專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明的實施方式涉及一種顯示器件，尤其涉及一種液晶顯示(LCD)器 件及其制造方法。盡管本發(fā)明的實施方式可適用于較寬的應用范圍，但尤其適 用于通過使用兩金屬層疊結構而減小掩模數(shù)來簡化制造工序和提高生產(chǎn)率，其 還適用于在兩金屬層疊結構中形成正錐形(forward taper)。
背景技術：
隨著消費者對信息顯示的關注度提高且對便攜式(移動)信息器件的要求 增加，輕且薄的平板顯示器("FPD")的研究和商業(yè)化也在增加。在FPD中，液晶顯示器("LCD")是用于通過利用液晶的光學各向異 性來顯示圖像的器件。LCD器件表現(xiàn)出優(yōu)秀的分辨率以及顏色和圖像質(zhì)量， 從而其廣泛用于筆記本計算機或桌上顯示器等。LCD包括濾色片基板、陣列基板和形成在濾色片基板與陣列基板之間的 液晶層。通常用于LCD的有源矩陣(AM)驅(qū)動方法是通過使用非晶硅薄膜晶體管 (a-Si TFT)作為開關元件來驅(qū)動像素部分中的液晶分子的方法。在LCD的制造工序中，主要進行多個掩模工序(即光刻工序)來制造包 含TFT的陣列基板，因此用于減小掩模工序數(shù)的方法可提高生產(chǎn)率。 現(xiàn)在將參照圖1詳細描述LCD的一般結構。 圖1是表示一般LCD器件的分解透視圖。如圖1中所示，LCD包括濾色片基板5、陣列基板10和形成在濾色片基 板5與陣列基板10之間的液晶層30。濾色片基板5包括具有實現(xiàn)紅色R、綠色G和藍色B的多個子濾色片7 的濾色片(C)、用于分割子濾色片7并阻止光穿過液晶層30的黑矩陣6、和 用于給液晶層30施加電壓的透明公共電極8。陣列基板10包括垂直和水平設置以確定多個像素區(qū)域(P)的柵線16和
數(shù)據(jù)線17、形成在柵線16和數(shù)據(jù)線17的各個交點處的TFT開關元件、和形 成在像素區(qū)域(P)上的像素電極18。濾色片基板5和陣列基板10通過形成在圖像顯示區(qū)域邊緣的密封劑(沒 有示出)以彼此面對的方式粘接，通過形成在濾色片基板5或陣列基板10上 的粘接標記(attachementkey)實現(xiàn)濾色片基板5和陣列基板10的粘接。 圖2A到2E是順序表示圖1中的LCD的陣列基板制造工序的橫截面圖。 如圖2A中所示，通過使用光刻工序(第一掩模工序)在基板上形成由導 電材料形成的柵極21。接著，如圖2B中所示，在其上形成有柵極21的基板10的整個表面上順 序沉積第一絕緣膜15a、非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，并且通過使用光刻工序 (第二掩模工序)將非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜選擇性地構圖，從而在柵極 21上形成非晶硅薄膜的有源圖案24。在該情形中，在有源圖案24上形成以與有源圖案24相同形式被構圖的 n+非晶硅薄膜圖案25。之后，如圖2C中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積導電金屬材料 并通過使用光刻工序(第三掩模工序)選擇性地構圖，從而在有源圖案24的 上部形成源極22和漏極23。此時，通過第三掩模工序移除形成在有源圖案24 上的一部分n+非晶硅薄膜圖案，從而在有源圖案24與源極22和漏極23之間 形成了歐姆接觸層25'。隨后，如圖2D中所示，在其上形成有源極22和漏極23的陣列基板10 的整個表面上沉積第二絕緣膜15b，通過光刻工序(第四掩模工序)移除一部 分第二絕緣膜15b，從而形成暴露出一部分漏極23的接觸孔40。如圖2E中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積透明導電金屬材料并通 過使用光刻工序(第五掩模工序)選擇性地構圖，從而形成通過接觸孔40與 漏極23電連接的像素電極18。如上所述，在依照相關技術制造包含TFT的陣列基板中，必須進行總共 五輪光刻工序來構圖柵極、有源圖案、源極和漏極、接觸孔和像素電極。光刻工序是將形成在掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到其上沉積有薄膜的基板上以形 成所需圖案的工序，其包括多個工序，如涂敷光敏溶液的工序、曝光工序和顯 影工序等，最終導致生產(chǎn)率下降。
尤其是，因為設計用于形成圖案的掩模十分昂貴，所以隨著工序中使用的 掩模數(shù)增加，LCD的制造成本成比例地增加。已經(jīng)提出了下述技術，即通過使用具有狹縫(衍射)掩模的單掩模工序形 成有源圖案和源極及漏極而進行四輪掩模工序來制造陣列基板。然而，因為通過進行兩次蝕刻工序而同時構圖有源圖案、源極和漏極以及 數(shù)據(jù)線，所以有源圖案突出地保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的下部附近。突出保留的有源圖案由本征非晶硅薄膜形成，從而突出保留的有源圖案暴 露于來自下面背光的光，產(chǎn)生了光電流。非晶硅薄膜與來自背光的閃光輕微發(fā) 生反應，并重復地變?yōu)榧せ詈头羌せ?，這導致光電流的變化。光電流分量的變 化與相鄰像素電極中流動的信號耦合，從而使位于像素電極處的液晶分子的移動扭曲。結果，產(chǎn)生了波動噪聲，從而在LCD屏幕上出現(xiàn)了波動的細線。此外，因為位于數(shù)據(jù)線下部的有源圖案具有從數(shù)據(jù)線兩側突出特定高度的 部分，所以像素部的開口區(qū)域被突出高度更多地占據(jù)，從而導致LCD孔徑比 的減小。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的實施方式涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術的限制和缺 點而導致的一個或多個問題的液晶顯示器(LCD)及其制造方法。本發(fā)明的實施方式的一個目的是提供一種能通過使用兩金屬層疊結構進 行四次掩模工序來制造陣列基板的液晶顯示器(LCD)及其制造方法。本發(fā)明的實施方式的另一個目的是提供一種能實現(xiàn)高圖像質(zhì)量而沒有產(chǎn) 生波動噪聲且能通過延伸開口區(qū)域來實現(xiàn)高亮度的LCD及其制造方法。本發(fā)明的實施方式的另一個目的是提供一種在兩金屬層疊結構中具有正 錐形并能防止底切現(xiàn)象的LCD。本發(fā)明實施方式的其他特征和優(yōu)點一部分在隨后的說明書中列出，一部分 通過下面的內(nèi)容將變得顯而易見或者從本發(fā)明實施方式的實踐而理解到。通過 在所寫說明書和權利要求以及附圖中特別指出的結構可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明實 施方式的目的和其他優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如這里具體化 和廣泛描述的，液晶顯示器(LCD)包括被分為像素部以及第一和第二焊盤
