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸二乙醇酯(PET)等用作柔性襯底。這會(huì)引起柔性顯示器成本的增加而影響實(shí)際使用。于是，已經(jīng)關(guān)注有機(jī)TFT，該有機(jī)TFT更簡(jiǎn)單、具有高加工性能和生產(chǎn)率，而且可在低溫下形成，并且在上述通用塑料襯底上形成的可能性高，因?yàn)樗鼈儾恍枰褂谜婵赵O(shè)備的工藝(真空沉積工藝、濺射工藝)并能夠僅通過涂覆或印刷工藝形成，上述真空設(shè)備經(jīng)常用于普通的TFT工藝，諸如上述低溫多晶硅TFT工藝。圖1是顯示有機(jī)TFT例子的層構(gòu)造的截面視圖。參考圖1，該例子的有機(jī)TFT1包括在襯底2(如柔性襯底)上形成的柵極3，覆蓋上述柵極3的絕緣層4，在上述絕緣層4上相互分開形成的源極5和漏極6，以及填充上述絕緣層4上源極5和漏極6之間區(qū)域的半導(dǎo)體層7。在圖1例子的有機(jī)TFTl中，所述柵極3、源極5和漏極6通常通過將含細(xì)金屬粒子的分散體(如導(dǎo)電糊料)印刷在襯底2或絕緣層4上，將其干燥，然后加熱而形成。此外，所述絕緣層通過將含細(xì)無機(jī)粒子(如氧化硅(Si02)、氧化鋁^1203)或氧化鉭0^205)或它們的前體)的分散體印刷在其上已經(jīng)形成柵極3的襯底2上，將其干燥，然后加熱而形成。此外，半導(dǎo)體層7通常通過將含任意有機(jī)半導(dǎo)體材料的涂料溶液施用于其上已經(jīng)形成源極5和漏極6的絕緣層4上，以填充在上述兩種電極之間，將其干燥，然后按需要加熱而形成。關(guān)于用于形成半導(dǎo)體層7的有機(jī)半導(dǎo)體材料，可使用的有例如在它們的分子中含7l電子共軛體系的各種低分子化合物和聚合物化合物。所述有機(jī)半導(dǎo)體材料的具體例子包括例如作為低分子化合物的戊省和噻吩低聚物衍生物，以及作為高分子化合物的含五元雜環(huán)的7l-共軛體系聚合物化合物，聚乙烯乙炔、聚乙炔等(專利文獻(xiàn)14和非專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)l:日本專利申請(qǐng)公開日本專利3006718專利文獻(xiàn)2:日本專利申請(qǐng)公開JP-A-8-191162專利文獻(xiàn)3:日本專利申請(qǐng)公開JP-A-62-85467專利文獻(xiàn)4:日本專利申請(qǐng)公開JP-T-2001-505002(在此使用的術(shù)語"JP-T"是指公開的PCT專利申請(qǐng)的日語譯文)非專利文獻(xiàn)1:"Electricalpropertiesofpolyacetylene/polysiloxaneinterface"(聚乙炔/聚硅氧烷界面的電性能)，F(xiàn).Ebisawa等，J.Appl.Phys.，54巻，第6期，1983年6月。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需要解決的問題當(dāng)使用各種前述有機(jī)半導(dǎo)體材料時(shí)，有可能形成具有實(shí)用水平品質(zhì)的半導(dǎo)體層。然而，在當(dāng)前環(huán)境下，上述常規(guī)有機(jī)TFT不會(huì)變得具有實(shí)用水平的品質(zhì)，特別是當(dāng)在PC、PE等通用塑料襯底上形成時(shí)。導(dǎo)致這種狀況的原因包括當(dāng)上述絕緣層或電極在通用塑料襯底上形成時(shí)，上述塑料襯底的耐熱溫度限制了所述絕緣層或電極的加熱溫度，使得不能充分提高所述絕緣層或電極的特性。例如，即使當(dāng)在低于低溫多晶硅TFT工藝的工藝溫度實(shí)際下限25(TC下進(jìn)行加熱，也的確有可能通過使用細(xì)無機(jī)粒子或其前體的分散體形成前述絕緣層。然而，考慮到形成的絕緣層具有充足的絕緣性能以及對(duì)襯底的優(yōu)良粘附性，且在所述絕緣層上形成的導(dǎo)電層具有優(yōu)良的導(dǎo)電性以及對(duì)上述絕緣層的優(yōu)良粘附性，期望即使在上述范圍內(nèi)也以盡可能高的溫度進(jìn)行加熱。然而，當(dāng)在通用塑料襯底上形成的情況下，上述塑料襯底的耐熱溫度限制了其加熱溫度，使得加熱不充分，導(dǎo)致形成的絕緣層在某些情況下不具有上述各種優(yōu)良的特性。而且，還有一個(gè)關(guān)于形成的絕緣層不具有各種優(yōu)良特性的原因是，包括細(xì)無機(jī)粒子的絕緣層與塑料襯底在化學(xué)上或在特性(如熱膨脹系數(shù))方面是相互完全異質(zhì)的材料，這導(dǎo)致兩者之間最初的粘附性低。導(dǎo)電層(如電極)也是一樣的。也就是說，考慮到形成的導(dǎo)電層具有足夠的電導(dǎo)率以及對(duì)絕緣層優(yōu)良的粘附性，優(yōu)選加熱溫度即使在250°C以下的范圍也要盡可能高。然而，在通用塑料襯底上形成的情況下，塑料襯底的耐熱溫度限制了上述加熱溫度，使得加熱不充分，導(dǎo)致某些情況下不能形成具有上述各種優(yōu)良特性的導(dǎo)電層。本發(fā)明的目的是提供一種制造電子電路部件的方法，所述方法能夠制造具有優(yōu)良可靠性以及實(shí)用水平品質(zhì)的電子電路部件，因?yàn)槟軌蛐纬删哂懈鼉?yōu)良特性的絕緣層和導(dǎo)電層，特別是在通用塑料襯底等上通過在200'C以下的工藝溫度下處理，所述工藝溫度不會(huì)對(duì)上述塑料襯底產(chǎn)生影響。解決所述問題的方法為了解決上述問題，本發(fā)明人首先對(duì)通過樹脂形成絕緣層進(jìn)行了研究，所述樹脂與塑料襯底在化學(xué)上或在如熱膨脹系數(shù)的特性方面是均質(zhì)的，并能夠形成對(duì)上述塑料襯底具有優(yōu)良粘附性的絕緣層。