專利名稱：太陽能電池組件及其制造設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池組件及其制造設(shè)備，特別涉及一種可撓曲的太陽能電池組件及制 造該太陽能電池組件的設(shè)備。
背景技術(shù)：
太陽能電池主要應(yīng)用的是光電轉(zhuǎn)換原理，其結(jié)構(gòu)主要包括基板以及設(shè)置在基板上的P型 半導(dǎo)體材料層和N型半導(dǎo)體材料層。
光電轉(zhuǎn)換是指太陽的輻射能光子通過半導(dǎo)體物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿倪^程(請(qǐng)參見"Grown junction GaAs solar cell" ，Shen， C. C. ; Pearson, G丄；Proceedings of the IEEE: Volume 64， Issue 3， March 1976 Page (s) : 384-385)。當(dāng)太陽光照射到半導(dǎo)體上時(shí)，其中 一部分被表面反射掉，其余部分被半導(dǎo)體吸收或透過。被吸收的光，當(dāng)然有一些變成熱能， 另一些光子則同組成半導(dǎo)體的原子價(jià)電子碰撞，于是產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這樣，光能就以產(chǎn) 生電子-空穴對(duì)的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，并在P型和N型交界面兩邊形成勢(shì)壘電場(chǎng)，將電子驅(qū)向N 區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)，從而使得N區(qū)有過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴，在P-N結(jié)附近形成與 勢(shì)壘電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。光生電場(chǎng)的一部分除抵銷勢(shì)壘電場(chǎng)外，還使P型層帶正電， N型層帶負(fù)電，在N區(qū)與P區(qū)之間的薄層產(chǎn)生所謂光生伏打電動(dòng)勢(shì)。若分別在P型層和N型層焊 上金屬引線，接通負(fù)載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個(gè)個(gè)電池元件，把它們串聯(lián) 、并聯(lián)起來，就能產(chǎn)生一定的電壓和電流，輸出功率。
近年來，太陽能電池已經(jīng)廣泛應(yīng)用于航天、工業(yè)、氣象等領(lǐng)域，如何將太陽能電池應(yīng)用 于日常生活用品，以解決能源短缺、環(huán)境污染等問題已成為一個(gè)熱點(diǎn)問題。這其中，太陽能 建筑將太陽能電池與建筑材料相結(jié)合，使得未來的大型建筑或家庭房屋實(shí)現(xiàn)電力自給，是 未來一大發(fā)展方向，德國(guó)、美國(guó)等國(guó)家更提出光伏屋頂計(jì)劃。
然而一般的太陽能電池的基板都采用單晶硅、多晶硅或玻璃等材料，這些材料易碎且不 易撓曲，難以固定在一個(gè)彎曲的表面上，限制了太陽能電池面板的形狀及安裝位置，尤其在 希望把其應(yīng)用于與建筑材料結(jié)合的模件中時(shí)，會(huì)受到許多限制。即使把這樣的太陽能電池布 置在不須經(jīng)受彎曲的區(qū)域時(shí)，它也可能被其所在環(huán)境的風(fēng)力或者震動(dòng)瞬間施壓而發(fā)生破裂。 此外，單晶硅或多晶硅材料價(jià)格昂貴很難實(shí)現(xiàn)大面積的應(yīng)用，而玻璃雖然價(jià)格相對(duì)低廉但重 量相對(duì)較重，其應(yīng)用的領(lǐng)域也受到一定的限制。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提供一種價(jià)格低廉，輕質(zhì)，且具有一定撓曲性的太陽能電池組件實(shí)為必要。 一種太陽能電池組件，包括一個(gè)可撓曲基板。該基板具有兩個(gè)相對(duì)的表面，其中一個(gè)表 面上依次形成有電極層，P型半導(dǎo)體層，P-N結(jié)層，N型半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層，及金屬導(dǎo)電 層。該基板的材料是鋁鎂合金。
一種太陽能電池組件的制造設(shè)備，用于在鋁鎂合金基板的表面形成太陽能電池組件，該 制造設(shè)備包括第一區(qū)域，用于在該基板的一個(gè)表面上形成電極層；第二區(qū)域，用于在該電 極層上形成P型半導(dǎo)體層；第三區(qū)域，用于在該P(yáng)型半導(dǎo)體層上形成P-N結(jié)層；第四區(qū)域，用 于在該P(yáng)-N結(jié)層上形成N型半導(dǎo)體層；第五區(qū)域，用于在該N型半導(dǎo)體層上形成該透明導(dǎo)電層 ;及第六區(qū)域，用于在該透明半導(dǎo)體層上形成金屬導(dǎo)電層，從而得到可撓曲的太陽能電池組 件。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的太陽能電池組件具有較好的撓曲性，將其應(yīng)用于建筑領(lǐng) 域時(shí)，更容易配合建筑物本身的形狀形成不同幾何形狀的太陽能電池組件，這樣可以吸收到 不同時(shí)段太陽發(fā)出的光能。