部的第一基板；形成在第一基板像素部的柵極和柵線；形成在柵極上方且呈島 狀的有源圖案，在有源圖案和柵極之間夾有第一絕緣膜，有源圖案具有比柵極 窄的寬度；形成在第一基板上的有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域上的歐姆接觸 層；在第一基板的柵極上方且呈島狀形成的源極和漏極，并且該源極和漏極通 過歐姆接觸層與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接；形成在第一基板的像 素部上并與柵線交叉以確定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；形成在像素區(qū)域并與漏極電連 接的像素電極；形成在第一基板上的第二絕緣膜；和以彼此面對的方式與第一 基板粘接在一起的第二基板。為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如這里具體化 和廣泛描述的， 一種LCD的制造方法，包括提供被劃分為像素部以及第一 焊盤部和第二焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部形成柵極和柵線；在柵 極上方形成島狀的有源圖案，并在第一基板的像素部形成與柵線交叉以確定像 素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；在第一基板的像素部形成源極和漏極，并在像素區(qū)域形成像 素電極；在源極和漏極的上部形成源極圖案和漏極圖案，其中源極圖案和漏極 圖案具有正錐形；在第一基板上形成第二絕緣膜；以及粘接第一基板和第二基 板。為了實現(xiàn)這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如這里具體化 和廣泛描述的， 一種兩金屬層疊結構的制造方法包括在基板上形成第一和第 二導電膜；在基板上形成第一光敏膜圖案；通過使用第一光敏膜圖案作為掩模 選擇性地移除第二導電膜，從而形成第二導電膜圖案；通過烘焙工序使第一光 敏膜圖案塌陷，從而形成覆蓋第二導電膜圖案的第二光敏膜圖案；和通過使用 第二光敏膜圖案作為掩模選擇性地移除第一導電膜，從而形成具有比第二導電 膜圖案大的寬度的第一導電膜圖案。應當理解，前面的一般描述和隨后的詳細描述是示范性的和說明性的，意在提供如權利要求所述的實施方式的進一步解釋。


包括以提供對本發(fā)明進一步理解并且結合進來作為作為本說明書一部分 的附圖示出多個實施例，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中 圖1是表示一般液晶顯示器(LCD)的分解透視圖2A到2E是順序表示圖1中的LCD的陣列基板制造工序的橫截面圖； 圖3是表示依照本發(fā)明第一個實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面圖；圖4是圖3中的陣列基板中部分"A"的放大圖；圖5A到5D是沿圖3中的陣列基板的線IIIa-IIIa' ， IIIb-IIIb， ， IIIc-IIIc'和IIId-IIId'提取順序表示顯示制造工序的橫截面圖；圖6A到6C是順序表示圖3中的陣列基板的制造工序的平面圖；圖7A到7F是表示圖5B和6B中的第二掩模工序的橫截面圖；圖8A到8D是順序表示依照本發(fā)明第一個實施方式的兩金屬層疊結構中的蝕刻工序的橫截面圖；圖9A到9E是順序表示依照本發(fā)明第二個實施方式的兩金屬層疊結構中的蝕刻工序的橫截面圖；圖10是表示依照本發(fā)明第二個實施方式的LCD的一部分陣列基板的示意性平面圖；圖11是圖10中的陣列基板中部分"A"的放大圖；和 圖12A到12D是沿圖10中的陣列基板中的線Xa-Xa， ， Xb-Xb' ， Xc-Xc' 和Xd-Xd'提取的順序表示制造工序的橫截面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖詳細描述液晶顯示器(LCD)及其制造方法。 圖3是表示依照本發(fā)明第一個實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面 圖，其中為了解釋方便，示出了包含柵焊盤部和數(shù)據(jù)焊盤部的單個像素。 圖4是圖3中陣列基板中部分"A"的放大圖。實際上，彼此交叉形成有N條柵線和M條數(shù)據(jù)線，從而確定了MxN個 像素。為了簡化解釋，只示出了單個像素。如圖3和4中所示，在依照本發(fā)明第一個實施方式的陣列基板110上，柵 線116和數(shù)據(jù)線117形成為垂直和水平地設置，從而確定像素區(qū)域。在柵線 U6和數(shù)據(jù)線117的交點處形成有薄膜晶體管(TFT)，即開關元件。在像素 區(qū)域內(nèi)形成有像素電極118，其與TFT連接，從而與濾色片基板(沒有示出) 的公共電極一起驅(qū)動液晶分子(沒有示出)。
