專利名稱：：層疊型電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及層疊型電子部件及其制造方法，尤其涉及在層疊體的外表面上通過實施鍍敷來直接形成外部電極的層疊型電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：如圖11所示，以層疊陶瓷電容器為代表的層疊型電子部件101通常具備層疊體105，該層疊體105包括層疊的多個絕緣體層102、沿著絕緣體層102間的界面形成的多個層狀內(nèi)部電極103及104。在層疊體105的一側(cè)及另一側(cè)端面106及107，分別露出多個內(nèi)部電極103及多個內(nèi)部電極104的各端部，將這些內(nèi)部電極103的各端部及內(nèi)部電極104的各端部分別相互電連接地形成外部電極108及109。在外部電極108及109的形成中，通常，將包括金屬成分和玻璃成分的金屬膏劑涂敷在層疊體105的端面106及107上，接著進行燒著，由此首先形成膏劑電極層110。接著，在膏劑電極層llO上形成例如以Ni為主成分的第一鍍層111，進一步在其上形成例如以Sn為主成分的第二鍍層112。g卩，外部電極108及109分別由膏劑電極層110、第一鍍層lll及第二鍍層112的三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。對于外部電極108及109而言，在使用軟釬料將層疊型電子部件101安裝在基板上時，要求與軟釬料的潤濕性良好。同時，對于外部電極108而言，要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極103相互電連接的作用，對于外部電極109而言，要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極104相互電連接的作用。由上述的第二鍍層112發(fā)揮確保軟釬料的潤濕性的作用，由膏劑電極層110發(fā)揮內(nèi)部電極103及104相互電連接的作用。第一鍍層111發(fā)揮軟釬焊接合時防止軟釬料被蝕的作用?？墒?，膏劑電極層110其厚度大至數(shù)十pm數(shù)百pm。因而，為了將該層疊型電子部件101的尺寸收斂在一定的規(guī)格值內(nèi)，盡管不希望但還是需要減少用于確保靜電電容的有效體積，其減少量為確保該膏劑電極層110的體積而需要的量。另一方面，由于鍍層111及112其厚度為數(shù))im左右，所以如果假設(shè)僅由第一鍍層111及第二鍍層112構(gòu)成外部電極108及109，則能夠更高確保用于確保靜電電容的有效體積。例如，在特開2004—146401號公報(專利文獻1)中公開了如下一種方法將導(dǎo)電性膏劑與內(nèi)部電極的引出部接觸地涂敷在層疊體的端面的至少沿著內(nèi)部電極的層疊方向的棱部，將該導(dǎo)電性膏劑燒著或使其熱硬化，形成導(dǎo)電膜，進而在層疊體的端面實施電解鍍敷，與上述棱部的導(dǎo)電膜連接地形成電解鍍膜。由此，能夠減薄外部電極的端面的厚度。另外，在特開昭63—169014號公報(專利文獻2)中公開了如下一種方法對于層疊體的露出內(nèi)部電極的側(cè)壁面的整個面，使在側(cè)壁面露出的內(nèi)部電極短路地通過無電解鍍敷析出導(dǎo)電性金屬膜。然而，在上述的專利文獻l所記載的外部電極的形成方法中，盡管能夠使露出的內(nèi)部電極和電解鍍膜直接連接，但在進行電解鍍敷之前，為了預(yù)先使露出的內(nèi)部電極的引出部電導(dǎo)通，需要形成基于導(dǎo)電性膏劑的導(dǎo)電部。將該導(dǎo)電性膏劑涂敷在特定的部位的工序繁瑣。進而，由于導(dǎo)電性膏劑的厚度厚，所以還存在有效體積率降低的問題。另一方面，在專利文獻2記載的無電解鍍敷法中，還存在如下問題如果在需要鍍敷的面上沒有預(yù)先賦予Pd等催化劑活性高的物質(zhì)，則形成的鈹膜的致密性和均勻性變低，在層疊體的內(nèi)部浸入鍍液等，可靠性下降。根據(jù)專利文獻2的記載，盡管不是必須明確是否賦予了催化劑活性高的物質(zhì)，但如果假設(shè)形成了均勻的鍍膜，則預(yù)先賦予了催化劑活性高的物質(zhì)的可能性高。但是，對于該催化劑賦予來說，進行賦予的工序復(fù)雜，另外還存在鍍膜容易在希望部位以外的部位析出的問題。另外，在專利文獻2記載的方法中，作為處于層疊體的內(nèi)部電極的材料使用了Pd及Pt，不過，由于這些Pd及Pt為高價的金屬，所以還存在導(dǎo)致層疊型電子部件的成本上升的問題。此外，在專利文獻2記載的方法中，內(nèi)部電極的厚度必須在lum以上，因此，還存在導(dǎo)致層疊體的大型化，同時導(dǎo)致層疊型電子部件的成本升高的問題。專利文獻l:特開2004—146401號公報專利文獻2:特開昭63—169014號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題而實現(xiàn)，其目的在于提供一種實質(zhì)上僅由鍍敷析出物形成層疊型電子部件的外部電極，從而制造有效體積率優(yōu)異的層疊型電子部件的方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種在形成外部電極時，即使不實施事先的復(fù)雜工序，例如導(dǎo)電性膏劑的涂敷工序及催化劑的賦予工序等，也能夠簡便地形成由致密的鍍膜構(gòu)成的外部電極，且還能夠確保高可靠性的制造層疊型電子部件的方法。