專利名稱：：導(dǎo)電膜形成方法、薄膜晶體管、帶薄膜晶體管的面板、及薄膜晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適用于電子零件的金屬布線膜，以及作為其成膜方法的賊鍍工序。
背景技術(shù)：
：一直以來，用于電子零件的金屬布線膜，使用Al或Cu等低電阻材料或Mo、Cr等。例如在TFT(薄膜晶體管Thinfilmtransistor)液晶顯示器，隨著面板的大型化，對于布線電極的低電阻化的要求也變大，使用Al或Cu作為低電阻布線的必要性越來越高。在TFT所使用的Al布線有在后工序產(chǎn)生小丘(hillock)，或?qū)l布線作為源/漏電極使用時向下底硅層擴散的問題、與由ITO(銦錫氧化物)構(gòu)成的透明電極的接觸電阻劣化等問題，為了避開這些問題，需要在其前后層疊Mo或Cr以及以它們?yōu)橹鞒煞值暮辖鹉さ恼媳趯?。另一方面，關(guān)于銅布線，銅是電阻低于鋁的材料。鋁有跟ITO透明電極的接觸電阻劣化的問題，而銅不易氧化，所以接觸電阻也較佳。因而，把銅作為低電阻布線膜來使用的必要性越來越高。但是，銅與其它布線材料相比，有著與玻璃或硅等下底材料的密合性很差的問題，且在作為源/漏電極使用的場合，有銅擴散至硅層的問題，所以有必要提高銅布線與其它層的界面的密合性或者設(shè)置用于防止擴散的障壁層。此外，在半導(dǎo)體中所使用的銅鍍的下底銅箔，也有與上述同樣的擴散問題，所以有必要設(shè)置TiN或TaN等防止擴散的障壁層。作為以銅為主成分的適用于電子零件的金屬布線膜的相關(guān)專利，7眾所周知以對銅添加鉬等元素作為特征的技術(shù)(日本特開2005-158887)，或純粹在銅濺鍍的成膜工序中導(dǎo)入氮或氧作為特征的技術(shù)(日本特開平10-12151)，但都有密合性或低電阻化以及對小丘的耐受性的問題。專利文獻l:日本特開2005-158887號公報專利文獻2:日本特開平10-12151號7〉才艮
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述的傳統(tǒng)技術(shù)i果題構(gòu)思而成，其目的在于提供低電阻、與ITO透明電極的接觸電阻、與玻璃或硅的密合性、作為源/漏電極使用時的與硅層的擴散防止、小丘耐受性、這些對于裝置所要求的膜特性都很優(yōu)異的銅類布線膜以及銅類障壁層膜的制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明是通過賊鍍法，在真空氣氛中在成膜對象物表面形成以銅為主成分并含有添加金屬的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜形成方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti(鈥)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、V(釩)、Nb(鈮)、Ta(鉭)、Cr(鉻)、Mo(鉬)、W(鴒)、Mn(錳)、Fe(鐵)、Ru(釕)、Os(鋨)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Bi(鉍)、Ag(銀)、Zn(鋅)、Sn(錫)、B(硼)、C(碳)、Al(鋁)、Si(硅)、La(鑭)、Ce(鈰)，Pr(鐠)、Nd(釹)構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而使得所述導(dǎo)電膜中含有所述添加金屬。本發(fā)明是導(dǎo)電膜形成方法，其中，使用至少一部分表面上露出硅層與玻璃基板的任一方或雙方的所述成膜對象物，將所述導(dǎo)電膜形成在所述硅層表面與所述玻璃基板的任一方或雙方。本發(fā)明是導(dǎo)電膜形成方法，其中，所述添加金屬選擇Ti,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%本發(fā)明是導(dǎo)電膜形成方法，其中，所述添加金屬選擇Zr，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述導(dǎo)電膜中含有0.1原子%以上的Zr。本發(fā)明是導(dǎo)電膜形成方法，其中，使用至少一部分表面上露出透明導(dǎo)電膜的所述成膜對象物，將所述導(dǎo)電膜形成在所述透明導(dǎo)電膜的表面。本發(fā)明是薄膜晶體管，其中，具有柵電極，以硅為主成分的漏極區(qū)域，以及以硅為主成分的源極區(qū)域，在對所述漏極區(qū)域與源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，以對所述柵電極施加電壓時在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過的薄膜晶體管為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的把而形成的第一導(dǎo)電膜，形成在所述漏極區(qū)域表面和所述源極區(qū)域表面的任何一方或者雙方。本發(fā)明是薄膜晶體管，其中，所述添加金屬選擇Ti，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第一導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Ti。本發(fā)明是薄膜晶體管，其中，所述添加金屬選擇Zr,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第一導(dǎo)電膜中含有0.1原子o/o以上的Zr。本發(fā)明是帶薄膜晶體管的面板，具有基板，在所述基板表面上配置了薄膜晶體管與透明導(dǎo)電膜，所述薄膜晶體管具有柵電極，以硅為主成分的漏極區(qū)域、以及以硅為主成分的源極區(qū)域，在對所述漏極區(qū)域與源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，若對所述柵電極施加電壓，則在所9述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過，其中，以配置了所述薄膜晶體管的狀態(tài)的所述基板為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶而形成的第一導(dǎo)電膜，分別形成在所述漏極區(qū)域表面與所述源極區(qū)域表面的任何一方或者雙方，和所述透明導(dǎo)電膜表面。本發(fā)明是帶薄膜晶體管的面板，具有基板，在所述基板表面上配置了薄膜晶體管與透明導(dǎo)電膜，所述薄膜晶體管具有柵電極，以硅為主成分的漏極區(qū)域，以及以硅為主成分的源極區(qū)域，在對所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，若對所述柵電極施加電壓，則在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過，其中，在所述漏極區(qū)域表面與所述源極區(qū)域表面的任一方或者雙方，配置了第一導(dǎo)電膜，在所述第一導(dǎo)電膜表面配置了以銅為主成分的銅膜，在所述銅膜表面配置了第二導(dǎo)電膜，所述第一、第二導(dǎo)電膜，以配置所述薄膜晶體管的狀態(tài)的所述基^1為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并'賊鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Gr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的革巴而形成。本發(fā)明是帶薄膜晶體管的面板，其中，所述添加金屬選擇Ti，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第二導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Ti。本發(fā)明是帶薄膜晶體管的面板，其中，所述添加金屬選擇Zr,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第二導(dǎo)電膜中含有0.1原子。/o以上的Zr。