柵焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p形成在陣列基板110的邊緣部并與 柵線116和數(shù)據(jù)線117電連接，并將從外部驅(qū)動電路單元(沒有示出)施加的 掃描信號和數(shù)據(jù)信號分別傳送到柵線116和數(shù)據(jù)線117。就是說，柵線U6和數(shù)據(jù)線117延伸到驅(qū)動電路單元，從而與相應柵悍盤 線U6p和數(shù)據(jù)焊盤線117p連接，柵焊盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p通過與柵 焊盤線116p和數(shù)據(jù)焊盤線117p電連接的柵焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極 127p從驅(qū)動電路單元接收掃描信號和數(shù)據(jù)信號。柵焊盤電極126p通過柵焊盤部接觸孔140與柵焊盤線117p電連接。TFT包括與柵線116連接的柵極121、與數(shù)據(jù)線117連接的源極122、和 與像素電極118連接的漏極123。 TFT還包括通過供給到柵極121的柵電壓而 在源極和漏極122和123之間形成導電溝道的有源圖案124。在本發(fā)明的實施方式中，有源圖案124由非晶硅薄膜形成并在柵極121 的上部處形成為島狀，從而減小TFT的截止電流(offcurrent)。在由不透明導電材料形成的源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線117的上部，形 成有由透明導電材料形成并被構圖為寬度比源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線117 大的源極圖案122'、漏極圖案123'和數(shù)據(jù)線圖案117'。依照本發(fā)明第一實施方式，源極122和漏極123在柵極121上并在由柵極 121周邊所確定的邊界內(nèi)形成為島狀，在該情形中，源極122通過源極圖案122' 與數(shù)據(jù)線117電連接，漏極123通過漏極圖案123'與像素電極118電連接。在本發(fā)明的第一實施方式中，源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線117完全被形 成在其上的源極圖案122'、漏極圖案123'和數(shù)據(jù)線圖案117'覆蓋，沒有 暴露的部分。前級柵線116'的一部分與像素電極118的一部分交迭，在它們之間夾有 第一絕緣膜(沒有示出)，從而形成存儲電容器Cst。存儲電容器Cst用于保 持施加給液晶電容器的電壓均勻，直到接收到下一個信號。就是說，陣列基板 110的像素電極118與濾色片基板的公共電極一起形成液晶電容器，并且通常， 施加給液晶電容器的電壓沒有保持到接收下一個信號，而是泄漏了。因而，為 了保持施加的電壓均勻，存儲電容器Cst應與液晶電容器相連。除了保持信號之外，存儲電容器還具有穩(wěn)定灰度顯示、減小閃爍影響、和 減小殘余圖像形成等效果。
這里，有源圖案124和數(shù)據(jù)線117通過使用半色調(diào)掩?；蜓苌?狹縫)掩模(當提到半色調(diào)掩模時，其含義還指包含狹縫掩模)的單掩模工序形成。源極122和漏極123、像素電極118、和柵焊盤電極126p和數(shù)據(jù)焊盤電極127p 通過使用兩金屬層疊結構的單掩模工序同時形成。下面將描述制造LCD的方法。圖5A至lj5D是沿圖3中的陣列基板的線IIIa-IIIa， ， IIIb-IIIb， ， IIIc-IIIc' 和nid-IIId'提取的順序表示制造工序的橫截面圖。左側示出了制造包含數(shù)據(jù) 線部的像素部的陣列基板的工序，右側示出了制造數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部的陣 列基板的順序工序。圖6A到6C是順序表示圖3中的陣列基板的制造工序的平面圖。如圖5A和6A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板110 的像素部上形成柵極121和柵線116和116'，在陣列基板110的柵焊盤部上 形成柵焊盤線116p。標號116'是指相對于相應像素來說的前級柵線，相應像素的柵線116和 前級柵線116'以相同的方式形成。在該情形中，通過在陣列基板110的整個表面上沉積第一導電膜并通過光 刻工序(第一掩模工序)對其進行選擇性地構圖來形成柵極121、柵線116和 116'以及柵焊盤線116p。這里，第一導電膜由低電阻的不透明導電材料形成，如鋁(Al)、鋁合金、 鴿(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鉬(Mo)等形成。此外，第一導電膜可通 過層疊兩個或多個低電阻導電材料的多層結構形成。接下來，如圖5B和6B中所示，在形成有柵極121、柵線116和116'以 及柵焊盤線116p的陣列基板110的整個表面上形成第一絕緣膜115a、非晶硅 薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜，然后通過光刻工序(第二掩模工序)選擇 性地移除，從而在柵極121上部形成由非晶硅薄膜形成的有源圖案124、同時 在數(shù)據(jù)線部形成由第二導電膜形成的數(shù)據(jù)線117。此時，由n+非晶硅薄膜和第二導電膜形成并以與有源圖案124相同方式 被構圖的第一n+非晶硅薄膜圖案130'和第二導電膜圖案150'保留在有源圖 案124上。此外，在數(shù)據(jù)線U7和數(shù)據(jù)焊盤線117p的下部，形成了由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜形成的并以與數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p相同的方式被構圖 的第一非晶硅薄膜120'和第二 n+非晶硅薄膜圖案130"、以及第二非晶硅薄 膜圖案120"和第三n+非晶硅薄膜圖案130"，。
這里，有源圖案124在柵極121上并在由柵極121周邊所確定的邊界內(nèi)形 成為島狀，在有源圖案124和柵極121之間夾有第一絕緣膜115a。通過使用 單個掩模，如半色調(diào)掩?；蜓苌?狹縫)掩模(之后當稱半色調(diào)掩模時，其還 包括衍射掩模)的單掩模工序(第二掩模工序)形成有源圖案124、數(shù)據(jù)線117、 和柵焊盤部接觸孔140?，F(xiàn)在在下面將詳細描述第二掩模工序。
圖7A到7F是詳細表示圖5B和6B中的第二掩模工序的橫截面圖。