本發(fā)明的又一目的在于提供一種由上述的制造方法制造的層疊型電子部件。本發(fā)明首先面向?qū)盈B型電子部件的制造方法，包括.*準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，該工序是將在層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地在層疊體的規(guī)定的面上形成外部電極的工序。本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法，為了解決所述技術(shù)性問題，第一方面的特征在于，作為層疊體，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上相鄰內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為20um以下，且內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為lPm以下。本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法，第二方面的特征在于，作為層疊體，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上相鄰內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為50ym以下，且內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1um以上。而且，在本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法中，特征還在于，形成外部電極的工序包括無電解鍍敷工序，所述無電解鍍敷工序?qū)υ谒鰷?zhǔn)備的層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的端部，使用含有還原劑的鍍液直接進行無電解鍍敷，該無電解鍍敷工序包括使在多個內(nèi)部電極的端部析出的鍍敷析出物相互連接地使鍍敷析出物鍍敷成長的工序。所述的內(nèi)部電極的縮入長度或突出長度的控制，優(yōu)選在形成外部電極的工序之前，實施使用研磨劑對層疊體進行研磨的工序。本發(fā)明還面向?qū)盈B型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極是將在層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地在層疊體的規(guī)定的面上形成的。本發(fā)明的層疊型電子部件，第一方面的特征在于，在層疊體的內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上，沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為20nm以下，且內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為lym以下，另一方面，第二方面的特征在于，在層疊體的內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上，沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為50iim以下，且內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1Um以上。此外，本發(fā)明的層疊型電子部件，其特征在于，外部電極的至少與內(nèi)部電極直接連接的部分由無電解鍍敷析出物構(gòu)成。在本發(fā)明中，內(nèi)部電極的主成分優(yōu)選是從Ni、Cu及Ag中選擇的至少一種。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以實質(zhì)上僅由鍍敷析出物形成層疊型電子部件的外部電極，所以能夠得到有效體積率優(yōu)異的層疊型電子部件。另外，根據(jù)本發(fā)明，即使不實施事先的復(fù)雜工序，例如導(dǎo)電性膏劑的涂敷工序及催化劑的賦予工序等，也能夠由致密且均勻性高的無電解鍍敷析出物簡便地形成外部電極的至少與內(nèi)部電極直接連接的部分。其結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明，能夠得到確保高可靠性的層疊型電子部件。此外，根據(jù)本發(fā)明，即使在內(nèi)部電極的主成分中不使用Pd、Pt等催化劑活性高的金屬，也能夠得到致密性高的無電解鍍膜，所以內(nèi)部電極可以使用廉價的Ni、Cu、Ag等金屬材料，能夠得到低成本的層疊型電子部件。此外，根據(jù)本發(fā)明，即使內(nèi)部電極的厚度不足lym，也能夠形成致密的無電解鍍膜，所以能夠得到小型且低成本的層疊型電子部件。