專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管，特別涉及一種多方向出光、亮度均勻的發(fā)光二極管。
技術(shù)背景如圖1所示，現(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)100，其結(jié)構(gòu)組成包含有襯底(PCB)101、金屬層(導(dǎo) 電層)102、芯片(chip) 103與透光層(環(huán)氧樹脂Epoxy) 104，各組件以水平層疊方式依次組合。 此發(fā)光二極管100通過通電后的芯片103，所發(fā)射出的光源，再穿透該透光層104，以達(dá)到發(fā) 光的目的。基于一般發(fā)光二極管100的透光層104的頂面105皆為平整的結(jié)構(gòu)，所以散射的光線均 為直向發(fā)光。因此，當(dāng)運(yùn)用在電子產(chǎn)品上，例如手機(jī)的按鍵面板(key Pad)底部時(shí)，因只發(fā) 射出直向光源的緣故，同時(shí)為使亮度均勻，所以必須使用多顆芯片(chip)，才能達(dá)到需求光 源亮度；或是增設(shè)反射蓋，輔以光源折射作用，才能達(dá)到使用的目的。圖2為現(xiàn)有發(fā)光二極管的光線分布的指向圖，經(jīng)光學(xué)仿真結(jié)果發(fā)現(xiàn)，圖1中的現(xiàn)有向上 投射的發(fā)光二極管，其散射出的光線如圖2的光源曲線S散布范圍，只集中在中間位置而已。因此，現(xiàn)有的發(fā)光二極管(LED)運(yùn)用在電子產(chǎn)品上，為了達(dá)到需求亮度以及亮度均勻的使 用效果，不但需增加芯片數(shù)量，或是在電子產(chǎn)品上配搭反射蓋，這提高了制造成本。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，提供一種發(fā)光二極管，在透光層的頂面形成有傾斜槽壁的導(dǎo)槽， 并在傾斜槽壁設(shè)有導(dǎo)光層，以發(fā)出多方向的光源，使整體亮度均勻。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案-一種發(fā)光二極管，在透光層的頂面形成有傾斜槽壁的導(dǎo)槽，并在傾斜槽壁設(shè)有導(dǎo)光層， 以發(fā)出多方向的光源，使整體亮度均勻。該發(fā)光二極管，包含一基層、載設(shè)于該襯底上的一 芯片、 一透光層與一導(dǎo)光層。該襯底為一絕緣襯底。該芯片載設(shè)于該導(dǎo)電層。該透光層，覆蓋于該芯片上，并包含一 導(dǎo)槽。該導(dǎo)槽形成于該透光層的一頂面，并具有一槽底及一槽壁，該槽壁自該槽底傾斜延伸 連接至該透光層的頂面。該導(dǎo)光層，形成于該透光層的導(dǎo)槽的槽壁上，該芯片所發(fā)出的光源 投射在該導(dǎo)光層上，經(jīng)導(dǎo)光作用而向外散射，使發(fā)光二極管整體的光源量度增加，且亮度更 均勻。本新型在透光層的頂面形成的導(dǎo)槽，且將導(dǎo)槽的槽壁壁面設(shè)成傾斜狀，并在槽壁壁面上 涂覆有導(dǎo)光材料，透過透光層的導(dǎo)光作用，使芯片發(fā)出的光源產(chǎn)生多向，如三向發(fā)光，使整 體亮度更均勻。
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。


圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管的組合剖視圖。圖2為現(xiàn)有發(fā)光二極管的光線分布的指向圖。圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的發(fā)光二極管的立體透視圖。圖4為該第一實(shí)施例的組合剖視圖。圖5為本實(shí)用新型采頂面發(fā)光的發(fā)光二極管的光線分布的指向圖。 圖6為本實(shí)用新型采全面發(fā)光的發(fā)光二極管的光線分布的指向圖。 圖7為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的組合剖視圖。 圖8為本實(shí)用新型第三實(shí)施例的立體透視圖。 圖9為本實(shí)用新型第四實(shí)施例的立體透視圖。圖io為本實(shí)用新型第五實(shí)施例的立體透視圖。100:發(fā)光二極管710:娥跳金屬層720:第二部位104:透光層800:焊料200:襯底101:襯底220:底面103:芯片300:導(dǎo)電層105:頂面320:第二導(dǎo)電部210:頂面410:導(dǎo)線230:缺口510:導(dǎo)槽310:第一導(dǎo)電部512:壁面400:心片514:第一壁面500:透光層516:第三壁面511:槽底520:頂面513:壁面600:導(dǎo)光層515:第二壁面517:第四壁面 711:缺口530:外側(cè)面 721:缺口700:底層 6:角度具體實(shí)施方式實(shí)施例一如圖3所示，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的第一實(shí)施例，其包含一襯底200、 一導(dǎo)電層300、 二芯片400、 一透光層500、 二導(dǎo)光層600與一底層700。