可以理解的是，本發(fā)明提供的太陽能電池組件不僅可以應(yīng)用于建筑領(lǐng)域，由于其具有輕 質(zhì)、成本低、且易撓曲的特性，還可以廣泛的應(yīng)用于航天器，海上運(yùn)輸工具，交通工具，以 及手機(jī)等3C產(chǎn)品上。


圖l是本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽能電池組件的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的制造設(shè)備的示意圖。 圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例的制造設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參見圖l，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種可撓曲太陽能電池組件IO，該太陽能電池組件 lO包括一基板ll，該基板11具有第一表面110及第二表面111，該基板11的第一表面110上依 次形成有第一電極層12，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層13，及與第一電極層12極性相反的第二電極層14。
于本實(shí)施例中，該基板11是可撓曲的鋁鎂合金(A1-Mg alloy)箔(foil),該基板的厚度 大約在10y m至100y m之間。
該第一電極層12形成在該基板11的第一表面110上。該第一電極層12的材料可以是銀 (Ag)、銅(Cu)、或鋁(A1)等金屬，也可以是鋁銅合金(A1-Cu alloy)，銅鉬合金(Cu-Mo alloy)等合金材料。該第一電極層的厚度大約在O. lum至10um之間。該第一電極層12可以 采用濺射(sputtering)或者沉積(d印ositing)的方法形成。
該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層13可以為三層結(jié)構(gòu)，其包括一P型半導(dǎo)體層131、 一N型半導(dǎo)體層133、以 及位于P型半導(dǎo)體層132與N型半導(dǎo)體層133之間的P-N結(jié)層132。
該P(yáng)型半導(dǎo)體層131的材料可以是P型非晶硅(P type amorphous silicon,簡(jiǎn)稱P-a-Si) 材料，特別是P型含氫非晶硅(P type amorphous silicon with hydrogen,簡(jiǎn)稱P-a-Si:H) 材料。當(dāng)然，該P(yáng)型半導(dǎo)體層的材料也可以是III-V族化合物或II-VI族化合物，特別是摻雜 鋁(A1)、鉀(Ga)、銦(In)的半導(dǎo)體材料，如氮化鋁鉀(AlGaN)或鋁砷化鎵(AlGaAs)。
優(yōu)選的，該P(yáng)型半導(dǎo)體層131的材料為P型非晶硅材料。非晶硅材料對(duì)光的吸收性比結(jié)晶 硅材料強(qiáng)約500倍，所以在對(duì)光子吸收量要求相同的情況下，非晶硅材料制成的半導(dǎo)體層的 厚度遠(yuǎn)小于結(jié)晶硅材料制成的半導(dǎo)體層的厚度。且非晶硅材料對(duì)基板材質(zhì)的要求更低。所以 采用非晶硅材料不僅可以節(jié)省大量的材料，也使得制作大面積的太陽能電池成為可能(結(jié)晶 硅太陽能電池的面積受限于硅晶圓的尺寸)。
該P(yáng)-N結(jié)層132的材料可以是結(jié)合性較好的III-V族化合物或I -III-VI族化合物，如碲化 鎘(CdTe)、銅銦硒(CuInSe2)等材料。也可以是銅銦鎵硒(CuIni-XGaSe2， CIGS)。該P(yáng)-N結(jié)層 132用于將光子轉(zhuǎn)換成電子-孔穴對(duì)并形成勢(shì)壘電場(chǎng)。該P(yáng)-N結(jié)層132可以通過化學(xué)氣相沉積法 (Chemical Vapor D印osition， CVD)，濺射法等方法形成在該P(yáng)型半導(dǎo)體層131上。
該N型半導(dǎo)體層133的材料可以是N型非晶硅(N type amorphous silicon,簡(jiǎn)稱N-a-Si) 材料，特別是N型含氫非晶硅(N type amorphous silicon with hydrogen,簡(jiǎn)稱N-a-Si:H) 材料。當(dāng)然，該N型半導(dǎo)體層133的材料也可以是III-V族化合物或II-VI族化合物，特別是摻 雜氮(N)、磷(P)、砷(As)的半導(dǎo)體材料，如氮化鉀(GaN)或磷化銦鎵(InGaP)。
可以理解的是，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層13也可為兩層結(jié)構(gòu)，該兩層磊晶結(jié)構(gòu)由一P型半導(dǎo)體 層131和一N型半導(dǎo)體層133組成。