圖1是本發(fā)明的第一實施方式的層疊型電子部件1的截面圖；圖2是對圖1所示的層疊體5的露出內(nèi)部電極3a及3b的部分進行放大表示的截面圖3是表示在圖2所示的內(nèi)部電極3a及3b的露出部分析出鍍敷析出物12a及12b的狀態(tài)的截面圖4是表示圖3中析出的鍍敷析出物12a及12b成長的狀態(tài)的截面圖；圖5是表示圖4中成長的鍍敷析出物12a及12b—體化而形成第一鍍層IO的狀態(tài)的截面圖6是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的圖，是相當(dāng)于圖2的截面圖；圖7是用于說明本發(fā)明的第三實施方式的圖，是相當(dāng)于圖6的截面圖；圖8是表示本發(fā)明的第四實施方式的層疊型電子部件21的外觀的立體圖9是表示圖8所示的層疊型電子部件21安裝在基板26上的狀態(tài)的截面圖10是表示圖1所示的層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)的截面圖11是現(xiàn)有的層疊型電子部件101的截面圖。圖中1、21—層疊型電子部件；2—絕緣體層；3、3a、3b、4一內(nèi)部電極；5、22—層疊體；6、7—端面；8、9、24、25—外部電極；10—第—鍍層；ll一第二鍍層；12a、12b—鍍敷析出物；23—面。具體實施例方式參照圖1圖5，對本發(fā)明的第一實施方式的層疊型電子部件1及其制造方法進行說明。首先，如圖1所示，層疊型電子部件1具備層疊體5，該層疊體5包括層疊的多個絕緣體層2、沿著絕緣體層2間的界面形成的多個層狀內(nèi)部電極3及4。層疊型電子部件1在構(gòu)成層疊陶瓷電容器時，絕緣體層2由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成。在層疊體5的一側(cè)及另一側(cè)端面6及7，分別露出多個內(nèi)部電極3及多個內(nèi)部電極4的各端部，將這些內(nèi)部電極3的各端部及內(nèi)部電極4的各端部分別相互電連接地形成外部電極8及9。外部電極8及9實質(zhì)上分別由鍍敷析出物構(gòu)成，具備首先在露出內(nèi)部電極3及4的端面6及7上形成的第一鍍層10和在第一鍍層10上形成的第二鍍層11。構(gòu)成最外層的第二鍍層11要求對軟釬料具有良好的潤濕性，所以希望以Sn及Au等為主成分。另外，第一鍍層IO要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極3及4分別相互電連接、且防止軟釬焊接合時軟釬料被蝕的作用，所以優(yōu)選以Ni等為主成分。與內(nèi)部電極3或4直接連接的第一鍍層10，是通過使用還原劑析出金屬離子的無電解鍍敷形成的，而并不是通過基于通電處理的電解鍍敷形成的。此外，在實施無電解鍍Ni時，在使用磷酸系及硼系的還原劑的情況下，通常，在作為鍍敷析出物的第一鍍層IO中混入磷及硼。另外，在通過無電解鍍敷要形成第一鍍層10時，在無電解鍍敷工序之前，通常在需要形成鍍膜的面上事先賦予促進還原劑的還原作用的催化劑物質(zhì)、例如Pd等，但在本發(fā)明中，不設(shè)置這種用于賦予催化劑物質(zhì)的工序。因而，在本發(fā)明中，在內(nèi)部電極3和4露出的端面6及7各自與第一鍍層IO之間不存在由催化劑物質(zhì)構(gòu)成的均勻的層。當(dāng)然，在內(nèi)部電極3和4露出的端面6及7上直接形成的膜也不含導(dǎo)電性膏劑膜、真空蒸鍍膜、濺射膜等。接著，對圖1所示的層疊型電子部件1的制造方法，以外部電極8及9、特別是第一鍍層IO的形成方法為中心，參照圖2圖5進行說明。圖2是對圖1所示的層疊體5的露出內(nèi)部電極3的一側(cè)的端面6附近進行放大表示的圖。圖2表示形成外部電極8之前的狀態(tài)。在存在有多個的內(nèi)部電極3中，抽出位于圖示區(qū)域的兩個內(nèi)部電極，分別附以參照符號"3a"及"3b"。圖2是任意抽出露出內(nèi)部電極3的端面6附近進行表示的圖，并非表示特定內(nèi)部電極3的圖。而且，以內(nèi)部電極3a及3b為代表的多個內(nèi)部電極3在該時點處于相互電絕緣的狀態(tài)。此外，對于另一側(cè)的端面7及在此處露出的內(nèi)部電極4，與上述的端面6及內(nèi)部電極3的情況實質(zhì)上相同，所以省略圖示及說明。在形成第一鍍層10時，將圖2狀態(tài)的層疊體5投入充滿鍍液的容器中，所述鍍液含有還原劑及具有相比還原劑的氧化還原電位電化學(xué)性高的析出電位的金屬離子。然后，使所述容器旋轉(zhuǎn)、擺動、傾斜或振動，將層疊體5在鍍液中攪拌時，在露出的內(nèi)部電極3a及3b與還原劑的相互作用下產(chǎn)生的電子供給到內(nèi)部電極3a及3b。然后，液體中的金屬離子接收該供給的電子作為金屬在內(nèi)部電極3a及3b的露出面析出。圖3表示在上述露出面析出的鍍敷析出物12a及12b的狀態(tài)。該狀態(tài)下的內(nèi)部電極3a及3b還處于相互電絕緣的狀態(tài)。進一步繼續(xù)無電解鍍敷工序時，金屬離子的析出繼續(xù)，析出的鍍敷析出物12a及12b進一步成長。圖4表示此時的狀態(tài)。析出的鍍敷析出物12a及12b越大，金屬離子的析出速度越快。然后，進一步繼續(xù)無電解鍍敷工序時，金屬離子的析出繼續(xù)，分別成長的鍍敷析出物12a與鍍敷析出物12b相互接觸而一體化。若繼續(xù)該狀態(tài)，則成為將露出的多個內(nèi)部電極3相互電連接的第一鍍層10。圖5表示此時的狀態(tài)。在上述的無電解鍍敷工序中，與電解鍍敷的情況相同，可以在充滿鍍液的容器內(nèi)投入層疊體5和介質(zhì)的狀態(tài)下實施攪拌。此時，介質(zhì)并不是發(fā)揮通電功能，但有利于提高層疊體5的攪拌作用，例如使圖4所示的鍍敷析出物12a及12b因碰撞而壓潰，沿著端面6延展地變形。