專利名稱：：疊層型電子元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及疊層型電子元件及其制造方法。特別涉及外部電極是在疊層體的外表面上直接通過電鍍形成的疊層型電子元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：如圖4所示，以疊層陶瓷電容器為代表的疊層型電子元件101—般包括例如疊層體105，其包含由例如陶瓷電介質(zhì)組成的疊層的多個(gè)絕緣體層102、和沿絕緣體層102之間的界面形成的多個(gè)層狀內(nèi)部電極103和104。在疊層體105的一方及另一方端面106和107上，分別有多個(gè)內(nèi)部電極103和多個(gè)內(nèi)部電極104的各端部露出，分別將這些內(nèi)部電極103的各端部和內(nèi)部電極104的各端部相互電連接，外部電極108和109就會(huì)形成。在形成外部電極108和109時(shí)，一般首先通過將含有金屬成分和玻璃成分的金屬膏涂布在疊層體105的端面106和107，然后烘烤，從而形成膏電極層110。然后在膏電極層110上形成以例如Ni為主要成分的第1鍍層lll，進(jìn)而再在其上形成例如以Sn為主要成分的第2鍍層112。也就是說，外部電極108和109分別是由膏電極層110、第1鍍層111和第2鍍層112的3層結(jié)構(gòu)組成。當(dāng)用焊料在基板上安裝疊層型電子元件101時(shí)，要求外部電極108和109要與焊料有良好的浸潤性。同時(shí)要求，外部電極108能使處于相互電絕緣狀態(tài)下的多個(gè)內(nèi)部電極103相互電連接，且外部電極109能使處于相互電絕緣狀態(tài)下的多個(gè)內(nèi)部電極104相互電連接。對于確保焊料的浸潤性，上述第2鍍層112實(shí)現(xiàn)了這一功能；對于相互電連接內(nèi)部電極103和104，膏電極層110實(shí)現(xiàn)了這一功能。第1鍍層111在焊料焊接時(shí)起到防止熔食的作用。然而，膏電極層110的厚度很大，有幾十μm幾百μm。因此，為了將該疊層型電子元件101的尺寸控制在一定規(guī)格值，無奈需要減少用來確保靜電電容的有效體積，以確保該膏電極層110的體積。另一方面，由于鍍層111和112的厚度為幾μm左右，所以如果僅用第1鍍層111和第2鍍層U2就可以構(gòu)成外部電極108和109的話，那用來確保靜電電容的有效體積就會(huì)被更多地確保。例如，特開2004-146401號公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)公開了以下方法將導(dǎo)電膏涂布在疊層體端面的至少內(nèi)部電極沿疊層方向的楞部，使其與內(nèi)部電極引出部接觸，通過烘烤或熱固化該導(dǎo)電膏形成導(dǎo)電膜，然后再在疊層體端面上實(shí)施電解電鍍，形成電解電鍍膜，使其與上述楞部的導(dǎo)電膜相接。由此，可以減少外部電極端面上的厚度。此外，特開昭63-169014號公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)還公開了以下方法對疊層體內(nèi)部電極露出的整個(gè)側(cè)壁面，按照露在側(cè)壁面上的內(nèi)部電極短路的方式，通過無電解電鍍析出導(dǎo)電金屬膜，。但是，專利文獻(xiàn)1和2記載的外部電極的形成方法，有時(shí)會(huì)由于在內(nèi)部電極露出的端部上直接電鍍，導(dǎo)致沿內(nèi)部電極與絕緣體層間的界面浸入疊層體中的電鍍液，侵蝕構(gòu)成絕緣體層的陶瓷和內(nèi)部電極，造成構(gòu)造缺陷。并且，由此產(chǎn)生疊層型電子元件耐濕負(fù)載特性惡化等可靠性欠佳的情況。專利文獻(xiàn)1:特開2004-146401號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開昭63-169014號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是鑒于上述問題點(diǎn)提出的，目的在于提供一種疊層型電子元件的制造方法，僅用電鍍析出物實(shí)質(zhì)形成疊層型電子元件的外部電極，就可以使有效體積率創(chuàng)優(yōu)，不僅如此，還能夠無構(gòu)造缺陷，使可靠性創(chuàng)優(yōu)。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種根據(jù)上述制造方法制造的疊層型電子元件。本發(fā)明首先提出一種疊層型電子元件的制造方法，包括準(zhǔn)備疊層體的工序，其中該層疊體含有層疊的多個(gè)絕緣體層和沿絕緣體層間的界面形成的多個(gè)內(nèi)部電極，且內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定面上露出；和按照使露出于疊層體的所述規(guī)定面上的多個(gè)所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接的方式，在疊層體的規(guī)定面上形成外部電極的工序。