如圖7A中所示，在形成有柵極121、柵線116和116'以及柵焊盤線U6p 的陣列基板110的整個表面上形成第一絕緣膜115a、非晶硅薄膜120、 n+非晶 硅薄膜130和第二導電膜150。在該情形中，第二導電膜150由低電阻的不透明導電材料形成，如鋁(AO、 鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鉬(Mo)等形成，從而形成源極、 漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤線(將要描述)。
之后，如圖7B中所示，在通過半色調(diào)掩模180選擇性輻射的陣列基板110 的整個表面上形成由光敏材料，如光刻膠形成的光敏膜170。
半色調(diào)掩模180包括允許照射的光全部透過的第一透射區(qū)域(I)、僅允 許光一部分透過而阻擋其余的光的第二透射區(qū)域(II)、和完全阻擋照射的光 的阻擋區(qū)域(III)。只有透過半色調(diào)掩模180的光才能照射到光敏膜170上。
隨后，當顯影通過半色調(diào)掩模180曝光的光敏膜170時，如圖7C中所示， 每個都具有特定厚度的第一到第四光敏膜圖案170a到170d保留在通過阻擋區(qū) 域(III)和第二透射區(qū)域(II)完全阻擋或部分阻擋光的區(qū)域處，在光全部透 過的透射區(qū)域(I)處的光敏膜完全被移除，從而暴露出第二導電膜130的表 面。
形成在阻擋區(qū)域III處的第一到第三光敏膜圖案170a到170c比通過第二 透射區(qū)域II形成的第四光敏膜圖案170d厚。此外，光全部透過第一透射區(qū)域 I的區(qū)域處的光敏膜完全被移除。這是因為使用了正型光刻膠。然而并不限于 此，在本發(fā)明實施方式中還可使用負型光刻膠。
之后，如圖7D中所示，通過使用第一到第四光敏膜圖案170a到170d作
為掩模選擇性地移除第一導電膜115a、非晶硅薄膜120、 n+非晶硅薄膜130 和第二導電膜150，從而在陣列基板110的柵焊盤部處形成暴露一部分柵焊盤 線116p的柵焊盤部接觸孔140。然后，進行灰化工序，從而移除第一到第三光敏膜圖案170a到170c的一 部分。然后，如圖7E中所示，完全移除第二透射區(qū)域II的第四光敏膜圖案。在 該情形中，通過僅移除第四光敏膜圖案的厚度，第一到第三光敏膜圖案僅在對 應于阻擋區(qū)域m的有源圖案區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域、和數(shù)據(jù)焊盤線區(qū)域處，保留 為第五到第七光敏膜圖案170a'到170c，。之后，如圖7F中所示，通過使用留下的第五到第七光敏膜圖案170a'到 170c'作為掩模移除部分非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜，從而在柵 極121上方并在由柵極121周邊所確定的邊界內(nèi)形成由非晶硅薄膜形成的島狀 的有源圖案124，從而減小TFT的截止電流。此外，通過使用第五到第七光敏膜圖案170a'到170c'作為掩模移除部 分非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜，從而分別在數(shù)據(jù)線部和數(shù)據(jù)焊盤 部形成由第二導電膜形成的數(shù)據(jù)線和柵焊盤線117p。此時，由n+非晶硅薄膜和第二導電圖案形成的并以與有源圖案124相同 方式被構圖的第一n+非晶硅薄膜圖案130'和第二導電膜圖案150'保留在有 源圖案124的上部。因而，有源圖案124在柵極121上方并在由柵極121周邊 所確定的邊界內(nèi)形成為島狀，從而減小TFT的截止電流。此外，由非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜形成的并以與數(shù)據(jù)線U7和數(shù)據(jù)焊 盤線117p相同方式被構圖的第一非晶硅薄膜圖案120'、第二n+非晶硅薄膜 圖案130"、和第三非晶硅薄膜圖案130"，形成在數(shù)據(jù)線117和數(shù)據(jù)焊盤線117p 的下部。因為數(shù)據(jù)線117不具有由非晶硅薄膜形成的有源圖案的尾部，所以不存在 由尾部可能導致的數(shù)據(jù)線117的信號干擾，且孔徑比沒有降低。接下來，如圖5C和6C中所示，在形成有有源圖案124的陣列基板110 的整個表面上沉積第三導電膜，然后通過使用光刻工序(第三掩模工序)移除 部分第二導電膜圖案和第三導電膜，從而在陣列基板110的像素部處形成由第 三導電膜形成的像素電極118，并同時形成由第四導電膜形成的源極122和漏
極123。此外，通過第三掩模工序，在陣列基板110的數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部處形成由第三導電膜形成的數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵焊盤電極126p。第三導電膜由具有良好透射率的透明導電材料，如銦錫氧化物(ITO)或 銦鋅氧化物(IZO)形成，從而形成像素電極118、數(shù)據(jù)焊盤電極127p和柵悍 盤電極126p。在該情形中，在由第二導電膜形成的源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線的上部 形成由第三導電膜形成的且寬度大于源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線117的源極 圖案122'、漏極圖案123'和數(shù)據(jù)線圖案117'。在本發(fā)明的第一實施方式中，源極122和漏極123在柵極121上方并在由 柵極121周邊所確定的邊界內(nèi)形成為島狀。源極122通過源極圖案122'與數(shù) 據(jù)線117電連接，漏極123通過漏極圖案123'與像素電極118電連接。源極122、漏極123和數(shù)據(jù)線117由形成在其上的源極圖案122'、漏極 圖案123'和數(shù)據(jù)線圖案117'完全覆蓋。通過第三掩模工序移除形成在有源圖案124上的第一 n+非晶硅薄膜圖案 的特定區(qū)域，從而形成歐姆接觸層125。