然后，作為對(duì)各種具有絕緣性能樹脂研究的結(jié)果，因?yàn)槟軌蛐纬删哂袃?yōu)良的絕緣性能、對(duì)塑料襯底的粘附性、耐熱性、機(jī)械強(qiáng)度等的絕緣層而不會(huì)對(duì)通用塑料襯底等產(chǎn)生影響，所以本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如下方法適于形成所述絕緣層通過將清漆施用于塑料襯底上，在所述清漆中聚酰亞胺及其前體中的至少一種溶解在任意溶劑中，然后，特別是在20(TC以下的溫度對(duì)其加熱。然后，關(guān)于在上述絕緣層上形成的導(dǎo)電層如電極，本發(fā)明人對(duì)將能夠加熱其的溫度降至盡可能低進(jìn)行了研究。然后，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)將一次粒徑在納米水平的金屬納米粒子用作用于導(dǎo)電層原料的細(xì)金屬粒子時(shí)，通過所謂的庫波(Kubo)效應(yīng)能夠使上述金屬納米粒子的熔融溫度降低至低于本來的金屬熔點(diǎn)，使得大量粒子燒結(jié)良好，由此有可能將能形成均勻?qū)щ妼拥臏囟冉档椭?0(TC以下，因此，通過在上述20(TC以下的溫度下加熱，能夠形成比常規(guī)導(dǎo)電層具有更高電導(dǎo)率的導(dǎo)電層。此外，本發(fā)明人已經(jīng)研究了包括上述聚酰亞胺的絕緣層與包括金屬納米粒子的導(dǎo)電層之間的粘附性的提高。結(jié)果本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)絕緣層對(duì)水的接觸角(其是潤(rùn)濕性指數(shù))在80。以上時(shí)，能夠提高導(dǎo)電層對(duì)絕緣層的粘附性。7因此，第一發(fā)明是制造電子電路部件的方法，所述方法包括如下步驟在20(TC以下的溫度加熱含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層以形成與水的接觸角為80。以上的絕緣層，然后在上述絕緣層上形成包括含金屬納米粒子分散體的涂膜，并在20(TC以下的溫度加熱上述涂膜以形成導(dǎo)電層。此外，本發(fā)明人還研究了構(gòu)成作為導(dǎo)電層原料的分散體的各種成分。結(jié)果本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，使用一次粒徑為100nm以下的金屬納米粒子，通過前述庫波效應(yīng)良好地?zé)Y(jié)大量粒子，以能夠進(jìn)一步提高形成均勻?qū)щ妼拥男Ч?，還發(fā)現(xiàn)，使用包括選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Ir、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti和In中的至少一種金屬的納米粒子作為上述金屬納米粒子，能夠進(jìn)一步提高形成的導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。此外，還發(fā)現(xiàn)，因?yàn)閹缀醪皇褂糜袡C(jī)溶劑，當(dāng)所述分散體是所謂的水性分散體時(shí)，能夠減少環(huán)境影響，所述水性分散體含有金屬納米粒子、起作用使得在水中均勻分散的分散劑以及作為溶劑的水。因此，第二發(fā)明是第一發(fā)明的制造電子電路部件的方法，其中通過使用含金屬納米粒子、分散劑和作為溶劑的水的分散體形成導(dǎo)電層，所述金屬納米粒子的一次粒徑為100nm以下且包括選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Ir、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti和In中的至少一種金屬。如前所述，本發(fā)明制造電子電路部件的方法能夠優(yōu)選應(yīng)用于制造如有機(jī)TFT的有機(jī)電子器件。也就是說，第三發(fā)明是第一或第二發(fā)明的制造方法，其中所述電子電路部件是有機(jī)電子器件，所述有機(jī)電子器件包括在襯底上形成的柵極、覆蓋上述柵極的絕緣層、在上述絕緣層上相互分開形成的源極和漏極以及在上述絕緣層上填充源極與漏極之間區(qū)域的半導(dǎo)體層，在上述襯底上形成含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層以覆蓋柵極，并在20(TC以下的溫度加熱以形成絕緣層，其后，上述絕緣層上使包括含金屬納米粒子分散體的涂膜形成圖案，并在20(TC以下的溫度加熱上述涂膜以形成包括導(dǎo)電層的源極和漏極。8此外，本發(fā)明制造電子電路部件的方法能夠優(yōu)選應(yīng)用于制造如多層布線襯底的布線襯底。也就是說，第四發(fā)明是第一或第二發(fā)明的制造方法，其中所述電子電路部件是布線襯底，其中在絕緣層上形成導(dǎo)體回路，形成含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層，并在200。C以下的溫度加熱以形成絕緣層，其后，在上述絕緣層上使包括含納米粒子分散體的涂膜形成圖案，并在20(TC以下的溫度加熱上述涂膜以形成含導(dǎo)電層的導(dǎo)體回路。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)本發(fā)明，有可能提供制造電子電路部件的方法，所述方法能夠制造具有優(yōu)良可靠性和實(shí)用水平品質(zhì)的電子電路部件，因?yàn)橥ㄟ^20(TC以下工藝溫度的處理能夠在通用塑料等上形成具有更優(yōu)良特性的絕緣層和導(dǎo)電層，所述工藝溫度對(duì)上述塑料襯底沒有影響。附圖簡(jiǎn)述圖1的截面視圖顯示了作為有機(jī)電子器件的有機(jī)TFT例子的層構(gòu)造，該器件通過本發(fā)明制造電子電路部件的方法制造。標(biāo)記和符號(hào)說明1:有機(jī)TFT(電子電路部件)；2:襯底；3:柵極；4:絕緣層；5:源極(導(dǎo)電層)；6:漏極(導(dǎo)電層)；7:半導(dǎo)體層。