專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法和有機發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、該薄膜晶體管的制造方法和包括該薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管顯示裝置(OLED顯示裝置)，更具體地講，本發(fā)明涉 及一種能夠通過減少留在半導體層中的晶化誘導金屬的量來改進薄膜晶體管 的電學特性和漏電流特性的薄膜晶體管及其制造方法和包括該薄膜晶體管的 OLED顯示裝置。
背景技術：
通常，多晶硅層具有高的場效應遷移率，可以應用于高速操作的電路， 并且便于構成CMOS電路，從而被廣泛地用于形成薄膜晶體管的半導體層。 利用這種多晶硅層的薄膜晶體管通常用于有源矩陣液晶顯示器(AMLCD )的 有源器件以及OLED顯示裝置的開關器件和驅動器件。使非晶硅結晶為多晶硅的方法包括固相晶化(SPC)方法、準分子激光 退火(ELA)方法、金屬誘導晶化(MIC)方法、金屬誘導側向晶化(MILC) 方法等。在SPC方法中，在不高于大約700。C的溫度(該溫度為形成采用薄 膜晶體管的顯示裝置的基底的玻璃的變形溫度)下，將非晶硅層退火幾個小 時至幾十個小時。在ELA方法中，通過對非晶硅層照射準分子激光，對非晶 硅層局部加熱非常短的時間，從而誘導晶化。在MIC方法中，使晶化誘導金 屬例如，鎳、把、金、鋁等與非晶硅層接觸，或者將晶化誘導金屬例如，鎳、 鈀、金、鋁等注入非晶硅層中，由于晶化誘導金屬引起非晶硅層向多晶硅層 的相變。在MILC方法中，通過晶化誘導金屬與硅反應產(chǎn)生的硅化物側向連 續(xù)生長，從而順序誘導非晶硅層晶化。然而，在SPC方法中，由于工藝所用時間太長并且在高溫下執(zhí)行長時間 的退火，所以基底容易變形。ELA方法需要昂貴的激光裝置，并且在多晶化 的表面上具有凸起，所以半導體層和柵極絕緣層之間的界面特性差。MIC方 法或者MILC方法的缺點在于，由于大量的晶化誘導金屬留在多晶化的硅層 中，所以薄膜晶體管的半導體層的漏電流增大。
當前，因為利用晶化誘導金屬將非晶硅層晶化的方法具有執(zhí)行晶化時間 短并且比SPC方法的溫度低的優(yōu)點，所以對這種方法進行了許多研究。利用晶化誘導金屬的晶化方法包括MIC方法和MILC方法。然而，利用晶化誘導 金屬作為催化劑的這些方法由于晶化誘導金屬的污染而使薄膜晶體管器件特 性劣化。為了解決晶化誘導金屬的污染問題，提出了利用保護層的晶化方法作為 制造多晶珪層的方法(見第2003-0060403號韓國專利7>布)。該方法在基底 上沉積非晶硅層和保護層，在保護層上形成晶化誘導金屬層，通過退火或者 利用激光束的退火工藝使晶化誘導金屬穿過保護層擴散到非晶硅層中，從而 形成晶種，并且利用晶種得到多晶硅層。因為晶化誘導金屬穿過保護層擴散， 所以該方法具有防止被大于所需量的金屬污染的優(yōu)點，然而，仍然有大量的 晶化誘導金屬留在多晶硅層中。因此，在利用晶化誘導金屬將非晶硅層晶化之后，執(zhí)行用于去除晶化誘 導金屬的吸雜工藝(gettering process )。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種通過對留在利用晶化誘導金屬晶化的半導體層中的晶 化誘導金屬吸雜、減少留在半導體層中的晶化誘導金屬的量而具有良好的電 學特性的薄膜晶體管及其制造方法和包括該薄膜晶體管的OLED顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面， 一種薄膜晶體管包括基底；第一半導體層，設 置在基底上；第二半導體層，設置在第一半導體層上，其中，第二半導體層 具有暴露第一半導體層的預定部分的開口；源極和漏極，連接到第一半導體 層和第二半導體層；柵極絕緣層，設置為覆蓋源極和漏極；柵極，設置在通 過所述開口暴露的第 一半導體層的暴露部分上方的柵極絕緣層上。