如圖3、圖4所示，該襯底200為一絕緣襯底，在此為一電路基板(PCB)。該導(dǎo)電層300具有一第一導(dǎo)電部310與一第二導(dǎo)電部320。該第一導(dǎo)電部310與該第二導(dǎo) 電部320相互分離，并載設(shè)于該襯底200的一頂面210。該底層700由導(dǎo)電材料制成，并具有一第一部位710與一第二部位720。該第一部位710 與該第二部位720分別設(shè)于該襯底200的一底面220兩側(cè)。使用時(shí)，配合適量的焊料800填 入于該基座200的兩側(cè)缺口 230與該第一、二部位710、 720的外側(cè)缺口711、 721，使該底層 700的第一部位710與該導(dǎo)電層300的第一導(dǎo)電部310連接，而使該底層700的第二部位720 與該導(dǎo)電層300的第一導(dǎo)電部320連接。二芯片(chip)400分別載設(shè)于該導(dǎo)電層300的第一導(dǎo)電部310，并分別利用二導(dǎo)線410以 打線方式連接于該第一導(dǎo)電部310及第二導(dǎo)電部320。該透光層500為環(huán)氧樹脂(Epoxy)，覆蓋于該芯片400上。該透光層500包含一位于中央 處的導(dǎo)槽510，該導(dǎo)槽510形成于該透光層500的一頂面520，該導(dǎo)槽510具有一槽底511及 一槽壁。該槽底511為水平狀，該槽壁具有二壁面512，該壁面512自該導(dǎo)槽510的槽底511 傾斜延伸連接至該透光層500的頂面520。而該導(dǎo)槽510之槽底511與壁面512皆連通至該透 光層500的一外側(cè)面530。該導(dǎo)光層600為一鍍銀層，形成于該透光層500的導(dǎo)槽510的兩壁面512。且該導(dǎo)光層 600的導(dǎo)槽510正對(duì)位于該芯片400上方。如圖4所示，在本實(shí)施例中，該透光層500的傾斜壁面512與垂直方向的角度9設(shè)定為 60度。當(dāng)該芯片400是一個(gè)頂面發(fā)光的型態(tài)，在芯片400通電之后，如圖4的箭頭所示，光 線除了向上投射，而分別自該導(dǎo)槽510的槽底511以及該透光層500的水平頂面520發(fā)出光 源之外，投射在該透光層500壁面512的光線，經(jīng)由鍍銀導(dǎo)光層600的導(dǎo)光作用，再朝向該 透光層500的外側(cè)面530發(fā)出光源，因此，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管的光線分布方向?yàn)槿?發(fā)光，當(dāng)使用在手機(jī)的輸入面板(Key Pad),不但可擴(kuò)增光源的散射角度，以提高整體亮度，使亮度更均勻，且可減少芯片400的數(shù)量，從而降低了制造成本。如圖5所示，其為本實(shí)用新型發(fā)光二極管的光源分布的指向圖，此為一種頂面發(fā)光的芯 片型態(tài)，且槽壁壁面角度e為60度的發(fā)光二極管。經(jīng)光學(xué)試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，與圖2現(xiàn)有發(fā)光二 極管相比較，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的光線分布的曲線S涵蓋范圍大于現(xiàn)有發(fā)光二極管的光 線照射范圍。所以，使用在手機(jī)輸入面板(Key Pad)等光源需求幅度大的電子產(chǎn)品時(shí)，本實(shí)用 新型的發(fā)光二極管的整體亮度將大幅提高。如圖6所示，其為本實(shí)用新型發(fā)光二極管的光源分布的指向圖，此為一種全面發(fā)光的芯 片型態(tài)，且槽壁壁面角度e為60度的發(fā)光二極管。經(jīng)光學(xué)試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，此發(fā)光二極管的光 線的曲線S涵蓋范圍亦以多向散射的方式，獲得提高整體亮度作用，與現(xiàn)有圖2的發(fā)光二極 管的光源曲線S分布范圍相比較，同樣可獲得擴(kuò)大光線散射范圍的使用效果。綜上所述，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管在該透光層500的頂面520凹陷形成有傾斜壁面512 的導(dǎo)槽510，并在壁面512上涂覆導(dǎo)光材料(鍍銀導(dǎo)光層600)，讓芯片400發(fā)光的光源以三向 發(fā)光的方式，擴(kuò)增發(fā)光二極管整體的光線照射范圍，當(dāng)使用在手機(jī)的輸入面板(KeyPad)底部， 即可增加整體的光線散射范圍，又可增加發(fā)光角度，可減少此發(fā)光二極管上的芯片400數(shù)量， 故可降低制造成本。實(shí)施例二如圖7所示，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的第二實(shí)施例，包含一襯底200、 一導(dǎo)電層300、 二 芯片400、 一透光層500、 二導(dǎo)光層600與一底層700。