在表示形成外部電極8之前的層疊體5的圖2中，將沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔規(guī)定為"s"。進而，將層疊體5的內(nèi)部電極3a及3b相對于露出內(nèi)部電極3的端面6的各自的縮入長度規(guī)定為"d"。此外，上述的縮入長度"d"在露出的內(nèi)部電極面的長度方向(與圖2的紙面垂直的方向)上存在一定程度的偏差，所以在此所說的"d"是加入了長度方向的偏差的平均值。如上所述，圖2圖5的經(jīng)過圖所示的現(xiàn)象起因于鍍敷析出物12a及12b的成長力的高度。鍍敷析出物12a及12b在其成長的同時容易向與端面6平行的方向延展，并且，鍍敷析出物12a及12b相互接觸時容易一體化。為了使上述現(xiàn)象容易產(chǎn)生，對于形成外部電極8之前的層疊體5而言，相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"需要為20,以下，且內(nèi)部電極3a及3b各自的縮入長度"d"需要為lpm以下。在間隔"s"為20pm以下時，圖3圖4中析出的鍍敷析出物12a及12b直到相互接觸所需要的鍍敷成長的長度短，相互接觸的概率升高，所以容易形成第一鍍層10，而且第一鍍層10的致密性提高。另外，在縮入長度"d"為lpm以下時，在內(nèi)部電極3a及3b的露出部分容易析出金屬離子，因此，鍍敷析出物12a及12b容易成長，所以容易形成第一鍍層10，而且第一鍍層10的致密性提高。在構(gòu)成層疊陶瓷電容器的層疊型電子部件1中，作為代表例，絕緣體層2由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，且內(nèi)部電極3及4的主成分由Ni及Cu、Ag等賤金屬構(gòu)成。此時，在燒成后的層疊體5中，內(nèi)部電極3及4比層疊體5的端面6及7更向內(nèi)側(cè)比較大地縮入的情況較多。這種情況下，在將縮入長度"d"設(shè)成lpm以下時，應(yīng)用噴砂處理及滾筒研磨等研磨處理削掉絕緣體層2即可。即使燒成后的層疊體5中內(nèi)部電極3及4的縮入長度"d"已經(jīng)在lpm以下，為了去除內(nèi)部電極3及4表面的氧化膜，另外對內(nèi)部電極3及4的表面進行粗加工，也希望實施上述的研磨處理。原因是，在無電解鍍敷工序中，能夠提高鍍敷析出物12a及12b相對于內(nèi)部電極3及4的密接性。另外，上述的研磨處理還作用于可靠地形成致密性更高的鍍膜。此時，內(nèi)部電極3及4的厚度沒有必要特別厚，不足1也足夠。能夠薄到0.2pm左右，在成本和小型化方面有利。內(nèi)部電極3及4的主成分沒有必要是Pd及Pt那樣的無電解鍍敷時催化劑活性高的金屬。也可以是Ni、Cu、Ag等金屬。內(nèi)部電極3及4的主成分為Ni的情況下，在無電解鍍敷時，適于采用次亞磷酸鈉等磷酸系的還原劑，內(nèi)部電極3及4的主成分為Cu或Ag的情況下，在無電解鍍敷時，適于采用甲醛等醛系還原劑。另外，內(nèi)部電極3及4的主成分為Ni、Cu或Ag時，Ni、Cu及Ag也可以和其他金屬成分形成合金。接著，如該實施方式所述，在進一步形成第二鍍層11時，在第一鍍層IO上釆用通常熟知的方法進行鍍敷即可。在形成第二鍍層11的階段，由于需要鍍敷的部位已成為具有導(dǎo)電性的連續(xù)的面，所以能夠容易地形成第二鍍層11。在第二鍍層11的形成中，不僅可以適用無電解鍍敷，還可以適用電解鍍敷。外部電極8及9如圖示的實施方式所述，沒有必要一定為2層結(jié)構(gòu)，也可以是l層結(jié)構(gòu)，或者是3層以上的結(jié)構(gòu)。例如可以列舉，第一、第二、第三鍍層以Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成的3層結(jié)構(gòu)、或第一、第二、第三、第四鍍層以Ni鍍層、Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成的4層結(jié)構(gòu)等。圖6是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的相當(dāng)于圖2的圖。圖6中，對于與圖2所示的要素相當(dāng)?shù)囊刭x予同樣的參照符號，省略重復(fù)的說明。第二實施方式中，簡單來說，特征在于內(nèi)部電極3a及3b從端面6突出。更具體來說，特征在于內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"為0.1,以上。而且，在該實施方式的情況下，在層疊體5的端面6，沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"沒有必要短到20pm以下，只要是在50pm以下就足夠。此外，上述的突出長度"p"在露出的內(nèi)部電極面的長度方向(與圖6的紙面垂直的方向)上存在一定程度的偏差，所以在此所說的"p"是加入了長度方向的偏差的平均值。如上所述，通過將突出長度"p"設(shè)在O.lpm以上，提高無電解鍍敷的析出力，鍍敷成長力也進一步提高。因此，與第一實施方式相比，能夠形成更致密的鍍膜，另外，能夠擴大內(nèi)部電極間間隔"s"，能夠提高層疊型電子部件的設(shè)計自由度。此外，對于另一側(cè)的端面7及在此處露出的內(nèi)部電極4(參照圖l)，與上述的端面6及內(nèi)部電極3的情況實質(zhì)上相同，所以省略圖示及說明。