為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的疊層型電子元件的制造方法的特征在于，在形成外部電極的工序前，還包括對疊層體的至少露出多個(gè)內(nèi)部電極的端部的所述規(guī)定面賦以疏水處理劑的工序，形成外部端子電極的工序包括在賦予了疏水處理劑的疊層體的、露出多個(gè)內(nèi)部電極端部的所述規(guī)定面上，直接形成鍍膜的工序。這里，為形成鍍膜，可以使用電解電鍍和無電解電鍍的任何一種。本發(fā)明的疊層型電子元件的制造方法，優(yōu)選在賦以疏水處理劑的工序之后，在形成外部電極的工序之前，還包含使用研磨劑，對疊層體的、露出內(nèi)部電極端部的規(guī)定面進(jìn)行研磨的工序。本發(fā)明還要提出一種疊層型電子元件，它具有疊層體，含層疊的多個(gè)絕緣體層和沿絕緣體層間界面形成的多個(gè)內(nèi)部電極，內(nèi)部電極各端部在規(guī)定面上露出；和外部電極，按照使露出于疊層體的規(guī)定面上的多個(gè)內(nèi)部電極的各端部相互電連接的方式，形成在疊層體的上述規(guī)定面上。本發(fā)明的疊層型電子元件的特征在于，外部電極的至少與內(nèi)部電極直接連接的部分是由鍍膜構(gòu)成，且疏水處理劑被填充在絕緣體層與內(nèi)部電極之間的界面的至少一部分上。本發(fā)明的疊層型電子元件，優(yōu)選在疊層體的、露出內(nèi)部電極端部的規(guī)定面與鍍膜之間實(shí)質(zhì)上不存在疏水處理劑。本發(fā)明，優(yōu)選上述疏水處理劑是含有聯(lián)結(jié)了有機(jī)官能團(tuán)的Si的硅烷偶聯(lián)劑，有機(jī)官能團(tuán)的碳原子數(shù)總和在6以上。根據(jù)本發(fā)明，首先，由于外部電極實(shí)質(zhì)上僅由鍍膜形成，所以可以得到有效體積率卓著的疊層型電子元件。進(jìn)而，由于疏水處理劑的作用，所以可以得到無構(gòu)造缺陷的可靠性超群的疊層型電子元件。若在本發(fā)明中，在賦予疏水處理劑的工序之后，在形成外部電極的工序之前，再進(jìn)一步實(shí)施用研磨劑對疊層體的、露出內(nèi)部電極端部的規(guī)定面進(jìn)行研磨的工序，則有利地除去在疊層體的、露出內(nèi)部電極端部的規(guī)定面上附著的疏水處理劑，這樣不會(huì)產(chǎn)生電鍍不上的不利情況。另一方面，對于在絕緣體層與內(nèi)部電極之間的界面的至少一部分填充的疏水處理劑，由于通過上述研磨也不會(huì)除去，所以防止鍍液浸入的效果可以持續(xù)保持。圖1是本發(fā)明一實(shí)施方式下的疊層型電子元件1的截面圖。圖2是放大顯示圖1所示的疊層體5的內(nèi)部電極3a和3b露出部分的截面圖，表示賦以疏水處理劑前的狀態(tài)。圖3是與圖2相對應(yīng)的圖，表示賦以疏水處理劑且實(shí)施研磨后的狀態(tài)。圖4是以往的疊層型電子元件101的截面圖。圖中1...疊層型電子元件，2***絕緣體層，3、4...內(nèi)部電極，5...疊層體，6、7...端面，8、9...外部電極，10***第1鍍層，11*"第2鍍層，15***疏水處理劑具體實(shí)施例方式對于本發(fā)明的疊層型電子元件的制造方法，前提是在形成外部電極的過程中，直接在疊層體的露出內(nèi)部電極端部的面上形成電鍍膜，不形成膏電極、濺射電極、蒸鍍電極等。此外，特征是在形成電鍍膜之前，在疊層體的至少露出內(nèi)部電極端部的面上賦以疏水處理劑。圖l表示這樣得到的疊層型電子元件的一例。如圖1所示，疊層型電子元件1具備疊層體5，其含有被疊層的多個(gè)絕緣體層2、和沿絕緣體層2間的界面形成的多個(gè)層狀內(nèi)部電極3和4。當(dāng)疊層型電子元件1構(gòu)成疊層陶瓷電容器時(shí)，絕緣體層2由陶瓷龜介質(zhì)構(gòu)成。在疊層體5的一方及另一方的端面6和7上，分別有多個(gè)內(nèi)部電極3和多個(gè)內(nèi)部電極4的各端部露出，將這些內(nèi)部電極3的各端部和內(nèi)部電極4的各端部分別電連接，就會(huì)形成外部電極8和9。另外，在與本發(fā)明相關(guān)的制造方法中，形成外部電極8和9之前會(huì)實(shí)施賦以疏水處理劑的工序，圖1并未圖示疏水處理劑。外部電極8和9分別由電鍍膜實(shí)質(zhì)構(gòu)成，包括首先在內(nèi)部電極3和4露出的端面6和7上形成的第1鍍層10，和在其上形成的第2鍍層11。對于構(gòu)成最外層的第2鍍層11而言，由于要求其對焊料具有良好的浸潤性，所以優(yōu)選Sn和Au等為其主要成分。此外，對于第1鍍層10而言，由于要求其能使處于相互電絕緣狀態(tài)下的多個(gè)內(nèi)部電極103分別相互電連接，并且起到在焊接時(shí)防止熔食的作用，所以優(yōu)選Ni等為其主要成分。如圖示的實(shí)施方式，外部電極8和9不一定為2層構(gòu)造，既可為l層構(gòu)造，也可為3層以上構(gòu)造?？梢粤信e以下構(gòu)造例如，按Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成第1、第2、第3鍍層的3層構(gòu)造；和按Ni鍍層、Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成第l、第2、第3、第4鍍層的4層構(gòu)造等。對于形成第1和第2鍍層10和11的電鍍方法，既可以是使用還原劑析出金屬離子的無電解電鍍法，也可以是進(jìn)行通電處理的電解電鍍法。另外，關(guān)于具體的電鍍方法，后邊將有闡述。