具體實(shí)施例方式本發(fā)明制造電子電路部件的方法特征在于其包括如下步驟在20(TC以下的溫度加熱含聚酰亞胺及其前體(下文中有時(shí)稱作聚酰亞胺基化合物)中的至少一種的層以形成與水的接觸角為80。以上的絕緣層，并且在上述絕緣層上形成包括含金屬納米粒子分散體的涂膜并在20(TC以下的溫度加熱上述涂膜以形成導(dǎo)電層。關(guān)于用于形成絕緣層的聚酰亞胺基化合物，能夠使用一種或兩種以上的各種聚酰亞胺及其前體，所述聚酰亞胺及其前體在它們的分子中具有由化學(xué)式(1)和化學(xué)式(2)表示的重復(fù)單元中的至少一種并能通過20(TC以下的溫度加熱成膜。ooOHAHOO(1)N一B-(2)(在兩個(gè)化學(xué)式中，A代表四價(jià)有機(jī)基團(tuán)，B代表二價(jià)有機(jī)基團(tuán)。)具體地，從其重復(fù)單元幾乎全部為由化學(xué)式(l)表示的重復(fù)單元的聚酰胺酸到其重復(fù)單元幾乎全部為由化學(xué)式(2)表示的重復(fù)單元的聚酰亞胺的各種聚酰亞胺基化合物，能夠單獨(dú)使用或以其兩種或多種的組合使用，所述化合物通過在前述20(TC以下的溫度下成膜而形成具有優(yōu)良絕緣性能的絕緣層。附帶地，在成膜后不損傷絕緣性能的范圍內(nèi)，形成絕緣層的聚酰亞胺可以包含未反應(yīng)的聚酰胺酸，或者可以在聚酰亞胺分子中包含未反應(yīng)的聚酰胺酸部分，這是眾所周知的。下文中所述"包含聚酰亞胺的絕緣層"的情況也是如此。例如，但不限于此，通過含基團(tuán)A的四元羧酸或其酸酐(如二酐)與含基團(tuán)B的二胺化合物的聚合反應(yīng)，以常規(guī)方式，能夠合成上述聚酰亞胺化合物。此外，關(guān)于上述聚酰亞胺基化合物，需要使用一種這樣的物質(zhì):O:A〔10通過在200°C以下的溫度加熱而成膜的絕緣層對(duì)水的接觸角(潤(rùn)濕性指數(shù))為80°以上。通過使絕緣層的接觸角在上述范圍內(nèi)，能夠提高導(dǎo)電層與上述絕緣層的粘附性。附帶地，在上述范圍內(nèi)，考慮到進(jìn)一步改進(jìn)上述效果，特別優(yōu)選使用一種這樣的物質(zhì)作為聚酰亞胺基化合物其中與水的上述接觸角為90100°。滿足上述條件的聚酰亞胺基化合物包括這樣的聚酰亞胺基化合:物其中在化學(xué)式(1)和化學(xué)式(2)中的A是由化學(xué)式(3)表示的基團(tuán)R1R2R3R4(3)(其中RiW可以相同或不同，各自代表氫原子、氟原子或具有14個(gè)碳原子的單價(jià)有機(jī)基團(tuán))，B的10100moP/。是由化學(xué)式(4)表示的X2X1(其中x^xs可以相同或不同，各自代表-o-基團(tuán)、-co-o-基團(tuán)、-CO-S-基團(tuán)、-CO-NH-基團(tuán)，具有15個(gè)碳原子的亞烴基，其可以是直鏈或具有支化結(jié)構(gòu)，或者代表具有15個(gè)碳原子的亞烴基二氧基，其可以是直鏈或具有支化結(jié)構(gòu)，而且，Xi^還能代表單鍵，也就是11說，乂1乂3兩側(cè)的元素可以相互直接結(jié)合，RS代表具有6個(gè)以上碳原子的烷基或具有6個(gè)以上碳原子的含氟垸基，m和n可以相同或不同，各自代表0或1)，B的其余部分是沒有化學(xué)式(4)中-X^RS基團(tuán)的基團(tuán)。在上述聚酰亞胺基化合物中，通過調(diào)節(jié)B中化學(xué)式(4)基團(tuán)的比例、垸基RS的碳原子數(shù)、含氟垸基RS的氟原子數(shù)等，能夠在上述80。以上的范圍內(nèi)任意調(diào)節(jié)絕緣層對(duì)水的接觸角(潤(rùn)濕性指數(shù))。在上述范圍內(nèi)，化學(xué)式(4)的基團(tuán)比例優(yōu)選為20moP/。以上，在這個(gè)范圍內(nèi)優(yōu)選50mol%以上，特別是70100mo1。/。。而且，在上述范圍內(nèi)，烷基RS和含氟烷基RS的碳原子數(shù)優(yōu)選為1030，特別是1520。上述優(yōu)選的聚酰胺基化合物的具體化合物包括，例如含化學(xué)式(1)和(2)中的至少一種重復(fù)單元的聚酰亞胺基化合物，也就是說，其中化學(xué)式(l)的重復(fù)單元的比例為0100%，化學(xué)式(3)中RiR4全部是氫原子，B的100mol。/。是式(4)的基團(tuán)，式(4)中Xi是-0-基團(tuán)，RS是具有18個(gè)碳原子的烷基，m和n各自為0。在本發(fā)明的制造方法中，例如，為了在通用塑料襯底等的表面上形成含聚酰亞胺基化合物的層，所需要的僅僅是以慣常方法，通過浸涂法、旋涂法、輥涂法、噴涂法、棒涂法、模壓涂布法、狹縫涂布法、刷涂法等任意方法，將清漆施用于上述表面上，所述清漆中上述聚酰亞胺基化合物溶解于任意有機(jī)溶劑中，或者，當(dāng)使絕緣層形成圖案時(shí)，通過任意印刷方法如轉(zhuǎn)印法、噴墨印刷法或絲網(wǎng)印刷法等進(jìn)行印刷，然后干燥。關(guān)于干燥方法，可通過在大氣中、在惰性氣體如氮?dú)庵小⒃谡婵罩械仁褂眉訜嵩O(shè)備(如熱板或烘箱)加熱以及自然干燥來進(jìn)行干燥。加熱干燥所需要的僅僅是在能夠蒸發(fā)有機(jī)溶劑的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行干燥以干燥清漆。所述溫度通常優(yōu)選為4(TC以上，且低于15(TC。然后，在本發(fā)明中，在任意環(huán)境(如在大氣中、在惰性氣體如氮?dú)庵谢蛟谡婵罩?下加熱上述層以形成絕緣層。所需要的加熱溫度為20(TC以下，這對(duì)通用塑料襯底等沒有影響，特別優(yōu)選為150180°C。附帶12地，通過干燥清漆形成層和通過加熱上述層形成絕緣層，只要逐漸或連續(xù)改變加熱溫度，還能夠在相同氣氛下使用相同加熱設(shè)備連續(xù)地進(jìn)行。