為了使內(nèi)部電極3a及3b從端面6突出，采用加強研磨的強度或在研磨劑中混入金屬提高研磨劑的硬度等的方法即可。特別是在絕緣體層2由陶瓷構(gòu)成的情況下，由于陶瓷比內(nèi)部電極3a及3b更容易磨削，所以可通過噴砂及滾筒研磨容易地得到使內(nèi)部電極3a及3b突出的狀態(tài)。另外，如果采用激光研磨，則能夠選擇性且有效地磨削陶瓷，所以能夠更容易地得到使內(nèi)部電極3a及3b突出的狀態(tài)。圖7是用于說明本發(fā)明的第三實施方式的相當(dāng)于圖6的圖。圖7中，對于與圖6所示的要素相當(dāng)?shù)囊刭x予同樣的參照符號，省略重復(fù)的說明。在圖7所示的實施方式中也一樣，滿足在層疊體5的端面6，沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"為50,以下，且內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"為O.lpm以上的條件。參照圖7說明的實施方式，在圖6所示的工序之后，根據(jù)需要來實施。即，內(nèi)部電極3a及3b的端部從端面6充分突出的情況下，若再繼續(xù)研磨，則如圖7所示，內(nèi)部電極3a及3b的突出的端部被按壓，向與端面6平行的方向擴展。其結(jié)果，內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"盡管不希望，但還是比圖6所示的狀態(tài)時短，但相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"有利，與圖6所示的狀態(tài)時短。在如上所述的情況下，在無電解鍍敷時，能夠?qū)嵸|(zhì)上縮短需要使析出的鍍敷析出物成長的距離。因而，鍍敷析出物的均勻性提高，另外，鍍敷效率也大大提高。另外，根據(jù)本實施方式，即使位于相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的絕緣體層2的厚度比較厚，也能夠縮短相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"。圖8是表示本發(fā)明的第四實施方式的層疊型電子部件21的外觀的立體圖。圖8所示的層疊型電子部件21具備層疊體22。層疊型電子部件21的特征在于，在層疊體22的特定的面23上形成有多個例如兩個外部電極24及25。省略了圖示，不過，層疊體22包括層疊的多個絕緣層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極。內(nèi)部電極的各端部在外部電極24及25形成前的層疊體22的上述的面23露出，外部電極24及25將多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地形成。該層疊型電子部件21為層疊陶瓷電容器的情況下，在外部電極24及25之間能夠獲得靜電電容。外部電極24及25與圖1的層疊型電子部件l的情況相同，實質(zhì)上僅由鍍敷析出物構(gòu)成，特別是外部電極24及25的至少與內(nèi)部電極直接連接的部分由無電解鍍敷析出物構(gòu)成。為了制造圖8所示的層疊型電子部件21，如果假設(shè)由膏劑電極層形成外部電極24及25，則其工序非常復(fù)雜。原因是，需要遮蔽層疊體22的外表面的需要形成外部電極24及25的部位以外的區(qū)域，例如需要絲網(wǎng)印刷等繁瑣的工序。與之相對，如本實施方式所述，在層疊體22的規(guī)定的面23上露出的多個內(nèi)部電極的端部直接析出鍍敷析出物時，不必特別需要遮蔽，所以工序非常簡便。即，層疊型電子部件21正因為采用了上述的鍍敷法，所以能夠有效地制造。圖9是表示圖8所示的層疊型電子部件21安裝在基板26上的狀態(tài)的圖。在基板26的表面，形成有端子27及28。在這些端子27及28上分別通過軟釬料29及30接合有層疊型電子部件21所具備的外部電極24及25。在該安裝狀態(tài)下，軟釬料29及30僅存在于外部電極24及25與端子27及28之間。另一方面，圖10是表示圖1所示的層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)的圖。在圖1所示的層疊型電子部件1的情況下，其外部電極8及9在相互對置的平行的面上，并不存在于同一平面上。因此，在層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)下，外部電極8及9所處的面和基板14上的端子15及16所處的面存在大致垂直地相交的位置關(guān)系。這種情況下，對于用于接合外部電極8及9和端子15及16的軟釬料17及18，如圖10所示，賦予具有一定程度以上的厚度的圓角(7<>'7卜)形狀。由此，根據(jù)前述的圖9所示的安裝狀態(tài)，與圖10所示的安裝狀態(tài)相比，由于外部電極24及25處于同一平面上，所以軟釬料29及30不形成圓角形狀，相應(yīng)地能夠提高向基板26的安裝密度。另外，層疊型電子部件21為層疊陶瓷電容器的情況下，在如圖9所示安裝的狀態(tài)下，若軟釬料29及30的量少，則能夠降低等效串聯(lián)電感(ESL)。由此，電容器充放電時的相位的位移量變小，特別是在高頻用途中實用。由此，在層疊型電子部件21中采用的結(jié)構(gòu)，在低ESL對應(yīng)層疊電容器中能夠有效適用。