專利名稱：：不可逆電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及不可逆電路元件，尤其涉及一種能夠在微波波段中使用的隔離器或循環(huán)器等不可逆電路元件。
背景技術(shù)：
：以往，隔離器與循環(huán)器等不可逆電路元件具有只在預(yù)先確定的特定方向傳送信號而在相反方向不傳送信號的特性。利用該特性，例如隔離器被使用在汽車電話、移動(dòng)電話等移動(dòng)體通信設(shè)備的發(fā)送電路部。作為這種不可逆電路元件，例如公知有專利文獻(xiàn)l所記載的元件。該不可逆電路元件是由鐵氧體、永久磁鐵、電路基板和軛構(gòu)成的雙端口型隔離器，在鐵氧體中，第一及第二中心電極被配置成相互絕緣、處于交叉的狀態(tài)。例如圖10所示(圖IO與專利文獻(xiàn)I所記載的內(nèi)容稍有不同，是為了容易和本申請發(fā)明進(jìn)行對照而作為現(xiàn)有例描繪的圖，不是公知的)，在鐵氧體32的上下表面32c、32d上形成有電極35c35e、36i36p，就第一及第二主面32a、32b而言，在各主面32a、32b上形成有第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a、35b，并且在其上隔著絕緣膜37、38形成有第二中心導(dǎo)體36的導(dǎo)體膜36a36h。導(dǎo)體膜35a、35b借助電極35c連接而構(gòu)成第一中心電極35，其一端與電極(A端子)35d連接，另一端與電極(B端子)35e連接。導(dǎo)體膜36a36h借助電極36i36k、36m36p被連接，構(gòu)成第二中心電極36，其一端與電極(B端子)35e連接，另一端與電極(GND)361連接。在上述的隔離器中，為了獲得輸入阻抗的匹配、減小插入損失，如圖ll所示，需要使第一及第二中心電極35、36分別以規(guī)定的角度ei、92交叉。雖然為了使插入損失最小必須考慮各種條件，但需要將交叉角度e1、92減小到一定值以下。但是，對于所述第一及第二中心電極35、36而言，由于第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a、35b形成得比第二中心電極36的導(dǎo)體膜36a36h更靠內(nèi)側(cè)，所以，如果減小上述交叉角度e1、92，則如圖12所示，導(dǎo)體膜35a、35b與電極36p、35e、36i的各自間隙G1G4會減小，將產(chǎn)生短路不良。因此，如果設(shè)置足夠的間隙G1G4，則鐵氧體32的縱(短邊)方向的尺寸變大，會對隔離器的小型化、低背化造成障礙。即，在該方式中，難以兼顧交叉角度e1、e2的減小(輸入阻抗的匹配及低插入損失化)、和間隙G1G4的確保。由此，無法實(shí)現(xiàn)元件的小型化及低背化。并且，由于動(dòng)作頻率越高就越需要減小交叉角度ei、92，所以，目前的情況是尤其對lGHz以上的高頻無法實(shí)現(xiàn)充分的對應(yīng)。專利文獻(xiàn)l:特幵2006—135419號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容鑒于此，本發(fā)明的目的在于，提供一種沒有招致高背化、大型化并能夠減小中心電極的交叉角度且降低插入損失的不可逆電路元件。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的不可逆電路元件具備永久磁鐵；被所述永久磁鐵施加直流磁場的長方體形狀的鐵氧體；由在所述鐵氧體的包括長邊的第一及第二主面上以近似在對角線上且近似平行的方式配置的導(dǎo)體膜構(gòu)成，一端與輸入端口電連接而另一端與輸出端口電連接的第一中心電極；與第一中心電極以電絕緣狀態(tài)交叉，由在所述鐵氧體的第一及第二主面上以沿著短邊方向巻繞狀態(tài)配置的導(dǎo)體膜構(gòu)成，一端與輸出端口電連接而另一端與接地端口電連接的第二中心電極；電連接在輸入端口與輸出端口之間的第一匹配電容；電連接在輸出端口與接地端口之間的第二匹配電容；電連接在輸入端口與接地端口之間的第三匹配電容；電連接在輸入端口與輸出端口之間的電阻；和表面形成有端子電極的電路基板；鐵氧體和永久磁鐵構(gòu)成自鐵氧體的第一主面?zhèn)燃暗诙髅鎮(zhèn)缺灰粚τ谰么盆F夾持的鐵氧體磁鐵組合體，所述鐵氧體磁鐵組合體沿其第一及第二主面相對該電路基板的表面為垂直的方向被配置在所述電路基板上，在鐵氧體的第一主面和第二主面的任意一方，在第二中心電極的導(dǎo)體膜上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜。本發(fā)明的不可逆電路元件中，由于在鐵氧體的第一主面和第二主面任意一方，在第二中心電極的導(dǎo)體膜上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜，所以，該導(dǎo)體膜與形成在鐵氧體的連接/中繼用電極借助絕緣膜不會發(fā)生短路不良，兩者的間隙減小也可。這意味著第一中心電極的導(dǎo)體膜能夠以比較自由的角度、即在沒有招致鐵氧體的高背化、元件的大型化且第一及第二中心電極的交叉角度減小的狀態(tài)下被形成在鐵氧體的主面，從而可以實(shí)現(xiàn)與輸入阻抗的匹配及低插入損失化。本發(fā)明的不可逆電路元件中，在所述鐵氧體的與第一及第二主面正交的上表面及下表面，形成有面對該第一及第二主面的凹部，在該凹部中設(shè)置有導(dǎo)體，所述第一中心導(dǎo)體的導(dǎo)體膜借助在鐵氧體的上表面的凹部中設(shè)置的導(dǎo)體被電連接，所述第二中心電極的導(dǎo)體膜借助在鐵氧體的上下表面的凹部中設(shè)置的導(dǎo)體被電連接。通過在鐵氧體上纏繞多圈第二中心電極，來提高第一及第二中心電極的耦合度。而且，本實(shí)施方式的不可逆電路元件中，就第一中心電極的一端與設(shè)置在鐵氧體的連接用電極相連接的第一主面而言，在該第一主面上形成第二中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜，就第一中心電極的另一端及第二中心電極的一端與設(shè)置在鐵氧體的連接用電極相連接的第二主面而言，在該第二主面上形成第一中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第二中心電極的導(dǎo)體膜。或者，就第一中心電極的一端與設(shè)置在鐵氧體的連接用電極連接的第一主面而言，在該第一主面上形成第一中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第二中心電極的導(dǎo)體膜，就第一中心電極的另一端及第二中心電極的一端與設(shè)置在鐵氧體的連接用電極連接的第二主面而言，在該第二主面上形成第二中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜。在上述前者的方式中，由于第一中心電極比較長且阻抗大的導(dǎo)體膜的交叉角度變小，所以，對插入損失降低賦予的效果大，容易獲得與輸入阻抗的匹配，有利于元件的小型化、低背化及高頻對策。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于在鐵氧體的第一主面和第二主面的任意一方，在第二中心電極的導(dǎo)體膜上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜，所以，可以減小該導(dǎo)體膜與形成在鐵氧體的連接/中繼用電極的間隙，不會導(dǎo)致鐵氧體的高背化、元件的大型化，并且，可以減小第一及第二中心電極的交叉角度，實(shí)現(xiàn)與輸入阻抗的匹配及低插入損失化。圖l是表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件(雙端口型隔離器)的一個(gè)實(shí)施例的分解立體圖。圖2是雙端口型隔離器的等效電路圖。圖3是鐵氧體的立體圖。圖4是表示在鐵氧體的主面形成的中心電極的第一例的分解立體圖。圖5是表示在鐵氧體的主面形成的中心電極的第二例的分解立體圖。圖6是表示所述第一例中的鐵氧體的第一主面的主視圖。圖7是表示所述第二例中的鐵氧體的第二主面的主視圖。圖8是表示第一及第二中心電極的最佳交叉角度的曲線。圖9是表示本發(fā)明例與比較例的插入損失的曲線。圖IO是表示在鐵氧體的主面形成的中心電極的現(xiàn)有例的分解立體圖。圖11是表示上述現(xiàn)有例中的第一及第二中心電極的交叉角度的主視圖。