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，是具有與硅層接觸的導(dǎo)電膜的薄膜晶體管的制造方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的乾，而形成所述導(dǎo)電膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，是具有與透明導(dǎo)電膜接觸的導(dǎo)電膜的薄膜晶體管的制造方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述導(dǎo)電膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，是具有與玻璃基板接觸的導(dǎo)電膜的薄膜晶體管的制造方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有乂人Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述導(dǎo)電膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，是具有與硅層以及透明導(dǎo)電膜接觸的導(dǎo)電膜的薄膜晶體管的制造方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的耙，而形成所述導(dǎo)電膜。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法，是具有以硅為主成分的硅層，與所述硅層接觸的第一導(dǎo)電膜，以銅為主成分形成在所述第一導(dǎo)電膜表面的銅膜，以及形成在所述銅膜表面的第二導(dǎo)電膜，透明導(dǎo)電膜與所述第二導(dǎo)電膜接觸的薄膜晶體管的制造方法，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中ii具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述第一、第二導(dǎo)電膜。本發(fā)明是薄膜晶體管的制造方法，其中，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，進行所述濺鍍。在本發(fā)明中主成分指的是含量在50原子％以上的成分。因而，以銅為主成分的靶含有銅50原子％以上，以銅為主成分的導(dǎo)電膜含有銅50原子％以上。又，如果第一、第二導(dǎo)電膜可相互電連接，第一、第二導(dǎo)電膜就可一體化，也可在第一、第二導(dǎo)電膜之間密合地配置純銅膜等其它導(dǎo)電膜。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，可得低電阻，且對成膜對象物的密合性很高的導(dǎo)電膜。此外，以與硅層密合的方式形成導(dǎo)電膜的場合，該硅層不會引起銅的擴散。使導(dǎo)電膜以與透明導(dǎo)電膜密合的方式形成的場合，對于透明導(dǎo)電膜的接觸電阻也很低。因而，密合于硅層或透明導(dǎo)電膜的膜，具體而言，特別適用于源電極或漏電極的導(dǎo)電膜。圖1是說明一例在本發(fā)明中使用的成膜裝置的剖視圖。圖2(a)~(c)是說明形成導(dǎo)電膜與銅膜的工序的剖視圖。圖3是氧氣分壓與電阻率的關(guān)系圖(Ti)。圖4是后退火溫度與電阻率的關(guān)系圖(Ti)。圖5表示導(dǎo)電膜的硅層擴散性的電子顯微鏡照片。圖6表示銅膜的硅層擴散性的電子顯微鏡照片。12圖7(a)~(d)是說明制造TFT面板的前半工序的剖視圖。圖8(a)、(b)是說明制造TFT面板的后半工序的剖視圖。圖9是說明一例通過本發(fā)明來制造的TFT面板的剖^L圖。圖10是說明另一例通過本發(fā)明制造的TFT面板的剖視圖。圖ll是氧氣分壓與電阻率的關(guān)系圖。圖12是后退火溫度與電阻率的關(guān)系圖(Ti)。圖13是說明另一例在本發(fā)明中使用的成膜裝置的剖視圖。圖14(a)~(e)是說明第四例的制造TFT的前半工序的剖視圖。圖15(a)~(d)是說明第四例的制造TFT的后半工序的剖視圖。圖16是用于說明柵電極與蓄積電容電極的放大剖視圖。圖17是用于說明一例液晶顯示裝置的剖視圖。符號說明1、18成膜裝置；2第一成膜室(真空槽)；10、19靶部(靶)；11主靶；12副把；22、41、82、211基板；23、61、86硅層；25、52、54、93、251、252導(dǎo)電膜(第一、第二導(dǎo)電膜)；26、253銅膜；40、80、210TFT面板；60、90、220TFT;62、87、225源極區(qū)域；64、89、226漏才及區(qū)域；71、85透明電極(透明導(dǎo)電膜)。具體實施例方式針對通過本發(fā)明形成導(dǎo)電膜的工序進行詳細說明。圖1的符號1表示本發(fā)明中使用的成膜裝置的一例。成膜裝置1具有由真空槽構(gòu)成的第一成膜室2，第一成膜室2與真空排氣系統(tǒng)9、濺鍍氣體供給系統(tǒng)6、氧氣供給系統(tǒng)8連接。使用此成膜裝置1來形成導(dǎo)電膜時，首先通過真空排氣系統(tǒng)9真空排氣第一成膜室2的內(nèi)部，持續(xù)真空排氣并從濺鍍氣體供給系統(tǒng)6與氧氣供給系統(tǒng)8分別將濺鍍氣體與氧化氣體(在此為氧氣)導(dǎo)入第一成膜室2的內(nèi)部，形成含有氧氣的規(guī)定壓力的第一真空氣氛。圖2(a)的符號21表示在基板22表面形成了硅層23(在此為非晶硅層)的成膜對象物，在維持第一真空氣氛的狀態(tài)下將成膜對象物21搬入第一成膜室2內(nèi)部。在第一成膜室2的內(nèi)部，基板保持部(holder)7與靶部10凈皮相互面對的方式配置，^使形成了硅層23的面朝向靶部10而將成膜對象物21保持于基板保持部7。在基板保持部7的背面?zhèn)扰渲昧思訜岵考?，對加熱部件4通電，將基板保持部7上的成膜對象物21加熱至規(guī)定成膜溫度。輩巴部10由以主成分為銅的主靶11和以添加金屬(此處為Ti或Zr)為主成分的副耙12構(gòu)成。主靶l(wèi)l為板狀，一面朝向基^反保持部7地配置。副靶12的平面形狀比主耙11還要小，且配置在主耙11的朝向基板保持部7—側(cè)的面上。主靶l(wèi)l與副耙12與配置在真空槽2外部的電源5連接。在主靶11的背面配置了磁場形成裝置14,在維持笫一真空氣氛的情況下由電源5對主靶11與副耙12雙方施加電壓時，主靶11與副耙12雙方被磁控管濺鍍，分別釋放出銅的濺鍍粒子和添加金屬的濺鍍粒子，這些濺鍍粒子到達成膜對象物21的硅層23表面。副耙12的平面形狀小于主靶11的平面形狀，添加金屬的濺鍍粒子的釋放量也小于銅的賊鍍粒子的釋放量，所以到達成膜對象物21的銅濺鍍粒子的量多于添加金屬的濺鍍粒子，在硅層23表面，生長以銅為主成分且含有添加金屬的導(dǎo)電膜25(圖2(b))。又，本發(fā)明的成膜方法，不僅使用于在硅層23表面形成導(dǎo)電膜25的場合，也使用于在玻璃基板的表面形成導(dǎo)電膜25的場合。在導(dǎo)電膜25生長的期間，若將成膜對象物21維持在上述的成膜溫度，則導(dǎo)電膜25對硅層23或基板22(例如玻璃基板)的密合性會變得更高。第一成膜室2與由真空槽構(gòu)成的第二成膜室3連接。第二成膜室3與真空排氣系統(tǒng)9和濺鍍氣體供給系統(tǒng)6連接，用真空排氣系統(tǒng)914對第二成膜室3內(nèi)部進行真空排氣后，持續(xù)進行真空排氣并由濺鍍氣體供給系統(tǒng)6供給'減鍍氣體，在第二成膜室3內(nèi)部預(yù)先形成不含氧氣的第二真空氣氛。使導(dǎo)電膜25生長至規(guī)定膜厚之后，為了進行下述的"密合性試驗"、"電阻率試驗"、"密合性、電阻率、擴散試驗"、"添加金屬的種類"等試驗而將成膜對象物21的一部分從成膜裝置1取出，搬入未圖示的加熱裝置進行加熱處理(退火處理)，將剩下的成膜對象物21在維持第二真空氣氛的情況下直接搬入第二成膜室3內(nèi)部。在第二成膜室3內(nèi)部配置了以銅為主成分的銅靶15,在維持第二真空氣氛的情況下，若以將第二成膜室3置于接地電位的狀態(tài)對銅靶15施加負電壓進行賊鍍，則在導(dǎo)電膜25表面生長以銅為主成分且不含添加金屬的銅膜。圖2(c)表示形成了銅膜26的狀態(tài)，將此狀態(tài)的成膜對象物21從成膜裝置l取出，用于下述的"電極評價試驗"。