該第二電極層14形成在N型半導(dǎo)體層133上，其包括一透明導(dǎo)電層141及一與該透明導(dǎo)電 層141電接觸的金屬導(dǎo)電層142 。
所述透明導(dǎo)電層141形成在N型半導(dǎo)體層133上，其與N型半導(dǎo)體層133形成歐姆接觸 (ohmic contact)。所述透明導(dǎo)電層133的材料為透明的金屬氧化物或金屬摻雜氧化物，如銦 錫氧化物(Indium Tin Oxides, IT0)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(Sn02)、銦摻雜一氧化錫 (Sn0: In)、錫摻雜三氧化二鎵(Ga203: Sn)、錫摻雜銀銦氧化物(Agln02: Sn)、銦錫氧化物 (In203:Sn)、鋅摻雜三氧化二銦(In203:Zn)、銻摻雜二氧化錫(Sn02:Sb)、或鋁摻雜氧化鋅 (ZnO:Al)等。透明導(dǎo)電層141的光吸收系數(shù)小，可以讓更多的太陽光通過。可以理解的是，
也可以在透明導(dǎo)電層141進(jìn)一步形成一層增透膜來提高太陽光的利用率。該透明導(dǎo)電層141可 以采用濺射、低壓化學(xué)氣相沉積法或高壓化學(xué)氣相沉積法形成。
所述金屬導(dǎo)電層142形成(例如沉積)在透明導(dǎo)電層141的遠(yuǎn)離N型半導(dǎo)體層133的一側(cè)，其 一般為梳狀結(jié)構(gòu)。所述金屬導(dǎo)電層142通常是由非透光的金屬或金屬合金材料制成的。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的太陽能電池組件10具有較好的撓曲性，將其應(yīng)用于建筑 領(lǐng)域時(shí)，更容易配合建筑物本身的形狀形成不同幾何形狀的太陽能電池組件，這樣可以吸收 到不同時(shí)段太陽發(fā)出的光能。
請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明還提供一種制造上述太陽能電池組件10的設(shè)備20。該設(shè)備20包括一 個(gè)供給/收集部21及加工處理部22。該供給/收集部21內(nèi)設(shè)置有一個(gè)放料滾筒210及一個(gè)收料 滾筒211。加工處理部22內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)滾筒220。鋁鎂合金箔11的一端巻曲在放料滾筒210 上，另一端依次繞過加工處理部22的若干個(gè)滾筒220巻曲在收料滾筒211上。與該若干個(gè)滾筒 220相接觸的表面為該鋁鎂合金箔11的第二表面111。該加工處理部22內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)區(qū)域在 鋁鎂合金箔11的第一表面110上依次形成第一電極層12， P型半導(dǎo)體層131， P-N結(jié)層132， N型 半導(dǎo)體層133，透明導(dǎo)電層141，及金屬導(dǎo)電層142。
設(shè)置在加工處理部22內(nèi)的若干個(gè)滾筒220不僅可以用來支撐鋁鎂合金箔11，進(jìn)一步的， 該若干個(gè)滾筒220內(nèi)還可以裝有冰水或其它液體，這樣有利于對(duì)鋁鎂合金箔散熱，使其在整 個(gè)制程中始終保持相對(duì)較低的溫度。
于本實(shí)施例中，該加工處理部22從左至右依次包括第一濺射區(qū)221，第一沉積區(qū)222，第 二濺射區(qū)223，第二沉積區(qū)224，第三濺射區(qū)225，及第三沉積區(qū)226。
該第一濺射區(qū)221通過濺射法在鋁鎂合金箔11的第一表面110上形成第一電極層12。本實(shí) 施例中，優(yōu)選采用直流磁控濺射法(DC magnetron sputtering)形成第一電極層12。第一濺 射區(qū)221與鋁鎂合金箔第一表面110相對(duì)的內(nèi)壁上設(shè)置有相應(yīng)的耙材2210。該耙材2210的材料 可以是銀、銅、或鋁等金屬，也可以是鋁銅合金，銅鉬合金等合金材料。
該第一沉積區(qū)222通過化學(xué)氣相沉積法在第一電極層12遠(yuǎn)離鋁鎂合金箔的一側(cè)形成P型半 導(dǎo)體層131，該P(yáng)型半導(dǎo)體層131的材料可以為第一實(shí)施例中所列舉的P型半導(dǎo)體層131的材料 。于本實(shí)施例中，優(yōu)選采用等離子輔助化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced CVD， PECVD)，當(dāng) 然根據(jù)不同的材料也可以選擇其它CVD方法。
該第二濺射區(qū)223在P型半導(dǎo)體層131遠(yuǎn)離第一電極層的一側(cè)形成P-N結(jié)層132。第二濺射 區(qū)223與鋁鎂合金箔第一表面相對(duì)的內(nèi)壁上設(shè)置有相應(yīng)的耙材2230。該耙材2230的材料可以 為第一實(shí)施例中所列舉的P-N結(jié)層132的材料，本實(shí)施例中優(yōu)選為銅銦鎵硒。P-N結(jié)層132的形