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，如上所述，在形成外部電極8和9之前，進(jìn)一步特定的是在形成第1鍍層IO之前，會(huì)實(shí)施賦以疏水處理劑的工序。在賦以疏水處理劑時(shí)，既可以將疊層體5浸漬在含有疏水處理劑的液體中，也可以將含有疏水處理劑的液體至少涂布或噴霧在疊層體5的露出內(nèi)部電極3和4各端部的端面6和7上，其方法不特別限定。圖2和圖3是圖1所示的疊層體5的露出內(nèi)部電極3的一方的端面6附近的放大圖。圖2和圖3表示了形成外部電極8之前的狀態(tài)。另外，關(guān)于另一方的端面7以及在其上露出的內(nèi)部電極4，由于實(shí)質(zhì)與圖2和圖3所示端面6及內(nèi)部電極3的情況相同，所以省略圖示與說明。如圖2所示，在疊層體5上，絕緣體層2與各內(nèi)部電極3和4之間的界面上大多存在微小的間隙14。當(dāng)向這種疊層體5賦以疏水處理劑時(shí)，如圖3所示，間隙14中、與疊層體5表面相連的間隙14會(huì)被疏水處理劑15填充。當(dāng)該疏水處理劑15通過干燥而固化時(shí)，就會(huì)起到防止電鍍液和水分等浸入間隙14的作用。這樣一來，疊層型電子元件1的構(gòu)造欠缺就會(huì)被抑制，耐濕負(fù)載特性就會(huì)提高。另外，對疊層體5賦予的疏水處理劑15不僅填充上述間隙14，而且還形成一種膜，披覆內(nèi)部電極3和4分別露出的整個(gè)端面6和7，或者疊層體5的整個(gè)外表面。以此方式披覆整個(gè)面的疏水處理劑15在圖3中未被圖示。對于披覆整個(gè)面的疏水處理劑15的膜，由于厚度很薄，有幾十幾百nm，所以即使存在也不會(huì)有大問題。但是，如果要使第1鍍層10對疊層體5的密封狀態(tài)更牢靠，優(yōu)選除去至少端面6和7上的疏水處理劑15的膜。作為除去方法，可以使用噴沙或滾筒研磨等用研磨劑研磨的一般方法。如圖3所示，即便這樣除膜，也不會(huì)除去填充于上述間隙14中的疏水處理劑15。因此，在實(shí)施上述研磨工序之后再形成第1鍍層10的話，就可以得到密封程度優(yōu)良的外部電極8和9，而不會(huì)因蝕刻液而侵蝕疊層體5的內(nèi)部。下面，就疏水處理劑進(jìn)行說明。用于本發(fā)明的疏水處理劑，只要是防止電鍍液和水分等浸入疊層體5的，其種類不作特別限定?？梢粤信e例如硅烷偶聯(lián)劑等。此外，硅烷偶聯(lián)劑含有聯(lián)結(jié)了有機(jī)官能團(tuán)的Si，如果該有機(jī)官能團(tuán)的碳原子數(shù)總和在6以上，疏水作用就會(huì)更大。該疏水作用越大，越有益于降低耐濕負(fù)載試驗(yàn)中的不良率。作為官能團(tuán)，可以列舉例如垸基等。下面，說明在賦以疏水處理劑15后的疊層體5上通過電解電鍍或無電解電鍍形成第1鍍層10的工序。電鍍之前的疊層體5的狀態(tài)是在一方端面6上露出的多個(gè)內(nèi)部電極3的相互之間，以及在另一方端面7上露出的多個(gè)內(nèi)部電極4的相互之間是電絕緣的。為了形成第1鍍層10，首先要使電鍍液中的金屬離子對內(nèi)部電極3和4的各個(gè)露出部分析出。然后，進(jìn)一步使該電鍍析出物成長，形成如下狀態(tài)在相鄰的內(nèi)部電極3的各露出部以及相鄰的內(nèi)部電極4的各露出部上，使電鍍析出物分別形成物理連接。將這種電鍍工序在內(nèi)部電極3和4分別露出的端面6和7的各自的整個(gè)面上推行，就會(huì)在內(nèi)部電極3和4露出的端面6和7上，形成均勻致密的第1鍍層10。只要第1鍍層10形成了，第2鍍層11就很容易通過一般方法形成。這是因?yàn)?，在要形成?鍍層11的階段中，應(yīng)該電鍍的地方已經(jīng)形成了具有導(dǎo)電性的連續(xù)的面。在形成第2鍍層11時(shí)，可以使用電解電鍍和無電解電鍍的任何一種。上述的電鍍方法是利用了電鍍析出物優(yōu)良的成長力和展性。為使上述電鍍析出物相互連接的狀態(tài)容易形成，在使用電解電鍍的情況下，絕緣體層2的厚度優(yōu)選在10pm以下；在使用無電解電鍍的情況下，絕緣體層2的厚度優(yōu)選在5(Him以下。此外，優(yōu)選電鍍之前內(nèi)部電極3和4引入端面6和7的長度在l(im以下。這是因?yàn)槿绻笥趌pm，就很難向內(nèi)部電極3和4的露出部分提供電子，也就很難形成電鍍析出。要想縮短上述引入長度，可以對端面6和7實(shí)施噴沙或滾筒研磨等研磨，減小絕緣體層2。該研磨工序可以一并完成上述的用來除去賦以疊層體5表面的疏水處理劑15的研磨工序。下面，分電解電鍍法的情況和無電解電鍍法的情況，對電鍍方法的具體例進(jìn)行說明。電解電鍍法的情況下，例如向具備供電端子的容器中，投入外部電極8和9形成之前的疊層體5和導(dǎo)電媒質(zhì)，在使其浸漬在含有金屬離子的電鍍液的狀態(tài)下，邊旋轉(zhuǎn)上述容器邊通電。這時(shí)，如果設(shè)容器的旋轉(zhuǎn)數(shù)為lOr.p.m以上，電鍍膜的成長力就會(huì)增強(qiáng)，從而形成均勻致密的第1鍍層10。作為適于第l鍍層IO的金屬，可以列舉Ni和Cu。Cu是展性優(yōu)良的材質(zhì)，Ni通過添加適當(dāng)?shù)墓鉂蓜剐詴?huì)有所提高。