專利名稱：：氮化硅只讀存儲器及其字線的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種氮化硅只讀存儲器(Nitridereadonlymemory,NBit)的技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種氮化硅只讀存儲器(NBit)及其字線的制造方法。
背景技術(shù)：
：氮化硅只讀存儲器(NBit)為一種使用電荷捕捉(chargetrapping)作為數(shù)據(jù)儲存型態(tài)的存儲器。一個典型的NBit存儲單元中可以有兩個分離的電荷位，因此每個單元擁有雙倍的存儲密度。同時，隨著下一代的應(yīng)用，習知的氮化硅只讀存儲器在元件尺寸必須不斷地縮減，因此目前發(fā)展出一種在硬掩模表面另沉積一層襯層，來縮減元件之間間距(space)的方法。然而，在次微米世代(如0.1(im或0.075nm)時，上述用來縮減元件間距的方法卻導致字線之間的橋接故障率(bridgefailurerate)上升。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的一個目的在于提供一種存儲器的字線的形成方法，可降低字線之間的橋接故障率(bridgefailurerate)。本發(fā)明提供一種氮化硅只讀存儲器(Nitridereadonlymemory,NBit)的制造方法，以符合次微米世代的電性要求。本發(fā)明提供的這種存儲器的字線的形成方法，包括先提供一襯底，再在襯底上形成一層導體層。然后，在導體層上形成一層金屬硅化物層，再在金屬硅化物層上形成一層掩模圖案，以定義出數(shù)個字線區(qū)域并露出金屬硅化物層的部分表面。接著，在襯底上形成一層掩模襯層，覆蓋掩模圖案與金屬硅化物層的表面，以縮減字線區(qū)域之間的距離。之后，對掩模襯層與掩模圖案進行一道刻蝕制作工藝，直到露出金屬硅化物層的部分表面，再以上述掩模襯層與掩模圖案作為掩模，刻蝕金屬硅化物層與導體層，以形成數(shù)條字線，其中金屬硅化物層的硅含量需控制在小于等于2原子數(shù)/分子(atoms/molecule)，以降低多條字線之間的橋接故障率(bridgefailurerate)o本發(fā)明又提出一種存儲器的字線的形成方法，包括先提供具有一層導體層的襯底，再在導體層上形成一層金屬硅化物層，其中金屬硅化物層的硅含量需小于等于S2原子數(shù)/分子。接著，在金屬硅化物層上形成一個定義出數(shù)個字線區(qū)域并露出金屬硅化物層的部分表面的掩模圖案。隨后，在字線區(qū)域的側(cè)壁形成數(shù)個掩模襯層，再以掩模襯層與掩模圖案作為掩模，刻蝕金屬硅化物層與導體層，以形成字線。在本發(fā)明的一實施例中，上述金屬硅化物層為硅化鎢(WSk)層時，形成金屬硅化物層的方法包括進行低壓化學氣相沉積制作工藝。其中，前述低壓化學氣相沉積制作工藝包括以二氯硅烷(dichlorosilane，DCS)作為硅的來源氣體以及以氟化鎢(WF6)作為鉤的來源氣體。在本發(fā)明的一實施例中，上述硅化鎢(WSix)層中的硅的原子數(shù)/分子x介于1.9~2之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述形成掩模圖案的步驟包括先利用化學氣相沉積法(CVD)在金屬硅化物層上形成一層氧化層，再利用光刻刻蝕制作工藝，使氧化層成為露出金屬硅化物層的部分表面的氧化物圖案。在本發(fā)明的一實施例中，上述形成掩模襯層的方法包括利用低壓化學氣相沉積法(LPCVD)，在反應(yīng)氣體為四乙氧基硅垸(TEOS)的情形下沉積一層氧化薄膜；或者，依前述方式形成氧化薄膜后再進行回刻蝕。在本發(fā)明的一實施例中，上述導體層的材料包括摻雜多晶硅。在本發(fā)明的一實施例中，在形成字線的步驟后更包括在字線的側(cè)壁上分別形成一層保護薄膜。