以上，結(jié)合圖示的實施方式對本發(fā)明進行了說明，不過在本發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠采用其他各種變形例。例如，作為適用了本發(fā)明的層疊型電子部件，層疊芯片電容器為代表性，不過，也能夠適用于其他的層疊芯片電感器、層疊芯片熱敏電阻等。因而，層疊型電子部件所具備的絕緣體層具有電絕緣的功能即可，其材質(zhì)不特別規(guī)定。即，絕緣體層并不限定于由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，也可以是其他的由壓電體陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷、磁性體陶瓷、樹脂等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。以下，為了確定本發(fā)明的范圍，或者為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，對實施的實施例進行說明。首先，在以下的表l中，表示該實施例中采用的四種無電解鍍敷條件"A""D"。<table>complextableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[實施例1]在實施例1中，在用于形成圖1所示的層疊型電子部件的層疊體中，準(zhǔn)備圖2或圖6所示的內(nèi)部電極間間隔"s"(絕緣體層的厚度)及縮入長度"d"或突出長度"p"種種變化的結(jié)構(gòu)，在各自的端面直接形成Ni鍍層，進一步在其上形成Sn鍍層，并調(diào)查了鍍敷的進行狀況。更加詳細(xì)為，作為被鍍敷物，準(zhǔn)備了長度1.6mm、寬度0.8mm及厚度0.8mm的層疊陶瓷電容器用層疊體，絕緣體層由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，絕緣體層的厚度、內(nèi)部電極的厚度及內(nèi)部電極的主成分分別如表2的"絕緣體層厚度"、"內(nèi)部電極厚度"及"內(nèi)部電極金屬種類"所示。在該時點，內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"在最大的部位為lOlxm。接著，對上述層疊體，使用氧化鋁系研磨粉進行噴砂處理，對內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"或突出長度"p"進行調(diào)節(jié)，如表2所示，對縮入長度"d"，在最大的部位進行測定，制作了2um的結(jié)構(gòu)和lym的結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，對突出長度"p"，在最短的部位進行測定，制作了lum的結(jié)構(gòu)。此外，對具有縮入長度"d"的試料，實施強度0.25MPa的噴砂，通過改變其時間，對縮入長度"d"進行控制。對具有突出長度"p"的試料，實施強度0.50MPa的噴砂，通過改變其時間，對突出長度"p"進行控制。噴砂結(jié)束后，從層疊體上清洗去除研磨粉，進行干燥。接著，將5000個上述層疊體投入容積300cc的旋轉(zhuǎn)滾筒中，如表2的"鍍敷條件"所示，在表1所示的條件"A"下，在內(nèi)部電極露出的層疊體的端面形成了作為第一鍍層的厚度5um的無電解Ni鍍膜。接著，將形成了上述作為第一鍍層的無電解Ni鍍膜的層疊體進入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為5.0的浴溫33。C的Sn鍍浴(fV、y7。乂一小公司制Sn—235)中，以轉(zhuǎn)速12i:.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時通過供電端子以電流密度0.07A/dr^通電50分鐘。這樣一來，在第一鍍層上形成了作為第二鍍層的厚度3nm的Sii鍍膜。如上所述，得到了具備相對于層疊體不形成膏劑電極層等，而直接形成鍍層來構(gòu)成的外部電極的各試料的層疊陶瓷電容器。接著，對于得到的100個層疊陶瓷電容器，用顯微鏡對外部電極進行觀察，測定了鍍敷未附著(不著)的面積比例。另外，對鍍敷未附著率為0%的試料，測量了直到鍍敷未附著率達到0%所需要的時間。這些平均值的結(jié)果示于表2。表2〗<table>complextableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如表2所示，在試料1及2中，由于內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"大，所以得到鍍敷未附著率高的結(jié)果。與之相對，在試料3及4中，由于縮入長度"d"小到lum，所以使鍍敷未附著率達到了0%。不過，如試料5所述，盡管縮入長度"d"為lum，但在"絕緣體層厚度"即相鄰內(nèi)部電極間間隔超過20um的情況下，產(chǎn)生了鍍敷未附著。另外，在試料6及7中，由于內(nèi)部電極的端部相對于露出面突出，所以與試料3及4相比較，鍍層的形成所需時間縮短，鍍敷效率高。另外，如試料7所述，即使"絕緣體層厚度"即內(nèi)部電極間間隔大至50um，也使鍍敷未附著率達到了0%。另外，試料47的結(jié)果，表示了通過事先的噴砂，即使內(nèi)部電極的主成分為催化劑能量低的Ni等賤金屬，也能夠得到致密性高的第一鍍層。