柵極絕緣 層也覆蓋第一半導體層的暴露部分。根據(jù)本發(fā)明的另一方面， 一種制造薄膜晶體管的方法包括以下步驟制 備基底；在基底上形成第一非晶硅層；通過利用晶化誘導金屬使第一非晶硅 層晶化為第一多晶硅層；在第一多晶硅層上形成第二非晶硅層；向第二非晶 硅層中注入雜質；將第一多晶硅層和第二非晶硅層退火，其中，第一多晶硅 層中的晶化誘導金屬被轉移到第二非晶硅層中，第二非晶硅層被晶化為第二 多晶硅層；將第一多晶硅層圖案化，形成第一半導體層；將第二多晶硅層圖
案化，形成第二半導體層，其中，第二半導體層具有暴露第一半導體層的預 定部分的開口；形成源極和漏極，所述源極和所述漏極連接到第一半導體層 和第二半導體層；形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋源極和漏極以及第 一半導體層的暴露部分；在通過所述開口暴露的第一半導體層的暴露部分上 方的柵極絕緣層上形成柵極。根據(jù)本發(fā)明的又一方面， 一種有機發(fā)光二極管顯示裝置(OLED顯示裝 置)包括基底；第一半導體層，設置在基底上；第二半導體層，設置在第 一半導體層上，其中，第二半導體層具有暴露第一半導體層的預定部分的開 口；源極和漏極，連接到第一半導體層和第二半導體層；柵極絕緣層，設置 為覆蓋源極和漏極以及第一半導體層的暴露部分；柵極，設置在通過間隙暴 露的第一半導體層的暴露部分上方的柵極絕緣層上；第一電極，連接到源極或者漏極；第二電極；有機層，設置在第一電極和第二電極之間。所述有機 層發(fā)射光。


通過參照下面的結合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的更完整的評價以及 本發(fā)明的許多附加優(yōu)點將容易清楚，并且本發(fā)明變得更容易理解，在附圖中， 相同的標號表示相同或相似的組件，其中圖1A至圖1D是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶化工藝的剖視圖； 圖2A至圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的制造薄膜晶體管的工藝 的剖碎見圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在，在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明 的示例性實施例。圖1A至圖1D是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶化工藝的剖視圖。如 圖1A中所示，在基底100 (例如，玻璃或者塑料)上形成緩沖層110。通過如，氧化硅層或者氮化硅層)的單層或者雙層形成緩沖層110。這里，緩沖 層110用來防止基底100產(chǎn)生的雜質或潮氣擴散或者用來控制晶化過程中的