無電解電鍍的情況下，向注滿電鍍液的容器中投入介質(zhì)和在外部電極8和9形成之前的疊層體5，該電鍍液含有還原劑、以及具有在電化學(xué)上比該還原劑的氧化還原電位高的析出電位的金屬離子，然后使容器旋轉(zhuǎn)、搖動(dòng)或振動(dòng)，在容器中攪拌疊層體5。還原劑一旦被氧化，因其氧化作用產(chǎn)生的電子就會(huì)被提供給內(nèi)部電極3和4。然后，液體中的金屬離子接受其提供的電子，在內(nèi)部電極3和4的露出部分析出電鍍膜。持續(xù)這一過程，電鍍膜就會(huì)成長，從而形成均勻致密的第1鍍層10。使用上述無電解電鍍法的情況下，工序變得簡單，無需通常在無電解電鍍過程中所需的事先賦以Pd等催化劑的工序。此外，內(nèi)部電極3和4即便是以廉價(jià)金屬Ni、Cu等為主要成分，也可以形成均勻致密的第1鍍層10。另外，如果媒質(zhì)的至少表面是對還原劑具有催化劑活性的金屬，那么第1鍍層10的致密性會(huì)進(jìn)一步提高。形成外部電極8和9的電鍍方法不限于上述方法。至此，結(jié)合圖示的實(shí)施方式，對本發(fā)明進(jìn)行了說明。在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，其他的各種變形例都是可能的。例如，作為應(yīng)用本發(fā)明的疊層型電子元件，疊層片式電容器具有代表性，此外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于疊層片式電感器、疊層片式熱敏電阻等。因此，對于疊層型電子元件具備的絕緣體層，只要具有電絕緣功能即可，材質(zhì)無關(guān)緊要。也就是說，絕緣體層不一定是由陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成，也可以由壓電陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷、磁性陶瓷、樹脂等構(gòu)成。以下，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說明。準(zhǔn)備一種被鍍物，它是長2.0mm、寬1.25mm、厚1.25mm用于疊層陶瓷電容器的疊層體，絕緣體層由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，內(nèi)部電極以Ni為主要成分，相鄰的內(nèi)部電極間的絕緣體層的厚度為1.9)im，內(nèi)部電極的厚度平均為0.6pm。另一方面，準(zhǔn)備含有疏水處理劑的液體，如表1所示，為16種，用異丙醇(IPA)使各種硅烷偶聯(lián)劑或鈦偶聯(lián)劑稀釋成3重量％。<table><row><column>疏水處理劑記號</column><column>疏水處理劑的主要成分</column><column>碳原子數(shù)的總和</column></row><row><column>A</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(CH30)3Si-(CH2)9CH3</column><column>10</column></row><row><column>B</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(C2H50)3Si-(CH2)3NH2</column><column>3</column></row><row><column>C</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(CH30)3Si-(CH2)3NH2</column><column>3</column></row><row><column>D</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(CH30)3Si-CH3</column><column>1</column></row><row><column>E</column><column>硅垸偶聯(lián)劑(C2H50)3Si-CH3</column><column>1</column></row><row><column>F</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(CH30)3Si-(CH2)5CH3</column><column>6</column></row><row><column>G</column><column>硅烷偶聯(lián)劑(CH30)3Si-CH2CH2C8F17</column><column>10</column></row><row><column>H</column><column>硅垸偶聯(lián)齊!J:(CH30)3Si-(CH2)3NH-C6H5</column><column>9</column></row><row><column>I</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-(CH2)9CH3</column><column>10</column></row><row><column>J</column><column>鈦偶聯(lián)劑(C2H50)3Ti-(CH2)3NH2</column><column>3</column></row><row><column>K</