在實施例2中，在特定的試料條件及鍍敷條件下，對層疊體的內(nèi)部電極的厚度影響進行了調(diào)查。作為被鍍敷物，除了將層疊體的絕緣體層的厚度固定為20um，且將內(nèi)部電極的主成分固定為Ni，同時使內(nèi)部電極的厚度如表3的"內(nèi)部電極厚度"那樣變化以外，準(zhǔn)備了與實施例1的情況相同的層疊體。接著，只對試料1113的層疊體，采用與實施例1的情況同樣的研磨劑實施噴砂，將內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"設(shè)為0.1um。接著，將5000個上述層疊體投入容積300cc的旋轉(zhuǎn)滾筒中，如表3的"鍍敷條件"所示，在表1所示的條件"A"下，在內(nèi)部電極露出的層疊體的端面形成了作為第一鍍層的厚度5ym的無電解Ni鍍膜。接著，采用與實施例1同樣的方法，在第一鍍層上形成了作為第二鍍層的厚度3um的Sn鍍膜。如上所述，得到了具備相對于層疊體不形成膏劑電極層等，而直接形成鍍層來構(gòu)成的外部電極的各試料的層疊陶瓷電容器。接著，對于得到的IOO個層疊陶瓷電容器，與實施例l的情況同樣，評價了鍍敷未附著率。另外，對鍍敷未附著率為0%的試料，測量了直到鍍敷未附著率達到0%所需要的時間。這些平均值的結(jié)果示于表3。<table>complextableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如表3所示，根據(jù)試料1113，實施事先的噴砂，將內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"設(shè)為lum以下，所以，即使內(nèi)部電極的厚度不足1.0um，也使鍍敷未附著率達到了0%。與此相對，根據(jù)試料編號14及15，由于內(nèi)部電極的縮入長度"d"大至2um，所以因?qū)?nèi)部電極的厚度設(shè)為不足1.0um，從而導(dǎo)致產(chǎn)生了鍍敷未附著。由此可知，內(nèi)部電極的厚度厚本來是不經(jīng)過事先的催化劑賦予工序而直接形成基于無電解鍍膜的第一鍍層的重要要素，但通過減小內(nèi)部電極的縮入長度"d"，即使是厚度不足l.Oum的薄的內(nèi)部電極，也能夠形成致密性高的第一鍍層。實施例3中，使用各種鍍敷金屬離子種及鍍敷條件，形成了第一鍍層。作為被鍍敷物，除了將層疊體的絕緣體層的厚度固定為20iim，且將內(nèi)部電極的厚度固定為0.6um，同時使內(nèi)部電極的主成分如表4的"內(nèi)部電極金屬種"那樣變化以外，準(zhǔn)備了與實施例1的情況相同的層疊體。接著，對該層疊體，采用與實施例1的情況同樣的研磨劑實施噴砂，將內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"設(shè)為0.1wm。接著，將5000個上述層疊體投入容積300cc的旋轉(zhuǎn)滾筒中，如表4的"鍍敷條件"所示，在表1所示的條件"B"、"C"或"D"下，在內(nèi)部電極露出的層疊體的端面形成了作為第一鍍層的厚度10ym的無電解鍍膜。在此，在試料21中形成無電解M鍍膜，在試料2224中形成了無電解Cu鍍膜。接著，對于試料21，采用與實施例1的情況同樣的方法，在第一鍍層上形成了作為第二鍍層的厚度5Um的Sn鍍膜。另一方面，對于試料2224，將形成了上述第一鍍層的層疊體進入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為4.2的浴溫6(TC的Ni鍍敷用瓦特浴中，以轉(zhuǎn)速lOr.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時通過供電端子以電流密度0.2A/dr^開始通電。在通電開始后的60分鐘后，形成了作為第二鍍層的厚度5Um的Ni鍍膜。進而，將形成了第二鍍層的層疊體進入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為5.0的浴溫33。C的Sn鍍敷浴(fV:y7。V—少公司制Sn—235)中，以轉(zhuǎn)速12r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時通過供電端子以電流密度0.07A/dm2通電50分鐘。這樣一來，形成了作為第三鍍層的厚度5"m的Sn鍍層。如上所述，得到了具備相對于層疊體不形成膏劑電極層等，而直接形成鍍層來構(gòu)成的外部電極的各試料的層疊陶瓷電容器。接著，對于得到的100個層疊陶瓷電容器，與實施例l的情況同樣，評價了鍍敷未附著率。另外，對鍍敷未附著率為0。^的試料，測量了直到鍍敷未附著率達到0%所需要的時間。這些平均值的結(jié)果示于表4。<table>complextableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>如表4所示，在試料2124的任一個中，鍍敷未附著率均為0%。由此可知，即使改變內(nèi)部電極的主成分及第一鍍層的主成分金屬，也能夠形成致密性高的無電解鍍膜，能夠得到高可靠性的層疊陶瓷電容器。