本發(fā)明另提出一種氮化硅只讀存儲器(NBit)的制造方法，包括先提供一襯底，再在襯底上形成數(shù)條電荷捕捉層。隨后，在電荷捕捉層兩側(cè)的襯底中形成數(shù)條埋入式位線。然后，依序在襯底上形成一層導體層與一層金屬硅化物層，再在金屬硅化物層上形成一層掩模圖案，以定義出數(shù)個字線區(qū)域并露出金屬硅化物層的部分表面。接著，在襯底上形成一層掩模襯層，覆蓋掩模圖案與金屬硅化物層的表面，以縮減字線區(qū)域之間的距離。之后，對掩模襯層與掩模圖案進行一道刻蝕制作工藝，直到露出金屬硅化物層的部分表面，再以上述掩模襯層與掩模圖案作為掩模，刻蝕金屬硅化物層與導體層，以形成數(shù)條字線，其中金屬硅化物層的硅含量需控制在小于等于2原子數(shù)/分子，以降低字線之間的橋接故障率。在本發(fā)明的另一實施例中，上述金屬硅化物層為硅化鎢(WSix)層時，形成金屬硅化物層的方法包括進行一低壓化學氣相沉積制作工藝，且低壓化學氣相沉積制作工藝例如是以二氯硅垸(dichlorosilane，DCS)作為硅的來源氣體以及以氟化鎢(WF6)作為鎢的來源氣體。在本發(fā)明的另一實施例中，上述硅化鎢(WSk)層中的硅的原子數(shù)/分子x介于1.92之間。在本發(fā)明的另一實施例中，上述形成掩模圖案的步驟包括先利用化學氣相沉積法在金屬硅化物層上形成一層氧化層，再利用光刻刻蝕制作工藝，使氧化層成為露出金屬硅化物層的部分表面的氧化物圖案。在本發(fā)明的另一實施例中，上述形成掩模襯層的方法包括利用低壓化學氣相沉積法，在反應(yīng)氣體為四乙氧基硅垸(TEOS)的情形下沉積一層氧化薄膜。在本發(fā)明的另一實施例中，上述導體層的材料包括摻雜多晶硅。在本發(fā)明的另一實施例中，上述在襯底上形成電荷捕捉層的步驟包括先在襯底上形成一個堆棧結(jié)構(gòu)，這個堆棧結(jié)構(gòu)自襯底包括一層第一氧化層(01)、一層第一氮化層(N1)、一層第二氧化層(02)、一層第二氮化層(N2)與一層第三氧化層(03)。之后，利用光刻刻蝕制作工藝，使堆棧結(jié)構(gòu)成為電荷捕捉層。在本發(fā)明的另一實施例中，在形成上述字線的步驟后更包括在字線的側(cè)壁上分別形成一層保護薄膜。本發(fā)明因采用幾乎是化學計量比的金屬硅化物，所以在配合使用需經(jīng)歷高溫含氧制作工藝形成的掩模襯層后，不會因為金屬硅化物層中有多余的硅而形成金屬與硅和氧的復合物(compound)。因此，在進行刻蝕形成字線的時候，可順利將金屬硅化物層及其底下的導體層完全去除，而不會被金屬與硅和氧復合物影響。圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的第一實施例的一種存儲器的字線的形成流程剖面示意圖。圖2是第一實施例的實驗例與對照例的電性測試曲線圖。圖3A是依照本發(fā)明的第二實施例的一種氮化硅只讀存儲器(NBit)的制造流程俯視圖。圖3B至圖3F是接續(xù)圖3A的第二實施例的氮化硅只讀存儲器的制造流程剖面圖。圖3G是接續(xù)圖3F的第二實施例的氮化硅只讀存儲器的制造流程俯視圖。主要元件符號說明'100、300:襯底102、316:導體層104、318:金屬硅化物層106、320:掩模圖案108、112:字線區(qū)域110、322:掩模襯層114、324:字線116、326:節(jié)距118、328:間距120:寬度122:保護薄膜302:電荷捕捉層304:埋入式位線306:第一氧化層(Ol)308:第一氮化層(N1)310:第二氧化層(02)312:第二氮化層(N2)314:第三氧化層(03)具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。下面地描述請參照隨附說明書附圖，以便能夠?qū)⒈景l(fā)明的范疇完全傳達至所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者。