成可以采用直流磁控濺射法或交流濺射直控法(AC magnetic sputtering)等濺射法形成。 該第二沉積區(qū)224通過CVD法在P-N結(jié)層132遠(yuǎn)離P型半導(dǎo)體層131的一側(cè)沉積N型半導(dǎo)體層
133。該N型半導(dǎo)體層133的材料可以為第一實(shí)施例中所列舉的N型半導(dǎo)體層133的材料。于本
實(shí)施例中，優(yōu)選PECVD法。
該第三濺射區(qū)225通過濺射法在N型半導(dǎo)體層133遠(yuǎn)離P-N結(jié)層132的一側(cè)形成透明導(dǎo)電層
133。第三濺射區(qū)225與鋁鎂合金箔第一表面相對(duì)的內(nèi)壁上設(shè)置有相應(yīng)的耙材2250。該耙材的
材料可以為第一實(shí)施例中所列舉的透明導(dǎo)電層133的材料，優(yōu)選采用ITO材料。
該第三沉積區(qū)226通過化學(xué)氣相沉積法在透明導(dǎo)電層141遠(yuǎn)離N型半導(dǎo)體層133的一側(cè)形成
金屬導(dǎo)電層142。
于本實(shí)施例中，放料滾筒210靠近第一濺射區(qū)221，收料滾筒211靠近第三沉積區(qū)226。該 鋁鎂合金箔11的一端順時(shí)針的巻曲在放料滾筒210上，另一端逆時(shí)針的巻曲在收料滾筒211上 。該設(shè)備20還可以進(jìn)一步包括若干個(gè)導(dǎo)向滾筒23，該若干個(gè)導(dǎo)向滾筒23設(shè)置在該供給/收集 部21及加工處理部22之間，主要用于引導(dǎo)鋁鎂合金箔ll傳輸?shù)姆较颉?br> 當(dāng)電機(jī)(圖未示)帶動(dòng)收料滾筒211順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，放料滾筒210也跟著順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)，而設(shè) 置在加工處理部22內(nèi)的滾筒220進(jìn)行逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。鋁鎂合金箔11依次經(jīng)過第一濺射區(qū)221，第 一沉積區(qū)222，第二濺射區(qū)223，第二沉積區(qū)224，第三濺射區(qū)225，及第三沉積區(qū)226。這樣 ，鋁鎂合金箔11的第一表面110上就依次形成有第一電極層12， P型半導(dǎo)體層131， P-N結(jié)層 132， N型半導(dǎo)體層133，透明導(dǎo)電層141，及金屬導(dǎo)電層142，第一實(shí)施例中的太陽能電池組 件10便制成了。制好的太陽能電池組件10巻曲在收料滾筒211上，便于進(jìn)行后續(xù)的加工處理
請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明還提供一種制造上述太陽能電池組件10的設(shè)備30。所述設(shè)備30與第 二實(shí)施例提供的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)基本相同。該設(shè)備30包括一個(gè)供給/收集部31及加工處理部 32。該供給/收集部31內(nèi)設(shè)置有一個(gè)放料滾筒310及一個(gè)收料滾筒311。加工處理部32內(nèi)設(shè)置 有若干個(gè)滾筒320。鋁鎂合金箔11的一端巻曲在放料滾筒310上，另一端依次繞過加工處理部 32的若干個(gè)滾筒320巻曲在收料滾筒311上。與該若干個(gè)滾筒320相接觸的表面為該鋁鎂合金 箔ll的第二表面lll。不同之處主要在于該加工處理部32從左至右依次包括第一沉積區(qū) 321，第二沉積區(qū)322，第三沉積區(qū)323，第四沉積區(qū)324，第五沉積區(qū)325，及第六沉積區(qū)326 ，該六個(gè)沉積區(qū)主要使用CVD方法依次在鋁鎂合金箔11的第一表面110上形成第一電極層12， P型半導(dǎo)體層131， P-N結(jié)層132， N型半導(dǎo)體層133，透明導(dǎo)電層141，及金屬導(dǎo)電層142。 CVD 方法包括大氣壓化學(xué)氣相沉積法(Atmospheric Pressure CVD、 APCVD)，低壓化學(xué)氣相沉積
法(Low Pressure CVD、 LPCVD) ， PECVD等化學(xué)氣相沉積法。于本實(shí)施例中，該鋁鎂合金箔ll 的一端逆時(shí)針的巻曲在放料滾筒310上，另一端順時(shí)針的巻曲在收料滾筒311上。當(dāng)電機(jī)帶動(dòng) 收料滾筒311逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，放料滾筒31 O也跟著逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)。
可以理解的是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)太陽能電池組件的不同結(jié)構(gòu)層的材料， 選擇本領(lǐng)域慣用的制程形成與第一實(shí)施例的太陽能電池組件10基本結(jié)構(gòu)相同的太陽能電池組 件。