通過上述各個(gè)步驟形成的絕緣層的厚度能夠設(shè)定在任意范圍內(nèi)，這取決于待制造的電子電路部件的類型。例如，當(dāng)所述電子電路部件是有機(jī)電子器件，諸如前述的有機(jī)TFT且絕緣層為覆蓋柵極的絕緣層時(shí)，其厚度優(yōu)選為201000nm，在這個(gè)范圍內(nèi)優(yōu)選50800nm，特別是100500nm。此外，當(dāng)所述電子電路部件是布線襯底，諸如多層布線襯底且所述絕緣層用于在厚度方向上層壓的上部和下部導(dǎo)體回路間的絕緣的絕緣層時(shí)，其厚度優(yōu)選為0.15.0pm，在這個(gè)范圍內(nèi)優(yōu)選0.33.0)Lim，尤其為0.51.5jim。用于調(diào)節(jié)絕緣層厚度所需要的僅僅是只調(diào)節(jié)用于原料的清漆層的涂覆厚度。然后，在本發(fā)明中，在上述絕緣層上形成包括含金屬納米粒子分散體的涂膜。關(guān)于金屬納米粒子，能夠使用包含任意金屬且一次粒徑為納米水平的各種類型的粒子。特別地，考慮到進(jìn)一步改進(jìn)大量粒子通過前述庫波效應(yīng)良好燒結(jié)以形成均勻?qū)щ妼拥男Ч⑦M(jìn)一步提高由此形成的導(dǎo)電層的電導(dǎo)率，優(yōu)選使用一次粒徑為100nm以下且包括選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Ir、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti和In中的至少一種金屬的金屬納米粒子。附帶地，在上述范圍內(nèi)，優(yōu)選金屬納米粒子的一次粒徑實(shí)際上為lnm以上。在本發(fā)明中，所述一次粒徑由金屬納米粒子的粒子分布的50%直徑(050)表示，其使用應(yīng)用激光多普勒(Doppler)法的粒度分布測(cè)量?jī)x來測(cè)量。所述導(dǎo)電層可由任何一種單獨(dú)的或兩種以上的上述各種金屬形成。當(dāng)所述導(dǎo)電層由兩種以上金屬形成時(shí)，可以使用包括上述兩種以上金屬的合金的金屬納米粒子，或者，可以組合使用兩種或多種包括形成導(dǎo)電層的個(gè)別金屬元素或所有金屬的一部分金屬合金的金屬納米粒子，作為金屬納米粒子。當(dāng)所述導(dǎo)電層需要具有特別高的電導(dǎo)率時(shí)，優(yōu)選上述導(dǎo)電層由具有優(yōu)良電導(dǎo)率的Ag或含上述Ag的比例為50原子%以上的合金來形成上述導(dǎo)電層。用于形成上述導(dǎo)電層的金屬納米粒子包括Ag納米粒子、含上述比例的Ag的合金納米粒子、Ag納米粒子或其合金納米粒子與包括別的金屬或合金的金屬納米粒子的混合物等，所述混合物中各組分相互混合使得Ag的比例在上述范圍內(nèi)。此外，與Ag形成合金的其它金屬包括選自Au、Pt、Pd、Ru、Ir、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti和In中的至少一種金屬。當(dāng)上述金屬與Ag形成合金時(shí)，具有如下效果抑制了金屬納米粒子通過加熱時(shí)加熱的過度增長(zhǎng)，該過度增長(zhǎng)使得形成導(dǎo)電層的金屬的晶粒尺寸過度增長(zhǎng)或使得在導(dǎo)電層中產(chǎn)生空隙；使得導(dǎo)電層難以被氧化；抑制了所謂Ag遷移的發(fā)生等。所述金屬納米粒子能夠通過稱作浸漬法的高溫處理法，或者多種常規(guī)的已知方法(如液相還原法和氣相法)來制造。其中，通過液相還原法制造金屬納米粒子所需要的僅僅是，例如，將水溶性金屬化合物和分散劑溶于水中，并添加還原劑，然后進(jìn)行金屬離子的還原反應(yīng)并持續(xù)一段時(shí)間，優(yōu)選在攪拌下進(jìn)行，所述水溶性金屬化合物用作用于形成金屬納米粒子的金屬離子的原料。此外，通過液相還原法制造合金納米粒子所需要的僅僅是同時(shí)使用兩種以上水溶性金屬化合物，其作為用于形成上述合金的至少兩種金屬離子的原料。通過液相還原法制造金屬納米粒子的特征在于形狀為球形或粒狀且均勻；粒度分布窄；而且，一次粒徑小。作為金屬離子原料的水溶性金屬化合物包括，例如，在Ag的情況下，硝酸銀(I)[AgN03]、甲垸磺酸銀[CH3SOsAg]等；在Au的情況下，四水合四氯金(III)酸[HAuCLr4H20]等。在Pt的情況下，它們包括二硝酸根二氨合鉑(II)(Pt(N03)2(NH3)2)、六水合六氯鉑(IV)酸(H2[PtCl6].6H20)等，在Pd的情況下，它們包括硝酸鈀(II)的溶液[Pd(N03)2/H20]、氯化鈀(II)[PdCl2]的溶液等。在Ru的情況下，它們包括硝酸釕(III)[Ru(N03)3]等，在Ir的情況下，它們包括氯化銥(III)[IrCl3]等。在Sn的情況下，它們包括五水合氯化錫(IV)[SnCLr5H20]等，在Cu的情況下，它們包括硝酸銅(II)[Cu(N03)2]、五水合硫酸銅(II)[CuS04.5H2。]等。在Ni的情況下，它們包括六水合氯化鎳(II)[NiCl2，6H20]、六水合硝酸鎳(II)[Ni(N03)2-6H2。]等。在Fe的情況下，它們包括六水合硝酸鐵(m)、九水合硝酸鐵(III)(Fe(N03)3.6H20、9H20)、四水合氯化亞鐵(II)(FeCl2.4H20)、七水合硫酸亞鐵(II)(FeS04'7H20)、乙酰丙酮合鐵(III)(Fe[CH(COCH3)2]3)等。在Co的情況下，它們包括六水合氯化鈷(II)[CoClr6H20]、六水合硝酸鈷(II)[Co(N。3)3-6H20]等，在Ti的情況下，它們包括氯化鈦(III)[TiCl3]等。在In的情況下，它們包括四水合氯化銦(in)[InCl3.4H20]、三水合硝酸銦(m)[In(N03V3H20]等。關(guān)于還原劑，能夠使用所有能夠在液相反應(yīng)體系中將金屬離子還原以使其作為金屬納米粒子沉淀的各種還原劑。上述還原劑包括，例如，硼氫化鈉、次磷酸鈉、肼和過渡金屬的離子(如三價(jià)鈦離子和二價(jià)鈷離子)。