傳熱速率，從而可以適當?shù)貓?zhí)行非晶硅層的晶化。接下來，在緩沖層110上形成第一非晶硅層120。這里，可以通過CVD 或者PVD來形成第一非晶硅層120。另外，當形成第一非晶硅層120時或者 在形成第一非晶硅層120之后，可以對第一非晶硅層120執(zhí)行脫氫工藝，來 降低氫濃度。接著，第一非晶硅層120被晶化為第一多晶硅層。在本發(fā)明中，通過利 用晶化誘導金屬的晶化方法例如，MIC方法、MILC方法或者超微粒硅(SGS ) 方法將第一非晶硅層120晶化為第一多晶硅層。在MIC方法中，晶化誘導金屬例如，鎳(Ni)、釔(Pd)、鋁(Al)等與 非晶硅層接觸，或者注入到非晶硅層中，由于晶化誘導金屬引起非晶硅層向 多晶硅層的相變。MILC方法使得通過晶化誘導金屬與硅反應產(chǎn)生的硅化物 側向連續(xù)生長，從而順序誘導從非晶硅層到多晶硅層的晶化。在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的利用SGS來形成多晶硅層 的方法。圖1B是示出在第一非晶硅層上形成保護層和晶化誘導金屬層的工藝 的剖浮見圖。參照圖1B,在第一非晶硅層120上形成保護層130。這里，保護層130 優(yōu)選地由氮化硅層形成，并且可以由氮化硅層和氧化硅層構成的雙層來形成， 其中，氮化硅層使將在后續(xù)工藝中形成的晶化誘導金屬通過退火工藝而擴散。 通過例如CVD、 PVD等方法來形成保護層130。這里，保護層130具有l(wèi)A 到2000 A的厚度。接下來，在保護層130上沉積晶化誘導金屬，從而形成晶化誘導金屬層 140。這里，晶化誘導金屬可以為從由Ni、 Pd、 Ti、 Ag、 Au、 Al、 Sn、 Sb、 Cu、 Co、 Mo、 Tr、 Ru、 Rh、 Cd和Pt組成的組中選擇的一種金屬，優(yōu)選地， 為Ni。這里，晶化誘導金屬層140在保護層130上形成的表面密度為IO"原 子/cr^至10"原子/cm2。這里，如果晶化誘導金屬具有小于1()U原子/cr^的 表面密度，則作為結晶核的晶種的量少，從而難以使非晶硅層晶化為多晶硅 層；如果晶化誘導金屬具有大于10"原子/ci^的表面密度，則擴散到非晶硅 層中的晶化誘導金屬的量大，從而多晶硅層的晶粒小，留下的晶化誘導金屬 的量大，從而通過將多晶硅層圖案化形成的半導體層的特性劣化。通常，在MIC方法或者MILC方法中應該仔細調(diào)節(jié)晶化誘導金屬層的厚 度或者晶化誘導金屬的密度。這是因為在晶化之后留在多晶硅層的表面上的
晶化誘導金屬引起例如薄膜晶體管的漏電流增大的問題。然而，根據(jù)本發(fā)明 可以形成厚的晶化誘導金屬層，而不用精確地控制晶化誘導金屬層的厚度或 密度。這是因為保護層130控制晶化誘導金屬的擴散，僅使少量的晶化誘導 金屬擴散到非晶硅層中，用于幫助晶化，并且使大部分晶化誘導金屬不穿透保護層130,從而對晶化沒有幫助。圖1C是示出使基底退火以使晶化誘導金屬穿過保護層擴散到第一非晶 硅層的界面的工藝的剖視圖。參照圖1C,形成有緩沖層IIO、第一非晶硅層 120、保護層130和晶化誘導金屬層140的基底100經(jīng)歷退火工藝150，使晶 化誘導金屬層140的一部分金屬移動到第一非晶硅層120的表面。即，由于 退火工藝150僅使晶化誘導金屬140a和140b中擴散穿過保護層130的少量 晶化誘導金屬140b擴散到第一非晶硅層120的表面，大部分晶化誘導金屬 140a沒有到達第一非晶硅層120或者沒有穿透保護層130。因此，由保護層130的擴散抑制能力來確定到達第一非晶硅層120的表 面的晶化誘導金屬的量，保護層130的擴散抑制能力與保護層130的厚度存 在緊密的聯(lián)系。即，當保護層130的厚度厚時，擴散的晶化誘導金屬的量減 少，從而晶粒尺寸較大；當保護層130的厚度薄時，擴散的晶化誘導金屬的 量增加，從而晶粒尺寸較小。這里，在20(TC至900。C的溫度下執(zhí)行幾秒至幾小時的退火工藝150來擴 散晶化誘導金屬，退火工藝150可以包括熔爐工藝、快速熱退火(RTA)工 藝、UV工藝和激光工藝中的一種工藝。圖1D是示出由于擴散的晶化誘導金屬使得第一非晶硅層晶化為第一多 晶硅層的工藝的剖視圖。