此時，柵焊盤電極126p通過柵焊盤部接觸孔與下面的柵焊盤線116p電連 接，數(shù)據(jù)焊盤電極127p接觸并電連接下面的數(shù)據(jù)焊盤線117p。相應像素電極118的一部分形成為與前級柵線116'的一部分交迭，從而 與前級柵線U6，以及夾在其間的第一絕緣膜115a —起形成存儲電容器Cst。如圖5D和6C中所示，在陣列基板110的整個表面上形成第二絕緣膜 115b，并通過使用光刻工序(第四掩模工序)選擇性地移除，從而打開像素區(qū) 域和焊盤部。這樣，在本發(fā)明的第一實施方式中，通過總共四輪掩模工序制造包含TFT 的陣列基板110。就是說，如上所述，通過單掩模工序使用半色調(diào)掩模形成有 源圖案124和數(shù)據(jù)線117，以及通過使用兩金屬層疊結構通過單掩模工序形成 源極122、漏極123、和像素電極118。兩金屬層疊結構是下述一種技術，即其中層疊兩個導電膜并進行兩次濕 刻，從而形成每個都由不同導電膜形成的源極122和漏極123以及像素電極 118。如圖5D中所示， 一般在進行了第一次濕刻之后，當進行第二次濕刻時，
產(chǎn)生底切或形成倒錐形(T)?，F(xiàn)在將參照附圖詳細描述。圖8A到8D是順序表示依照本發(fā)明第一實施方式的兩金屬層疊結構中的蝕刻工序的橫截面圖。如圖8A中所示，在陣列基板110上層疊第一導電膜160和第二導電膜165， 然后形成由光敏膜，如光刻膠形成的特定光敏膜圖案175。在該情形中，為了形成源極和漏極，第一導電膜160由低電阻不透明導電 材料，如鋁、鋁合金、鉤、銅、鉻、鉬等形成。第二導電膜165由具有良好透 射率的透明導電材料，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成，從 而形成像素電極、源極圖案和漏極圖案。之后，如圖8B中所示，通過使用光敏膜圖案175作為掩模選擇性地移除 形成的第二導電膜165 (第一次濕蝕刻)，從而在陣列基板110上形成由第二 導電膜形成的第二導電膜圖案165'。在該情形中，第二導電膜圖案165'的側部通過第一次濕刻被過蝕刻，從 而具有比光敏膜圖案175小的寬度。在進行了第一次濕刻之后，如圖8C中所示，選擇性地移除下面的第一導 電膜，從而形成由第一導電膜形成的且寬度比第二導電膜圖案165，小的第一 導電膜圖案160'。這樣，因為對兩個金屬進行兩次濕刻，所以由第一導電膜形成的第一導電 膜圖案160'和由第二導電膜形成的第二導電膜圖案165'形成為具有層疊結 構。在該情形中，因為第一導電膜圖案160'蝕刻為具有比第二導電膜圖案 165'窄的寬度，所以第一導電膜圖案160'和第二導電膜圖案165'的側部具 有倒錐形(T)形狀。當本發(fā)明的第一實施方式采用該結構時，如圖5D中所示，第一導電膜圖 案160'對應于源極122和漏極123，第二導電膜圖案165'對應于源極圖案 122'和漏極圖案123'。為了改善該結構，在第一次濕刻之后通過烘焙工序使光敏膜圖案塌陷，從 而覆蓋上面的導電膜圖案，然后進行第二次濕蝕刻，由此防止上述底切現(xiàn)象的 產(chǎn)生并形成正錐形(forward taper shape)。這將通過本發(fā)明第二個實施方式進 行詳細描述。圖9A到9E是順序表示依照本發(fā)明第二個實施方式的兩金屬層疊結構中
的蝕刻工序的橫截面圖。
如圖9A中所示，在陣列基板210上層疊第一導電膜260和第二導電膜265， 然后在其上形成由光敏材料，如光刻膠形成的第一光敏膜圖案275。
之后，如圖8B中所示，通過使用第一光敏膜圖案275作為掩模選擇性地 移除下面的第二導電膜(第一次濕刻)，從而在陣列基板210上形成由第二導 電膜形成的第二導電膜圖案265'。
在該情形中，第二導電膜圖案265，側部的一部分通過第一次濕刻已經(jīng)過 蝕刻，從而第二導電膜圖案265'具有比光敏膜圖案275小的寬度。
在進行了第一次濕刻之后，以大約13(TC到16(TC的溫度進行烘焙工序。 然后如圖9C中所示，第一光敏膜圖案塌陷，從而形成具有覆蓋第二導電膜圖 案265'這種形式的第二光敏膜圖案275'。
隨后，通過使用第二光敏膜圖案275'作為掩模選擇性地移除下面的第一 導電膜260 (第二次濕刻)，從而形成由第一導電膜形成的具有比第二光敏膜 圖案275'小但比第二導電膜圖案265'大的寬度的第一導電膜圖案260'。
這樣，因為依照本發(fā)明第二實施方式的第一導電膜圖案260'被構圖為具 有比第二導電膜圖案265'大的寬度，所以第一和第二導電膜圖案260'和265' 的側部具有正錐形(T')。
現(xiàn)在將詳細描述依照本發(fā)明第二實施方式的LCD及其制造方法。
圖10是表示依照本發(fā)明第二實施方式的LCD的一部分陣列基板的示意性 平面圖，除了在兩金屬層疊結構中源極和漏極以及源極和漏極圖案具有正錐形 之外，其具有與依照本發(fā)明第一實施方式的LCD的陣列基板相同的結構。
圖11是圖10的陣列基板中部分"A"的放大圖。
如圖10和11中所示，柵線216和數(shù)據(jù)線217形成為垂直和水平地設置， 從而在陣列基板210上確定像素區(qū)域。在柵線216和數(shù)據(jù)線217的交點處形成 有薄膜晶體管(TFT)，即開關元件。在像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極218，其 與TFT連接，從而與濾色片基板(沒有示出)的公共電極一起驅(qū)動液晶分子 (沒有示出)。
柵焊盤電極226p和數(shù)據(jù)焊盤電極227p形成在陣列基板110的邊緣部并與 柵線216和數(shù)據(jù)線217電連接，并將從外部驅(qū)動電路單元(沒有示出)施加的
掃描信號和數(shù)據(jù)信號分別傳送到柵線216和數(shù)據(jù)線217。
就是說，柵線216和數(shù)據(jù)線217延伸到驅(qū)動電路單元，從而與相應柵焊盤 線216p和數(shù)據(jù)焊盤線217p連接，柵焊盤線216p和數(shù)據(jù)焊盤線217p通過與柵 焊盤線216p和數(shù)據(jù)焊盤線217p電連接的柵焊盤電極226p和數(shù)據(jù)焊盤電極 227p從驅(qū)動電路單元接收掃描信號和數(shù)據(jù)信號。