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-(CH2)3NH2</column><column>3</column></row><row><column>L</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-CH3</column><column>1</column></row><row><column>M</column><column>鈦偶聯(lián)劑(C2H50)3Ti-CH3</column><column>1</column></row><table><table><row><column>N</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-(CH2)5CH3</column><column>6</column></row><row><column></column><column>0</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-CH2CH2C8F17</column><column>10</column></row><row><column></column><column>P</column><column>鈦偶聯(lián)劑(CH30)3Ti-(CH2)3NH-C6H5</column><column>9</column></row><table>接著，將上述疊層體浸漬在上述16種含有疏水處理劑的各個(gè)液體中，在120℃下保持10分鐘。另外，如以下說明的那樣，采用賦予了表l所示的疏水處理劑AP的疊層體，分別制作后面表2所示的試樣116的疊層陶瓷電容器。此外，作為比較例，用未賦以疏水處理劑的疊層體，制作表2所示的試樣17的疊層陶瓷電容器。接下來，就試樣116的疊層體做如下操作在含疏水處理劑的液體中浸漬，之后從該液體中取出，干燥后用研磨劑對疊層體進(jìn)行噴沙處理，調(diào)整內(nèi)部電極對于內(nèi)部電極露出的疊層體端面的弓I入長度，使其最長處為O.lpm。與此同時(shí)，除去在疊層體表面賦予的疏水處理劑。這時(shí)，通過透過型電子顯微鏡，確認(rèn)了疊層體內(nèi)的在絕緣體層和內(nèi)部電極之間界面上填充的疏水處理劑未被除去。另一方面，就試樣17的疊層體做如下操作僅實(shí)施使用研磨劑的噴沙處理，調(diào)整內(nèi)部電極對于內(nèi)部電極露出的疊層體端面的引入長度，使其最長處為O.lpm。接下來，將500個(gè)上述疊層體投入容積為300cc的旋轉(zhuǎn)槽中，而且，投入100cc的直徑為0.4mm的Sn-Ag-Cu制媒質(zhì)，將直徑為7.5mm的披覆尼龍的鐵球作為攪拌珠投入50cc。然后，將上述旋轉(zhuǎn)槽浸漬在以下的Cu觸擊電鍍液(strikeplatingbath)中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為10r.p.m，電流密度為0.11A/dm2。這樣，在通電開始后的60分鐘后，在內(nèi)部電極露出的疊層體表面，就會(huì)形成厚度為0.5pm的Cu觸擊電鍍層。<Cu觸擊電鍍液>焦磷酸銅(II):14g/L焦磷酸120g/L草酸鉀10g/LpH:8.5溫度25°C接下來，將投入了形成過上述Cu觸擊電鍍層的疊層體的旋轉(zhuǎn)槽，浸漬在pH調(diào)整為8.8浴溫為25°C的焦磷酸系Cu鍍液(MURATA公司產(chǎn)的Pyrodon)中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為10r.p.m，電流密度為0.3A/dm2。在通電開始后60分鐘后，Cu觸擊電鍍層上，就會(huì)形成厚度為4.0um的Cn觸擊電鍍層。接下來，將投入了形成過上述Cii鍍層的疊層體的旋轉(zhuǎn)槽，浸漬在pH調(diào)整為4.2浴溫為6(TC的Ni電鍍用的瓦特液(Wattbath)中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為10r.p.m，電流密度為0.2A/dm2。在通電開始后60分鐘后，Cu觸擊電鍍層上會(huì)形成厚度為3.0pm的Ni鍍層。接下來，將投入了形成過上述Ni鍍層的疊層體的旋轉(zhuǎn)槽，浸漬在pH調(diào)整為5.0浴溫為33'C的Sn鍍液(Dipsol公司產(chǎn)Sn-235)中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為10r.p.m，電流密度為0.1A/dm2。在通電開始后60分鐘后，Ni觸擊電鍍層上會(huì)形成厚度為4.0|im的Sn鍍層。這樣，就可以直接對疊層體形成鍍層，不形成膏電極層等，獲得具有由電鍍層構(gòu)成的外部電極的、試樣117的疊層陶瓷電容器。接下來，分別針對試樣117，通過超聲波探傷，對100個(gè)疊層陶瓷電容器的構(gòu)造缺陷進(jìn)行評價(jià)。將發(fā)現(xiàn)構(gòu)造缺陷的試樣視為不良，進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，結(jié)果在表2的"構(gòu)造缺陷發(fā)生數(shù)"一欄中表示。此外，分別針對試樣117，對IOO個(gè)疊層陶瓷電容器進(jìn)行耐濕負(fù)載試驗(yàn)(溫度為120°C、濕度為85%、氣壓為0.2MPa、施加電壓為12.6V)。