實施例首先，檢討使用Ti作為添加金屬的場合。<密合性試驗>主靶11使用直徑7英寸的銅(純度99.9原子％以上)靶，副靶12使用由鈦(Ti)構(gòu)成的物體，改變導(dǎo)電膜25中的鈦含量、成膜時的氧氣分壓和退火處理時的加熱溫度(后退火溫度)，在玻璃基板的表面密合地形成導(dǎo)電膜25，制作125種試片。又，成膜條件為導(dǎo)電膜25的目標膜厚為300nm,濺鍍氣體為氬(Ar)氣，第一成膜室2內(nèi)部的全壓為0.4Pa。在下列表l中示出導(dǎo)電膜25中的鈦含量、成膜時氧氣分壓對全壓的比例、及后退火溫度。表115<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>knife)刻劃出lmm寬的四角形，10行xl0列，共計劃出100個刻痕，在貼上粘接帶(透明膠帶)后，評價剝下粘接帶時殘留的膜的個數(shù)。全部剝離的場合為0/100，密合性高且1個也沒有剝離的場合為100/100，分子的數(shù)目越大密合性也越高。將該結(jié)果記載于上述表1中。由上述表1可知，若在成膜時不導(dǎo)入氧，則即使含有10原子％(原子％)的鈦也會在密合性試驗出現(xiàn)導(dǎo)電膜的一部分被剝離的情形，但是如果在成膜時導(dǎo)入氧，即使鈥含量低至0.1原子％,導(dǎo)電膜也幾乎不會被剝離而殘留下來。由以上情形，可知如果在形成導(dǎo)電膜時導(dǎo)入氧氣，就可得密合性優(yōu)異的導(dǎo)電膜。又，將玻璃基板維持在120。C以上的成膜溫度的情況下形成導(dǎo)電膜時，與成膜時不加熱的場合相比其密合性顯著提高。又，上述各試片的導(dǎo)電膜的氧含量以AES(歐杰電子分光法)測定時，可知在成膜時氧添加分壓在0.1%以上20%以下時，導(dǎo)電膜中的氧含量在0.2原子％以上40原子％以下。<電阻率試-險>接下來，除了把后退火溫度變更為350。C以外，以與上述"密合性試驗"的場合相同的條件，在玻璃基板的表面形成鈥含量0原子％(純銅)、0.5原子％的導(dǎo)電膜，測定該導(dǎo)電膜的電阻率。測定結(jié)果顯示于圖3。圖3的橫軸表示真空槽內(nèi)的氧分壓對全壓的比例，縱軸表示電阻率。由圖3可知，銅內(nèi)含Ti的合金膜，與通過純銅靶的濺鍍所形成的銅膜相比，電阻率的差4艮小。此外，成膜時的氧分壓超過零，且對真空氣氛的全壓在1%以下的范圍時，比氧分壓為零的條件下成膜時的合金膜具有更低的電阻率。這是因為鈦并不會固溶于銅的性質(zhì)所導(dǎo)致，而且銅與氧氣的反應(yīng)性很低，所以鈦與氧氣反應(yīng)的氧化物積極地分離所導(dǎo)致。氧分壓對真空氣氛的全壓超過1%時可以見到銅的氧化導(dǎo)致電阻增加。17如上所述，使用純銅輩巴的場合，電阻值低但是密合性差。因而，可知使用鈦作為添加金屬的場合，只要成膜時的氧分壓超過零，而且如果對于真空氣氛的全壓的氧分壓在20%以下，就能得到與使用純銅靶的場合相比電阻率為同等且密合性優(yōu)異的導(dǎo)電膜。又，作為參考用途在成膜時不導(dǎo)入氧，而分別改變鈦含量與后退火溫度形成導(dǎo)電膜并制作試片，測定該導(dǎo)電膜的電阻率。該測定結(jié)果顯示于圖4中。<密合性、電阻率、擴散試驗〉其次，除了使鈦含量為0原子％、0.1原子％、3.0原子％、10原子％、及20原子％,而對真空氣氛的全壓的氧分壓分別為0%、0.1%、3.0%、10%、20%,而且使后退火溫度為45(TC這幾點以外，與所述"密合性試驗"相同的條件，分別在玻璃基板表面與硅層(Si層)表面形成導(dǎo)電膜，合計制作50種試片。這些試片的中，針對在玻璃基板表面上形成了導(dǎo)電膜的試片進行所述"密合性試驗，，與導(dǎo)電膜的電阻率的測定。進而，針對在硅層表面形成了導(dǎo)電膜的試片，確認是否有對硅層的銅擴散。又，有無對硅層的銅擴散，是用電子顯微鏡觀察通過蝕刻除去導(dǎo)電膜之后的硅層表面，來進行確認。"密合性試-瞼"與"電阻率"的測定結(jié)果，與銅擴散的有無的結(jié)果記載于下列表2，Ti含量為3原子％氧分壓為3%的條件下成膜時的硅層表面的電子顯微鏡照片顯示于圖5，Ti含量為零，濺鍍時的氧分壓為0%的奈件下成膜時的硅層表面的電子顯微鏡照片顯示于圖6中。表218表2:密合性、電阻率、擴散試驗(Ti)各膜厚300nm<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>由上述表2與圖5、6可知，在鈦含量為零的場合有對硅層的銅擴散，鈦含量在0.1原子％以上的場合沒有對硅層的銅擴散。此外，對玻璃基板的密合性，確認了只要導(dǎo)電膜的鈦含量在O.l原子％以上，且對真空氣氛的全壓的氧分壓在0.1%以上，導(dǎo)電膜就接近100%而不被剝離。在對真空氣氛的全壓的氧氣分壓為全壓的20%的場合與不滿20%的場合相比雖然電阻率比較高，但是其值作為構(gòu)成源電極或漏電極的導(dǎo)電膜就實用上并不會有問題。但是，氧氣分壓超過全壓的20%時，如果賊鍍氣體的分壓降低則濺鍍速度也降低使得成膜效率變差，所以最好氧氣分壓對真空氣氛的全壓，以在20%以下的條件下形成導(dǎo)電膜。此外，氧分壓對真空氣氛的全壓為超過3.0%的范圍氧分壓越大電阻率也有跟著越大的趨勢，如表2所示其分壓在零與3%之間時，電阻率的值最低。因而，可知形成導(dǎo)電膜25時的氧氣分壓，只要超過零且在3%以下的范圍的話，可得密合性高，而且電阻率值低的導(dǎo)電膜。<電極評價試驗>其次，使用表面露出硅層的硅基板，與表面露出玻璃的玻璃基板，在硅基板表面與玻璃基板表面，改變鈦含量而制作由導(dǎo)電膜(膜厚350nm)構(gòu)成的電極，得到6種試片。除此的外，改變鈦含量而分別在硅基板表面與玻璃基板表面制作膜厚50nm的導(dǎo)電膜之后，在各導(dǎo)電膜的表面制作膜厚300nm的純銅膜而制作由導(dǎo)電膜與純銅膜構(gòu)成的電極，得到6種試片。進而，作為比較對照，在硅基板表面與玻璃基板的表面制作由膜厚350nm的純銅膜構(gòu)成的電極。又，純銅膜是在真空槽內(nèi)部不導(dǎo)入氧氣(氧分壓為零)，進行純銅靶的濺鍍而成膜。針對制作于玻璃基板表面的電極，測定電阻率、密合性，針對制作于硅基板表面的電極，確認有無對硅層的銅元素的擴散，評價作為電極的特性。將該測定結(jié)果，與導(dǎo)電膜的鈦含量，形成導(dǎo)電膜時的氧分壓一起記載于下列表3。表3表3:電極評價(Ti)合計膜厚350nm<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>※Cu成膜不添加氧由上述表3可知，由純銅膜構(gòu)成的電極雖然電阻率很低，但沒有密合性，而且會有銅元素往硅層擴散。對此，含鈦導(dǎo)電膜，銅元素不往硅層擴散，而且密合性也優(yōu)異。電極僅以含鈥導(dǎo)電膜構(gòu)成的場合，電阻率雖然高，但就實用上并無問題。此外，減薄含鈦的導(dǎo)電膜的膜厚，并在該導(dǎo)電膜上以相應(yīng)減薄量生長純銅膜的電極，其電阻率值與以純銅膜構(gòu)成電極的場合幾乎沒有改變。因而，電極是由包含氧與添加金屬雙方的導(dǎo)電膜和均不包含氧與添加金屬的導(dǎo)電膜(例如純銅膜)的2層以上來構(gòu)成的，而且最好把包含氧與添加金屬雙方的導(dǎo)電膜配置在與硅層的界面?！磳TO的4妄觸電阻〉通過本發(fā)明的形成方法，在玻璃基板表面形成鈦含量不同的導(dǎo)電膜，圖案化導(dǎo)電膜而制作薄膜電極后，在與薄膜電極相同的玻璃基板表面作為透明電極形成并圖案化膜厚150nm的ITO膜。制作3種試片。作為比較對象，改變導(dǎo)電膜，制作分別形成鋁膜與純銅膜的薄膜電極,在形成該薄膜電極的玻璃基板表面制作由ITO構(gòu)成的透明電極。針對將各試片進一步以250。C的后退火溫度加熱處理的物體與未加熱處理的物體(asdepo.)，測定薄膜電極與透明電極之間的接觸電阻。將該測定結(jié)果與鈦含量、濺鍍時的氧分壓一起記載于下列表4中。表4表4:對ITO的接觸電阻(Ti)ITO膜厚150nm膜結(jié)構(gòu)Ti含量[at%]02添加分壓[%]接觸電阻[。]asdepo.25(TC退火后ITO/Al/玻璃--138.5441.9ITO/cu/玻璃--5.829.0ITO/Cu-Ti/玻璃0.13.06.330.333.05.829.7103.05.929.4由上述表4可知，由含鈥的導(dǎo)電膜構(gòu)成的薄膜電極與透明電極的接觸電阻比由純銅膜構(gòu)成的薄膜電極同等程度地低。