參照圖1D,第一非晶硅層120被穿過保護層130擴 散到第一非晶硅層120的表面的晶化誘導金屬140b晶化為第一多晶硅層160。 即，擴散的晶化誘導金屬140b與非晶硅層中的硅化合，形成金屬硅化物，金 屬硅化物形成作為結晶核的晶種，從而非晶硅層被晶化為多晶硅層。這里，本發(fā)明的晶化方法包括在非晶硅層上形成保護層、在保護層上形 成金屬催化劑層并使該金屬催化劑層退火、擴散金屬催化劑和利用擴散的金 屬催化劑將非晶硅層晶化為多晶硅層，該方法被稱作SGS晶化方法。因此，可以調(diào)節(jié)作為結晶核的金屬硅化物的量，即，晶化誘導金屬140b 的量，從而可以調(diào)節(jié)第一多晶硅層160的晶粒尺寸。同時，在圖1D中，執(zhí)行退火工藝150,而不去除保護層130和晶化誘導
金屬層140。然而，也可以使晶化誘導金屬擴散到非晶硅層上來形成作為結晶核的金屬硅化物、去除保護層130和晶化誘導金屬層140并且對非晶硅層 執(zhí)行退火來形成多晶硅層。圖2A至圖2E是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的制造薄膜晶體管的工藝 的剖視圖。參照圖2A,在去除保護層130和晶化誘導金屬層140之后，在第 一多晶硅層160上形成第二非晶硅層170。第二非晶硅層170可以通過CVD 或者PVD來形成。接下來，將雜質離子175注入到第二非晶硅層170中。p型雜質離子或 者n型雜質離子可以用作用于形成薄膜晶體管的雜質離子175。這里，p型雜 質可以從由硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)組成的組中選擇，n型雜 質可以從由磷(P)、砷(As)和銻(Sb)組成的組中選擇。接著，參照圖2B,執(zhí)行退火工藝180,去除留在第一多晶硅層160中的 晶化誘導金屬(例如，Ni)。優(yōu)選地，退火工藝180在500。C至993。C的溫度 下執(zhí)行30秒到10小時。這是因為當在低于50(TC的溫度下執(zhí)行退火工藝 180時，不發(fā)生第一多晶硅層160的晶化誘導金屬(例如，Ni)的擴散，從 而難以去除晶化誘導金屬；當在高于993。C的溫度下執(zhí)行退火工藝180時， 共熔點為993。C的鎳在高于993。C的溫度下不再以固態(tài)形式存在，基底IOO會 由于高溫而變形。另外，當執(zhí)行退火工藝180的時間短于30秒時，第一多晶硅層160的晶 化誘導金屬(例如，Ni)不能被充分地去除；當執(zhí)行退火工藝180的時間超 過10小時時，由于退火時間長會引起基底100變形和薄膜晶體管的生產(chǎn)成本 和產(chǎn)率問題。因此，當由于退火工藝180使得留在第一多晶硅層160中的晶化誘導金 屬140b (例如，Ni)擴散到形成有第二非晶硅層170的區(qū)域時，晶化誘導金 屬沉淀，從而晶化誘導金屬不再擴散。這是因為晶化誘導金屬(例如，Ni) 在非晶硅中比在多晶硅中處于更穩(wěn)定的狀態(tài)，因此，多晶硅中的晶化誘導金 屬(例如，Ni)容易移動到非晶硅。這里，通過退火工藝180使得晶化誘導金屬(例如，Ni)擴散到第二非 晶硅層170,從而第二非晶硅層170由于晶化誘導金屬而被晶化為第二多晶 硅層。因此，通過去除留在第一多晶硅層160 (第一多晶硅層160作為第一半