圖12是表示上述現(xiàn)有例中的第一中心電極的導(dǎo)體膜與電極的位置關(guān)系的主視圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件的實(shí)施例進(jìn)行說明。圖1表示本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件的一個(gè)實(shí)施例即雙端口型隔離器的分解立體圖。該雙端口型隔離器是集總常數(shù)型隔離器，大致由形成有電磁屏蔽膜11的樹脂基板10、軟鐵制的環(huán)狀軛9、電路基板20、和由鐵氧體32與一對永久磁鐵41形成的鐵氧體磁鐵組合體30構(gòu)成。其中，圖1中賦予了斜線的部分是導(dǎo)電體。鐵氧體32中，如以下的圖4(第一例)、圖5(第二例)所示，在第一主面32a、第二主面32b形成有相互電絕緣的第一中心電極35及第二中心電極36，該構(gòu)造將在后面詳細(xì)敘述。這里，鐵氧體32成為具有相互平行的第一主面32a及第二主面32b的長方體形狀，具有上表面32c、下表面32d。而且，永久磁鐵41按照對鐵氧體32的主面32a、32b沿著與該主面32a、32b垂直的方向施加磁場的方式例如介由環(huán)氧系粘結(jié)劑粘接于主面32a、32b，形成了鐵氧體磁鐵組合體30。永久磁鐵41的主面與鐵氧體32的主面32a、32b是相同的尺寸，按照彼此外形一致的方式使各自的主面彼此對置配置。電路基板20是在多枚電介質(zhì)板上層疊形成規(guī)定的電極、且經(jīng)燒結(jié)的層疊型基板，在其內(nèi)部如等效電路的圖2所示那樣內(nèi)置有匹配用電容器Cl、C2、Csl、Cs2、CA、終端電阻R。而且，在上表面形成有端子電極25a、25b、25c，在下表面形成有外部連接用端子電極26、27、28。(中心電極的第一例，參照圖4)對于第一及第二中心電極35、36，圖4表示第一例，圖5表示第二例。首先，對第一例進(jìn)行說明，如圖4所示，第一中心電極35由導(dǎo)體膜35a、35b構(gòu)成，該導(dǎo)體膜35a、35b通過在鐵氧體32的上表面32c形成的電極35被電連接。第二中心電極36由導(dǎo)體膜36a36h構(gòu)成，該導(dǎo)體膜36a36h通過在鐵氧體32的上下表面32c、32d形成的電極36i36p被電連接。艮口，在鐵氧體32的第一主面32a中，第二中心電極36的導(dǎo)體膜36b、36d、36f、36h沿垂直方向形成在該第一主面32a上，在其上按照隔著絕緣膜37使第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a與導(dǎo)體膜36b、36d、36f、36h處于絕緣狀態(tài)的方式、以規(guī)定的角度交叉形成有第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a。在鐵氧體32的第二主面32b，第一中心電極35的導(dǎo)體膜35b沿著近似水平方向形成，在其上按照隔著絕緣膜38使第二中心電極36的導(dǎo)體膜36a、36c、36e、36g與導(dǎo)體膜35b處于絕緣狀態(tài)的方式、以規(guī)定的角度交叉形成有第二中心電極36的導(dǎo)體膜36a、36c、36e、36g。第一及第二中心電極35、36與各種電極可以通過印刷、轉(zhuǎn)印、光刻等方法形成為銀或銀合金的厚膜或薄膜?？梢允褂貌ＡЩ蜓趸X等的電介質(zhì)厚膜、聚酰亞胺等樹脂膜等作為絕緣膜37、38。它們也可以通過印刷、轉(zhuǎn)印、光刻等方法形成。本實(shí)施方式中，第二中心電極36在鐵氧體32上以螺旋狀巻繞4圈。其中，可以將中心電極36分別橫切一次第一或第二主面32a、32b的狀態(tài)設(shè)為0.5圈來計(jì)算圈數(shù)。并且，可以根據(jù)需要設(shè)定中心電極35、36的交叉角，來調(diào)整輸入阻抗與插入損失。而且，電極35c35e、36i36p如圖3所示，通過在鐵氧體32的上下表面32c、32d形成的凹部39中涂敷或填充銀、銀合金、銅、銅合金等電極用導(dǎo)體而形成。這種電極例如通過在母鐵氧體基板上預(yù)先形成通孔并在利用電極用導(dǎo)體填充了該通孔之后且在分割通孔的位置進(jìn)行切割而形成。