然而，在前述100nm以下的范圍內(nèi)，為了使得沉淀的金屬納米粒子的一次粒徑盡可能小，降低金屬離子的還原、沉淀速率是有效的，為了降低還原、沉淀速率，優(yōu)選選擇性地使用具有盡可能弱還原能力的還原劑。具有弱還原能力的還原劑包括例如，乙二醇，谷胱甘肽，有機(jī)酸(如檸檬酸、馬來酸和酒石酸)，還原性多糖(如葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、蔗糖、麥芽糖、棉子糖和水蘇糖)，糖醇(如山梨糖醇)等，以及醇類如甲醇、乙醇和2-丙醇，和抗壞血酸。在這個(gè)范圍內(nèi)，優(yōu)選還原性多糖和作為其衍生物的糖醇。關(guān)于分散劑，可適當(dāng)使用分子量為200030000的各種分散劑，上述分散劑在室溫下為固體，而且，在水中具有良好的溶解度，并能夠良好地分散沉淀的金屬納米粒子。存在上述分散劑以在反應(yīng)體系中包圍在沉淀的金屬納米粒子周圍，以阻止金屬納米粒子團(tuán)聚，由此保持分散。此外，其中金屬納米粒子沉淀的液相反應(yīng)體系能夠用作用于制備分散體的原料，所述分散體包含金屬納米粒子并用作用于導(dǎo)電層的原料，在該狀態(tài)僅除去雜質(zhì)而不會(huì)從上述反應(yīng)體系分離金屬納米粒子。在此情況下，上述分散劑在除去雜質(zhì)過程中很少被移除而保留下來，并阻止了前述分散體中金屬納米粒子的團(tuán)聚，由此繼續(xù)保持分散。附帶地，當(dāng)所述分散劑的分子量小于2000時(shí)，擔(dān)心通過上述分散劑不足以實(shí)現(xiàn)阻止金屬納米粒子團(tuán)聚以保持分散效果。因此，在某些情況下，通過將含金屬納米粒子的分散體施加到前述絕緣層表面之后的加熱而形成的導(dǎo)電層，不能實(shí)現(xiàn)膜性能的光滑和致密且不能避免空隙等。而且，分子量超過30000的分散劑，因?yàn)槠潴w積太大，擔(dān)心其在形成導(dǎo)電層的加熱過程中抑制金屬納米粒子相互燒結(jié)而產(chǎn)生空隙或降低膜性能的致密度，而且擔(dān)心殘留在導(dǎo)電層中的分散劑破碎殘余物作為雜質(zhì)會(huì)降低上述導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。與此相比，分子量為200030000的分散劑不僅具有將金屬納米粒子良好分散在分散體中的優(yōu)良功能，而且因?yàn)槠潴w積不太大，在加熱后的導(dǎo)電層中不會(huì)產(chǎn)生空隙或不會(huì)降低膜性能的致密，而且它不會(huì)導(dǎo)致會(huì)降低導(dǎo)電層電導(dǎo)率的破碎殘余物殘留在上述導(dǎo)電層中。附帶地，考慮到當(dāng)將導(dǎo)電層用于如前所述的電子領(lǐng)域(諸如有機(jī)電子器件如有機(jī)TFT和布線襯底如多層布線襯底)時(shí)，防止與其緊鄰著放置的電子組件等的劣化，所述分散劑優(yōu)選不含硫、磷、硼和鹵素原子。滿足這些條件的優(yōu)選分散劑包括例如這些分子量為200030000的分散劑胺基聚合物分散劑，如聚乙烯亞胺和聚乙烯吡咯烷酮；烴基聚合物分散劑，其在它們的分子中含有羧酸基團(tuán)，如聚丙烯酸和羧甲基纖維素；以及含極性基團(tuán)的聚合物分散劑，如波瓦爾(聚乙烯醇)和在一個(gè)分子中具有聚乙烯亞胺部分與聚氧乙烯部分的共聚物。還能夠?qū)⒎稚┘尤肴芤籂顟B(tài)的反應(yīng)體系中，其中所述分散劑溶解于水或有機(jī)溶劑中。為了調(diào)節(jié)金屬納米粒子的一次粒徑，所需要的僅僅是當(dāng)進(jìn)行金屬化合物的還原反應(yīng)時(shí)，調(diào)節(jié)金屬化合物、分散劑和還原劑的種類和配料比，以及調(diào)節(jié)攪拌速率、溫度、時(shí)間、pH值等。例如，考慮到形成一次粒徑盡可能小的金屬納米粒子，所述反應(yīng)體系的pH值優(yōu)選為713。為了將反應(yīng)體系的pH調(diào)節(jié)至上述范圍，可使用pH調(diào)節(jié)劑。當(dāng)將上述導(dǎo)電層用于電子領(lǐng)域時(shí)，考慮到阻止與其緊鄰著放置的電子組件等或形成的導(dǎo)電層的劣化，所述pH調(diào)節(jié)劑優(yōu)選為堿金屬或堿土金屬、鹵素元素如氯、硝酸或銨而不含如硫、磷和硼的雜質(zhì)。在液相反應(yīng)體系中沉淀的金屬納米粒子一旦通過過濾分離、洗滌、干燥、破碎等過程以粉末形式獲得，然后就將水和分散劑以及另外所需要的水溶性有機(jī)溶劑以預(yù)定比例配制以制備含金屬納米粒子的分散體作為涂膜用原料。然而，如前所述，優(yōu)選制備上述分散體用作原料液相反應(yīng)體系，其中沉淀有金屬納米粒子。也就是說，通過進(jìn)行處理如超濾、離心、水洗和電滲析，從含用于反應(yīng)的上述沉淀的金屬納米粒子和水的液相反應(yīng)體系中將雜質(zhì)除去，按需要除去水或相反添加水以調(diào)節(jié)金屬納米粒子的濃度，然后按需要以預(yù)定比例混入水溶性有機(jī)溶劑，由此制備含金屬納米粒子的分散體。根據(jù)該方法，阻止了由于金屬納米粒子團(tuán)聚產(chǎn)生的粗大且不規(guī)則的粒子，由此能夠形成更加致密和均勻的導(dǎo)電層。按每100重量份的金屬納米粒子計(jì)，包含在分散體中水的比例優(yōu)選為20400重量份。當(dāng)包含水的比例低于上述范圍時(shí)，擔(dān)心不足以實(shí)現(xiàn)水對(duì)分散劑的充分溶脹以良好地將被分散劑包圍的金屬納米粒子分散在分散體中而不發(fā)生團(tuán)聚的效果。另一方面，當(dāng)超過上述范圍時(shí)，擔(dān)心包含在分散體中的金屬納米粒子的比例降低而不足以形成具有足夠厚度和密度的涂膜和導(dǎo)電層。關(guān)于水溶性有機(jī)溶劑，能夠使用各種水溶性的有機(jī)溶劑。其具體例子包括醇類，如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇和叔丁醇；酮類，如丙酮和甲乙酮；多羥基醇，如乙二醇和丙三醇或其酯；乙二醇醚類，如乙二醇單乙醚和二乙二醇單丁醚等。