導體層的溝道區(qū))中的晶化誘導金屬，留在第一半導體層的溝道區(qū)中的晶化誘導金屬的量小于lxl0"原子/cm3，從而形成具有優(yōu)良的電學特性的薄膜晶體管。參照圖2C，第一多晶硅層160和第二多晶硅層分別被圖案化，形成第一 半導體層190和第二半導體層200。第二半導體層200具有暴露第一半導體 層190的預定部分的開口 200c。第二半導體層200包括源半導體層200a和漏 半導體層200b。開口 200c在源半導體層200a和漏半導體層200b之間。參照圖2D，在基底IOO的整個表面上沉積用于源極和漏極的材料，接著 執(zhí)行圖案化，形成源極210a和漏極210b。因此，源極210a和漏極210b電連 接到第一半導體層190和第二半導體層200。具體地講，源極210a連接到源 半導體層200a，漏極210b連接到漏半導體層200b。這里，源極210a和漏極210b可以由從由鉬(Mo )、鴒(W )、鉬-鴒(MoW) 和鋁(Al)組成的組中選4奪的一種形成。參照圖2E，在基底100的整個表面上形成柵極絕緣層220,從而將柵極 絕緣層220下面的結構絕緣。柵極絕緣層220可以由氮化硅層、氧化硅層或 者它們的多層形成。接下來，在基底100的整個表面上沉積柵極材料，接著進行圖案化，形 成柵極230。柵極230可以為由Al或鋁合金(例如，鋁-釹(Al-Nd ))形成的 單層，或者為在Cr或Mo合金上堆疊鋁合金的多層。在第一半導體層的暴露 部分上方的柵極絕緣層上設置柵極230。因此，源半導體層200a和位于源半 導體層200a下面的第一半導體層190的一部分為源區(qū)191,漏半導體層200b 和位于漏半導體層200b下面的第一半導體層190的一部分為漏區(qū)193。柵極 230下面的第一半導體層190的暴露部分可以用作溝道區(qū)192。在本發(fā)明的示例性實施例中，描述了具有這種結構的薄膜晶體管，即， 源極和漏極設置在半導體層上，柵極絕緣層和柵極設置在源極和漏極上，然 而，本發(fā)明不僅可以應用于具有在半導體層上順序形成4冊4及絕緣層、柵極、 層間絕緣層、源極和漏極的結構的薄膜晶體管，而且可以應用于具有本發(fā)明 的精神內(nèi)的其它結構的薄膜晶體管。因此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例 的薄膜晶體管。如上所述，在經(jīng)歷了利用晶化誘導金屬的晶化工藝的多晶硅層上形成非 晶硅層，以去除留在多晶硅層中的晶化誘導金屬，從而可以提供能夠改進半 導體層的漏電流特性和電學特性的薄膜晶體管。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED顯示裝置的剖視圖。參照圖3, 在基底100的整個表面上形成平坦化層240。平坦化層240可以由有機層、 無機層或者它們的組合層形成。當平坦化層240由無機層形成時，平坦化層 240優(yōu)選地通過;J走涂3皮璃(SOG)形成；當平坦化層240由有才幾層形成時， 平坦化層240優(yōu)選地由丙烯酸樹脂(acrylic resin)、聚酰亞胺樹脂或者苯并環(huán) 丁烯(BCB)形成。
在這種情況下，蝕刻平坦化層240和斥冊極絕緣層220,形成暴露源極210a 和漏極210b中的一個的通孔，第一電極250形成為連接到源極210a和漏極 210b中的一個。第一電極250設置在通孔的底部，與源極210a和漏極210b 中的一個接觸，并且在平坦化層240上延伸。第一電極250可以由氧化銦錫 (ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
接下來，在包括第一電極250的基底100的整個表面上形成像素限定層 260，其中，像素限定層260的厚度足以充分地填充設置有第一電極250的通 孔。像素限定層260可以由有機層或者無機層形成，優(yōu)選地由有機層形成。 更加優(yōu)選地，像素限定層260由從由苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯酸聚合物和聚 酰亞胺組成的組中選擇的一種形成。像素限定層260具有良好的流動性，從 而它可以平滑地形成在基底的整個表面上。