而隨附說明書附圖中雖然己經(jīng)顯示本發(fā)明的實施例，但是本發(fā)明尚可利用許多不同形式來實踐，因此不應(yīng)將本發(fā)明限制在下文所陳述的實施例。此外，為明確起見，在說明書附圖中并不會直接按照實際上的比例來繪制各層以及區(qū)域的尺寸以及相對尺寸。圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的第一實施例的一種存儲器的字線的形成流程剖面示意圖。請參照圖1A，提供一襯底100，而且在第一實施例中的「襯底」可以是己經(jīng)形成有位線以及電荷儲存結(jié)構(gòu)(chargestoragelayer)的襯底；舉例來說，如果第一實施例所指的存儲器是一種氮化硅只讀存儲器(NBit)，則此時的襯底應(yīng)該己經(jīng)形成有埋入式位線(buriedbitline)和電荷捕捉層(chargetrappinglayer)。接著，在襯底100上形成一導體層102，其材料譬如是摻雜多晶硅或其它適合的導體材料、厚度則可約500A700A之間，視元件設(shè)計需求而定。隨后，在導體層102上形成一金屬硅化物層104，其中金屬硅化物層104的硅含量需控制在小于等于2原子數(shù)/分子，以降低字線之間的橋接故障率；前述金屬硅化物層104較佳為硅化鎢(WSix)，x^2。當金屬硅化物層104是硅化鎢(WSk)層時，其中的x較佳是介于1.9~2之間。而金屬硅化物層104的厚度例如是約800AIOOOA之間，視元件設(shè)計需請繼續(xù)參照圖1A，當金屬硅化物層104是硅化鎢(WSix)層時，形成金屬硅化物層104的方法例如是進行一道低壓化學氣相沉積制作工藝，其中低壓化學氣相沉積制作工藝的溫度約在52(TC580。C之間。另外，前述低壓化學氣相沉積制作工藝譬如是以二氯硅烷(dichlorosilane，DCS)作為硅的來源氣體以及以氟化鎢(WF6)作為鎢的來源氣體；如果是這種情況下，二氯硅烷的流量可選擇控制在180220sccm之間，而氟化鴨(WF6)的流量可選擇控制在4.24.8sccm之間。然后，請參照圖1B，在金屬硅化物層104上形成一掩模圖案(pattern)106，以定義出數(shù)個字線區(qū)域108并露出金屬硅化物層104的部分表面。其中形成掩模圖案106的步驟例如先利用化學氣相沉積法(CVD)，在金屬硅化物層104上形成一氧化層(oxidelayer),再利用光刻刻蝕制作工藝，使氧化層成為露出金屬硅化物層104的部分表面的氧化物圖案(亦即掩模圖案106)。而且，在本文所謂的「光刻刻蝕制作工藝」一般是包含光刻制作工藝與刻蝕制作工藝；舉例來說，可采用經(jīng)光刻制作工藝而形成圖案的光刻膠層作為掩模來執(zhí)行刻蝕制作工藝。接著，請參照圖1C，在襯底100上形成一層覆蓋掩模圖案106與金屬硅化物層104表面的掩模襯層(liner)110，其形成方法例如是利用低壓化學氣相沉積法，在反應(yīng)氣體為四乙氧基硅烷(TEOS)的情形下沉積一層氧化薄膜。同時，因為第一實施例的金屬硅化物層104中的x^2，所以在上述形成掩模襯層110時不會有多余的Si與氧反應(yīng)，故可降低字線之間的橋接故障率(bridgefailurerate)。另外，在圖1C中的掩模襯層110因為共形地(conformally)覆蓋掩模圖案106，所以會使原本的字線區(qū)域108擴大成標示為112的區(qū)域；相對地會縮減后續(xù)形成的字線區(qū)域之間的距離，進而達到縮小元件間距的效果。換句話說，只要控制掩模圖案106與掩模襯層(liner)110的厚度就可以實現(xiàn)縮小元件間距的目標。下表一是根據(jù)第一實施例提供一種掩模圖案106和掩模襯層110所對應(yīng)的字線區(qū)域108和112的線寬范圍作為例子，且此范圍符合下一代(0.075pm)的存儲器的字線。