按每100重量份的金屬納米粒子計(jì)，包含的水溶性有機(jī)溶劑的比例優(yōu)選為30900重量份。當(dāng)包含的水溶性有機(jī)溶劑的比例低于上述范圍時(shí)，擔(dān)心不足以通過提供將要包含的上述有機(jī)溶劑來實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)分散體的粘度和蒸氣壓的效果。另一方面，當(dāng)超過上述范圍時(shí)，擔(dān)心過多的有機(jī)溶劑會(huì)抑制水對(duì)分散劑的充分溶脹以將被分散劑包圍的金屬納米粒子良好地分散在分散體中而不發(fā)生團(tuán)聚的效果。按每100重量份的金屬納米粒子計(jì)，包含的分散劑的比例優(yōu)選為360重量份。當(dāng)包含的分散劑低于上述范圍時(shí)，擔(dān)心通過提供將要包含的上述分散劑，不足以實(shí)現(xiàn)分散劑存在以使其在含水分散體中包圍在沉淀的金屬納米粒子周圍而阻止金屬納米粒子團(tuán)聚的效果。另一方面，當(dāng)超過上述范圍時(shí)，擔(dān)心過多的分散劑會(huì)在加熱過程中抑制金屬納米粒子的燒結(jié)而產(chǎn)生空隙或降低膜性能的致密，并且擔(dān)心殘留在導(dǎo)電層中的聚合物分散劑破碎殘余物作為雜質(zhì)會(huì)降低導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。用于將分散體施用于絕緣層表面以形成涂膜的涂覆方法包括浸涂法、旋涂法、輥涂法、噴涂法、棒涂法、模壓涂布法、狹縫涂布法或刷涂法。根據(jù)上述方法，能夠?qū)⑺龇稚Ⅲw均勻地施用于絕緣層的表面，使得通過隨后的加熱工藝形成的導(dǎo)電層的厚度能夠更加均勻。為了將通過上述方法將形成的涂膜圖案化為預(yù)定的平面形狀，例如可適18當(dāng)使用利用光刻法的刻蝕。根據(jù)利用光刻法的刻蝕，能夠形成具有良好的精確度和良好的可再現(xiàn)性的精細(xì)圖案，如有機(jī)電子器件的源極或漏極，或布線襯底的導(dǎo)體回路。關(guān)于細(xì)節(jié)，將對(duì)光敏感的抗蝕層層壓至干燥后的涂膜，將上述抗蝕層暴露于光線下并顯影，以形成將與待形成圖案對(duì)應(yīng)的涂膜區(qū)域覆蓋的抗蝕劑掩模。然后，將未被上述抗蝕劑掩模覆蓋的暴露的涂膜通過刻蝕選擇性除去，由此將上述涂膜圖案化為預(yù)定的平面形狀。關(guān)于通過刻蝕除去未被抗蝕劑掩模覆蓋的暴露的涂膜的方法，有使用蝕刻液的液相法和使用蝕刻氣體或離子束的氣相法。在本發(fā)明中，可以使用它們中的任何一種。然而，當(dāng)所述襯底是前述通用塑料襯底等時(shí)，考慮到阻止上述襯底的劣化，優(yōu)選液相法。為了通過加熱形成圖案的涂膜而形成導(dǎo)電層，所需要的僅僅是在這樣的溫度加熱在該溫度能夠熱解包含在上述涂膜中的有機(jī)物質(zhì)(如分散劑)，并能夠燒結(jié)包含在其中的金屬納米粒子。為了熱解有機(jī)物質(zhì)，可以在空氣中進(jìn)行加熱，或者可以在空氣中加熱以后，再在非氧化性氣氛或還原性氣氛中進(jìn)行加熱以防止金屬納米粒子的氧化。如前所述，為了抑制通過上述加熱而形成的導(dǎo)電層的金屬晶粒尺寸過度增加、在導(dǎo)電層中產(chǎn)生空隙或塑料襯底的劣化，加熱溫度優(yōu)選為20(TC以下，特別是150180°C。此外，加熱涂膜而不進(jìn)行圖案化以形成導(dǎo)電層，然后，還能夠通過利用光刻法等的刻蝕，使上述導(dǎo)電層形成圖案。而且，通過任何印刷方法如轉(zhuǎn)印法、噴墨印刷法或絲網(wǎng)印刷法，在絕緣層表面上將分散體預(yù)先印刷成預(yù)定圖案，然后加熱，由此也能夠獲得圖案化的導(dǎo)電層。圖1的截面視圖顯示了作為有機(jī)電子器件的有機(jī)TFT例子的層構(gòu)造。參考圖l，該例子的有機(jī)TFT1包括形成在襯底2上的柵極3，覆蓋上述柵極3的絕緣層4，在上述絕緣層4上相互分開形成的源極5和漏極6，以及在上述絕緣層4上填充源極5和漏極6之間區(qū)域的半導(dǎo)體19層7。在上述有機(jī)TFT中，所述絕緣層4和在其上的源極5和漏極6通過本發(fā)明的制造方法制造。也就是說，在襯底2上形成含前述聚酰亞胺基化合物的層以便覆蓋預(yù)先形成的柵極3，并在20(TC以下的溫度加熱以形成絕緣層4。在上述絕緣層4上使包括含金屬納米粒子分散體的涂膜形成圖案，并在20(TC以下的溫度加熱以形成包括導(dǎo)電層的源極5和漏極6。能夠以常規(guī)方式形成構(gòu)成所述有機(jī)TFT的其它部分。例如，關(guān)于襯底2，當(dāng)附圖的有機(jī)TFT是分別激活柔性顯示器(如電子紙)像素的電子器件時(shí)，使用柔性襯底如塑料襯底。在此情況下，根據(jù)本發(fā)明，如前所述，通過20(TC以下的低溫工藝能夠形成絕緣層4、源極5和漏極6，使得能夠?qū)⒕哂械蛙浕瘻囟惹伊畠r(jià)的通用塑料襯底(如PC或PET)用作上述塑料襯底。這導(dǎo)致成本降低，并能夠促進(jìn)柔性顯示器(如上述電子紙)的實(shí)際使用。通過真空沉積法、濺射法等，或者通過加熱包括含金屬納米粒子分散體的涂膜(如同源極5和漏極6的情況)，可以形成柵極3。特別是，根據(jù)后一種方法，無需使用真空設(shè)備的工藝，僅通過涂覆或印刷的工藝就能夠形成有機(jī)TFT。因此，例如，能夠進(jìn)一步降低柔性顯示器的成本。還考慮到阻止通用塑料襯底的劣化，在加熱涂膜時(shí)的加熱溫度優(yōu)選為20(TC以下。而且，通過如下方法能夠形成半導(dǎo)體層7:將含前述有機(jī)半導(dǎo)體材料的涂覆溶液施用于其上已經(jīng)形成源極5和漏極6的絕緣層4上，以填充在上述兩個(gè)電極之間，將其干燥，然后按需要加熱。如前所述，本發(fā)明制造電子電路部件的方法適于用作制造有機(jī)電子器件或布線襯底的方法。