在這種情況下，蝕刻像素限定層260,形成暴露第一電極250的開口， 在通過開口暴露的第一電極250上形成有機層270。有機層270至少包括發(fā) 射層，還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的 至少一個。
接下來，在基底100的整個表面上形成第二電才及280。第二電極280可 以由Mg、 Ag、 Al、 Ca以及它們的合金形成，這些材料作為透射電極是透明 的，并且具有低逸出功。因此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED顯 示裝置。
在由利用鎳作為晶化誘導金屬晶化的多晶硅層形成的半導體層中，在多 晶硅層上形成非晶硅層，接著非晶硅層經(jīng)過退火，作為晶化誘導金屬的鎳經(jīng) 過吸雜，可以使留在作為半導體層的溝道區(qū)的多晶硅層中的晶化誘導金屬的 量最小化，可以顯著地減小漏電流，從而提供具有良好的電學特性的薄膜晶 體管和包括該薄膜晶體管的OLED顯示裝置。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，可以提供通過去除留在半導體層中的晶化誘導 金屬而具有良好的漏電流特性和電學特性的薄膜晶體管及其制造方法和包括
該薄膜晶體管的OLED顯示裝置。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的特定示例性實施例描述了本發(fā)明，但是本領域技 術人員應該理解，在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神或范 圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。
權利要求
1、一種薄膜晶體管，包括基底；第一半導體層，設置在基底上；第二半導體層，設置在第一半導體層上，第二半導體層具有暴露第一半導體層的預定部分的開口；源極和漏極，連接到第一半導體層和第二半導體層；柵極絕緣層，設置為覆蓋源極、漏極和第一半導體層的暴露部分；柵極，設置在通過所述開口暴露的第一半導體層的暴露部分上方的柵極絕緣層上。
2、 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，第二半導體層包括源半導 體層和漏半導體層，所述開口在源半導體層和漏半導體層之間。
3、 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，第二半導體層注入有雜質。
4、 根據(jù)權利要求3所述的薄膜晶體管，其中，雜質包括磷或硼。
5、 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，第一半導體層和第二半導 體層中的每個包含晶化誘導金屬。
6、 根據(jù)權利要求5所述的薄膜晶體管，其中，晶化誘導金屬包括從由 Ni、 Pd、 Ti、 Ag、 Au、 Al、 Sn、 Sb、 Cu、 Co、 Mo、 Tr、 Ru、 Rh、 Cd和Pt 組成的組中選擇的材料。
7、 根據(jù)權利要求5所述的薄膜晶體管，其中，包含在第一半導體層中的 晶化誘導金屬具有小于1 x 1015原子/cm3的濃度。
8、 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，第一半導體層的非暴露部 分形成源區(qū)或漏區(qū)。
9、 根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，第一半導體層的暴露部分 形成溝道區(qū)。 .