柵焊盤電極226p通過柵焊盤部接觸孔240與柵焊盤線216p電連接。前級 柵線216的一部分與上面的像素電極218交迭，在它們之間夾有第一絕緣膜(沒 有示出)，從而形成存儲電容器(Cst)。
TFT包括與柵線216連接的柵極221、與數(shù)據(jù)線217連接的源極222、和 與像素電極218連接的漏極223。 TFT還包括通過供給到柵極221的柵電壓而 在源極和漏極222和223之間形成導電溝道的有源圖案224。
有源圖案224在柵極221上方并在由柵極221周邊所確定的邊界內(nèi)形成為 島狀。
在由不透明導電材料形成的源極222、漏極223和數(shù)據(jù)線217的上部，形 成有源極圖案222'、漏極圖案223'和數(shù)據(jù)線圖案217'。
在本發(fā)明的第二實施方式中，源極222和漏極223在柵極221上方并在由 柵極221周邊所確定的邊界內(nèi)形成為島狀。在該情形中，源極與源極圖案222' 電連接，漏極223通過漏極圖案223，與像素電極218電連接。
源極222和漏極223的一些部分被形成源極圖案222'和漏極圖案223' 覆蓋，其他部分暴露。
就是說，與本發(fā)明第一實施方式中一樣，依照本發(fā)明第二實施方式的源極 和漏極222和223以及源極圖案222和漏極圖案，223'具有兩金屬層疊結構， 但與本發(fā)明第一實施方式不同的之處在于源極圖案222'和漏極圖案223'、 下面的導電膜圖案被蝕刻成具有比源極222和漏極223寬的寬度，從而在它們 的側部結構中形成正錐形。下面將描述該LCD的制造方法。
圖12A到12D是沿圖10中的陣列基板的線Xa-Xa， ， Xb-Xb' ， Xc-Xc' 和Xd-Xd'提取的順序表示制造工序的橫截面圖。
左側顯示了制造像素部的陣列基板的工序，右側顯示了制造數(shù)據(jù)焊盤部和 柵焊盤部的陣列基板的連續(xù)順序工序。
如圖12A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板210的像
素部上形成柵極221和柵線216'，在陣列基板210的柵焊盤部上形成柵焊盤 線216p。
標號216'是指相對于相應像素來說的前級柵線，相應像素的柵線(沒有 示出)和前級柵線216'以相同的方式形成。
在該情形中，通過在陣列基板210的整個表面上沉積第一導電膜并通過光 刻工序(第一掩模工序)對其進行選擇性地構圖來形成柵極221、柵線216' 以及柵焊盤線216p。
這里，第一導電膜由低電阻的不透明導電材料形成，如鋁、鋁合金、鎢、 銅、鉻和鉬等形成。此外，第一導電膜具有包含兩個或多個低電阻導電材料的 多層結構。
接下來，如圖12B中所示，在形成有柵極221、柵線216'以及柵焊盤線 216p的陣列基板210的整個表面上形成第一絕緣膜215a、非晶硅薄膜、n+非 晶硅薄膜和第二導電膜，然后通過光刻工序(第二掩模工序)選擇性地移除， 從而在柵極221上部形成由非晶硅薄膜形成的有源圖案224，同時在數(shù)據(jù)線部 形成由第二導電膜形成的數(shù)據(jù)線217。
然后，由n+非晶硅薄膜和第二導電膜形成并以與有源圖案224相同方式 被構圖的第一n+非晶硅薄膜圖案230，和第二導電膜圖案250'保留在有源圖 案224上。 -
此外，在數(shù)據(jù)線217和數(shù)據(jù)焊盤線217p的下部，形成了由非晶硅薄膜和 n+非晶硅薄膜形成并以與數(shù)據(jù)線217和數(shù)據(jù)焊盤線217p相同的方式被構圖的 第一非晶硅薄膜220，、第二 n+非晶硅薄膜圖案230"、第二非晶硅薄膜圖案 220"和第三n+非晶硅薄膜圖案230，"。
這里，依照本發(fā)明第二實施方式的有源圖案224在柵極221上方并在由柵 極221周邊所確定的邊界內(nèi)形成為島狀，在有源圖案124和柵極221之間夾有 第一絕緣膜215a從而減小TFT的截止電流。
此外，通過使用半色調(diào)掩模的單掩模工序(第二掩模工序)同時形成有源 圖案224、數(shù)據(jù)線217、和柵焊盤部接觸孔240。
此外，因為在依照本發(fā)明第二實施方式的數(shù)據(jù)線217下部處不具有由非晶 硅薄膜形成的有源圖案的尾部(或者區(qū)域)，所以不存在由有源圖案的尾部導 致的對數(shù)據(jù)線217的信號干擾，且孔徑比沒有降低。
這里，第二導電膜由低電阻的不透明導電材料形成，如鋁、鋁合金、鎢、 銅、鉻和鉬等形成，從而形成源極、漏極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤線(將要描述)。
接下來，如圖12C中所示，在形成有有源圖案224的陣列基板210的整 個表面上沉積第三導電膜，然后通過使用光刻工序(第三掩模工序)移除部分 第二導電膜圖案和第三導電膜，從而在陣列基板210的像素部處形成由第三導 電膜形成的像素電極218,并同時形成源極222和漏極223。
此外，通過第三掩模工序，在陣列基板210的數(shù)據(jù)焊盤部和柵焊盤部處形 成由第三導電膜形成的數(shù)據(jù)焊盤電極227p和柵焊盤電極226p。
這里，第三導電膜由具有良好透射率的透明導電材料，如銦錫氧化物 (ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成，從而形成像素電極218、數(shù)據(jù)焊盤電極 227p和柵焊盤電極226p。
在該情形中，在由第二導電膜形成的源極222、漏極223和數(shù)據(jù)線217的 上部形成由第三導電膜形成的源極圖案222，、漏極圖案223'和數(shù)據(jù)線圖案 217，。
依照本發(fā)明第二實施方式的源極222和漏極223在柵極221上方并在由柵 極221周邊所確定的邊界內(nèi)形成為島狀，在該情形中，源極222通過源極圖案 222'與數(shù)據(jù)線217電連接，漏極223通過漏極圖案223'與像素電極218電 連接。
通過第三掩模工序移除形成在有源圖案224上的第一 n+非晶硅薄膜圖案 的特定區(qū)域，從而形成使有源圖案224及源極和漏極222和223彼此歐姆接觸 的歐姆接觸層225。
在該情形中，柵焊盤電極226p通過柵焊盤部接觸孔與下面的柵焊盤線 216p電連接，數(shù)據(jù)焊盤電極227p接觸并電連接下面的數(shù)據(jù)焊盤線217p。