能夠通過本發(fā)明的制造方法制造的有機(jī)電子器件包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件、有機(jī)能量轉(zhuǎn)換元件、傳感器元件等。此外，所述布線襯底包括單層或多層襯20底等。實(shí)施例實(shí)施例1合成聚酰亞胺基化合物將由化學(xué)式(5)表示的四元羧酸二酸酐:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>和由化學(xué)式(6)表示的二胺化合物:,學(xué)式6]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>聚合以制備僅包括前述化學(xué)式(l)重復(fù)單元的聚酰亞胺基化合物，其中化學(xué)式(l)中A是化學(xué)式(3)的基團(tuán)，且化學(xué)式(3)中的WW全部為氫原子，B的100mol。/。是化學(xué)式(4)的基團(tuán)，化學(xué)式(4)中的乂1是-0-基團(tuán)，RS是具有18個(gè)碳原子的烷基，m和n為0。形成絕緣層通過使用具有0.2pm孔徑過濾器的注射器，將聚酰亞胺基化合物濃度為6wt。/。的清漆(其中前面合成的聚酰亞胺基化合物溶于作為有機(jī)溶劑的N-甲基-2-吡咯烷酮中)滴加至形成在玻璃襯底(5.0cm見方，厚度0.7mm)—個(gè)面上的ITO透明導(dǎo)電層上，以通過旋涂法在上述ITO膜上形成層。其后，使用熱板在空氣中于8(TC加熱所述層5分鐘以將其行干燥，然后，將熱板的溫度升至20(TC，隨后加熱60分鐘以形成絕緣層。所述絕緣層的厚度為約200nm。使用動(dòng)態(tài)接觸角測(cè)量計(jì)[由KyowaInterfaceScienceCo.，Ltd.制造的CA-W]，在溫度為25±2°C和濕度為50±5%的恒溫和恒濕環(huán)境下，測(cè)量上述絕緣層與去離子水的接觸角，液體量為3^tl，測(cè)量狀態(tài)為使去離子水到達(dá)所述絕緣層后靜置5秒鐘。結(jié)果為96°。形成導(dǎo)電層使用具有0.2pm孔徑過濾器的注射器，將Ag納米粒子的分散體滴加至形成在上述玻璃襯底ITO膜上的絕緣層，以通過旋涂法在上述絕緣層上形成涂膜，所述分散體包含20nm—次粒徑的Ag納米粒子、作為溶劑的水與丙二醇單甲醚的混合溶劑以及羧酸基聚合物分散劑(分子量15000)。干燥后，使用熱板在下列任一條件下加熱所述涂膜條件1:150°C，持續(xù)120分鐘條件2:180°C，持續(xù)120分鐘條件3:200°C，持續(xù)60分鐘比較例1將由化學(xué)式(7)表示的四元羧酸二酸酐Q0和由化學(xué)式(8)表示的二胺化合物:[化學(xué)式8](8)聚合以合成聚酰亞胺基化合物。除了使用由此獲得的聚酰亞胺基化合物以外，以與實(shí)施例1相同的方式形成絕緣層，并在與實(shí)施例1相同的條件下測(cè)量了其與去離子水的接觸角。結(jié)果為70°。然后，以與實(shí)施例1相同的方式在上述絕緣層上形成約200nm厚度的導(dǎo)電層。比較例2將厚度為4英寸的Si晶片(<110>，慘雜銻，厚度525±25pm，電阻率0.02Q.cm以下)熱氧化以在其表面上形成200nm厚的含Si02的絕緣層，并在與實(shí)施例1相同的條件下測(cè)量了其與去離子水的接觸角。結(jié)果為52°。然后，以與實(shí)施例l相同的方式在上述絕緣層上形成約200nm厚的導(dǎo)電層。比較例3以與比較例2相同的方式，將六甲基硅氮烷(HMDS，由AldrichK.K.制造)滴加在Si晶片表面上形成的200nm厚的絕緣層上，以通過旋涂法在上述絕緣層上形成涂膜。使用熱板在10(TC下進(jìn)行干燥5分鐘，然后在室溫下靜置。其后，用丙酮進(jìn)行清洗，并使上述絕緣層經(jīng)歷疏水處理。在與實(shí)施例1相同的條件下測(cè)量其與去離子水的接觸角。結(jié)果為90°。然后，以與實(shí)施例1相同的方式在上述絕緣層上形成約200nm厚的導(dǎo)電層。粘附性試驗(yàn)在實(shí)施例和比較例中形成的每個(gè)導(dǎo)電層中，使用刀具以網(wǎng)格形狀在每個(gè)長(zhǎng)度和寬度上形成6個(gè)到達(dá)絕緣層的切口，使得直角之間有1mm的間隔。在其上粘附24mm寬的賽璐玢膠帶(粘附力2.94N/10mm以上)，并用橡皮從其上摩擦以使其完全粘附。然后，在12分鐘后，握住膠帶的一端，瞬時(shí)將膠帶沿垂直于表面方向的向上方向剝離。此時(shí)，觀察切割成上述網(wǎng)格形狀的25片導(dǎo)電層的狀態(tài)，并用下列標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)導(dǎo)電層的粘附性O(shè):導(dǎo)電層的所有25片保持而未剝離。粘附性良好。x:導(dǎo)電層的124片剝離。粘附性有點(diǎn)差。導(dǎo)電層的所有25塊剝離。粘附性差。其結(jié)果示于表1中。表1實(shí)施例1比較例1比較例2比較例3絕種類HMDS處理的緣聚酰亞胺聚酰亞胺Si02Si02層接觸角96°70°52Q90。粘附性加熱條件1〇〇XX加熱條件2〇XXX加熱條件3〇XXX根據(jù)表1，顯示出在比較例l(其中導(dǎo)電層形成在包含聚酰亞胺基化合物但與去離子水的接觸角為80。以下的絕緣層上)中，只有當(dāng)所述導(dǎo)電層的加熱條件為條件1(150°C，持續(xù)120分鐘)時(shí)，所述導(dǎo)電層的粘附性良好，但是在其它條件下導(dǎo)電層的粘附性變差。而且，顯示出比較例2和3(其中包含Si02的無機(jī)絕緣層用作絕緣層)中，不考慮上述絕緣層與去離子水的接觸角，所有條件下的絕緣層粘附性都變差。與此相比，可證實(shí)在實(shí)施例l(其中導(dǎo)電層形成在包含聚酰亞胺基化合物且與去離子水的接觸角為80。以上的絕緣層上)中，即使當(dāng)導(dǎo)電層的加熱條件為上述條件13的任何一種時(shí)，導(dǎo)電層的粘附性都良好。