對此，由鋁膜構(gòu)成的薄膜電極，與純銅膜或通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜相比接觸電阻高，特別是加熱處理后的接觸電阻是高得無法使用于TFT基板。因而，通過本發(fā)明成膜的導(dǎo)電膜，確認了如上所述不僅對硅層的密合性、電阻率、以及擴散防止性上都很優(yōu)異，而且對于ITO之類的透明電極的接觸電阻值也低。<添加金屬的種類>其次，除了改變鈦，且作為副耙使用下列表5所記載的各添加金屬以外，以與上述"密合性試驗"相同的條件進行濺鍍，制作含有1原子％的添加金屬的導(dǎo)電膜。添加元素的種類和濺鍍時的真空槽內(nèi)的氧分壓記載于下列表5。表522表5:添加金屬的種類添力口元素[各lat%]添力口氣體02分壓[%]35(TC退火后45(TC退火后電阻率密合性電阻率密合性--2.00細2.00/100Ag0.12.4100/1002.4100/100B53.3100/1003.4100/100Bl34.7100/1004.6100/100C105.3100/1005.2100/100Ce24.3100/1004.2100/100Ce08.854/1008.753/100Co104.7100/1004.5100/100Cr55.5100/1005.3100/100Fe0.53.8100/1003.5100/100Hf0.12.9100/1002.8100/100Hf09.957/1009.852/100Nb34.7100/1004.8100/100Nb07.563/1007.365/100Os14.8100/1004.4100/100Ru104.9100/100100/100Sn205.6100/1005.3100/100Ta34.6100/1004.6100/100Ta07.655/1007.452/100Mo56.8100/1006.7100/100Mn0.53.6100/1003.5100/100Ni0.13.9100/1003.8100/100V206.6100/1006.4100/100V07.963/1007.564/100W105.5100/1005.5100/100Zn155.7100/1005.6100/100Zn06.855/1006.557/100將形成合金膜的基板以350°C、450。C的后退火溫度進行加熱處理，制作試片，針對各試片的合金膜進行電阻率的測定和密合性試驗。其結(jié)果記載于上述表5中。由上述表5可知，在使用各添加金屬的場合，與'賊鍍時不含氧化氣體的場合(氧氣分壓0%)相比，含氧氣時的密合性得到提高。此外，與在圖3所示的鈦的場合同樣，確認了如果將濺鍍時的氧氣分壓設(shè)定為最佳范圍，則與不添加氧氣的場合相比，添加氧氣時的電阻率下降。由以上結(jié)果，確:〖人了作為添加金屬，除了Ti以外，也可以^使用23Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、Nd。其次，檢討使用鋯(Zr)作為添加金屬的場合。<密合性試驗>主靶11使用直徑7英寸的銅(純度99.9原子％以上)靶，副靶12使用由Zr構(gòu)成的物體，改變導(dǎo)電膜25中的Zr含量、成膜時的氧分壓、及退火處理時的加熱溫度(后退火溫度)，在玻璃基板的表面密合地形成導(dǎo)電膜25,制作了125種試片。又，成膜條件為導(dǎo)電膜25的目標膜厚為300nm,'賊鍍氣體為氬氣，第一成膜室2內(nèi)部的全壓為0.4Pa。在下列表6示出導(dǎo)電膜25中的Zr含量、成膜時氧氣分壓對全壓的比例、及后退火溫度。表6表6:密合性試驗(Zr)<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>上述表6中的"asdepo."是指導(dǎo)電膜25成膜后不進行加熱的場合。此外，Zr含量為零的場合，是在所述主靶上不配置副耙而僅'減鍍主靶的場合。對于所得到的導(dǎo)電膜以下列所示的條件調(diào)查其"密合性，，。在成膜對象物21的形成導(dǎo)電膜25的面上以尖端銳利的割刀刻劃出lmm寬的四角形，10行xl0列，共計劃出100個刻痕，在貼上粘接帶(透明膠帶)后，評價剝下粘接帶時殘留的膜的個數(shù)。全部剝離的場合為0/100，密合性高且1個也沒有剝離的場合為100/100,分子的數(shù)目越大密合性也越高。該結(jié)果記載于上述表6中。由上述表6可知，若在成膜時不導(dǎo)入氧，則即使含有10原子％(原子％)的鋯也會在密合性試驗中出現(xiàn)導(dǎo)電膜的一部分被剝離的情形，但是如果在成膜時導(dǎo)入氧，則即使鋯含量低到只有0.1原子％,導(dǎo)電膜也幾乎不會被剝離而殘留下來。由以上情形，可知若在形成導(dǎo)電膜時導(dǎo)入氧氣，則可得密合性優(yōu)異的導(dǎo)電膜。又，添加金屬為Zr的場合，也在將基板維持在120。C以上的成膜溫度的情況下形成導(dǎo)電膜時，與成膜時不加熱基板的場合相比，密合性得到顯著提高。又，所述各試片的導(dǎo)電膜的氧含量以AES(歐杰電子分光法)測定時，可知在成膜時氧添加分壓在0.1%以上20%以下時，導(dǎo)電膜中的氧含量在0.2原子％以上40原子％以下。<電阻率試-驗>接下來，除了把后退火溫度變更為350。C以外，以與上述"密合性試驗"的場合同樣的條件，在玻璃基板表面形成鋯含量為0原子％(純銅)、0.5原子％的導(dǎo)電膜，測定該導(dǎo)電膜的電阻率。測定結(jié)果顯示于圖11。圖11的橫軸表示真空槽內(nèi)的氧分壓對全壓的比例，縱軸表示電阻率。由圖11可知，銅內(nèi)含鋯的合金膜，與通過純銅靶的濺鍍所形成的銅膜相比，電阻率的差很小。此外，成膜時的氧分壓超過零，且對真空氣氛的全壓在1%以下的范圍時，比氧分壓為零的條件下成膜時的合金膜具有更低的電阻率。這是因為鋯不會固溶于銅的性質(zhì)所導(dǎo)致，而且銅與氧氣的反應(yīng)性很低，所以鋯與氧氣反應(yīng)的氧化物積極地分離所導(dǎo)致。氧分壓對真空氣氛的全壓超過1%時可以見到銅的氧化導(dǎo)致電阻增加。如上所述，使用純銅靶的場合，電阻值低但是密合性差。因而，可知使用鋯作為添加金屬的場合，只要成膜時的氧分壓超過零，而且如果對于真空氣氛的全壓的氧分壓在20%以下，就能得到與使用純銅靶的場合相比電阻率為同等且密合性優(yōu)異的導(dǎo)電膜。又，作為參考用途在成膜時不導(dǎo)入氧，而分別改變鋯含量與后退火溫度形成導(dǎo)電膜并制作試片，測定該導(dǎo)電膜的電阻率。該測定結(jié)果顯示于圖12。<密合性、電阻率、擴散試驗>其次，以鋯含量為0原子％、0.1原子％、3.0原子％、10原子％、20原子％,而對真空氣氛的全壓的氧分壓分別為0%、0.1%、3.0%、10%、20%，而且使后退火溫度為450。C這幾點以外，與上述Zr的"密合性試驗"相同的條件，分別在玻璃基板的表面與硅層(Si層)的表面形成導(dǎo)電膜，合計制作50種試片。這些試片的中，針對導(dǎo)電膜形成在玻璃基板的試片進行上述"密合性試驗"和導(dǎo)電膜的電阻率的測定。進而，針對導(dǎo)電膜形成在硅層表面的試片，確認是否有對硅層的銅擴散。又，對硅層的銅擴散的有無，是用電子顯微鏡觀察通過蝕刻除去導(dǎo)電膜的后的硅層表面。"密合性試驗"與"電阻率"的測定結(jié)果和有無銅擴散的的結(jié)果記載于下列表7中。表726表7:密合性、電阻率、擴散試驗(Zr)各膜厚300nm添力口含量含量02添加分壓45(TC退火后電阻率[(xQcm]密合性對Si的擴散02.10細有00.13.111/滿有3.05.839/100有10.07.259/100有20.08.084/100有04.619/100無0.10.13,299/100無3.04.7100/100無10.06.2100/100無20.07.6廳腦無Zr05.130/100無0.13.5100/100無33.05.1100/100無10.06.4100/100無20.07.9100/100無015.065/100無100.14.5100/100無3.05.3100/100無10.05.6100/100無20.08.2訓(xùn)/100無015.576/100無200.14.6100/100無3.05.2100/100無10.06.1100/100無20.08.4100/100無由上述表7可知，在鋯含量為零的場合有對硅層的銅擴散，鋯含量在0.1原子。/。