可以理解的是，本發(fā)明提供的太陽能電池組件不僅可以應(yīng)用于建筑領(lǐng)域，由于其具有輕 質(zhì)、成本低、且易撓曲的特性，還可以廣泛的應(yīng)用于航天器，海上運(yùn)輸工具，交通工具，以 及手機(jī)等3C產(chǎn)品上。
可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu) 思做出其它各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù) 范圍。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池組件，包括一個(gè)可撓曲基板，該基板的表面上依次形成有電極層，P型半導(dǎo)體層，P-N結(jié)層，N型半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層，及金屬導(dǎo)電層，該基板的材料是鋁鎂合金。
2.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該電極層的材 料為金屬材料。
3.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該電極層的材 料為合金金屬材料。
4.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該P(yáng)型半導(dǎo)體 層的材料為非晶硅材料。
5.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該N型半導(dǎo)體 層的材料為非晶硅材料。
6.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該P(yáng)-N結(jié)層的 材料為iii-v族化合物或i -iii-vi族化合物。
7.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該P(yáng)-N結(jié)層的 材料為銅銦鎵硒或銅銦硒。
8.如權(quán)利要求l所述的太陽能電池組件，其特征在于，該透明導(dǎo)電層 的材料為透明的金屬氧化物或金屬摻雜氧化物。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能電池組件，其特征在于，該透明導(dǎo)電層 的材料為銦錫氧化物。
10. 一種太陽能電池組件的制造設(shè)備，用于在鋁鎂合金基板的表面形 成太陽能電池組件，該制造設(shè)備包括第一區(qū)域，用于在該基板的一個(gè)表面上形成電極層； 第二區(qū)域，用于在該電極層上形成P型半導(dǎo)體層； 第三區(qū)域，用于在該P(yáng)型半導(dǎo)體層上形成P-N結(jié)層；第四區(qū)域，用于在該P(yáng)-N結(jié)層上形成N型半導(dǎo)體層； 第五區(qū)域，用于在該N型半導(dǎo)體層上形成該透明導(dǎo)電層；及第六區(qū)域，用于在該透明半導(dǎo)體層上形成金屬導(dǎo)電層，從而得到可撓曲的太陽能電池 組件。
11.如權(quán)利要求10所述的制造設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)置在 該六個(gè)區(qū)域外的一個(gè)放料滾筒及一個(gè)收料滾筒，該放料滾筒用于纏繞可以撓曲的鎂鋁合金基 板并且將該基板從該放料滾筒放出，該收料滾筒用于將制成的太陽能電池組件巻起。
12.如權(quán)利要求10所述的制造設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括設(shè)置在該六個(gè)區(qū)域內(nèi)的若干個(gè)滾筒，該若干個(gè)滾筒內(nèi)裝有冷卻液體，該若干個(gè)滾筒用于支撐該基板 并對(duì)該基板進(jìn)行散熱。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽能電池組件。該太陽能電池組件包括一個(gè)可撓曲基板，該基板具有兩個(gè)相對(duì)的表面。其中一個(gè)表面上依次形成有電極層，P型半導(dǎo)體層，P-N結(jié)層，N型半導(dǎo)體層，透明導(dǎo)電層，及金屬導(dǎo)電層。該基板的材料是鋁鎂合金。該太陽能電池組件具有較好的撓曲性，將其應(yīng)用于建筑領(lǐng)域時(shí)，更容易配合建筑物本身的形狀形成不同幾何形狀的太陽能電池組件，這樣可以吸收到不同時(shí)段太陽發(fā)出的光能。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101355109SQ20071020118
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2007年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日
發(fā)明者陳杰良 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司