實(shí)施例2和比較例4624以與實(shí)施例1和比較例13相同的方式，在每個(gè)絕緣層的表面上分別形成導(dǎo)電層，不同的是使用這樣的分散體作為導(dǎo)電層原料的Ag納米粒子分散體其含有一次粒徑為20nm的Ag納米粒子；作為溶劑的水、乙二醇醚和聚醚的混合溶劑；以及羧酸基聚合物分散劑(分子量15000)，并評(píng)價(jià)其粘附性。將其結(jié)果示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>根據(jù)表2，顯示即使當(dāng)改變Ag納米粒子分散體的組成時(shí)，也獲得了相同的結(jié)果。也就是說，顯示出在比較例4(其中導(dǎo)電層形成在包含聚酰亞胺基化合物但與去離子水的接觸角為80。以下的絕緣層上)中，僅當(dāng)導(dǎo)電層的加熱條件為條件1(15(TC，持續(xù)120分鐘)時(shí)，所述導(dǎo)電層的粘附性良好，但在其它條件下，所述導(dǎo)電層的粘附性變差。而且，顯示出比較例5和6(其中含Si02的無機(jī)絕緣層用作絕緣層)中，不考慮上述絕緣層與去離子水的接觸角，所有條件下的導(dǎo)電層粘附變差。與此相比，可證實(shí)實(shí)施例2(其中導(dǎo)電層形成在包括聚酰亞胺基化合物且與去離子水的接觸角為80。以上的絕緣層上)中，即使當(dāng)導(dǎo)電層的加熱條件為上述條件13的任何一種時(shí)，導(dǎo)電層的粘附性都良好。測(cè)量電阻率對(duì)于其中導(dǎo)電層粘附性良好的實(shí)施例1和2，使用電阻率測(cè)量計(jì)(LorestaGP，MCP-T610，由DiaInstrumentsCo.,Ltd.制造)測(cè)量上述導(dǎo)電層的電阻率。其結(jié)果示于表3中。表3實(shí)施例1實(shí)施例2加熱條件13035電阻率(iacm加熱條件2106加熱條件365根據(jù)所述表格，證實(shí)了實(shí)施例1和2的導(dǎo)電層具有優(yōu)良的電導(dǎo)率，如前所述，因?yàn)榧词巩?dāng)加熱條件為上述條件13的任何一種時(shí)，電阻率都低。盡管參考具體實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是顯而易見，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完成各種變化和修改而不背離本發(fā)明的精神和范圍。附帶地，本申請(qǐng)是以2006年8月7日提交的日本專利申請(qǐng)2006-214809為基礎(chǔ)的，其全部?jī)?nèi)容在此并入作為參考。此外，這里引用的所有參考文獻(xiàn)的全部?jī)?nèi)容在此并入作為參考。2權(quán)利要求1.一種制造電子電路部件的方法，其包括如下步驟在200℃以下的溫度加熱包含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層以形成與水的接觸角為80°以上的絕緣層，以及在所述絕緣層上形成包括含金屬納米粒子的分散體的涂膜，并在200℃以下的溫度加熱所述涂膜以形成導(dǎo)電層。2.如權(quán)利要求l所述的制造電子電路部件的方法，其中通過使用分散體形成所述導(dǎo)電層，所述分散體包含金屬納米粒子、分散劑和作為溶劑的水，所述金屬納米粒子的一次粒徑為100nm以下，且包含選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Ir、Sn、Cu、Ni、Fe、Co、Ti和In中的至少一種金屬。3.如權(quán)利要求1或2所述的制造電子電路部件的方法，其中所述電子電路部件是有機(jī)電子器件，該器件包括在襯底上形成的柵極，覆蓋所述柵極的絕緣層，在所述絕緣層上相互分開形成的源極和漏極，以及在所述絕緣層上填充所述源極和漏極之間區(qū)域的半導(dǎo)體層，在所述襯底上形成包含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層以覆蓋所述柵極，并在20(TC以下的溫度加熱該層以形成所述絕緣層，其后，在所述絕緣層上使包括含所述金屬納米粒子的分散體的涂膜形成圖案；并且在20(TC以下的溫度加熱所述涂膜以形成包括所述導(dǎo)電層的所述源極和漏極。4.如權(quán)利要求1或2所述的制造電子電路部件的方法，其中所述電子電路部件是布線襯底，其中在所述絕緣層上形成導(dǎo)體回路，形成包含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層，并在20(TC以下的溫度加熱該層以形成所述絕緣層，其后在所述絕緣層上使包括含所述金屬納米粒子的分散體的涂膜形成圖案，并在20(TC以下的溫度加熱該涂膜以形成包括所述導(dǎo)電層的所述導(dǎo)體回路。全文摘要本發(fā)明的目的是提供一種制造電子電路部件如有機(jī)TFT1的方法，該方法能夠制造具有優(yōu)良可靠性和實(shí)用水平品質(zhì)的電子電路部件，因?yàn)樘貏e是在通用塑料襯底等上，通過在對(duì)上述塑料襯底無影響的200℃以下的工藝溫度下的處理，能夠形成具有更優(yōu)良特性的絕緣層和導(dǎo)電層。本發(fā)明的制造電子電路部件的方法包括在200℃以下的溫度加熱含聚酰亞胺及其前體中的至少一種的層，以形成與水的接觸角為80°以上的絕緣層4；在上述絕緣層4上形成包括含金屬納米粒子的分散體的涂膜，并在200℃以下的溫度加熱上述涂膜以形成導(dǎo)電層如源極5或漏極6。文檔編號(hào)H01L29/786GK101501821SQ200780029550公開日2009年8月5日申請(qǐng)日期2007年8月3日優(yōu)先權(quán)日2006年8月7日發(fā)明者下田浩平,岡田一誠(chéng),前田真一,小野豪申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社;日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社