以上的場合，蝕刻除去導(dǎo)電膜后的硅層表面，與圖5所示者同樣平滑且看不到對硅層的銅擴散。此外，確認了只要導(dǎo)電膜中的鋯含量在O.l原子％以上，且對真空氣氛的全壓的氧分壓在0.1%以上，導(dǎo)電膜就會接近100%而不會從玻璃基板被剝離，密合性很高。在對真空氣氛的全壓的氧氣分壓為全壓的20%的場合，與不滿20%的場合相比雖然電阻率比較高，但是該值作為構(gòu)成源電極或漏電極的導(dǎo)電膜就實用上并不會有問題。但是氧氣分壓超過全壓的20%時，如果'賊鍍氣體的分壓降低則濺鍍速度也降低，使得成膜效率變差，所27以最好在氧分壓對真空氣氛的全壓為20%以下的條件下形成導(dǎo)電膜。此外，氧分壓對真空氣氛的全壓為超過3.0%的范圍，氧分壓越大電阻率也有跟著越大的趨勢，如上述表7所示，其分壓在零與3%之間時，電阻率的值最低。因而，可知形成導(dǎo)電膜25時的氧分壓，只要超過零，且在3%以下的范圍，就可得密合性高且電阻率值低的導(dǎo)電膜。<電極評價試驗〉其次，使用表面上露出硅層的硅基板和表面上露出玻璃的玻璃基板，在各基板表面，改變鋯含量而制作由導(dǎo)電膜(膜厚350nm)構(gòu)成的電極，得到6種試片。除此之外，改變鋯含量而分別在硅基板與玻璃基板的表面制作膜厚50nm的導(dǎo)電膜后，在各導(dǎo)電膜的表面制作膜厚300nm的純銅膜而制作由導(dǎo)電膜與純銅膜構(gòu)成的電極，得到6種試片。進而，作為比較對照，在硅基板的表面和玻璃基板的表面制作由膜厚350nm的純銅膜構(gòu)成的電極。又，純銅膜，是在真空槽內(nèi)部不導(dǎo)入氧氣(氧分壓為零)，進行純銅靶的濺鍍而成膜。針對制作于玻璃基才反表面的電極，測定電阻率和密合性，針對制作于硅基板表面的電極，確認有無對硅層的銅元素的擴散，評價作為電極的特性。將該測定結(jié)果與導(dǎo)電膜的鋯含量、形成導(dǎo)電膜時的氧分壓一起記載于下列表8中。表8表8:電極評價(Zr)合計膜厚350nm膜結(jié)構(gòu)含量[at%]。2添力口分壓[%]t50'C退火后電阻率[nQcm]密合性對Si的擴散Cu/Si層002.10/100有Cu-Zr/Si層0.13.04.7100/100無33.05.1100/100無103.05.3100/100無Cu/Cu-Zr/Si層※0.13.02.1100/100無33.02.1100/100無103.02.2100/100無※Cu成膜不添加氧28由上述表8可知，由純銅膜構(gòu)成的電極雖然電阻率低，但沒有密合性，而且會有銅元素往硅層擴散。對此，在基板表面形成含Zr的導(dǎo)電膜的場合，銅元素不往硅層擴散，而且密合性也優(yōu)異。電極僅以含鋯導(dǎo)電膜構(gòu)成的場合，電阻率雖然高，但就實用上并無問題。此外，減薄含鋯的導(dǎo)電膜的膜厚，在該導(dǎo)電膜上以相應(yīng)減薄量生長純銅膜的電極，其電阻率值與以純銅膜構(gòu)成電極的場合幾乎沒有不改變。因而，電極是由包含氧與添加金屬雙方的導(dǎo)電膜和均不包含氧與添加金屬的導(dǎo)電膜(例如純銅膜)的2層以上來構(gòu)成的，而且最好把包含氧與添加金屬雙方的導(dǎo)電膜配置在與硅層的界面?！磳TO的接觸電阻〉通過本發(fā)明的形成方法，在玻璃基板表面形成鋯含量不同的導(dǎo)電膜，圖案化導(dǎo)電膜而制作薄膜電極后，在與薄膜電極相同的玻璃基板表面作為透明電極形成并圖案化膜厚150nm的ITO膜，制作3種試片。作為比較對象，改變導(dǎo)電膜，制作分別形成鋁膜與純銅膜的薄膜電極，在形成該薄膜電極的玻璃基板表面制作由ITO構(gòu)成的透明電極。針對將各試片進一步以250。C的后退火溫度加熱處理的物與未加熱處理的物(asdepo.),測定薄膜電極與透明電極之間的接觸電阻。將該測定結(jié)果與Zr含量、濺鍍時的氧分壓一起記載于下列表9中。表9表9:對ITO的接觸電阻(Zr)ITO膜厚150nm<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>由上述表9可知，由含鋯的導(dǎo)電膜構(gòu)成的薄膜電極與透明電極的接觸電阻比由純銅膜構(gòu)成的薄膜電極同等程度地低。對此，由鋁膜構(gòu)成的薄膜電極與純銅膜或通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜相比接觸電阻高，特別是加熱處理后的接觸電阻是高得無法使用于TFT基板。因而，通過本發(fā)明成膜的導(dǎo)電膜，確認了如上所述不僅在對硅層的密合性、電阻率、以及擴散防止性上都很優(yōu)異，而且對于ITO之類的透明電極的接觸電阻值也低。以下，就本發(fā)明的TFT(薄膜晶體管)的一例進行說明。圖7(a)的符號41表示在表面形成了絕緣層(例如二氧化硅層)42的透明基板，在絕緣層42表面的規(guī)定區(qū)域配置了以硅為主成分，并添加摻雜劑(dopant)的硅層61。在硅層61形成了源極區(qū)域62和漏極區(qū)域64，在源極區(qū)域62與漏極區(qū)域64之間形成了溝道區(qū)域63。在硅層61的表面形成了橫跨源極區(qū)域62、溝道區(qū)域63和漏極區(qū)域64的柵極氧化膜66,在柵極氧化膜66的表面配置了柵電極67。絕緣層42的配置柵電極67—側(cè)的面被第一層間絕緣膜43所覆蓋。源極區(qū)域62的一部分與漏極區(qū)域64的一部分從柵極氧化膜66伸出，在第一層間絕緣膜43形成了使源極區(qū)域62從柵極氧化膜66伸出的部分露出于底面的第一貫通孔69a和在底面l吏從漏極區(qū)域64的沖冊^L氧化膜66伸出的部分露出的第二貫通孔6%。將此狀態(tài)的透明基板41作為成膜對象物搬入圖1所示的成膜裝置1中，在圖2(b)所示的工序中，在形成第一層間絕緣膜4一側(cè)的面上形成第一導(dǎo)電膜，進而在圖2(c)所示的工序中在第一導(dǎo)電膜的表面形成銅膜。圖7(b)表示第一導(dǎo)電膜52與銅膜53的形成狀態(tài)，第一導(dǎo)電膜52與第一層間絕緣膜43的表面、第一、第二貫通孔69a、69b的內(nèi)壁面以及底面密合。因而，第一導(dǎo)電膜52在第一、第二貫通孔69a、69b的底面分別密合于源極區(qū)域62的表面和漏極區(qū)域64的表面。此外，在此狀態(tài)下，第一、第二貫通孔69a、69b的內(nèi)部由第一導(dǎo)電膜52與銅膜53填充。使該狀態(tài)的透明基板41從第二成膜室3回到第一成膜室2，以與在第一層間絕緣膜43表面形成第一導(dǎo)電膜52的方法相同的方法在銅膜53表面形成第二導(dǎo)電膜54(圖7(c))。圖7(c)的符號50顯示由第一、第二導(dǎo)電膜52、54與銅膜53構(gòu)成的導(dǎo)電體。其次，將此導(dǎo)電體50圖案化，將導(dǎo)電體50的充填于第一貫通孔69a的部分和充填于第二貫通孔69b的部分分離。圖7(d)的符號51表示由導(dǎo)電體50的填充于第一貫通孔69a的部分和殘留于其周圍的部分構(gòu)成的源電極，該圖的符號55表示由導(dǎo)電體50的填充于第二貫通孔69b的部分和殘留于其周圍的部分構(gòu)成的漏電極。如上所述，第一導(dǎo)電膜52在第一、第二貫通孔69a、69b的底面密合于源極區(qū)域62和漏極區(qū)域64,所以源電極51的第一導(dǎo)電膜52電連接到源極區(qū)域62，漏電極55的第一導(dǎo)電膜52電連接到漏極區(qū)域64。銅膜53與第二導(dǎo)電膜54電連接到第一導(dǎo)電膜52所以源電極51的銅膜53與第二導(dǎo)電膜54經(jīng)由第一導(dǎo)電膜52電連接到源極區(qū)域62,漏電極55的銅膜53與第二導(dǎo)電膜54經(jīng)由第一導(dǎo)電膜52電連接到漏極區(qū)域64。因而，整個源電極51電連接到源極區(qū)域62,整個漏電極55電連"l妄到漏極區(qū)域64。其次，在透明基板41的形成源電極51與漏電極55—側(cè)的面上形成第二層間絕緣膜44，在第二層間絕緣膜44表面的規(guī)定位置配置遮蔽膜76后，第二層間絕緣膜44的配置遮蔽膜76—側(cè)的面上形成第三層間絕緣膜46(圖8(a))。接著，在漏電極55的正上方位置形成連通第二，第三層間絕緣膜44、46的第三貫通孔72,在該第三貫通孔72的底面使漏電極55的第二導(dǎo)電膜54露出后，在形成第三貫通孔72—側(cè)的面上，通過賊31鍍法等形成ITO的透明導(dǎo)電膜，圖案化該透明導(dǎo)電膜，由填充第三貫通孔72的ITO和殘留于第三貫通孔72上與其周圍的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成透明電極71(圖8(b))。