表一字線區(qū)域108字線區(qū)域1120.075~0.105拜0.095~0.125|im之后，請參照圖1D，對掩模襯層110與掩模圖案106進行刻蝕制作工藝，直到露出金屬硅化物層104的部分表面。此時，掩模襯層110會稍稍變薄。接著，請參照圖1E，以掩模襯層110與掩模圖案106作為掩模，刻蝕金屬硅化物層104與導體層102，以形成數(shù)條字線114。下表二是根據(jù)表一所列出的掩模圖案和掩模襯層的線寬范圍得到的字線114的節(jié)距116、間距118與寬度(width)120的范圍。從表二可知第一實施例能夠做到小于等于0.075pm的間距。表二<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>然后，在形成字線114之后，請參照圖1F，可選擇在字線114的側(cè)壁上分別形成一層保護薄膜122。以下列舉一個第一實施例的實驗例與一個對照例來證明本發(fā)明的功效。實驗例首先，在襯底上依序形成一層厚度約600A的摻雜多晶硅層和一層厚度約900A的金屬硅化物層。其中，金屬硅化物層是硅化鎢(WSix)層時，形成金屬硅化物層的方法是用一個低壓化學氣相沉積反應(yīng)裝置(LPCVDreactor)(應(yīng)用材料公司制的Centura),并在溫度約550°C、壓力約1.2Torr下進行低壓化學氣相沉積制作工藝，其中的反應(yīng)氣體分別是流量約為200sccm的二氯硅烷(SiH2C12，DCS)和流量約為4.5sccm的氟化鎢(WF6)。在實驗例中剛沉積的硅化鎢(WSix)層的x值約為2。接著，利用第一實施例的方法完成如表二所示的字線。對照例除了利用習知制作工藝形成硅化鎢(WSix)層之外，其余步驟與實驗例相同。因此，所得到的硅化鎢(WSbc)層的x值約為2.3。圖2是上述第一實施例的實驗例與對照例的電性測試曲線圖。請參照圖2，這個電性測試是在字線之間和襯底供應(yīng)偏壓(voltagebias),然后量測電流。一般而言，當偏壓大于20V但電流小于l(HiA時，可稱為"及格(pass)"。因此，從圖2可知第一實施例的實驗例可通過電性測試，但對照例卻在偏壓為5V的時候電流就已經(jīng)急劇增加。圖3A是依照本發(fā)明的第二實施例的一種氮化硅只讀存儲器(NBit)的制造流程俯視圖。圖3B至圖3F是接續(xù)圖3A的Ill-Ill線段的制造流程剖面圖。圖3G是接續(xù)圖3F的制造流程俯視圖。請參照圖3A，提供一襯底300，如硅襯底等半導體襯底，再在襯底300上形成數(shù)條電荷捕捉層302，之后在電荷捕捉層302兩側(cè)的襯底300中形成數(shù)條埋入式位線304。接著，請參照圖3B，由于圖3A中的電荷捕捉層302可使用各種現(xiàn)有技術(shù)制作，因此通過剖面圖來舉例說明。從圖3B可看出電荷捕捉層302是自襯底300包括一層第一氧化層(01)306、一層第一氮化層(N1)308、一層第二氧化層(O2)310、一層第二氮化層(N2)312與一層第三氧化層(O3)3M所構(gòu)成的堆棧結(jié)構(gòu)，且此堆棧結(jié)構(gòu)(亦即302)是在一層層沉積后，利用光刻刻蝕制作工藝使其成為圖3A的條狀電荷捕捉層302。其中，形成的第一氧化層306的厚度約小于2nm、在0.5~2nm之間或小于1.5nm;形成的第一氮化層308的厚度約小于2nm或在12nm之間；而形成的第二氧化層310的厚度則約小于2nm或在1.52nm之間。然后，在電荷捕捉層302上形成一整層的導體層316，其材料譬如是摻雜多晶硅或其它適合的導體材料、厚度則視元件設(shè)計需求而定。接著，請參照圖3C，在導體層316上形成一層金屬硅化物層318，其硅含量需控制在小于等于2，以降低字線之間的橋接故障率，其中當金屬硅化物層318為硅化鎢(WSix)層時，x較佳是介于1.9~2之間，而金屬硅化物層318的厚度則視元件設(shè)計需求而定。