將2000小時(shí)過后絕緣電阻值為1MQ以下的試樣視為不良，其不良個(gè)數(shù)在表2的"耐濕負(fù)載試驗(yàn)不良數(shù)"一欄中表示。<table><row><column>試樣號</column><column>疏水處理劑種類</column><column>構(gòu)造缺陷發(fā)生數(shù)</column><column>耐濕負(fù)載試驗(yàn)不良數(shù)</column></row><row><column>1</column><column>A</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>2</column><column>B</column><column>0/100</column><column>1/100</column></row><row><column>3</column><column>C</column><column>0/100</column><column>2/100</column></row><row><column>4</column><column>D</column><column>0/100</column><column>5/100</column></row><row><column>5</column><column>E</column><column>0/100</column><column>4/100</column></row><row><column>6</column><column>F</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><table><table><row><column>7</column><column>G</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>8</column><column>H</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>9</column><column>I</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>10</column><column>J</column><column>0/100</column><column>6/100</column></row><row><column>11</column><column>K</column><column>0/100</column><column>6/100</column></row><row><column>12</column><column>L</column><column>0/100</column><column>7/100</column></row><row><column>13</column><column>M</column><column>0/100</column><column>9/100</column></row><row><column>14</column><column>N</column><column>0/100</column><column>2/100</column></row><row><column>15</column><column>O</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>16</column><column>P</column><column>0/100</column><column>1/100</column></row><row><column>17</column><column>無</column><column>12/100</column><column>15/100</column></row><table>如表2所示，進(jìn)行過疏水處理的試樣116沒有發(fā)生構(gòu)造缺陷。此外，耐濕負(fù)載試驗(yàn)中的不良率也不到10%。與其相對，沒有進(jìn)行疏水處理的試樣17發(fā)生了幾次構(gòu)造缺陷，耐濕負(fù)載試驗(yàn)中的不良率達(dá)到10%以上。但是，由于本實(shí)驗(yàn)例中所采用的耐濕負(fù)載試驗(yàn)條件非?？量蹋?，實(shí)際使用上，因用途各異，有時(shí)也沒有問作為被鍍物，準(zhǔn)備與實(shí)驗(yàn)例1相同的用于疊層陶瓷電容器的疊層體。另一方面，與實(shí)驗(yàn)例1的情況相同，準(zhǔn)備表1所示的16種含疏水處理劑的液體，將上述疊層體分別浸漬在這些液體中，在12(TC下保持10分鐘。實(shí)驗(yàn)例2中，用賦以表1所示的疏水處理劑AP的疊層體，分別制作后面表3所示的試樣2136的疊層陶瓷電容器。此外，作為比較例，用未賦以疏水處理劑的疊層體，制作表3所示的試樣37的疊層陶瓷電容器。接下來，與實(shí)驗(yàn)例1的情況相同，就試樣2135的疊層體做如下操作在含疏水處理劑的液體中浸漬，之后從該液體中取出，干燥后用研磨劑對疊層體進(jìn)行噴沙處理，調(diào)整內(nèi)部電極對于內(nèi)部電極露出的疊層體端面的引入長度，使其最長處為0.1pm。與此同時(shí)，除去賦以疊層體表面的疏水處理劑。