另外，電極也可以作為導(dǎo)體膜形成于凹部39。(中心電極的第二例，參照圖5)接著，關(guān)于第一及第二中心電極35、36的第二例，針對其與上述第一例的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，如圖5所示，在鐵氧體32的第一主面32a,第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a近似沿著平行方向形成在該第一主面32a上，在其上隔著絕緣膜37以絕緣狀態(tài)沿著垂直方向形成有第二中心電極36的導(dǎo)體膜36b、36d、36f、36h。在鐵氧體32的第二主面32b，第二中心電極36的導(dǎo)體膜36a、36c、36e、36g以規(guī)定的角度形成在該第二主面32b上，在其上按照隔著絕緣膜38與導(dǎo)體膜36a、36c、36e、36g處于絕緣狀態(tài)的方式以規(guī)定的角度交叉形成有第一中心電極35的導(dǎo)體膜35b。在上述第一例及第二例中，匹配用電路元件與第一及第二中心電極35、36的連接關(guān)系如圖2的等效電路所示。即，在電路基板20的下表面形成的外部連接用端子電極26作為輸入端口Pl發(fā)揮功能，該端子電極26借助匹配用電容器Csl與匹配用電容器Cl和終端電阻R相連接。而且，該電極26借助在電路基板20的上表面形成的端子電極25a及在鐵氧體32的下表面32d形成的電極(A端子)35d，與第一中心電極35(導(dǎo)體膜35a)的一端連接。第一中心電極35(導(dǎo)體膜35b)的另一端及第二中心電極36(導(dǎo)體膜36a)的一端，借助在鐵氧體32的下表面32d形成的電極(B端子)35e及在電路基板20的上表面形成的端子電極25b，與終端電阻R及電容器Cl、C2連接，并且，借助電容器Cs2與在電路基板20的下表面形成的外部連接用端子電極27連接。該電極27作為輸出端口P2發(fā)揮功能。第二中心電極36(導(dǎo)體膜36h)的另一端借助在鐵氧體32的下表面32d形成的電極361及在電路基板20的上表面形成的端子電極25c，與電容器C2及在電路基板20的下表面形成的外部連接用端子電極28連接。該電極28作為接地端口P3發(fā)揮功能。而且，在A端子與接地端口P3之間連接著電容器CA。所述鐵氧體磁鐵組合體30被載置于電路基板20上，鐵氧體32的下表面32d的各種電極與電路基板20上的端子電極25a、25b、25c通過回流焊接而被一體化，并且，永久磁鐵41的下表面通過粘結(jié)劑被一體形成在電路基板20上。在由以上結(jié)構(gòu)構(gòu)成的雙端口型隔離器中，由于第一中心電極35的一端與輸入端口Pl連接，另一端與輸出端口P2連接，第二中心電極36的一端與輸出端口P2連接，另一端與接地端口P3連接，所以，可形成插入損失小的雙端口型集總常數(shù)型隔離器。并且，在動(dòng)作時(shí)，第二中心電極36中流動(dòng)大的高頻電流，第一中心電極35中幾乎不流動(dòng)高頻電流。因此，由第一中心電極35及第二中心電極36生成的高頻磁場的方向通過第二中心電極36的配置來決定。通過決定高頻磁場的方向，容易實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步降低插入損失的對策。這里，電容器C1與第一中心電極35(Ll)共同構(gòu)成并聯(lián)諧振電路，電容器C2與第二中心電極36(L2)共同構(gòu)成并聯(lián)諧振電路，按照它們的諧振頻率與隔離器的動(dòng)作頻率一致的方式調(diào)整電容值。電容器Csl匹配輸入阻抗的虛部，電容器Cs2匹配輸出阻抗的虛部。另外，也可以省略Csl、Cs2。電容器CA與中心電極35、36的交叉角度一同匹配輸入阻抗的實(shí)部。在該隔離器中，通過鐵氧體磁鐵組合體30利用粘結(jié)劑將鐵氧體32與一對永久磁鐵41一體化，形成了機(jī)械結(jié)構(gòu)上穩(wěn)定、不會隨著振動(dòng)或撞擊而變形、破損的牢固的隔離器。在該隔離器中，為了取得輸入阻抗的匹配，減小插入損失，需要以規(guī)定的交叉角度e1、92(參照圖6及圖7)使第一及第二中心電極35、36交叉。交叉角度ei、92與插入損失的關(guān)系的一個(gè)例子如下述表1所示。