相應像素電極218的一部分與前級柵線216'的一部分交迭，從而與前級 柵線216'以及夾在其間的第一絕緣膜215a —起形成存儲電容器Cst。
這里，在本發(fā)明的第二實施方式中，通過使用上述的蝕刻工序形成源極 222和漏極223以及源極圖案222'和漏極圖案223'，從而在它們的側部結 構中具有正錐形(T)。
就是說，下面的源極222和漏極223被構圖成與源極圖案222'和漏極圖 案223'相比更加突出，從而使它們的側部具有正錐形，沒有導致底切現(xiàn)象。
如圖12D中所示，在陣列基板210的整個表面上沉積第二絕緣膜215b，
并通過使用光刻工序(第四掩模工序)選擇性地移除，從而打開像素區(qū)域和焊 盤部。在該情形中，在本發(fā)明的第二實施方式中，可防止當使用兩金屬層疊結 構時產(chǎn)生的底切或倒錐形，從而可減小隨后薄膜沉積工序中，即沉積第二絕緣
膜215b的工序的缺陷率。
通過涂敷在圖像顯示部的外邊緣的密封劑將依照本發(fā)明第一和第二示例 性實施方式的陣列基板與濾色片基板以彼此面對的方式粘接。在該情形中，濾 色片基板包括用于阻止光泄漏到TFT、柵線和數(shù)據(jù)線的黑矩陣和用于實現(xiàn)紅 色、綠色和藍色的濾色片。
可通過形成在濾色片基板或陣列基板上的粘接標記實現(xiàn)濾色片基板和陣 列基板的粘接。
在本發(fā)明的第一和第二實施方式中，作為有源圖案，使用利用非晶硅薄膜 的非晶硅TFT作為一個例子，但本發(fā)明并不限于此，作為有源圖案，還可使 用利用多晶硅薄膜的多晶硅TFT。
本發(fā)明還可適用于通過使用TFT制造的不同顯示器件，例如OLED (有 機發(fā)光二極管)顯示器件，其中OLED與驅(qū)動晶體管連接。
盡管以沒有脫離本發(fā)明精神或基本特性的幾個形式實施了本發(fā)明，但還應 理解，上述的實施方式不限于前面描述的任何細節(jié)，除非另有說明，而是應當 在所附權利要求中定義的其精神和范圍內(nèi)廣泛地進行解釋，因此通過所附權利 要求書覆蓋落入權利要求邊界和范圍，或者這種邊界或范圍的等效物內(nèi)的所有 變化和修改。
權利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，包括提供被劃分為像素部以及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部形成柵極和柵線；在柵極上方形成島狀的有源圖案，并在第一基板的像素部形成與柵線交叉以確定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；在第一基板的像素部形成源極和漏極，并在像素區(qū)域形成像素電極；在源極和漏極的上部形成源極圖案和漏極圖案，其中源極圖案和漏極圖案具有正錐形；在第一基板上形成第二絕緣膜；以及粘接第一基板和第二基板。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括 在第一基板的第一焊盤部形成柵焊盤線，柵焊盤線由形成柵極的第一導電膜形成。
3. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成有源圖案和數(shù)據(jù) 線的步驟包括在第一基板上形成第一絕緣膜、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜；和選擇性地移除非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜，從而形成在柵極 上方呈島狀的有源圖案，并在第一基板的像素部形成與柵線交叉以確定像素區(qū) 域的數(shù)據(jù)線。
4. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括 選擇性地移除非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和第二導電膜，從而在有源圖案上形成由n+非晶硅薄膜和第二導電膜形成的n+非晶硅薄膜圖案和第二導電膜 圖案。
5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述n+非晶硅薄膜圖案和 第二導電膜圖案以與有源圖案相同的形式形成。
6. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括 移除第一絕緣膜，從而形成暴露一部分柵焊盤線的接觸孔。
7. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，有源圖案由非晶硅薄膜形 成，數(shù)據(jù)線由第二導電膜形成。
8. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括在第一基板的第二焊盤部形成由第二導電膜形成的數(shù)據(jù)焊盤線。
9. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括移除部分n+非晶硅薄膜圖案和部分第二導電膜圖案，從而暴露一部分有 源圖案。
10. 根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，移除一部分n+非晶硅薄 膜圖案，從而形成歐姆接觸層。
11. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成源極、漏極和像 素電極的步驟包括在第一基板上形成第三導電膜；在形成有第三導電膜的第一基板上形成由光刻膠形成的第一光敏膜圖案；通過使用第一光敏膜圖案作為掩模選擇性地移除第三導電膜，從而形成由 第三導電膜形成的源極圖案和漏極圖案；通過烘焙工序使第一光敏膜圖案塌陷，從而形成覆蓋源極圖案和漏極圖案 的第二光敏膜圖案；以及通過使用第二光敏膜圖案作為掩模選擇性地移除第二導電膜圖案，從而在 柵極的上部形成由第二導電膜形成的源極和漏極，在像素區(qū)域形成由第二導電 膜形成的像素電極。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，通過濕刻選擇性地移除 第三導電膜和第二導電膜圖案。
13. 根據(jù)權利要求ll所述的方法，其特征在于，以大約13(TC到16(TC范 圍內(nèi)的溫度進行烘焙工序。
14. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，源極通過源極圖案與數(shù)據(jù) 線電連接。
15. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，漏極通過漏極圖案與像素 電極電連接。
16. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，源極和漏極在柵極的上部 處形成為島狀。
17. 根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括 形成通過接觸孔與柵焊盤線電連接的柵焊盤電極。
18. 根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括 在第一基板的第二焊盤部形成與數(shù)據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
19. 一種液晶顯示器件，包括被分為像素部以及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板； 在第一基板像素部形成的柵極和柵線；有源圖案，形成在柵極上方且呈島狀，在有源圖案和柵極之間夾有第一絕 緣膜，并且有源圖案具有比柵極窄的寬度；歐姆接觸層，形成在第一基板上的有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域上；源極和漏極，在第一基板的柵極上方且呈島狀形成，并且通過歐姆接觸層 與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接；數(shù)據(jù)線，形成在第一基板的像素部上并與柵線交叉以確定像素區(qū)域；像素電極，形成在像素區(qū)域并與漏極電連接；第二絕緣膜，形成在第一基板上；以及第二基板，以彼此面對的方式與第一基板粘接在一起。
20. 根據(jù)權利要求19所述的器件，其特征在于，還包括 形成在第一基板的第一焊盤部的柵焊盤線，柵焊盤線由形成柵極的第一導電膜形成。
21. 根據(jù)權利要求20所述的器件，其特征在于，還包括接觸孔，通過移除一部分第一絕緣膜形成的，并且該接觸孔暴露一部分柵 焊盤線。
22. 根據(jù)權利要求21所述的器件，其特征在于，源極、漏極和數(shù)據(jù)線由 不透明的第二導電膜形成。
23. 根據(jù)權利要求22所述的器件，其特征在于，還包括 形成在源極、漏極和數(shù)據(jù)線上部的源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案，源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線由透明的第三導電膜形成。
24. 根據(jù)權利要求22所述的器件，其特征在于，還包括 形成在第一基板的第二焊盤部的數(shù)據(jù)焊盤線，數(shù)據(jù)焊盤線由形成源極和漏極的第二導電膜形成。
25. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，源極通過源極圖案與數(shù) 據(jù)線電連接。
26. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，漏極通過漏極圖案與像 素電極電連接。
27. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，還包括 通過接觸孔與柵焊盤線電連接的柵焊盤電極，柵焊盤電極由第三導電膜形成。
28. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，還包括 形成在第一基板的第二焊盤部并與數(shù)據(jù)焊盤線電連接的數(shù)據(jù)焊盤電極，數(shù)據(jù)焊盤電極由第三導電膜形成。
29. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，源極和漏極與源極圖案 和漏極圖案在它們的側部結構中具有正錐形。
30. 根據(jù)權利要求23所述的器件，其特征在于，源極和漏極被上面的源 極極圖案和漏極圖案覆蓋，沒有任何暴露的部分。
31. —種兩金屬層疊結構的制造方法，包括-在基板上形成第一導電膜和第二導電膜； 在基板上形成第一光敏膜圖案；通過使用第一光敏膜圖案作為掩模選擇性地移除第二導電膜，從而形成第 二導電膜圖案；通過烘焙工序使第一光敏膜圖案塌陷，從而形成覆蓋第二導電膜圖案的第 二光敏膜圖案；以及通過使用第二光敏膜圖案作為掩模選擇性地移除第一導電膜，從而形成具 有比第二導電膜圖案大的寬度的第一導電膜圖案。
32. 根據(jù)權利要求31所述的方法，其特征在于，通過濕刻選擇性地移除 第一導電膜和第二導電膜。
33. 根據(jù)權利要求31所述的方法，其特征在于，以大約13(TC到16(TC范 圍內(nèi)的溫度進行烘焙工序。
全文摘要
一種液晶顯示(LCD)器件，包括被劃分為像素部以及第一和第二焊盤部的第一基板；形成在第一基板的像素部的柵極和柵線；在柵極上方呈島狀形成的有源圖案，在有源圖案和柵極之間夾有第一絕緣膜，有源圖案具有比柵極小的寬度；在第一基板上的有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域上形成的歐姆接觸層；在第一基板的柵極上方呈島狀形成并通過歐姆接觸層與有源圖案的源極區(qū)域和漏極區(qū)域電連接的源極和漏極；形成在第一基板的像素部上并與柵線交叉以確定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；形成在像素區(qū)域并與漏極電連接的像素電極；形成在第一基板上的第二絕緣膜；和以彼此面對的方式與第一基板粘接的第二基板。
文檔編號H01L21/84GK101211863SQ200710306319
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權日2006年12月29日
發(fā)明者林柄昊, 洪玄碩, 鄭志炫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社