此第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例不同的地方，只是變化該導(dǎo)槽510的形狀，該導(dǎo)槽510 的槽壁具有有二壁面512、 513，其中一個(gè)壁面512自該導(dǎo)槽510的槽底511傾斜延伸連接至 該透光層500的頂面520。另一個(gè)壁面513自該導(dǎo)槽510的槽底511垂直延伸連接至該透光層 500的頂面520，該壁面512、 513皆涂覆有該導(dǎo)光層600。在圖7中，該發(fā)光二極管在透光層500的頂面520形成有一正對(duì)于該芯片400的導(dǎo)槽510， 且該導(dǎo)槽510的兩壁面512、 513分別采用傾斜、垂直于槽底511的結(jié)構(gòu)型態(tài)，使該發(fā)光二極 管的光源除了直接穿透該透光層500的頂面520以及該導(dǎo)槽510的槽底511，以朝二個(gè)方向朝 上發(fā)光之外，還可通過單側(cè)的傾斜壁面512上的導(dǎo)光材料(鍍銀的導(dǎo)光層600)，將光源朝向該 透光層500的外側(cè)面530，以期獲得與第一實(shí)施例相同的多向發(fā)光的目的。實(shí)施例三如圖8所示，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的第三實(shí)施例，包含一襯底200、 一導(dǎo)電層300、 二 芯片400、 一透光層500、 二導(dǎo)光層600與一底層700。此第三實(shí)施例與上述第一實(shí)施例不同的地方，只是變化該導(dǎo)槽510的形狀，該導(dǎo)槽510 的槽壁具有四個(gè)壁面，第一壁面514與第二壁面515位于面對(duì)位置，并且分別自該導(dǎo)槽510 的槽底511傾斜延伸連接至該透光層500的頂面520，且該第一壁面514與第二壁面515涂覆 有導(dǎo)光層600。第三壁面516與第四壁面517位于面對(duì)位置，且分別連接在該第一壁面514與 第二壁面515之間，該第三壁面516與第四壁面517分別自該導(dǎo)槽510的槽底511垂直延伸 連接至該透光層500的頂面520。實(shí)施例四如圖9所示，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的第四實(shí)施例，包含一襯底200、 一導(dǎo)電層300、 二 芯片400、 一透光層500、 一導(dǎo)光層600與一底層700。此第四實(shí)施例與第三實(shí)施例不同之處，只是將該透光層500的導(dǎo)槽510的第三壁面516 與第四壁面517設(shè)成傾斜延伸連接在該導(dǎo)槽510的槽底511與該透光層500的頂面520之間， 且環(huán)周連接的第一壁面514、第二壁面515、第三壁面516與第四壁面517上均設(shè)有導(dǎo)光層600，其它結(jié)構(gòu)皆相同，不再贅述。圖8與圖9的第三與第四實(shí)施例中，是在說明一種設(shè)置于該透光層500頂面520的導(dǎo)槽 510，且未連通至該透光層500之外側(cè)面530，并且在傾斜的槽壁壁面上均設(shè)有導(dǎo)光材料，以 此以作為光源導(dǎo)向，并使發(fā)光二極管獲得多向光源的目的。此外，在上述各個(gè)實(shí)施例中，所有傾斜槽壁壁面512、 514、 515、 516、 517的角度9可 為30度至80度之間，在本實(shí)用新型中，此0角度皆為60度。通過不同角度的傾斜槽壁壁面， 透過導(dǎo)光層600的導(dǎo)光作用，均能使發(fā)光二極管發(fā)出多向的光線，如三向光源，以獲得本實(shí) 用新型的使用目的。實(shí)施例五如圖10所示，本實(shí)用新型發(fā)光二極管的第五實(shí)施例，是在說明一種使用單顆芯片400的 發(fā)光二極管，而且將該透光層500的導(dǎo)槽510呈開放狀形成于芯片400的正上方，至于使用 情況以及預(yù)期可獲得的功用皆與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。歸納上述，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管具有增加光源散射范圍，提高整體亮度，使亮度更 均勻，并可減少發(fā)光二極管的芯片數(shù)量，以降低制造成本。以上所述的五個(gè)實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域內(nèi) 的技術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能僅以本實(shí)施例來限定本實(shí)用新型 的專利范圍，即凡依本實(shí)用新型所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍落在本實(shí)用新型的 專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管，其特征在于包括一絕緣的襯底；至少一芯片，載設(shè)于該襯底上；一透光層，覆蓋于該芯片上，并包含一導(dǎo)槽，該導(dǎo)槽形成于該透光層的一頂面，并具有一槽底及一槽壁，該槽壁自該槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面；以及至少一導(dǎo)光層，形成于該透光層之導(dǎo)槽的槽壁上，該芯片所發(fā)出的光源投射在該導(dǎo)光層上，經(jīng)導(dǎo)光作用而向外散射。