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>并且，在圖10所示的現(xiàn)有例中，由于在第二中心電極36的內(nèi)側(cè)配置了第一中心電極35，所以，如圖12中所說明那樣，難以兼顧間隙GlG4的確保和交叉角度e1、62的減小。與之相對，上述第一例(參照圖4)中，在第一中心電極35的一端與設(shè)置于鐵氧體32的電極(A端子)35d連接的第一主面32a，將第二中心電極36的導(dǎo)體膜36b、36d、36f、36h隔著絕緣膜37形成在第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a的內(nèi)側(cè)。由此，即使圖12(A)所示的間隙G3、G4減小，也沒有導(dǎo)體膜35a與電極35e、36p發(fā)生短路之虞(參照圖6)，可以減小交叉角度ei，能夠取得輸入阻抗的匹配，從而減小插入損失。換言之，不會增大鐵氧體32的高度，無損于隔離器的低背化。而且，上述第二例(參照圖5)中，在第一中心電極35的另一端及第二中心電極36的一端與設(shè)置于鐵氧體32的電極(B端子)35e連接的第二主面32b，將第二中心電極36的導(dǎo)體膜36a、36c、36e、36g隔著絕緣膜38形成在第一中心電極35的導(dǎo)體膜35b的內(nèi)側(cè)。由此，即使圖12(B)所示的間隙G1、G2減小，也沒有導(dǎo)體膜35b與電極36p、36i發(fā)生短路之虞(參照圖7)，可以減小交叉角度62，能夠取得輸入阻抗的匹配，從而降低插入損失。換言之，不會增大鐵氧體32的高度，無損于隔離器的低背化。圖8表示匹配電容值CA與最佳的交叉角度ei、92的關(guān)系，在為了防止短路而無法將角度e1設(shè)為85°以下且無法將角度e2設(shè)為56°以下的情況下，電容值CA就成為不能實(shí)現(xiàn)的值。但是，根據(jù)第一例，可以使角度61小于85°;或根據(jù)第二例，可以使角度92小于56°,因此，電容值CA成為可實(shí)現(xiàn)的值，能夠得到插入損失小的隔離器。另外，當(dāng)鐵氧體32的第一及第二主面32a、32b都將第二中心電極36形成在第一中心電極35的內(nèi)側(cè)時(shí)，在第一及第二主面32a、32b任意一個(gè)，第一中心電極35的導(dǎo)體膜35a、35b的設(shè)計(jì)自由度都增大，具有可容易取得輸入阻抗的匹配的優(yōu)點(diǎn)。但是，由于第二中心電極36的巻繞直徑變小使得其Q值減小、插入損失增大，因此不優(yōu)選。圖9表示鐵氧體32的第一及第二主面32a、32b都將第二中心電極36形成在第一中心電極35的內(nèi)側(cè)的情況(比較例)、與本發(fā)明的插入損失的比較。在圖9中，特性曲線A表示本發(fā)明(第一例及第二例)，特性曲線B表示比較例。具體而言，824849MHz波段區(qū)域內(nèi)的插入損失的最差值，在本發(fā)明中為0.47dB，在比較例中為0.53dB。這里，如果對上述第一例及第二例進(jìn)行比較，則由于在第一例中第一中心電極35比較長，阻抗大的導(dǎo)體膜35a的交叉角度el變小，所以，對插入損失降低賦予的效果大，容易取得與輸入阻抗的匹配，有利于低背化、小型化及高頻對策。而且，在該隔離器中，電路基板20是多層電介質(zhì)基板。由此，可以在內(nèi)部內(nèi)置電容器或電阻等的電路網(wǎng)，實(shí)現(xiàn)隔離器的小型化、薄型化，由于能夠在基板內(nèi)進(jìn)行電路元件之間的連接，所以可期待可靠性的提高。當(dāng)然，電路基板20不一定必須是多層的，也可以是單層，還可以將匹配用電容器等外置作為芯片型。(其他的實(shí)施例)另外，本發(fā)明所涉及的不可逆電路元件不限定于上述實(shí)施例，能夠在其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，使永久磁鐵41的N極和S極反轉(zhuǎn)，切換輸入端口Pl和輸出端口P2。而且，第一及第二中心電極35、36的形狀也能夠多樣變更。例如，第一中心電極35可以在鐵氧體32的主面32a、32b上分支為2個(gè)。并且，第二中心電極36只要巻繞一圈以上即可。