圖8(b)的符號40表示形成了透明電極71的狀態(tài)的TFT面板(帶薄膜晶體管的面板)。如上所述，漏電極55的第二導(dǎo)電膜54的表面位于第三貫通孔72底面，所以透明電極71電連接到漏電極55的第二導(dǎo)電膜54。因而，漏電極55的銅膜53與第一導(dǎo)電膜52經(jīng)由第二導(dǎo)電膜54電連接到透明電極71，整個漏電極55電連接到透明電極71,通過漏電極55，透明電極71與漏極區(qū)域54電連接。溝道區(qū)域63,是與源極以及漏極區(qū)域62、64相同的導(dǎo)電型，但雜質(zhì)濃度變低。在對源極區(qū)域62和漏極區(qū)域64施加電壓的狀態(tài)下對柵電極67施加電壓時，在經(jīng)由溝道區(qū)域63的柵極氧化膜66接觸到柵電極67的部分，形成低電阻的蓄積層，經(jīng)由該蓄積層，源極區(qū)域62和漏極區(qū)域64電連接而有電流流過。又，溝道區(qū)域63可為與源極以及漏極區(qū)域62、64相反的導(dǎo)電型，在此場合，對柵電極67施加電壓時在溝道區(qū)域63的經(jīng)由柵極氧化膜66接觸到柵電極67的部分，形成與柵極以及漏極區(qū)域62，64相同導(dǎo)電型的反轉(zhuǎn)層，通過該反轉(zhuǎn)層使源極區(qū)域62與漏極區(qū)域64間電連接，而有電〗充-充過。漏電極55電連接到透明電極71，所以源極區(qū)域62與漏極區(qū)域64之間有電流流過時，透明電極71有電流流過。通過本發(fā)明形成的第一、第二導(dǎo)電膜52、54對硅的密合性高，所以源電極51與漏電極55難以從硅層61剝離，而且第一、第二導(dǎo)電膜52、54的防止擴散性高，因此銅膜53的構(gòu)成金屬(銅)不會擴散至硅層61。此外，通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜52、54不僅電阻率低，而且與32透明導(dǎo)電膜之間的接觸電阻也低，所以此TFT60的源電極51以及漏電極55的導(dǎo)通性優(yōu)良。如此，通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜，適于作為與硅層61或透明電極71密合的電極的障壁膜。又，在TFT面板40的透明基板41表面上，在離開TFT60的位置也配置柵極布線膜或源極布線膜等其它布線或其它電子零件。此處，圖示柵極布線膜74。以上，說明了在源電極51與漏電極55表面與背面分別通過本發(fā)明的形成方法形成導(dǎo)電膜的場合，但是本發(fā)明并不以此為限。圖9的符號80是表示通過本發(fā)明制造的TFT面板的第二例。此TFT面板80,具有透明基板82和配置在透明基板82表面的TFT90。此TFT90的柵電極83配置在透明基板82表面，在透明基板82的配置柵電極83—側(cè)的面上，形成覆蓋柵電極83的表面以及側(cè)面的絕緣膜84，在絕緣膜84表面的柵電極83上的位置配置硅層86,在絕緣膜84表面的離開硅層86的位置配置由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的透明電極85。在硅層86，與圖8(b)所示的硅層61同樣地形成源極區(qū)域87、溝道區(qū)域88、及漏極區(qū)域89。于源極區(qū)域87的表面有源電極91的底面密合，與漏極區(qū)域89的表面有漏電極92的底面密合。漏電極92一部分延伸至透明電極85,其底面與透明電極85的表面密合，因而漏電極92的底面與漏極區(qū)域89和透明電極85雙方密合。源電極91與漏電極92具有通過本發(fā)明的形成方法所成膜的導(dǎo)電膜93和在該導(dǎo)電膜93表面上配置的銅膜94。源電極91與漏電極92，例如將透明基板82表面上露出透明電極85和硅層86的物體作為成膜對象物使用，在該成膜對象物的透明電極85與硅層86露出的整個面上形成導(dǎo)電膜，在該導(dǎo)電膜的表面形成銅膜之后，將導(dǎo)電膜與銅膜一起圖案化而形成。導(dǎo)電膜93位于分別漏電極92和源電極91的底面。如上所述漏電極92的底面密合于漏極區(qū)域89和透明電極85雙方，所以漏電極92的導(dǎo)電膜93電連接到透明電極85與漏極區(qū)域89雙方。銅膜94與導(dǎo)電膜93密合，所以漏電極92的銅膜94經(jīng)由導(dǎo)電膜93電連接到透明電極85與漏極區(qū)域89雙方，整個漏電極92電連接到漏極區(qū)域89與透明電極85雙方。此外，源電極91密合于源極區(qū)域87，所以源電極91的導(dǎo)電膜93電連接到源極區(qū)域87，源電極91的銅膜94經(jīng)由導(dǎo)電膜83電連接到源極區(qū)域87，整個源電極91電連接到源極區(qū)域87。如上所述，通過本發(fā)明成膜的導(dǎo)電膜93因為與ITO的接觸電阻低，所以與漏電極92和透明電極85的導(dǎo)通性優(yōu)良。在該TFT面板80中，源電極91也連接到未圖示的源極布線，在對柵電極83施加電壓的狀態(tài)下，從源極布線對源電極91施加電壓，在柵電極83與源電極91之間產(chǎn)生電壓差時，電流由源極區(qū)域87通過溝道區(qū)域88流至漏極區(qū)域89，該電流通過漏電極92供給透明電極85。以上說明了以導(dǎo)電膜與銅膜構(gòu)成源電極與漏電極的場合，但本發(fā)明并不以此為限。圖10的符號140表示本發(fā)明第三例的TFT面板，該TFT面板140除了源電極151與漏電極155是由通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜來構(gòu)成以外，具有與所述圖8(b)所示的面板40相同的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的TFT面板，例如使用于液晶顯示器或有機EL(電致發(fā)光)顯示裝置等。以上使用ITO作為透明電極71、85的構(gòu)成材料但是本發(fā)明并不以此為限，除了ITO以外也可以使用由氧化鋅膜等各種金屬氧化物構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜。用于導(dǎo)電膜的成膜的靶部IO也沒有特別限定。例如，圖13的符號18表示使用于本發(fā)明的成膜裝置的另一例，該成膜裝置18，除了靶部由一個板狀靶19構(gòu)成之外，具有與上述圖1的成膜裝置1相同的結(jié)構(gòu)。34該靶19是以銅為主成分且含有一種以上的上述添加金屬的合金靶。替代圖1所示的靶部10，而使用此靶19形成導(dǎo)電膜25時，導(dǎo)電膜25中的添加金屬的含量，大致等于靶19中的添加金屬的含量。此外，使用此靶19，對于鋯與鈦的各含量，進行上述的密合性、電阻率、擴散試驗、電極評價、對ITO的接觸電阻、添加金屬的種類等各試驗，得到與使用圖1的輩巴部IO時相同的試驗結(jié)果。以上，說明了使用不同的靶制作以銅為主成分的銅膜53和導(dǎo)電膜(第一、第二導(dǎo)電膜52、54)的場合，但本發(fā)明并不以此為限。例如，可在第一成膜室2內(nèi)部導(dǎo)入氧氣以及濺鍍氣體并賊鍍靶部IO形成導(dǎo)電膜的后，真空排氣第一成膜室2內(nèi)部，^f吏第一成膜室2內(nèi)部的氧氣分壓低于導(dǎo)電膜成膜時之后，濺鍍與導(dǎo)電膜成膜時所使用的相同的靶部10而形成銅膜。在此場合，也可在形成導(dǎo)電膜時，選擇提高密合性的氧氣分壓，而在形成銅膜時，選擇電阻率變低的氧氣分壓。第一、第二導(dǎo)電膜52、54可以使用相同的靶部IO來成膜，也可使用不同的靶部IO來成膜，并改變添加金屬的種類或含量。此外，形成第一、第二導(dǎo)電膜52、54時的氧分壓可以相同，也可改變氧分壓。退火處理方法并沒有特別限定，但最好在真空氣氛下進行，此外把形成導(dǎo)電膜的狀態(tài)的成膜對象物向其它成膜室或加熱裝置搬送期間，最好不使成膜對象物暴露于大氣，而在真空氣氛下搬送。濺鍍氣體不限于氬氣，氬氣以外也可以使用氖、氙等。