10、 一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括以下步驟 制備基底；在基底上形成第一非晶硅層；通過利用晶化誘導金屬使第一非晶硅層晶化為第一多晶硅層； 在第一多晶硅層上形成第二非晶硅層；向第二非晶硅層中注入雜質；將第 一多晶硅層和第二非晶硅層退火，第 一多晶硅層中的晶化誘導金屬被轉移到第二非晶硅層中，第二非晶硅層被晶化為第二多晶硅層； 將第一多晶硅層圖案化，形成第一半導體層；將第二多晶硅層圖案化，形成第二半導體層，第二半導體層具有暴露第 一半導體層的預定部分的開口；形成源極和漏極，所述源極和所述漏極連接到第一半導體層和第二半導 體層；形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋源極、漏極和第一半導體層的暴 露部分；在通過所述開口暴露的第一半導體層的暴露部分上方的柵極絕緣層上形 成柵極。
11、 根據(jù)權利要求IO所述的方法，其中，第二半導體層包括源半導體層和漏半導體層，所述開口在所述源半導體層和所述漏半導體層之間。
12、 根據(jù)權利要求IO所述的方法，其中，將第一非晶硅層晶化的步驟包 括利用從由金屬誘導晶化、金屬誘導側向晶化和超微粒硅組成的組中選擇的 方法。
13、 根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，超微粒硅方法包括以下步驟 在第一非晶硅層上形成保護層；在保護層上形成晶化誘導金屬層，在晶化誘導金屬層中包含晶化誘導金屬；將晶化誘導金屬層、保護層和第一非晶硅層退火。
14、 根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，晶化誘導金屬包括從由Ni、 Pd、 Ti、 Ag、 Au、 Al、 Sn、 Sb、 Cu、 Co、 Mo、 Tr、 Ru、 Rh、 Cd和Pt組成 的組中選擇的金屬。
15、 根據(jù)權利要求IO所述的方法，其中，雜質包括磷或者硼。
16、 根據(jù)權利要求IO所述的方法，其中，將第一多晶硅層和第二非晶硅 層退火的步驟包括在大約500。C至993。C的溫度下加熱第一多晶硅層和第二非晶硅層。
17、 根據(jù)權利要求IO所述的方法，其中，將第一多晶硅層和第二非晶硅 層退火的步驟執(zhí)行大約30秒到10小時。
18、 一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括 基底；第一半導體層，設置在基底上；第二半導體層，設置在第一半導體層上，第二半導體層具有暴露第一半導體層的預定部分的開口；源極和漏極，連接到第一半導體層和第二半導體層； 柵極絕緣層，設置為覆蓋源極、漏極和第一半導體層的暴露部分； 柵極，設置在通過所述開口暴露的第一半導體層的暴露部分上方的柵極絕緣層上；第一電極，連接到源極或者漏極； 第二電極；有機層，設置在第一電極和第二電極之間，所述有機層發(fā)射光。
19、 根據(jù)權利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第二半導 體層包括源半導體層和漏半導體層，所述開口在源半導體層和漏半導體層之間。
20、 根據(jù)權利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第二半導 體層注入有雜質。
21、 根據(jù)權利要求20所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，雜質包括 磷或者硼。
22、 根據(jù)權利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一半導 體層和第二半導體層中的每個包含晶化誘導金屬。
23、 根據(jù)權利要求22所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，晶化誘導 金屬包括/人由Ni、 Pd、 Ti、 Ag、 Au、 Al、 Sn、 Sb、 Cu、 Co、 Mo、 Tr、 Ru、 Rh、 Cd和Pt組成的組中選4奪的材料。
24、 根據(jù)權利要求22所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，包含在第 一半導體層中的晶化誘導金屬具有小于1 x 1015原子/cm3的濃度。
25、 根據(jù)權利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一半導 體層的非暴露部分形成源區(qū)或漏區(qū)。
26、 根據(jù)權利要求18所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，第一半導 體層的暴露部分形成溝道區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種通過減少留在半導體層中的晶化誘導金屬的量而能夠改進電學特性和漏電流特性的薄膜晶體管及其制造方法和包括該薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管顯示裝置。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟在基底上形成第一非晶硅層；通過利用晶化誘導金屬使第一非晶硅層晶化為第一多晶硅層；在第一多晶硅層上形成第二非晶硅層；向第二非晶硅層中注入雜質；將第一多晶硅層和第二非晶硅層退火。第一多晶硅層中的晶化誘導金屬被轉移到第二非晶硅層中，第二非晶硅層被晶化為第二多晶硅層。
文檔編號H01L21/20GK101211985SQ200710306610
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權日2006年12月28日
發(fā)明者徐晉旭, 樸炳建, 李基龍, 梁泰勛 申請人:三星Sdi株式會社