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)光層為一鍍銀層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)槽位于該透光層的頂面中央處， 并正對(duì)位于該芯片上方。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)光層有兩個(gè)，該透光層之導(dǎo)槽 的槽壁具有二個(gè)壁面，該等壁面皆自該導(dǎo)槽的槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面，該等導(dǎo) 光層分別形成于該等壁面上，該芯片所發(fā)出的光源投射在該等導(dǎo)光層上，經(jīng)導(dǎo)光作用而向外 散射。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)槽的槽底與槽壁均連通至該透 光層的一外側(cè)面。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)光層有兩個(gè)，該透光層的導(dǎo)槽 的槽壁具有二個(gè)壁面，其中一個(gè)壁面自該導(dǎo)槽的槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面，另一 個(gè)壁面自該導(dǎo)槽的槽底垂直延伸連接至該透光層的頂面，該導(dǎo)光層分別形成于該等壁面上， 該芯片所發(fā)出的光源投射在該等導(dǎo)光層上，經(jīng)導(dǎo)光作用而向外散射。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)槽的槽底與槽壁均連通至該透 光層的一外側(cè)面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于該導(dǎo)槽的槽壁具有四個(gè)壁面，第一 壁面與第二壁面位于面對(duì)位置，并且分別自該導(dǎo)槽的槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面， 該導(dǎo)光層形成于第一壁面與第二壁面上；第三壁面與第四壁面位于面對(duì)位置，且分別連接在 該第一壁面與第二壁面之間，該第三壁面與第四壁面分別自該導(dǎo)槽的槽底延伸連接至該透光 層的頂面。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于該槽壁的第三壁面與第四壁面皆自 該導(dǎo)槽的槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于該槽壁的第三壁面與第四壁面皆自該導(dǎo)槽的槽底垂直延伸連接至該透光層的頂面。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于還包括一導(dǎo)電層和多根導(dǎo)線；該 導(dǎo)電層包含一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，該芯片安置在該第一導(dǎo)電部上，所述導(dǎo)線分別連 接在該第一導(dǎo)電部與該芯片之間，以及連接在該芯片與該第二導(dǎo)電部之間。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于還包括一導(dǎo)電層和多根導(dǎo)線；該 芯片有兩個(gè)；該導(dǎo)電層包含-第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，該等芯片皆安置在該第一導(dǎo)電部 上，所述導(dǎo)線分別連接在該第一導(dǎo)電部與該等芯片之間，以及連接在該等芯片與該第二導(dǎo)電 部之間。
專利摘要一種發(fā)光二極管，包含一襯底、載設(shè)于該襯底的芯片、一透光層與一導(dǎo)光層。該透光層覆蓋于該芯片上，并包含一導(dǎo)槽，該導(dǎo)槽形成于該透光層的一頂面，并具有一槽底及一槽壁，該槽壁自該槽底傾斜延伸連接至該透光層的頂面。該導(dǎo)光層形成于該透光層之導(dǎo)槽的槽壁上，該芯片所發(fā)出的光源投射在該導(dǎo)光層上，經(jīng)導(dǎo)光作用而向外散射，使發(fā)光二極管的光源以多方向照射。
文檔編號(hào)H01L25/075GK201126827SQ20072017700
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2007年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月5日
發(fā)明者張正宜, 許嘉蕓, 鄒文杰, 陳錦慶 申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司