此外通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜不只使用于TFT或TFT面板的電極或障壁膜，也可使用于半導(dǎo)體元件或布線板等其它電子零件的障壁膜或電極(布線膜)。此外，氧化氣體只要是化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有氧原子的氣體即可，并沒有特別限定，除了氧(02)以外，也可以使用臭氧(03)、水(H20)等。透明基板不限于玻璃基板，例如也可以使用石英基板，塑膠基板。本發(fā)明所使用的硅層的種類或制造方法并沒有特別限定，例如可以廣泛使用以濺鍍法或蒸鍍法沉積的硅層(非晶硅層、多晶硅層)等，使用于TFT的硅層。本發(fā)明所使用的添加金屬，如上所述最好為Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd,這些可以僅使用一種來形成包含一種添加金屬的導(dǎo)電膜，也可使用2種以上而形成包含2種以上的添加金屬的導(dǎo)電膜。上述添加金屬的中，在本發(fā)明特別適合使用如鈦和鋯之類的第V族元素。其次，說明制造本發(fā)明第四例的工序。向圖l或圖13的成膜裝置1、18的真空槽2內(nèi)部，搬入基板(例如玻璃基板)作為成膜對象物。在基板的表面，以與上述圖7(a)~(c)中說明的工序相同的工序，依序?qū)盈B第一導(dǎo)電膜、銅膜、第二導(dǎo)電膜，形成導(dǎo)電體。圖14(a)示出在基板211表面形成導(dǎo)電體213的狀態(tài)。接著，通過照相工序、蝕刻工序來圖案化導(dǎo)電體213時，如圖14(b)所示，通過圖案化的導(dǎo)電體213，形成柵電極215和蓄積電容電極212。在基板211的形成柵電極215與蓄積電容電極212的面上，通過CVD法等形成由氮化硅膜(SiN)、二氧化硅膜(Si02)、或者氮氧化硅膜(SiON)構(gòu)成的柵極絕緣膜214。圖16是配置了柵電極215(或者蓄積電容電極212)的部分的放大剖一見圖。柵電極215和蓄積電容電極212,具有上述的第一、第二導(dǎo)電膜251、252及銅膜253。第一導(dǎo)電膜251與基板211密合，第二導(dǎo)電膜252與柵極絕緣膜214密合，第一、第二導(dǎo)電膜251、252之間有銅膜253。第一、第二導(dǎo)電膜251、252含有氧與添加金屬，所以對基板21136與柵極絕緣膜的密合性高。此外，第一、第二導(dǎo)電膜251、252之間配置了電阻低的銅膜253,所以柵電極215與整個蓄積電容電極212的電阻低。形成柵極絕緣膜214后，通過CVD法等，在柵極絕緣膜214的表面，形成例如由非晶硅構(gòu)成的溝道半導(dǎo)體層(溝道區(qū)域)216(圖14(d))。接著，通過CVD法等在溝道半導(dǎo)體層216的表面形成以硅為主成分，并含有雜質(zhì)的歐姆層217(圖14(e))。接著，把形成了歐姆層217的基板211搬入圖l或圖13的成膜裝置l、18的真空槽2內(nèi)部，以與上述導(dǎo)電體213的成膜相同的工序，依序?qū)盈B第一導(dǎo)電膜251、銅膜253、及第二導(dǎo)電膜252,形成導(dǎo)電體223(圖15(a))。其次，通過照相工序和蝕刻工序來圖案化導(dǎo)電體223、歐姆層217和與溝道半導(dǎo)體層216。通過該圖案化，留下溝道半導(dǎo)體層216的位于柵電極215的正上方的部分和位于^f冊電才及215兩側(cè)的部分。此外，通過該圖案化，除去位于歐姆層217以及導(dǎo)電體223的溝道半導(dǎo)體層216上的部分中位于柵電極215中央正上方的部分，而留下位于柵電纟及215兩側(cè)的部分。圖15(b)的符號225、226分別表示由歐姆層217的柵電極215兩側(cè)所殘留的部分構(gòu)成的源極半導(dǎo)體層(源極區(qū)域)和漏極半導(dǎo)體層(漏才及區(qū)i或)。該圖的符號221、222表示由殘留于導(dǎo)電體223的柵電極215兩側(cè)位置的部分構(gòu)成的源電極與漏電極。其次，在源電極221與漏電極222的表面，通過CVD法等形成由氮化硅膜、氧化硅膜、或者氮氧化硅膜構(gòu)成的層間絕緣膜224(圖15(c))。圖15(c)的符號220表示形成層間絕緣膜224的狀態(tài)的薄膜晶體管(TFT)，該圖的符號210表示帶薄膜晶體管的面板。源電極221與漏電極222，與柵電極215或蓄積電容電極212同樣，具有第一、第二導(dǎo)電膜251、252和銅膜253，第一導(dǎo)電膜251密合于歐姆層217,第二導(dǎo)電膜252密合于層間絕緣膜224，銅膜253位于第一、第二導(dǎo)電膜251、252之間。歐姆層217以硅為主成分。第一、第二導(dǎo)電膜251、252含有氧和添加金屬，所以與硅或絕緣膜的密合性高。因而，源電極221與漏電極222難以從歐姆層217或?qū)娱g絕緣膜224剝離。此外，銅不會從第一、第二導(dǎo)電膜251、252向歐姆層217擴散。在此薄膜晶體管220,源極半導(dǎo)體層225與漏極半導(dǎo)體層226之間，以及源電極221與漏電極222之間，通過位于柵電極215中央正上方的開口218而相互分離。該開口218被層間絕緣膜224填充。溝道半導(dǎo)體層216，是與源極以及漏極半導(dǎo)體層225、226相同的導(dǎo)電型，但雜質(zhì)濃度低。在對源極半導(dǎo)體層225與漏極半導(dǎo)體層226施加電壓的狀態(tài)下，對柵電極215施加電壓時，經(jīng)由溝道半導(dǎo)體層216的柵極絕緣膜214而與柵電極215接觸的部分形成低電阻的蓄積層，經(jīng)由該蓄積層，源極半導(dǎo)體層225與漏極半導(dǎo)體層226電連接，而有電流流過。又，溝道半導(dǎo)體層216,可為與源極以及漏極半導(dǎo)體層225、226相反的導(dǎo)電型。在此場合，在對源極半導(dǎo)體層225與漏極半導(dǎo)體層226施加電壓的狀態(tài)下，對柵電極215施加電壓時，在經(jīng)由溝道半導(dǎo)體層216的柵極絕緣膜214而與柵電極215接觸的部分，形成與源極以及漏極半導(dǎo)體層225、226相同導(dǎo)電型的反轉(zhuǎn)層，通過該反轉(zhuǎn)層，源極半導(dǎo)體層225和漏極半導(dǎo)體層226電連接，而有電流流過。圖15(d)表示在層間絕緣膜224的漏電極222或者源電極221(此處為漏電極222)上的部分和將蓄積電容電極212上的部分開窗后，將圖案化的透明導(dǎo)電膜配置在層間絕緣膜224上的狀態(tài)。38該圖的符號227表示由透明導(dǎo)電膜的位于薄膜晶體管220側(cè)方的部分構(gòu)成的像素電極。該圖的符號228表示透明導(dǎo)電膜的位于薄膜晶體管220上的部分，且是與漏電極222接觸的部分構(gòu)成的連接部。像素電極227經(jīng)由連接部228電連接到漏電極222,源極半導(dǎo)體層225與漏極半導(dǎo)體層226電連接時，在像素電極227有電流流過。圖17的符號204表示在形成了TFT20的基板211與面板240之間配置液晶241的液晶顯示裝置。面板240具有玻璃基板242，以及配置在玻璃基板242表面上的對置電極245。對置電極245與像素電極227夾著液晶241而相對?？刂茖ο袼仉姌O227與對置電極245之間施加的電壓，可以改變液晶241的光透過率。又，液晶顯示裝置204可以改變第四例的TFT220而使用第一至第三例的任意TFT的基板211來制作。39權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電膜形成方法，通過濺鍍法，在真空氣氛中在成膜對象物的表面形成以銅為主成分且含有添加金屬的導(dǎo)電膜，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而使所述導(dǎo)電膜含有所述添加金屬。2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜形成方法，其中，使用至少一部分表面上露出硅層與玻璃基板的任一方或雙方的所述成膜對象物，將所述導(dǎo)電膜形成在所述硅層表面與所述玻璃基板的任一方或雙方。3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜形成方法，其中，所述添加金屬選纟奪Ti，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0,1%以上20%以下，使所述導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Ti。