這時(shí)，通過透過型電子顯微鏡，確認(rèn)到疊層體內(nèi)的在絕緣體層和內(nèi)部電極之間界面上填充的疏水處理劑未被除去。另一方面，就試樣37的疊層體做如下操作僅實(shí)施使用研磨劑的噴沙處理，調(diào)整內(nèi)部電極對于內(nèi)部電極露出的疊層體端面的引入長度，使其最長處為O.lpm。接著，將5000個(gè)上述疊層體投入容積為300cc的旋轉(zhuǎn)槽中，并且，將披覆了Cu的直徑為l.Omm的導(dǎo)電媒質(zhì)投入100cc。然后，將上述旋轉(zhuǎn)槽浸漬在按以下條件設(shè)定的無電解Cu鍍液中并使其旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)數(shù)為lOr.p.m。電鍍開始120分鐘后，內(nèi)部電極露出的疊層體表面，就會(huì)形成厚度為3.0nm的Cu鍍層。<無電解01鍍液>酒石酸鉀鈉四水合物30g/L硫酸銅五水合物10g/L聚乙二醇(分子量:10002000):lg/LNaOH:5g/L甲醛4g/L溫度40℃充氣0.5L/分接著，將投入了形成過上述無電解Cu鍍層的疊層體的旋轉(zhuǎn)槽，用純水洗滌，之后浸漬在pH調(diào)整為4.2浴溫為60℃的鍍Ni用瓦特液中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為10r.p.m，電流密度為0.2A/dm2。在通電開始后60分鐘后，Cu鍍層上會(huì)形成厚度為3.0pm的M鍍層。接著，將投入了形成過上述Ni鍍層的疊層體的旋轉(zhuǎn)槽，浸漬在pH調(diào)整為5.0浴溫為33℃的Sn鍍液(Dipsol公司產(chǎn)Sn-235)中，邊旋轉(zhuǎn)邊開始通電，旋轉(zhuǎn)數(shù)為lOr.p.m，電流密度為0.1A/dm2。在通電開始后60分鐘后，Ni鍍層上會(huì)形成厚度為4.0um的Sn鍍層。這樣，就可以直接對疊層體形成鍍層，不形成膏電極層等，獲得具有由鍍層組成的外部電極的、試樣2137的疊層陶瓷電容器。接下來，使用與實(shí)驗(yàn)例1的情況相同的方法，實(shí)施構(gòu)造缺陷評價(jià)以及耐濕負(fù)載試驗(yàn)。其結(jié)果在表3的"構(gòu)造缺陷發(fā)生數(shù)"和"耐濕負(fù)載試驗(yàn)不良數(shù)"各欄中表示。<table><row><column>試樣號</column><column>疏水處理劑種類</column><column>構(gòu)造缺陷發(fā)生數(shù)</column><column>耐濕負(fù)載試驗(yàn)不良數(shù)</column></row><row><column>21</column><column>A</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>22</column><column>B</column><column>0/100</column><column>2/100</column></row><row><column>23</column><column>C</column><column>0/100</column><column>4/100</column></row><row><column>24</column><column>D</column><column>0/100</column><column>8/100</column></row><row><column>25</column><column>E</column><column>0/100</column><column>8/100</column></row><row><column>26</column><column>..F</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>27</column><column>G</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>28</column><column>H</column><column>0/100</column><column>0/100</column></row><row><column>29</column><column>I</column><column>0/100</column><column>1/100</column></row><row><column>30</column><column>■f</column><column>0/100</column><column>10/100</column></row><row><column>31</column><column>K</column><column>0/100</column><column>9/100</column></row><row><column>32</column><column>0/100</column><column>10/100</column></row><row><column>33</column><column>M</column><column>0/100</column><column>12/100</column></row><row><column>34</column><column>N</column><column>0/100</column><column>5/100</column></row><row><column>35</column><column>0</column><column>0/100</column><column>1/100</column></row><row><column>36</column><column>P</column><column>0/100</column><column>3/100</column></row><row><column>37</column><column>無</column><column>16/100</column><column>30/100</column></row><table>如表3所示，進(jìn)行過疏水處理的試樣2136沒有發(fā)生構(gòu)造缺陷。