權(quán)利要求1、一種層疊型電子部件的制造方法，包括準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，所述外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述準(zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體，在所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上相鄰的所述內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為20μm以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為1μm以下，所述形成外部電極的工序包括無電解鍍敷工序，所述無電解鍍敷工序?qū)υ谒鰷?zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的端部，使用含有還原劑的鍍液直接進行無電解鍍敷，所述無電解鍍敷工序包括使在多個所述內(nèi)部電極的端部析出的鍍敷析出物相互連接地使所述鍍敷析出物鍍敷成長的工序。2、一種層疊型電子部件的制造方法，包括準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，所述外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述準(zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體，在所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上相鄰的所述內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為50ym以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1Um以上，所述形成外部電極的工序包括無電解鍍敷工序，所述無電解鍍敷工序?qū)υ谒鰷?zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的端部，使用含有還原劑的鍍液直接進行無電解鍍敷，所述無電解鍍敷工序包括使在多個所述內(nèi)部電極的端部析出的鍍敷析出物相互連接地使所述鍍敷析出物鍍敷成長的工序。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，在所述形成外部電極的工序之前，還包括使用研磨劑對所述層疊體進行研磨的工序。4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述內(nèi)部電極的主成分是從Ni、Cu及Ag中選擇的至少一種。5、一種層疊型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述層疊體的所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上，沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰所述內(nèi)部電極間的間隔為20wm以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為1"m以下，所述外部電極的至少與所述內(nèi)部電極直接連接的部分由無電解鍍敷析出物構(gòu)成。6、一種層疊型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述層疊體的所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上，沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為50"m以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1um以上，所述外部電極的至少與所述內(nèi)部電極直接連接的部分由無電解鍍敷析出物構(gòu)成。7、根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述內(nèi)部電極的主成分是從Ni、Cu及Ag中選擇的至少一種。全文摘要本發(fā)明提供一種有效體積率優(yōu)異且可靠性高的層疊型電子部件，通過在層疊體的規(guī)定的面上，且多個內(nèi)部電極的各端部露出的部位，直接實施無電解鍍敷，能夠以良好的品質(zhì)形成使多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接的外部電極。作為層疊體(5)，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極(3a、3b)露出的端面(6)上相鄰內(nèi)部電極(3a、3b)相互電絕緣，并且沿絕緣體層(2)的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極(3a、3b)間的間隔(s)為20μm以下，且內(nèi)部電極(3a、3b)相對于端面(6)的縮入長度(d)為1μm以下。在無電解鍍敷工序中，使在多個內(nèi)部電極(3a、3b)的端部析出的鍍敷析出物相互連接地使該鍍敷析出物成長。文檔編號H01G4/12GK101346785SQ20078000092公開日2009年1月14日申請日期2007年2月5日優(yōu)先權(quán)日2006年2月27日發(fā)明者元木章博,國司多通夫,小川誠申請人:株式會社村田制作所