4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜形成方法，其中，所述添加金屬選擇Zr，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Zr。5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜形成方法，其中，使用至少一部分表面上露出透明導(dǎo)電膜的所述成膜對象物，在所述透明導(dǎo)電膜的表面形成所述導(dǎo)電膜。6.—種薄膜晶體管，其中包括柵電極；以硅為主成分的漏極區(qū)域；以及以硅為主成分的源極區(qū)域，以在對所述漏極區(qū)域和所述源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，對所述柵電極施加電壓時，所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過的薄膜晶體管為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C，Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的把而形成的第一導(dǎo)電膜，形成在所述漏極區(qū)域表面與所述源極區(qū)域表面的任何一方或者雙方。7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述添加金屬選擇Ti,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第一導(dǎo)電膜中含有0.1原子%以上的Ti。8.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中，所述添加金屬選擇Zr,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Zr。9.一種帶薄膜晶體管的面板，具有基板，在所述基板表面上配置了薄膜晶體管和透明導(dǎo)電膜，所述薄膜晶體管具有柵電極，以硅為主成分的漏極區(qū)域，以及以硅為主成分的源極區(qū)域，在對所述漏極區(qū)域和所述源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，若對所述柵電極施加電壓，則所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過，其中，以配置了所述薄膜晶體管的狀態(tài)的所述基板為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并'踐鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的耙而形成的第一導(dǎo)電膜，分方，與所述透明導(dǎo)電膜的表面上。10.—種帶薄膜晶體管的面板，具有基板，在所述基板表面上配置薄膜晶體管與透明導(dǎo)電膜，所述薄膜晶體管具有柵電極，以硅為主成分的漏極區(qū)域，以及以硅為主成分的源極區(qū)域，在對所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域施加電壓的狀態(tài)下，若對所述柵電極施加電壓，則在所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間有電流流過，其中，在所述漏極區(qū)域表面和所述源極區(qū)域表面的任一方或者雙方，配置了第一導(dǎo)電膜，在所述第一導(dǎo)電膜表面配置了以銅為主成分的銅膜，在所述銅膜表面配置了第二導(dǎo)電膜，所述第一、第二導(dǎo)電膜，以配置所述薄膜晶體管的狀態(tài)的所述基板為成膜對象物，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給所述真空氣氛中，并濺鍍含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶而形成。11.如權(quán)利要求IO所述的帶薄膜晶體管的面板，其中，所述添加金屬選擇Ti，所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第二導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Ti。12.如權(quán)利要求IO所述的帶薄膜晶體管的面板，其中，所述添加金屬選擇Zr,所述氧化氣體使用氧氣，導(dǎo)入所述氧氣，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧氣的分壓成為0.1%以上20%以下，使所述第二導(dǎo)電膜中含有0.1原子％以上的Zr。13.—種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具有與硅層接觸的導(dǎo)電膜，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述導(dǎo)電膜。14.一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具有與透明導(dǎo)電膜接觸的導(dǎo)電膜，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述導(dǎo)電膜。15.—種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具有與玻璃基板接觸的導(dǎo)電膜，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的耙，而形成所述導(dǎo)電膜。16.—種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具有與硅層和透明導(dǎo)電膜接觸的導(dǎo)電膜，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的耙，而形成所述導(dǎo)電膜。17.—種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管具有以硅為主成分的硅層，與所述硅層接觸的第一導(dǎo)電膜，以銅為主成分，且形成在所述第一導(dǎo)電膜表面的銅膜，以及形成在所述銅膜表面的第二導(dǎo)電膜，透明導(dǎo)電膜與所述第二導(dǎo)電膜接觸，其中，將化學(xué)結(jié)構(gòu)中具有氧原子的氧化氣體供給真空氣氛中，并在所述真空氣氛中濺鍍以銅為主成分且含有從Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe，Ru,Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd構(gòu)成的群中選出的至少任何一種添加金屬的靶，而形成所述第一、第二導(dǎo)電膜。18.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，導(dǎo)入所述氧化氣體，以使相對所述真空氣氛的全壓的所述氧化氣體的分壓成為0.1%以上20%以下，進行所述濺鍍。全文摘要本發(fā)明形成密合性高且電阻率低的導(dǎo)電膜。在導(dǎo)入了氧化氣體的真空氣氛中濺鍍以銅為主成分的靶，形成以銅為主成分且含有Ti或Zr等添加金屬的導(dǎo)電膜25。這種導(dǎo)電膜25對硅層23或玻璃基板22的密合性高且難以從基板22剝離。而且，電阻率低且對透明導(dǎo)電膜的接觸電阻也低，因此，即便用于電極膜的場合也不會惡化電氣特性。因而，通過本發(fā)明形成的導(dǎo)電膜25特別適合TFT或半導(dǎo)體元件的電極膜或障壁膜。文檔編號H01L23/52GK101501820SQ200780029519公開日2009年8月5日申請日期2007年8月8日優(yōu)先權(quán)日2006年8月10日發(fā)明者增田忠,武井應(yīng)樹,浮島禎之,片桐弘明,石橋曉,谷典明,高橋明久,高澤悟申請人:株式會社愛發(fā)科;愛發(fā)科材料股份有限公司