工業(yè)上的可利用性綜上所述，本發(fā)明在不可逆電路元件中有用，尤其在能夠沒有招致高背化、大型化并減小中心電極的交叉角度且實(shí)現(xiàn)插入損失的降低的方面是優(yōu)異的。權(quán)利要求1、一種不可逆電路元件，具備永久磁鐵；被所述永久磁鐵施加直流磁場的長方體形狀的鐵氧體；由在所述鐵氧體的包括其長邊的第一及第二主面上以近似在對角線上且近似平行的方式配置的導(dǎo)體膜構(gòu)成，一端與輸入端口電連接而另一端與輸出端口電連接的第一中心電極；與第一中心電極以電絕緣狀態(tài)交叉，由在所述鐵氧體的第一及第二主面上以沿著短邊方向卷繞狀態(tài)配置的導(dǎo)體膜構(gòu)成，一端與輸出端口電連接而另一端與接地端口電連接的第二中心電極；電連接在輸入端口與輸出端口之間的第一匹配電容；電連接在輸出端口與接地端口之間的第二匹配電容；電連接在輸入端口與接地端口之間的第三匹配電容；電連接在輸入端口與輸出端口之間的電阻；和表面形成有端子電極的電路基板；鐵氧體和永久磁鐵構(gòu)成自鐵氧體的第一主面?zhèn)燃暗诙髅鎮(zhèn)缺灰粚τ谰么盆F夾持的鐵氧體磁鐵組合體，所述鐵氧體磁鐵組合體沿其第一及第二主面相對該電路基板的表面為垂直的方向被配置在所述電路基板上，在鐵氧體的第一主面和第二主面的任意一方，在第二中心電極的導(dǎo)體膜上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的不可逆電路元件，其特征在于，在所述鐵氧體的與第一及第二主面正交的上表面及下表面，形成有與該第一及第二主面面對的凹部，在該凹部中設(shè)置有導(dǎo)體，所述第一中心導(dǎo)體的導(dǎo)體膜借助在鐵氧體的上表面的凹部中設(shè)置的導(dǎo)體被電連接，所述第二中心電極的導(dǎo)體膜借助在鐵氧體的上下表面的凹部中設(shè)置的導(dǎo)體被電連接。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的不可逆電路元件，其特征在于，對于第一中心電極的一端與鐵氧體上設(shè)置的連接用電極連接的第一主面，在該第一主面上形成第二中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜，對于第一中心電極的另一端及第二中心電極的一端與鐵氧體上設(shè)置的連接用電極連接的第二主面，在該第二主面上形成第一中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第二中心電極的導(dǎo)體膜。4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的不可逆電路元件，其特征在于，對于第一中心電極的一端與鐵氧體上設(shè)置的連接用電極連接的第一主面，在該第一主面上形成第一中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第二中心電極的導(dǎo)體膜，對于第一中心電極的另一端及第二中心電極的一端與鐵氧體上設(shè)置的連接用電極連接的第二面，在該第二主面上形成第二中心電極的導(dǎo)體膜，在其上隔著絕緣膜形成有第一中心電極的導(dǎo)體膜。全文摘要一種不可逆電路元件，具備被永久磁鐵施加直流磁場的鐵氧體(32)、配置于鐵氧體(32)的中心電極(35、36)、和電路基板。中心電極(35)由導(dǎo)體膜(35a、35b)形成，中心電極(36)由導(dǎo)體膜(36a～36h)形成。在鐵氧體(32)的主面(32a)上形成有中心電極(36)的導(dǎo)體膜(36b)、(36d)、(36f)、(36h)，在其上隔著絕緣膜(37)形成有中心電極(35)的導(dǎo)體膜(35a)。而且，在主面(32b)上形成有中心電極(35)的導(dǎo)體膜(35b)，在其上隔著絕緣膜(38)形成有中心電極(36)的導(dǎo)體膜(36a)、(36c)、(36e)、(36g)。由此，可得到一種沒有招致高背化、大型化并能夠減小中心電極的交叉角度且降低插入損失的不可逆電路元件。文檔編號H01P1/36GK101361220SQ20078000152公開日2009年2月4日申請日期2007年11月7日優(yōu)先權(quán)日2007年1月18日發(fā)明者日野圣吾申請人:株式會社村田制作所