至于形成金屬硅化物層318的方法可參照第一實施例所述或者其它適合的制作工藝。然后，在金屬硅化物層318上形成一個掩模圖案320，并露出金屬硅化物層318的部分表面，其中形成掩模圖案320的步驟可參照第一實施例所述。之后，請參照圖3D，在襯底300上形成一層掩模襯層322，覆蓋掩模圖案320與金屬硅化物層318的表面，以縮減后續(xù)形成的字線的間距。至于形成掩模襯層322的步驟可參照第一實施例所述。接著，請參照圖3E，對掩模襯層322與掩模圖案320進行一刻蝕制作工藝，直到露出金屬硅化物層318的部分表面。然后，請參照圖3F，以掩模襯層322與掩模圖案320作為掩模，刻蝕金屬硅化物層318與導體層316，以形成數(shù)條字線324。因此，所得到的字線324在節(jié)距326不變的情形下，可將間距328進一步縮小。而在形成字線324之后可選擇在字線324的側(cè)壁上分別形成一層保護薄膜，如圖1F中的122。最后，請參照圖3G，如需要的話，在去除殘留的掩模襯層322與掩模圖案324后，可得到由電荷捕捉層302、埋入式位線304以及字線324所構(gòu)成的氮化硅只讀存儲器(NBit)。此外，因為目前對于氮化硅只讀存儲器的設(shè)計很多樣，所以所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者可根據(jù)自身需求對第二實施例中的各層及構(gòu)件作形狀、材料、尺寸以及/或是位置的變更與調(diào)整。綜上所述，本發(fā)明在制作存儲器的字線時采用幾乎是化學計量比的Si與金屬的化合物(composition)作為硅化金屬層的材料。因此，在金屬硅化物層中沒有多余的硅來與經(jīng)高溫形成掩模襯層的含氧中所供應(yīng)的氧形成金屬與硅和氧的復合物(compound)。也就是說，在刻蝕形成字線的時候，不會因為前述金屬與硅和氧的復合物的存在，導致字線之間殘留有金屬硅化物層及導體層，而發(fā)生字線之間的橋接故障率(bridgefailurerate)上升的問題。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與潤飾，因此本發(fā)明之保護范圍當以權(quán)利要求書所界定的范圍為準。權(quán)利要求1、一種存儲器的字線的形成方法，其特征在于，該方法包括提供一導體層；在該導體層上形成一金屬硅化物層；在該金屬硅化物層上形成一掩模圖案，以定義出多個字線區(qū)域并露出該金屬硅化物層的部分表面；在該導體層上形成一掩模襯層，覆蓋該掩模圖案與該金屬硅化物層的表面，以縮減該些字線區(qū)域之間的距離；對該掩模襯層與該掩模圖案進行一刻蝕制作工藝，直到露出該金屬硅化物層的部分表面；以及以該掩模襯層與該掩模圖案作為掩模，刻蝕該金屬硅化物層與該導體層，以形成多條字線，其中該金屬硅化物層中的硅含量≤2原子數(shù)/分子，以降低該多條字線之間的橋接故障率。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，該金屬硅化物層包括硅化鎢層。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，形成該金屬硅化物層的方法包括進行一低壓化學氣相沉積制作工藝，該低壓化學氣相沉積制作工藝包括以二氯硅垸作為硅的來源氣體以及以氟化鎢作為鎢的來源氣體。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，該硅化鎢層中的硅的原子數(shù)/分子介于1.92之間。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，形成該掩模圖案的步驟包括利用化學氣相沉積法在該金屬硅化物層上形成一氧化層；以及利用光刻刻蝕制作工藝，使該氧化層成為露出該金屬硅化物層的部分表面的氧化物圖案。