此外，耐濕負(fù)載試驗(yàn)中的不良率也不到15%。特別是表1所示的疏水處理劑A、F、G和H，用碳原子數(shù)為6以上的硅烷偶聯(lián)劑作疏水處理劑的試樣21、26、27和28，其不良率不到1%。與其相對，沒有進(jìn)行疏水處理的試樣37發(fā)生了幾次構(gòu)造缺陷，耐濕負(fù)載試驗(yàn)中的不良率達(dá)到15%以上。但是，由于本實(shí)驗(yàn)例中所采用的耐濕負(fù)載試驗(yàn)條件非?？量?，所以，實(shí)際使用上，因用途各異，有時(shí)也沒有問題。權(quán)利要求1.一種疊層型電子元件的制造方法，包括準(zhǔn)備疊層體的工序，其中該層疊體含有層疊的多個(gè)絕緣體層和沿所述絕緣體層間的界面形成的多個(gè)內(nèi)部電極，且所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定面上露出；和按照使露出于所述疊層體的所述規(guī)定面上的多個(gè)所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接的方式，在所述疊層體的所述規(guī)定面上形成外部電極的工序，在形成所述外部電極的工序前，還包括對所述疊層體的至少露出所述內(nèi)部電極的端部的所述規(guī)定面賦以疏水處理劑的工序，形成所述外部端子電極的工序包括在賦予了所述疏水處理劑的所述疊層體的、露出所述內(nèi)部電極的端部的所述規(guī)定面上，直接形成鍍膜的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層型電子元件的制造方法，其特征在于，所述疏水處理劑是含有聯(lián)結(jié)了有機(jī)官能團(tuán)的Si的硅烷偶聯(lián)劑，有機(jī)官能團(tuán)的碳原子數(shù)總和在6以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層型電子元件的制造方法，其特征在于，在賦予所述疏水處理劑的工序之后，在形成所述外部電極的工序之前，還包含使用研磨劑，對所述疊層體的、露出所述內(nèi)部電極的端部的所述規(guī)定面進(jìn)行研磨的工序。4.一種疊層型電子元件，包含疊層體，其含有層疊的多個(gè)絕緣體層和沿所述絕緣體層間的界面形成的多個(gè)內(nèi)部電極，且所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定面上露出；和外部電極，其按照使露出于所述疊層體的所述規(guī)定面上的多個(gè)所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接的方式，形成在所述疊層體的所述規(guī)定面上，所述外部電極的至少與所述內(nèi)部電極直接連接的部分是由鍍膜構(gòu)成，且疏水處理劑被填充在所述絕緣體層與所述內(nèi)部電極之間的界面的至少一部分上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的疊層型電子元件，其特征在于，在所述疊層體的、露出所述內(nèi)部電極的端部的所述規(guī)定面與所述鍍膜之間實(shí)質(zhì)上不存在所述疏水處理劑。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的疊層型電子元件，其特征在于，所述疏水處理劑是含有聯(lián)結(jié)了有機(jī)官能團(tuán)的Si的硅烷偶聯(lián)劑，有機(jī)官能團(tuán)的碳原子數(shù)總和在6以上。全文摘要在疊層體的規(guī)定面上，在通過對多個(gè)內(nèi)部電極各端部的露出處直接實(shí)施電鍍而形成外部電極時(shí)，電鍍液會(huì)浸入絕緣體層與內(nèi)部電極之間的界面的間隙，這樣得到的疊層型電子元件往往會(huì)導(dǎo)致構(gòu)造缺陷，可靠性低下。本發(fā)明的方法是在內(nèi)部電極(3)的各端部露出的端面(6)上賦以疏水處理劑(15)，使其填充在絕緣體層(2)與內(nèi)部電極(3)間的界面的間隙(14)中。其后，經(jīng)過研磨，使內(nèi)部電極(3)充分地從端面(6)上露出，并且除去多余的疏水處理劑，之后在端面(6)上直接形成電鍍膜。文檔編號H01G4/30GK101346786SQ20078000095公開日2009年1月14日申請日期2007年2月14日優(yōu)先權(quán)日2006年3月15日發(fā)明者元木章博,國司多通夫,小川誠,西川潤,高野良比古,黑田茂之申請人:株式會(huì)社村田制作所