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，形成該掩模襯層的方法包括利用低壓化學氣相沉積法在反應(yīng)氣體為四乙氧基硅烷的情形下沉積一氧化薄膜。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，形成該多個字線的步驟后更包括在該多個字線的側(cè)壁上分別形成一保護薄膜。8、一種氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，包括提供一襯底；在該襯底上形成多個電荷捕捉層；在該多個電荷捕捉層兩側(cè)的該襯底中形成多個埋入式位線；在該多個電荷捕捉層上形成一導體層；在該導體層上形成一金屬硅化物層；在該金屬硅化物層上形成一掩模圖案，以定義出多個字線區(qū)域并露出該金屬硅化物層的部分表面；在該襯底上形成一掩模襯層，覆蓋該掩模圖案與該金屬硅化物層的表面，以縮減該多個字線區(qū)域之間的距離；對該掩模襯層與該掩模圖案進行一刻蝕制作工藝，直到露出該金屬硅化物層的部分表面；以及以該掩模襯層與該掩模圖案作為掩模，刻蝕該金屬硅化物層與該導體層，以形成多個字線，其中該金屬硅化物層中的硅含量S2原子數(shù)/分子，以降低該些字線之間的橋接故障率。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，該金屬硅化物層包括硅化鎢層。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，形成該金屬硅化物層的方法包括進行一低壓化學氣相沉積制作工藝，該低壓化學氣相沉積制作工藝包括以二氯硅烷作為硅的來源氣體以及以氟化鉤作為鎢的來源氣體。11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器的字線的形成方法，其特征在于，該硅化鉤層中的硅的原子數(shù)/分子介于1.92之間。12、根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，形成該掩模襯層的方法包括利用低壓化學氣相沉積法在反應(yīng)氣體為四乙氧基硅垸的情形下沉積一氧化薄膜。13、根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，在該襯底上形成該多個電荷捕捉層的步驟包括在該襯底上形成一堆棧結(jié)構(gòu)，該堆棧結(jié)構(gòu)自該襯底包括一第一氧化層、一第一氮化層、一第二氧化層、一第二氮化層與一第三氧化層；以及利用光刻刻蝕制作工藝，使該堆棧結(jié)構(gòu)成為該多個電荷捕捉層。14、根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硅只讀存儲器的制造方法，其特征在于，形成該多個字線的步驟后更包括在該多個字線的側(cè)壁上分別形成一保護薄膜。全文摘要本發(fā)明涉及氮化硅只讀存儲器
技術(shù)領(lǐng)域：
，公開了一種存儲器的字線的形成方法，先在襯底上形成一層導體層，再形成一層金屬硅化物層和一層掩模圖案，以便用掩模圖案定義出數(shù)個字線區(qū)域并露出金屬硅化物層的部分表面。接著，在襯底上形成一層掩模襯層，覆蓋掩模圖案與金屬硅化物層的表面，再對掩模襯層與掩模圖案進行刻蝕制作工藝，直到露出金屬硅化物層的部分表面，再以掩模襯層與掩模圖案作為掩模，刻蝕金屬硅化物層與導體層，以形成數(shù)條字線，其中金屬硅化物層的硅含量控制在小于等于2原子數(shù)/分子，以降低存儲器的字線之間的橋接故障率。文檔編號H01L21/8247GK101409254SQ20071018075公開日2009年4月15日申請日期2007年10月11日優(yōu)先權(quán)日2007年10月11日發(fā)明者盧棨彬,楊令武申請人:旺宏電子股份有限公司